技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種生成功率半導(dǎo)體模塊的方法，該方法包括下列步驟：a)提供載體層(12)；b)提供具有端子連接區(qū)(22)的襯底(14)；c)通過(guò)形成焊料層(20)將襯底(14)焊接到載體層(12)；其中d)焊料層(20)被形成，使得預(yù)定義空腔(28)提供在焊料層(20)中與襯底(14)相鄰，并且定位成與端子連接區(qū)(22)相對(duì)；以及e)將端子(24)熔接到襯底(14)的端子連接區(qū)(22)。本發(fā)明提供一種生成功率半導(dǎo)體模塊的方法，其執(zhí)行得特別節(jié)省成本，并且允許高質(zhì)量模塊的可靠生成。

技術(shù)研發(fā)人員：V.斯夫瓦蘇布拉尼亞姆;D.圭爾龍;P.莫林;R-A.圭爾勒明;S.哈特曼恩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：ABB瑞士股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.21
技術(shù)公布日：2017.09.26