技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種射頻三極管的制備方法和射頻三極管，其中，制備方法包括：在襯底上依次形成外延層、氧化層和圖形化的氮化硅層；通過熱氧化工藝處理外延層以形成場(chǎng)氧化層；去除氮化硅層；在指定區(qū)域上形成圖形化的氧化硅掩膜；對(duì)第一多晶硅層進(jìn)行第一次P型離子注入；形成氮化硅介質(zhì)層；刻蝕氧化硅掩膜層上方的第一多晶硅層和氮化硅介質(zhì)層；通過第二次P型離子注入工藝依次形成第二離子摻雜區(qū)；形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)；在側(cè)墻結(jié)構(gòu)和第二離子摻雜區(qū)上方形成第二多晶硅層；對(duì)第二多晶硅層進(jìn)行離子注入以形成第三離子摻雜區(qū)；在形成第三離子摻雜區(qū)的襯底上形成金屬電極。通過本發(fā)明技術(shù)方案，避免了硅柵過刻對(duì)外延層的損耗，提升了器件可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：馬萬里
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.23
技術(shù)公布日：2017.08.29