1.一種蝕刻液，其特征在于，包括硝酸、氫氟酸以及硫酸。
2.根據(jù)權利要求1所述的蝕刻液，其特征在于，包括10wt％至50wt％的硝酸、5wt％至20wt％的氫氟酸、大于0wt％且小于或等于10wt％的硫酸以及40wt％至75wt％的水。
3.根據(jù)權利要求2所述的蝕刻液，其特征在于，包括35wt％至40wt％的硝酸、10wt％至17wt％的氫氟酸、大于0wt％且小于或等于10wt％的硫酸以及65wt％至70wt％的水。
4.一種硅基板的表面粗糙化的方法，其特征在于，包括：
提供硅基板；
使用蝕刻液對所述硅基板進行蝕刻，其中所述蝕刻液包括硝酸、氫氟酸以及硫酸；以及
沖洗所述硅基板。
5.根據(jù)權利要求4所述的硅基板的表面粗糙化的方法，其特征在于，所述蝕刻液包括10wt％至50wt％的硝酸、5wt％至20wt％的氫氟酸、大于0wt％且小于或等于10wt％的硫酸以及40wt％至75wt％的水。
6.根據(jù)權利要求4所述的硅基板的表面粗糙化的方法，其特征在于，所述蝕刻液包括35wt％至40wt％的硝酸、10wt％至17wt％的氫氟酸、大于0wt％且小于或等于10wt％的硫酸以及65wt％至70wt％的水。
7.根據(jù)權利要求4所述的硅基板的表面粗糙化的方法，其特征在于，蝕刻所述硅基板的時間不大于5秒。
8.根據(jù)權利要求4所述的硅基板的表面粗糙化的方法，其特征在于，蝕刻所述硅基板的溫度不大于攝氏15度。
9.根據(jù)權利要求4所述的硅基板的表面粗糙化的方法，其特征在于，蝕刻所述硅基板的方法包括將所述硅基板置入容納所述蝕刻液的蝕刻槽中。
10.根據(jù)權利要求4所述的硅基板的表面粗糙化的方法，其特征在于，沖洗所述硅基板的方法包括將所述硅基板放入去離子水中。