本發(fā)明涉及半導體器件制造技術領域，尤其涉及一種半導體器件失效分析樣品及其制備方法、失效分析方法。

背景技術：

一般來說，集成電路在研制、生產(chǎn)和使用過程中失效不可避免。隨著人們對產(chǎn)品質量和可靠性要求的不斷提高，失效分析工作也顯得越來越重要，通過芯片失效分析，可以幫助集成電路設計人員找到設計上的缺陷、工藝參數(shù)的不匹配或設計與操作中的不當?shù)葐栴}。具體來說，失效分析的意義主要表現(xiàn)在以下幾個方面：1)失效分析是確定芯片失效機理的必要手段；2)失效分析為有效的故障診斷提供了必要的信息；3)失效分析為設計工程師不斷改進或者修復芯片的設計，使之與設計規(guī)范更加吻合提供必要的反饋信息；4)失效分析可以評估不同測試向量的有效性，為生產(chǎn)測試提供必要的補充，為驗證測試流程優(yōu)化提供必要的信息基礎。

在失效分析過程中，往往需要對樣品芯片內固定的某一層或多層的內部結構電路進行觀察和分析。隨著制程的不斷提高，產(chǎn)品元器件的最小尺寸在不斷縮小，產(chǎn)品的厚度也在不斷縮小，有些功能簡單的產(chǎn)品其厚度尤其小。怎樣對越來越薄的單個產(chǎn)品進行研磨和觀察成為失效分析的難題。

請參考圖1a，目前常用的一種方法是先去除包裹超薄樣品10的封裝膜塑，然后利用導電石蠟12將超薄樣品10粘貼在稍大的厚晶片11上再進行處理，結合圖1a和1b所示，具體步驟如下：

s101，樣品10去封裝；

s102，清潔樣品10；

s103，加熱厚晶片11并在厚晶片11上鋪設導電石蠟12；

s104，通過導電石蠟12使樣品10粘在厚晶片11上；

s105，對樣品10進行研磨去層操作，以獲得較佳的失效分析表面；

s106，通過掃描電子顯微鏡(sem)觀測樣品10。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，上述方法除了耗時較長以外，還存在以下缺點：

1.由于導電石蠟12柔軟的特性，實際操作中位于厚晶片11上方的樣品10的邊緣以及表面均容易受到導電石蠟12的沾污；

2.由于纖薄的樣品10與周圍的導電石蠟12的材質不同，且樣品10的邊緣與厚晶片11暴露的上表面(即未被導電石蠟12和樣品10覆蓋的部分)相比有一個高度差，這會導致樣品10在被研磨處理時其邊緣的研磨速度要快于其中間部位，容易造成樣品10表面的整體高度的不均勻；

3.由于導電石蠟12與樣品10本身的膨脹系數(shù)差異較大，容易造成樣品10彎曲，在后續(xù)的研磨過程中，樣品10的彎曲會使其研磨層次變化梯度大，樣品10局部表面非常不平整，容易破碎。

因此，需要一種新的半導體器件失效分析樣品及其制備方法、失效分析方法，以避免樣品觀測表面的污染以及研磨高度不均性，提高樣品制備的成功率。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種半導體器件失效分析樣品及其制備方法、失效分析方法，以避免樣品觀測表面的污染以及研磨高度不均性，提高樣品制備的成功率。

為解決上述問題，本發(fā)明提出一種半導體器件失效分析樣品的制備方法，包括：

提供一半導體器件樣品以及一用于承載所述半導體器件樣品的載體；

在所述載體上形成用于容納所述半導體器件樣品的承載槽，所述承載槽的深度大于所述半導體器件樣品的厚度；

在所述承載槽周圍的載體上形成至少一條連通所述承載槽的導流溝槽；

在所述承載槽中放入導電粘合劑；

將所述半導體器件樣品放入所述承載槽中，并壓合所述半導體器件樣品直至所述半導體器件樣品的上表面不高于其周圍的承載槽的臺階表面，多余的導電粘合劑流入所述導流溝槽；

對所述半導體器件樣品的上表面進行研磨，以獲得失效分析樣品。

進一步的，所述導流溝槽的數(shù)量為多個，多個所述導流溝槽均勻分布在所述承載槽周圍。

進一步的，所述承載槽以及所述導流溝槽均采用刻蝕工藝形成。

進一步的，所述承載槽以及所述導流溝槽均采用濕法刻蝕工藝、干法刻蝕工藝或激光刻蝕工藝形成。

進一步的，在所述承載槽中放入導電粘合劑之后，將所述半導體器件樣品放入所述承載槽中之前，在所述載體以及所述導電粘合劑的表面上形成一層加強導電層。

進一步的，所述加強導電層的材料包括金、銀和鉑中的至少一種。

進一步的，采用蒸鍍或者濺射沉積工藝形成所述加強導電層。

進一步的，所述加強導電層的厚度為5nm～100nm。

進一步的，所述導電粘合劑為導電石蠟或導電膠。

進一步的，所述導電膠包括環(huán)氧樹脂導電膠、有機硅樹脂導電膠、聚酰亞胺樹脂導電膠、酚醛樹脂導電膠、聚酯樹脂導電膠、聚氨酯樹脂導電膠以及丙烯酸樹脂導電膠中的至少一種。

進一步的，在所述承載槽中放入導電粘合劑后，對所述載體進行加熱或紫外光照射，直至所述導電粘合劑融化。

進一步的，對所述載體進行加熱的溫度為30℃～150℃；進行紫外光照射的時間為5s～20s。

進一步的，所述半導體器件樣品包括封裝覆膜，在將所述半導體器件樣品放入所述承載槽中之前，去除所述半導體器件樣品表面的封裝覆膜。

進一步的，采用化學試劑腐蝕工藝或者機械拋光工藝去除所述半導體器件樣品表面的封裝覆層。

進一步的，所述化學試劑腐蝕工藝中使用的化學試劑為發(fā)煙硝酸或者氫氟酸。

進一步的，去除所述半導體器件樣品表面的封裝覆膜后，清潔所述半導體器件樣品。

進一步的，采用超聲波清洗工藝清潔所述半導體器件樣品。

進一步的，所述超聲波清洗工藝中使用的清洗液為去離子水、無水乙醇或者丙酮溶液。

本發(fā)明還提供一種半導體器件失效分析樣品，包括：

半導體器件樣品；

載體，所述載體上設置有承載槽以及至少一條連通所述承載槽的導流溝槽，所述承載槽容納所述半導體器件樣品，且所述半導體器件樣品的上表面與周圍的承載槽臺階表面齊平或者低于周圍的承載槽臺階表面；

導電粘合劑，位于所述承載槽中，用于粘接所述承載槽的底部表面與所述半導體器件樣品的下表面。

進一步的，所述導流溝槽的數(shù)量為多個，所述多個導流溝槽均勻分布在所述承載槽周圍。

進一步的，所述導流溝槽的數(shù)量為四個，四個所述導流溝槽呈十字狀分布。

進一步的，所述的半導體器件失效分析樣品還包括加強導電層，所述加強導電層形成于所述導電粘合劑上表面與所述半導體器件樣品下表面之間以及所述承載槽側壁與所述半導體器件樣品側壁之間。

進一步的，所述加強導電層的材料包括金、銀和鉑中的至少一種。

本發(fā)明還提供一種半導體器件失效分析方法，包括：

根據(jù)上述的半導體器件失效分析樣品的制備方法制備一半導體器件失效分析樣品，或者提供一如上述的半導體器件失效分析樣品并對其上表面進行研磨；

對所述半導體器件失效分析樣品進行失效分析。

進一步的，采用透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡、聚焦離子束顯微鏡或者微光顯微鏡對所述半導體器件失效分析樣品進行觀測。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的技術方案具有以下優(yōu)點：

1.由于載體中的承載槽以及導流溝槽的設置，在將半導體器件樣品粘合至承載槽中時，多余的導電粘合劑會受到半導體器件樣品底部以及側壁的擠壓，從而可以通過承載槽周圍的導流溝槽直接導走，因此可以保證半導體器件樣品表面不受到導電粘合劑的污染，提高制備成功率；

2.由于載體中的承載槽的深度和寬度是根據(jù)半導體器件樣品的規(guī)格量身定制的，因此可以保證半導體器件樣品上表面等于或者略低于載體上表面，進而使得半導體器件樣品上表面在被研磨處理時其邊緣和中間部位的研磨速度相同，樣品表面研磨均勻，不容易破碎，提高制備成功率；

3.由于半導體器件樣品壓合至承載槽中時，導電粘合劑主要位于半導體器件樣品的底部，在后續(xù)的研磨過程中，導電粘合劑即使會膨脹，也是均勻膨脹的，因此導電粘合劑與半導體器件樣品的膨脹系數(shù)差異不會造成樣品表面的彎曲，最終獲得失效分析樣品表面平整、均勻，不容易破碎，提高制備成功率；

4.承載槽和導流溝槽的設置，可以大大降低了半導體器件樣品的上表面的研磨難度，進而可以減少失效分析樣品制備的操作時間。

附圖說明

圖1a是現(xiàn)有技術中的一種半導體器件失效分析樣品的剖面結構示意圖；

圖1b是現(xiàn)有技術中的一種半導體器件失效分析樣品的制備方法流程圖；

圖2是本發(fā)明具體實施例的半導體器件失效分析樣品的制備方法流程圖。

圖3a至3e是圖2所示的制備方法中的器件結構剖視圖及俯視圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步的說明，然而，本發(fā)明可以用不同的形式實現(xiàn)，不應只是局限在所述的實施例。

請參考圖2，本實施例提出一種半導體器件失效分析樣品的制備方法，包括：

s201，提供一半導體器件樣品以及一用于承載所述半導體器件樣品的載體；

s202，在所述載體上形成用于容納所述半導體器件樣品的承載槽，所述承載槽的深度大于所述半導體器件樣品的厚度；

s203，在所述承載槽周圍的載體上形成至少一條連通所述承載槽的導流溝槽；

s204，在所述承載槽中放入導電粘合劑；

s205，將所述半導體器件樣品放入所述承載槽中，并壓合所述半導體器件樣品直至所述半導體器件樣品的上表面不高于其周圍的承載槽的臺階表面，多余的導電粘合劑流入所述導流溝槽；

s206，對所述半導體器件樣品的上表面進行研磨，以獲得失效分析樣品。

請參考圖3a，在步驟s201中，提供的待觀測的半導體器件樣品30可以是透射電子顯微鏡(transmissionelectronmicroscope，以下簡稱tem)樣品、掃 描電子顯微鏡(scanningelectronmicroscope，以下簡稱sem)樣品、聚焦離子束顯微鏡(focusionbeammicroscope，fib)樣品或者微光顯微鏡(emissionmicroscope,以下簡稱emmi)樣品。其中tem是電子顯微學的重要工具，tem通常用于檢測組成半導體器件的薄膜的形貌、尺寸和特征等。將tem樣品放入tem觀察室后，tem的主要工作原理為：高能電子束穿透tem樣品時發(fā)生散射、吸收、干涉及衍射等現(xiàn)象，使得在成像平面形成襯度，從而形成tem樣品的圖像，后續(xù)在對圖像進行觀察、測量以及分析，用于tem失效分析的tem樣品可以是一個約100納米厚度的薄片樣品，這種超薄樣品通常需要通過平面制樣(planview)的方式來獲得。sem是最常使用的失效分析設備，其主要的工作原理是高能電子入射固體樣品表面，與樣品的原子核和核外電子發(fā)生彈性或非彈性散射，激發(fā)樣品產(chǎn)生各種物理信號，利用電子檢測器，接收信號形成圖像。利用sem可以對樣品截面或表面進行細微的觀察以及對待測樣品的成分進行確認等。sem放大倍數(shù)可以從上千倍到數(shù)十萬倍，分辨率達到3nm，一個樣品可以檢查數(shù)千甚至數(shù)萬個mos晶體管，因而可以滿足現(xiàn)階段乃至未來數(shù)十年集成電路微觀結構觀察的需求。fib目前廣泛應用于半導體電子產(chǎn)業(yè)及集成電路(ic)工業(yè)上，fib的工作原理是通過一種重金屬離子撞擊樣品來有效控制去除材料，其利用高能離子束(ib)入射固體樣品，與樣品的原子核和核外電子發(fā)生彈性或非彈性散射，激發(fā)樣品產(chǎn)生二次電子，通過電子束(eb)掃描器或者檢測器，接收所產(chǎn)生的二次電子信號形成圖像來進行觀測。emmi是一種相當有用且效率極高的分析工具，能夠偵測集成電路(ic)內部所放出光子，主要用于漏電類失效的定點分析，其主要工作原理是利用了半導體的發(fā)光現(xiàn)象，在存在著漏電、擊穿、熱載流子效應的器件中，會有光子從失效點發(fā)射出來，對樣品加上電壓即可通過顯微鏡定位失效部位。

本實施例中，在步驟s201中提供的半導體器件樣品30具有上表面(即正面，用于失效分析)和下表面(即背面或底面，用于粘接)，其至少一個表面上包裹有封裝覆膜(未圖示)，該封裝覆膜主要是用于防止水氣等進入半導體器件樣品30，避免引起半導體器件樣品30表面氧化等，其材料可以是聚合物，例如環(huán)氧樹脂等。在將所述半導體器件樣品30放置到載體31上之前，需要去除該封裝覆膜，具體地，可以采用化學試劑腐蝕工藝或者機械拋光工藝去除所述半導體器件樣品表面的封裝覆層。其中，所述化學試劑腐蝕工藝中使用的化學試 劑可以是發(fā)煙硝酸或者氫氟酸，當然，本領域技術人員可以根據(jù)封裝覆層的具體材質選擇對應的化學試劑。在去除所述半導體器件樣品表面的封裝覆膜后，優(yōu)選清潔所述半導體器件樣品30，以提供結晶的處理表面，本實施例中，采用超聲波清洗工藝清潔所述半導體器件樣品，即將半導體器件樣品30放入到去離子水、無水乙醇或者丙酮溶液等溶液中進行超聲波常溫恒溫振蕩，振蕩時間為30s～10min，以將殘留在半導體器件樣品30表面的殘渣去掉，并在取出半導體器件樣品30后自然干燥或者使用氮氣對其干燥。

在步驟s201中，提供的載體31可以是純硅(si)襯底、絕緣體上硅(soi)襯底、鍺硅(sige)襯底、碳硅(sic)襯底、氧化鋁(al2o3)襯底或砷化鎵(gaas)襯底、石英(sio2)襯底等，這些襯底也可以稱之為“晶片”，也可以是具有一些測試引腳的晶片，還可以是玻璃或塑料。優(yōu)選的，載體上表面是一層與半導體器件樣品的待研磨層的材質相同且厚度大于等于該待研磨層的材料層。

請參考圖3b，在步驟s202中，采用濕法刻蝕、干法刻蝕、激光刻蝕等刻蝕方式在載體31表面形成承載槽310，其中承載槽310的形狀、深度以及長寬比等均由半導體器件樣品30的規(guī)格決定，當半導體器件樣品30壓合至承接槽310且通過其中的導電粘合劑粘接牢固時，承接槽310的最佳深度恰好使得此時的半導體器件樣品30的上表面與其周圍其他暴露表面齊平，即當載體31上表面無其他層時，粘接好的半導體器件樣品30的上表面與載體31的上表面齊平，若載體31上表面有其他層時，粘接好的半導體器件樣品30的上表面與其周圍的載體31上的頂層表面齊平(如圖3e中半導體器件樣品30的上表面與其周圍的載體31上的加強導電層33的上表面)，承接槽310的最佳寬度恰好能夠夾住粘接好的半導體器件樣品30。當然，為了減小承接槽的刻蝕難度，本領域技術人員可以直接將承接槽310的規(guī)格刻蝕至略大于半導體器件樣品30的規(guī)格，即，所述承載槽310的深度大于所述半導體器件樣品30的厚度與后續(xù)放入的導電粘合劑的厚度之和(如圖3d所示)，所述承載槽310的寬度大于所述半導體器件樣品30的寬度。

請繼續(xù)參考圖3b，在步驟s203中，在所述承載槽310周圍的載體31上刻蝕出至少一條連通所述承載槽310的導流溝槽311，其中導流溝槽311的刻蝕工藝可以與承載槽310的刻蝕工藝相同，也可以不同，導流溝槽311的深度與承載槽310相同，用于分流的多余導電粘合劑。本實施例中采用激光刻蝕工藝在 載體31表面形成了一個承載槽310以及圍繞承載槽310并與承載槽310連通的4條均勻分布的導流溝槽311，4條導流溝槽311呈十字狀分布。其中，激光刻蝕工藝中使用的激光束的波長為150nm至250nm，例如是波長為193nm或248nm的激光束。在本發(fā)明的其他實施例中，導流溝槽的數(shù)量大于等于1，當大于2時，較佳的，所有導流溝槽均勻分布在所述承載槽周圍。

請參考圖3c，在步驟s204中，在所述承載槽310中可以放入固態(tài)或者流體狀的導電粘合劑32。導電粘合劑32可以為導電石蠟或導電膠，所述導電膠包括環(huán)氧樹脂導電膠、有機硅樹脂導電膠、聚酰亞胺樹脂導電膠、酚醛樹脂導電膠、聚酯樹脂導電膠、聚氨酯樹脂導電膠以及丙烯酸樹脂導電膠中的至少一種。優(yōu)選的，在承載槽310中放入固態(tài)的導電粘合劑32，該導電粘合劑32能夠在加熱或者紫外光照射下變?yōu)榱黧w，以給予將所述半導體器件樣品30放入承載槽310中壓合粘接的充分操作時間，同時保證實現(xiàn)較佳的粘接性能。在放入半導體器件樣品30之前，加熱或者紫外光照射載體31即可使固態(tài)的導電粘合劑32融化，然后在放入半導體器件樣品30之后，常溫環(huán)境下導電粘合劑32慢慢恢復固態(tài)并將承載槽310與半導體器件樣品30粘接在一起。其中，對載體31進行加熱的溫度和時間或者進行紫外光照射的時間取決于導電粘合劑32的性質，例如導電粘合劑32為導電石蠟時，對載體31進行加熱的溫度可以選擇為30℃～150℃；導電粘合劑32為環(huán)氧樹脂導電粘合劑時，對所述載體進行紫外光照射的時間可以選擇為5s～20s。

進一步的，為了增加導電粘合劑整體的導電性，減少后續(xù)失效分析觀察時的電荷積累，可以在放入導電粘合劑32后，在導電粘合劑32的表面上蒸鍍一層由金、銀或鉑等導電金屬形成的加強導電層33，導電粘合劑32在加熱或者紫外光照射后變?yōu)榱黧w時，可以與該加強導電層33混合，從而大大增強了導電粘合劑32整體的導電性，進而可以在后續(xù)失效分析觀察時及時導走積累的電荷。形成的加強導電層33可以僅位于承載槽310中的導電粘合劑32的表面以及暴露的承載槽310的底部表面上，也可以位于除導流溝槽311表面之外的所有載體表面以及承載槽310中的導電粘合劑32的表面上。在本發(fā)明的其他實施例中，還可以采用濺射或者氣相沉積工藝形成所述加強導電層33，形成的加強導電層的厚度為5nm～100nm。

請參考3d和3e，在步驟s205中，將半導體器件樣品30放入所述承載槽 310中，輕壓半導體器件樣品30，使之與承載槽310底部較好的粘接，輕壓的最佳狀態(tài)是使半導體器件樣品30下表面與承載槽310底部粘接較好且半導體器件樣品30上表面與加強導電層33的上表面齊平(如圖3e所示)。這樣，可以使得在步驟s206中對半導體器件樣品30的上表面研磨時，可以保證研磨的均勻性。當然由于刻蝕的承載槽310的深度略大于半導體器件樣品30的厚度，所以為了使半導體器件樣品30與承載槽310底部有較好的粘接，也可以略微過壓半導體器件樣品30，使半導體器件樣品30上表面略低于加強導電層33，甚至是略低于周圍的載體31的上表面(如圖3d所示)，這種情況下，在步驟s206中對半導體器件樣品30的上表面研磨時，可以先研磨去除高于半導體器件樣品30的上表面的部分，然后對半導體器件樣品30的上表面連同周圍載體一起進行均勻性較好的研磨。無論半導體器件樣品30的上表面與其周圍的臺階表面的高低如何，在輕壓半導體器件樣品30過程中，多余的導電粘合劑32會從承載槽310底部流入所述導流溝槽311，進而被導走，從而可以保證半導體器件樣品30的上表面的潔凈度，以及避免半導體器件樣品30的上部邊緣被污染。

在步驟s206中，可以對所述半導體器件樣品30的上表面采用研磨精細度遞增的方式分階段進行研磨，以獲得失效分析樣品。例如先采用粒度為1μm～5μm的氮化硅砂紙配合粒度為0.5μm～1μm的金剛石研磨液對半導體器件樣品30的上表面進行粗研磨，去除半導體器件樣品30上表面的鈍化層等；然后，再采用粒度為0.01μm～0.5μm的氮化硅砂紙配合粒度為0.05μm～0.1μm的金剛石研磨液對半導體器件樣品30的上表面進行初步研磨，直至暴露出半導體器件樣品30上表面的待觀察層；最后用研磨拋光機配合粒度為0.001μm～0.05μm的拋光液或拋光粉對待觀察層表面進行拋光，形成失效分析樣品。

請參考3b，并結合圖3d或圖3e所示，本實施例還提供一種半導體器件失效分析樣品，包括：

半導體器件樣品30；

載體31，所述載體31上設置有承載槽310以及至少一條連通所述承載槽310的導流溝槽311，所述承載槽310容納所述半導體器件樣品30，且所述半導體器件樣品30的上表面與周圍的承載槽310側壁的臺階表面齊平或者低于周圍的承載槽310側壁的臺階表面；

導電粘合劑32，位于所述承載槽310中，并用于粘接所述承載槽310的底 部表面與所述半導體器件樣品30的下表面；

加強導電層33，形成于所述導電粘合劑32上表面與所述半導體器件樣品30下表面之間、所述承載槽310側壁與所述半導體器件樣品30側壁之間以及所述承載槽310周圍的載體31的上表面上，其中，加強導電層33的材質可以包括金、銀和鉑中的至少一種。

在本發(fā)明的其他實施例中，導電粘合劑32的導電性較強的情況下，可以省略加強導電層33；導流溝槽的數(shù)量優(yōu)選為多個，且所有導流溝槽均勻分布在所述承載槽周圍，例如圖3b所示的導流溝槽的數(shù)量為四個，四個所述導流溝槽呈十字狀分布。

本發(fā)明還提供一種半導體器件失效分析方法，包括以下步驟：

提供上述的半導體器件失效分析樣品；

對所述半導體器件失效分析樣品的上表面進行研磨，直至暴露出待觀察層；

采用透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡或者微光顯微鏡對所述半導體器件失效分析樣品進行觀測。

本發(fā)明還提供一種半導體器件失效分析方法，包括以下步驟：

首先，提供一半導體器件樣品以及一用于承載所述半導體器件樣品的載體；

接著，在所述載體上形成用于容納所述半導體器件樣品的承載槽，所述承載槽的深度大于所述半導體器件樣品的厚度；

然后，在所述承載槽周圍的載體上形成至少一條連通所述承載槽的導流溝槽；

接著，在所述承載槽中放入導電粘合劑；

然后，將所述半導體器件樣品放入所述承載槽中，并壓合所述半導體器件樣品直至所述半導體器件樣品的上表面不高于其周圍的承載槽的臺階表面，多余的導電粘合劑流入所述導流溝槽；

接著，對所述半導體器件樣品的上表面進行研磨，以獲得失效分析樣品；

然后，采用透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡或者微光顯微鏡對所述半導體器件失效分析樣品進行觀測。

綜上所述，本發(fā)明提供的技術方案，通過在載體上開設一個與半導體器件 樣品相符的承載槽以及開設至少一個連通承載槽的導流溝槽，并在所開的承載槽中放置導電粘合劑，加熱或者紫外光照射載體使導電粘合劑熔融，最后將半導體器件樣品放置在承載槽中，輕壓半導體器件樣品使之與承載槽側壁的臺階表面齊平，這樣就避免了導電粘合劑對樣品表面的污染，更重要的是在研磨去層時避免了樣品表面不均勻研磨現(xiàn)象的出現(xiàn)。

顯然，本領域的技術人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。