技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件以及制備方法、電子裝置。所述方法包括：步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底包括高壓器件區(qū)域和低壓器件區(qū)域，在高壓器件區(qū)域上形成有圖案化的高壓柵極氧化物層；步驟S2：在低壓器件區(qū)域上和高壓柵極氧化物層的兩側(cè)形成低壓柵極氧化物層；步驟S3：在低壓柵極氧化物層上形成低壓柵極結(jié)構(gòu)及其間隙壁，同時(shí)形成高壓柵極結(jié)構(gòu)及其間隙壁，其中在高壓器件區(qū)域中所述間隙壁和高壓柵極結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵尺寸之和等于高壓柵極氧化物層的關(guān)鍵尺寸；步驟S4：在所述高壓器件區(qū)域和所述低壓器件區(qū)域形成金屬硅化物阻擋層并圖案化；步驟S5：去除露出的所述低壓柵極氧化物層；步驟S6：在所述區(qū)域和所述高壓柵極結(jié)構(gòu)上形成自對準(zhǔn)硅化物。

技術(shù)研發(fā)人員：由云鵬;劉輝;孟令成
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.12
技術(shù)公布日：2017.07.18