本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種射頻三極管的制備方法和一種射頻三極管。

背景技術(shù)：

相關(guān)技術(shù)中，如圖1所示，射頻三極管包括：襯底102、外延層104、場(chǎng)氧化層110、第一多晶硅層114、第一離子摻雜區(qū)118、第二離子摻雜區(qū)120、側(cè)墻122、第二多晶硅層124、第三離子摻雜區(qū)126、介質(zhì)層128、金屬電極130以及氧化層132。

在射頻三極管的制造過(guò)程中，為了達(dá)到形成基區(qū)和發(fā)射區(qū)淺結(jié)的目的，需要通過(guò)摻雜多晶硅中的離子向外延層中擴(kuò)散的方式來(lái)制作。所以基區(qū)表面部分區(qū)域需要與基區(qū)對(duì)應(yīng)摻雜的多晶硅接觸，部分區(qū)域需要與發(fā)射區(qū)對(duì)應(yīng)摻雜的多晶硅接觸。在刻蝕基區(qū)表面的多晶硅時(shí)，會(huì)對(duì)多晶硅下方的外延層造成損傷，從而影響器件的可靠性。

因此，如何設(shè)計(jì)一種新的射頻三極管的制備方案以避免外延層損傷成為亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明正是基于上述技術(shù)問(wèn)題至少之一，提出了一種新的射頻三極管的制備方案，通過(guò)在外延層的指定區(qū)域形成圖形化的氧化硅掩膜，解決了多晶硅層過(guò)刻對(duì)外延層造成的損傷，提升了射頻三極管的器件可靠性。

有鑒于此，本發(fā)明提出了一種射頻三極管的制備方法，包括：在襯底上依次形成外延層、氧化層和圖形化的氮化硅層；以圖形化的氮化硅層為掩蔽，通過(guò)熱氧化工藝處理外延層以形成場(chǎng)氧化層；去除氮化硅層，以暴露出外延層的指定區(qū)域?yàn)橹?；在指定區(qū)域上形成圖形化的氧化硅掩膜；在刻蝕場(chǎng)氧化層的襯底上依次形成第一多晶硅層，并對(duì)第一多晶硅層進(jìn)行第 一次p型離子注入，以形成第一離子摻雜區(qū)；在完成離子注入的第一多晶硅層上形成氮化硅介質(zhì)層；刻蝕氧化硅掩膜層上方的第一多晶硅層和氮化硅介質(zhì)層，以形成注入窗口；在注入窗口下方的外延層中，通過(guò)第二次p型離子注入工藝依次形成第二離子摻雜區(qū)；在注入窗口中形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)；在側(cè)墻結(jié)構(gòu)和第二離子摻雜區(qū)上方形成第二多晶硅層；對(duì)第二多晶硅層進(jìn)行離子注入以形成第三離子摻雜區(qū)；在形成第三離子摻雜區(qū)的襯底上形成金屬電極，以完成射頻三極管的制備。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)在外延層的指定區(qū)域形成圖形化的氧化硅掩膜，解決了多晶硅層過(guò)刻對(duì)外延層造成的損傷，提升了射頻三極管的器件可靠性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在襯底上依次形成外延層、氧化層和圖形化的氮化硅層，具體包括以下步驟：以溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝在襯底上形成氧化層。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)以溫度范圍為900℃至1000℃的熱氧化工藝在襯底上形成氧化層，一方面，降低了襯底的熱應(yīng)力，另一方面，提升了氧化層的致密性，提升了器件可靠性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在襯底上依次形成外延層、氧化層和圖形化的氮化硅層，具體還包括以下步驟：以溫度范圍為600℃至900℃的化學(xué)氣相淀積工藝在氧化層上形成氮化硅層；通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝對(duì)氮化硅層進(jìn)行圖形化處理，以形成圖形化的氮化硅層。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)以溫度范圍為600℃至900℃的化學(xué)氣相淀積工藝在氧化層上形成氮化硅層，再通過(guò)干法刻蝕工藝依次對(duì)氮化硅進(jìn)行刻蝕，以形成圖形化的氮化硅層，形成了場(chǎng)氧化層形成的掩膜層，基于氮化硅層作為掩膜，通過(guò)高溫氧氣與襯底接觸形成場(chǎng)氧化層，由于氮化硅層下的硅難以被氧化，所以在氮化硅層下方形成的場(chǎng)氧化層極薄，也即形成的場(chǎng)氧化層呈現(xiàn)一種“鳥嘴”的形狀。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，以圖形化的氮化硅層為掩蔽，通過(guò)熱氧化工藝處理外延層以形成場(chǎng)氧化層，具體包括以下步驟：以圖形化的氮化硅層為掩蔽，通過(guò)溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝處理外延層，以形成場(chǎng)氧化層。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)以圖形化的氮化硅層為掩蔽，以溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝對(duì)襯底進(jìn)行熱氧化處理，以形成場(chǎng)氧化層，一方面，降低了襯底的熱應(yīng)力，另一方面，提升了柵氧化層的致密性，提升了器件可靠性。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在刻蝕場(chǎng)氧化層的襯底上依次形成第一多晶硅層，并對(duì)第一多晶硅層進(jìn)行第一次p型離子注入，以形成第一離子摻雜區(qū)，具體包括以下步驟：第一次p型離子注入的劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層中形成第一離子摻雜區(qū)。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在注入窗口下方的外延層中，通過(guò)第二次p型離子注入工藝依次形成第二離子摻雜區(qū)，具體包括以下步驟：第二次p型離子注入的劑量范圍為1.0e12/cm²至1.0e14/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層中形成第二離子摻雜區(qū)。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)設(shè)定第一次p型離子的注入劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層中形成第一離子摻雜區(qū)，且設(shè)定第二次p型離子的注入劑量范圍為1.0e12/cm²至1.0e14/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層中形成第二離子摻雜區(qū)，形成了射頻三極管的基區(qū)，同時(shí)，降低了離子損傷的可能性。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在側(cè)墻結(jié)構(gòu)和第二離子摻雜區(qū)上方形成第二多晶硅層，具體包括以下步驟：在側(cè)墻結(jié)構(gòu)和第二離子摻雜區(qū)上方，以溫度范圍為500℃至800℃的化學(xué)氣相淀積工藝形成第二多晶硅層。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)第二多晶硅層形成了三極管淺結(jié)，也即對(duì)第二多晶硅層進(jìn)行離子注入，再經(jīng)過(guò)退火工藝促使離子擴(kuò)散至第二離子摻雜區(qū)，進(jìn)而形成射頻三極管的發(fā)射極。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，對(duì)第二多晶硅層進(jìn)行n型離子注入以形成第三離子摻雜區(qū)，具體包括以下步驟：n型離子的注入劑量范圍 為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，通過(guò)離子注入掩蔽層形成第三離子摻雜區(qū)。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)設(shè)定n型離子注入的劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口中形成第三離子摻雜區(qū)，形成了射頻三極管的淺結(jié)發(fā)射極，工藝簡(jiǎn)單且生產(chǎn)成本低，利于大規(guī)模推廣生產(chǎn)。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在形成第三離子摻雜區(qū)后，以溫度范圍為800℃至1200℃的退火工藝對(duì)第一離子摻雜區(qū)、第二離子摻雜區(qū)和第三離子摻雜區(qū)進(jìn)行退火處理。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)對(duì)第一離子摻雜區(qū)、第二離子摻雜區(qū)和第三離子摻雜區(qū)進(jìn)行退火處理，激活了摻雜區(qū)的化學(xué)鍵，從而實(shí)現(xiàn)了射頻三極管的電學(xué)特性，保證了器件可靠地工作。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在形成第三離子摻雜區(qū)的襯底上形成金屬電極，以完成射頻三極管的制備，具體包括以下步驟：在形成第三離子摻雜層的襯底上形成介質(zhì)層；分別在第一多晶硅層和第二多晶硅層的上方刻蝕形成接觸孔；通過(guò)金屬濺射工藝形成連接接觸孔的金屬電極。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)金屬濺射工藝形成連接接觸孔的金屬電極，形成了射頻三極管的電極，進(jìn)一步地保證了器件可靠地工作。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，還提出了一種射頻三極管，采用如上述任一項(xiàng)的射頻三極管的制備方法制備而成，因此，該場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有和上述技術(shù)方案中任一項(xiàng)的射頻三極管的制備方法相同的技術(shù)效果，在此不再贅述。

通過(guò)以上技術(shù)方案，通過(guò)在外延層的指定區(qū)域形成圖形化的氧化硅掩膜，解決了多晶硅層過(guò)刻對(duì)外延層造成的損傷，提升了射頻三極管的器件可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1示出了相關(guān)技術(shù)中射頻三極管的剖面示意圖；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的射頻三極管的制備方法的示意流程圖；

圖3至圖17示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的射頻三極管的制備過(guò)程的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用第三方不同于在此描述的第三方方式來(lái)實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。

下面結(jié)合圖2至圖17對(duì)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的射頻三極管的制備方法進(jìn)行具體說(shuō)明。

如圖2至圖17所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的射頻三極管的制備方法，包括：步驟202，在襯底102上依次形成外延層104、氧化層106和圖形化的氮化硅層108；步驟204，以圖形化的氮化硅層108為掩蔽，通過(guò)熱氧化工藝處理外延層104以形成場(chǎng)氧化層106；步驟206，去除氮化硅層108，以暴露出外延層104的指定區(qū)域?yàn)橹梗徊襟E208，在指定區(qū)域上形成圖形化的氧化硅掩膜112；步驟210，在刻蝕場(chǎng)氧化層106的襯底102上依次形成第一多晶硅層114，并對(duì)第一多晶硅層114進(jìn)行第一次p型離子注入，以形成第一離子摻雜區(qū)118；步驟212，在完成離子注入的第一多晶硅層114上形成氮化硅介質(zhì)層116；步驟214，刻蝕氧化硅掩膜112層上方的第一多晶硅層114和氮化硅介質(zhì)層116，以形成注入窗口；步驟216，在注入窗口下方的外延層104中，通過(guò)第二次p型離子注入工藝依次形成第二離子摻雜區(qū)120；步驟218，在注入窗口中形成側(cè)墻結(jié)構(gòu)122；步驟220，在側(cè)墻結(jié)構(gòu)122和第二離子摻雜區(qū)120上方形成第二多晶硅層124；步驟222，對(duì)第二多晶硅層124進(jìn)行離子注入以形成第三離子摻雜區(qū)126；步驟224，在形成第三離子摻雜區(qū)126的襯底102上形成金屬電極130，以完成射頻三極管的制備。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)在外延層104的指定區(qū)域形成圖形化的氧化硅掩膜112，解決了多晶硅層過(guò)刻對(duì)外延層104造成的損傷，提升了射頻三 極管的器件可靠性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在襯底102上依次形成外延層104、氧化層106和圖形化的氮化硅層108，具體包括以下步驟：以溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝在襯底102上形成氧化層106。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)以溫度范圍為900℃至1000℃的熱氧化工藝在襯底102上形成氧化層106，一方面，降低了襯底102的熱應(yīng)力，另一方面，提升了氧化層106的致密性，提升了器件可靠性。

在上述技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在襯底102上依次形成外延層104、氧化層106和圖形化的氮化硅層108，具體還包括以下步驟：以溫度范圍為600℃至900℃的化學(xué)氣相淀積工藝在氧化層106上形成氮化硅層108；通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝對(duì)氮化硅層108進(jìn)行圖形化處理，以形成圖形化的氮化硅層108。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)以溫度范圍為600℃至900℃的化學(xué)氣相淀積工藝在氧化層106上形成氮化硅層108，再通過(guò)干法刻蝕工藝依次對(duì)氮化硅進(jìn)行刻蝕，以形成圖形化的氮化硅層108，形成了場(chǎng)氧化層106形成的掩膜層，基于氮化硅層108作為掩膜，通過(guò)高溫氧氣與襯底102接觸形成場(chǎng)氧化層106，由于氮化硅層108下的硅難以被氧化，所以在氮化硅層108下方形成的場(chǎng)氧化層106極薄，也即形成的場(chǎng)氧化層106呈現(xiàn)一種“鳥嘴”的形狀。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，以圖形化的氮化硅層108為掩蔽，通過(guò)熱氧化工藝處理外延層104以形成場(chǎng)氧化層106，具體包括以下步驟：以圖形化的氮化硅層108為掩蔽，通過(guò)溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝處理外延層104，以形成場(chǎng)氧化層106。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)以圖形化的氮化硅層108為掩蔽，以溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝對(duì)襯底102進(jìn)行熱氧化處理，以形成場(chǎng)氧化層106，一方面，降低了襯底102的熱應(yīng)力，另一方面，提升了柵氧化層106的致密性，提升了器件可靠性。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在刻蝕場(chǎng)氧化層106的襯底102上依次形成第一多晶硅層114，并對(duì)第一多晶硅層114進(jìn)行第一次p型離子注入，以形成第一離子摻雜區(qū)118，具體包括以下步驟：第一次p型離 子注入的劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層104中形成第一離子摻雜區(qū)118。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在注入窗口下方的外延層104中，通過(guò)第二次p型離子注入工藝依次形成第二離子摻雜區(qū)120，具體包括以下步驟：第二次p型離子注入的劑量范圍為1.0e12/cm²至1.0e14/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層104中形成第二離子摻雜區(qū)120。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)設(shè)定第一次p型離子的注入劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層104中形成第一離子摻雜區(qū)118，且設(shè)定第二次p型離子的注入劑量范圍為1.0e12/cm²至1.0e14/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層104中形成第二離子摻雜區(qū)120，形成了射頻三極管的基區(qū)，同時(shí)，降低了離子損傷的可能性。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在側(cè)墻結(jié)構(gòu)122和第二離子摻雜區(qū)120上方形成第二多晶硅層124，具體包括以下步驟：在側(cè)墻結(jié)構(gòu)122和第二離子摻雜區(qū)120上方，以溫度范圍為500℃至800℃的化學(xué)氣相淀積工藝形成第二多晶硅層124。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)第二多晶硅層124形成了三極管淺結(jié)，也即對(duì)第二多晶硅層124進(jìn)行離子注入，再經(jīng)過(guò)退火工藝促使離子擴(kuò)散至第二離子摻雜區(qū)120，進(jìn)而形成射頻三極管的發(fā)射極。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，對(duì)第二多晶硅層124進(jìn)行n型離子注入以形成第三離子摻雜區(qū)126，具體包括以下步驟：n型離子的注入劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，通過(guò)離子注入掩蔽層形成第三離子摻雜區(qū)126。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)設(shè)定n型離子注入的劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口中形成第三離子摻雜區(qū)126，形成了射頻三極管的淺結(jié)發(fā)射極，工藝簡(jiǎn)單且生產(chǎn)成本低，利于大規(guī)模推廣生產(chǎn)。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在形成第三離子摻雜區(qū)126后， 以溫度范圍為800℃至1200℃的退火工藝對(duì)第一離子摻雜區(qū)118、第二離子摻雜區(qū)120和第三離子摻雜區(qū)126進(jìn)行退火處理。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)對(duì)第一離子摻雜區(qū)118、第二離子摻雜區(qū)120和第三離子摻雜區(qū)126進(jìn)行退火處理，激活了摻雜區(qū)的化學(xué)鍵，從而實(shí)現(xiàn)了射頻三極管的電學(xué)特性，保證了器件可靠地工作。

在上述任一項(xiàng)技術(shù)方案中，優(yōu)選地，在形成第三離子摻雜區(qū)126的襯底102上形成金屬電極130，以完成射頻三極管的制備，具體包括以下步驟：在形成第三離子摻雜層的襯底102上形成介質(zhì)層128；分別在第一多晶硅層114和第二多晶硅層124的上方刻蝕形成接觸孔；通過(guò)金屬濺射工藝形成連接接觸孔的金屬電極130。

在該技術(shù)方案中，通過(guò)金屬濺射工藝形成連接接觸孔的金屬電極130，形成了射頻三極管的電極，進(jìn)一步地保證了器件可靠地工作。

下面結(jié)合圖3至圖15對(duì)本發(fā)明的制作方法進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖3所示，在襯底102上依次形成外延層104、氧化層106和圖形化的氮化硅層108，其中，使用溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝形成氧化層106，厚度范圍為0.05um至0.50um，以溫度范圍為600℃至900℃的化學(xué)氣相淀積工藝在氧化層106上形成氮化硅層108，溫度范圍為0.1至0.50um。

如圖4所示，通過(guò)光刻工藝和刻蝕工藝對(duì)氮化硅層108進(jìn)行圖形化處理，以形成圖形化的氮化硅層108。

如圖5所示，以圖形化的氮化硅層108為掩蔽，通過(guò)溫度范圍為900℃至1200℃的熱氧化工藝處理外延層104，以形成場(chǎng)氧化層110，厚度范圍為0.1um至2.0um。

如圖6所示，使用熱磷酸腐蝕掉氮化硅層108，使用氫氟酸腐蝕掉氧化層106。

如圖7所示，以溫度范圍為900℃至1200℃的生長(zhǎng)溫度生成圖形化的氧化硅掩膜112，厚度范圍為0.02um至1.00um。

如圖8所示，使用光刻與刻蝕工藝，保留后續(xù)需要刻蝕第一多晶硅層114的區(qū)域?qū)?yīng)的氧化硅掩膜112層。

如圖9所示，在形成氧化硅掩膜層112的襯底102上依次形成第一多晶硅層114和氮化硅介質(zhì)層116，使用注入劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層104中形成第一離子摻雜區(qū)118，厚度范圍為0.1um至0.50um。

如圖10所示，使用光刻和刻蝕工藝對(duì)氮化硅介質(zhì)層116和第一多晶硅層114進(jìn)行腐蝕，當(dāng)刻蝕掉部分第一多晶硅層114時(shí)，由于對(duì)應(yīng)的區(qū)域有氧化硅掩膜層112，因此不會(huì)對(duì)外延層造成損傷。

如圖11所示，使用氫氟酸去除氧化硅掩膜層112。

如圖12所示，使用p型離子的注入劑量范圍為1.0e12/cm²至1.0e14/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，在注入窗口下方的外延層104中形成第二離子摻雜區(qū)120，以溫度范圍為800℃至1200℃的退火工藝對(duì)第二離子摻雜區(qū)進(jìn)行退火處理。

如圖13所示，在注入窗口中形成側(cè)墻122。

如圖14所示，在側(cè)墻122和第二離子摻雜區(qū)120上方，以溫度范圍為500℃至800℃的化學(xué)氣相淀積工藝形成第二多晶硅層124，以厚度范圍為0.1um至1.0um，注入的離子可以是磷離子，也可以是砷離子，n型離子的注入劑量范圍為1.0e14/cm²至1.0e16/cm²，注入能量范圍60kev至120kev，通過(guò)離子注入掩蔽層形成第三離子摻雜區(qū)126。

如圖15所示，在形成第三離子摻雜區(qū)126后，以溫度范圍為800℃至1200℃的退火工藝對(duì)第一離子摻雜區(qū)、第二離子摻雜區(qū)120和第三離子摻雜區(qū)126進(jìn)行退火處理。

如圖16所示，在形成第三離子摻雜層的襯底102上形成介質(zhì)層128，分別在第一多晶硅層114和第二多晶硅層124的上方刻蝕形成接觸孔。

如圖17所示，通過(guò)金屬濺射工藝形成連接接觸孔的金屬電極130。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的射頻三極管的結(jié)構(gòu)，包括：襯底102、外延層104、場(chǎng)氧化層110、第一多晶硅層114、氮化硅介質(zhì)116、第一離子摻雜區(qū)118、第二離子摻雜區(qū)120、側(cè)墻122、第二多晶硅層124、第三離子摻雜區(qū)126、介質(zhì)層128和金屬電極130，簡(jiǎn)化了現(xiàn)有技術(shù)中制備氧化層 132(如圖1所示)的步驟。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明了本發(fā)明的技術(shù)方案，考慮到相關(guān)技術(shù)中避免外延層損傷的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種新的射頻三極管的制備方案，通過(guò)在外延層的指定區(qū)域形成圖形化的氧化硅掩膜，解決了多晶硅層過(guò)刻對(duì)外延層造成的損傷，提升了射頻三極管的器件可靠性。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。