1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，所述半導(dǎo)體集成電路裝置包括：
存儲器電路區(qū)域，在所述存儲器電路區(qū)域形成有存儲器單元，在所述存儲器單元中，在具有第一選擇柵極的第一選擇柵構(gòu)造體與具有第二選擇柵極的第二選擇柵構(gòu)造體之間夾著側(cè)壁隔片配置有存儲器柵構(gòu)造體；
周邊電路區(qū)域，在所述周邊電路區(qū)域形成有周邊電路的邏輯柵構(gòu)造體，
所述半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法的特征在于，包括：
側(cè)壁隔片形成工序，在所述存儲器電路區(qū)域形成依次層疊有下部柵絕緣膜、電荷存儲層、上部柵絕緣膜及存儲器柵極的所述存儲器柵構(gòu)造體后，以覆蓋所述存儲器柵構(gòu)造體的方式形成所述側(cè)壁隔片；
導(dǎo)電層形成工序，在形成有所述存儲器柵構(gòu)造體的所述存儲器電路區(qū)域、和所述周邊電路區(qū)域形成柵絕緣膜后，在所述柵絕緣膜上形成N型導(dǎo)電層或P型導(dǎo)電層；
電極阻斷部形成工序，在所述周邊電路區(qū)域形成與所述導(dǎo)電層呈相反導(dǎo)電型的相反導(dǎo)電層，且將至少具有與所述導(dǎo)電層呈相反導(dǎo)電型的相反導(dǎo)電型電極阻斷層或者本征半導(dǎo)體層的選擇柵極阻斷部夾著所述側(cè)壁隔片沿所述存儲器柵極的一部分側(cè)壁形成；及
柵極形成工序，利用通過光掩膜被圖案化的抗蝕劑，對所述周邊電路區(qū)域和所述存儲器電路區(qū)域的各所述導(dǎo)電層和所述相反導(dǎo)電層進(jìn)行回蝕，由此在所述周邊電路區(qū)域中，在所述柵絕緣膜上通過所述抗蝕劑使所述導(dǎo)電層和所述相反導(dǎo)電層殘留，形成所述邏輯柵構(gòu)造體的邏輯柵極，在所述存儲器電路區(qū)域中，形成夾著所述側(cè)壁隔片沿所述存儲器柵極的一側(cè)壁以側(cè)壁形狀殘留的第一選擇柵極和夾著所述側(cè)壁隔片沿所述存儲器柵極的另一側(cè)壁以側(cè)壁形狀殘留的第二選擇柵極，其中，
所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極通過所述選擇柵極阻斷部在所述第一選擇柵極與所述第二選擇柵極之間形成PIN接合結(jié)構(gòu)、NIN接合結(jié)構(gòu)、PIP接合結(jié)構(gòu)、NPN接合結(jié)構(gòu)或PNP接合結(jié)構(gòu)而被電隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其特征在于，
在所述側(cè)壁隔片形成工序之前，包括：
第一光掩膜加工工序，在所述第一光掩膜加工工序中，通過利用所述存儲器電路區(qū)域加工專用的第一光掩膜被圖案化的抗蝕劑，向所述存儲器電路區(qū)域的所述存儲器柵構(gòu)造體的形成預(yù)定區(qū)域注入雜質(zhì)，在與所述存儲器柵構(gòu)造體相對的基板表面形成溝道形成層，
所述側(cè)壁隔片形成工序包括：
第二光掩膜加工工序，在所述第二光掩膜加工工序中，在所述上部柵絕緣膜的整個表面形成存儲器柵極用導(dǎo)電層后，通過利用所述存儲器電路區(qū)域加工專用的第二光掩膜被圖案化的抗蝕劑，對所述存儲器柵極用導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，由此形成所述存儲器柵極，
為了形成所述存儲器電路區(qū)域的所述存儲器單元而利用專用的光掩膜的專用光掩膜工序?yàn)樗龅谝还庋谀ぜ庸すば蚝退龅诙庋谀ぜ庸すば虻墓灿?jì)兩個工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其特征在于，
所述側(cè)壁隔片形成工序在所述第二光掩膜加工工序之后包括第三光掩膜加工工序，
在所述第三光掩膜加工工序中，通過利用所述存儲器電路區(qū)域加工專用的第三光掩膜被圖案化的抗蝕劑，向所述存儲器電路區(qū)域的所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極的各形成預(yù)定區(qū)域注入雜質(zhì)，在與所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極相對的基板表面形成溝道形成層，
為了形成所述存儲器電路區(qū)域的所述存儲器單元而利用專用的光掩膜的專用光掩膜工序?yàn)樗龅谝还庋谀ぜ庸すば?、所述第二光掩膜加工工序及所述第三光掩膜加工工序的共?jì)三個工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體集成電路裝置的制造方法，其特征在于，
所述柵極形成工序中被形成的所述第一選擇柵極與第一選擇柵線連接，
所述柵極形成工序中被形成的所述第二選擇柵極與不同于所述第一選擇柵線的另一第二選擇柵線連接，
所述存儲器柵極與存儲器柵線連接。
5.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，其特征在于，包括：
存儲器電路區(qū)域，形成有存儲器單元，在所述存儲器單元中，在具有第一選擇柵極的第一選擇柵構(gòu)造體與具有第二選擇柵極的第二選擇柵構(gòu)造體之間夾著側(cè)壁隔片配置有存儲器柵構(gòu)造體；及
周邊電路區(qū)域，形成有周邊電路的邏輯柵構(gòu)造體，其中，
所述邏輯柵構(gòu)造體具有在柵絕緣膜上形成有邏輯柵極的結(jié)構(gòu)，所述邏輯柵極由與所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極相同的導(dǎo)電層或者相反導(dǎo)電層形成，
所述存儲器柵構(gòu)造體具有依次層疊有下部柵絕緣膜、電荷存儲層、上部柵絕緣膜及存儲器柵極的結(jié)構(gòu)，
所述第一選擇柵極和所述第二選擇柵極沿著所述存儲器柵極側(cè)壁的所述側(cè)壁隔片以側(cè)壁形狀形成，且配置在環(huán)繞所述存儲器柵極的相同的環(huán)繞線上，在所述第一選擇柵極與所述第二選擇柵極之間，通過由PIN接合結(jié)構(gòu)、NIN接合結(jié)構(gòu)、PIP接合結(jié)構(gòu)、NPN接合結(jié)構(gòu)或PNP接合結(jié)構(gòu)形成的多個選擇柵極阻斷部被電隔離。