相關(guān)申請(qǐng)案

本申請(qǐng)案主張以下申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益：2014年6月18日提出申請(qǐng)的標(biāo)題為“微組裝的高頻裝置及陣列(microassembledhighfrequencydevicesandarrays)”的第62/014,074號(hào)美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)案，及2014年6月18日提出申請(qǐng)的標(biāo)題為“用于提供微組裝的裝置的系統(tǒng)及方法(systemandmethodsforprovidingmicroassembleddevices)”的第62/014,079號(hào)美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)案，所述美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)案中的每一者的內(nèi)容以引用的方式全文并入本文中。

本發(fā)明涉及微組裝(舉例來說，使用微轉(zhuǎn)印印刷技術(shù))的高頻裝置及陣列。

背景技術(shù)：

相位陣列是其中使用供應(yīng)到天線的相應(yīng)信號(hào)的相對(duì)相位來使陣列的輻射方向圖沿所要方向聚焦的天線陣列。提供到天線陣列的信號(hào)使得天線陣列能夠達(dá)成優(yōu)于單個(gè)天線的性能的經(jīng)改善性能。天線陣列可尤其增加總增益、接收或發(fā)射較大信號(hào)分集、取消干擾、沿特定方向操控輻射方向圖或確定傳入信號(hào)的方向。天線當(dāng)中的相位關(guān)系可為固定的以形成塔式陣列。

另一選擇是，天線當(dāng)中的相位關(guān)系可為可調(diào)整的以形成波束操控陣列。波束操控允許使用從天線陣列中的各種天線發(fā)射的電磁信號(hào)之間的相長(zhǎng)及相消干涉來改變輻射方向圖的主波瓣的方向。此通常通過切換天線元件或通過改變驅(qū)動(dòng)天線元件中的每一者的信號(hào)(例如rf信號(hào))的相對(duì)相位來完成。

波束操控陣列的實(shí)例是加利福尼亞州門洛帕克的sri國(guó)際公司(sriinternationalofmenlopark,ca)生產(chǎn)的先進(jìn)模塊化不相干散射雷達(dá)(amisr)。amisr具有三個(gè)單獨(dú)的雷達(dá)面，其中每一面在30米乘30米的大致正方形表面上方包含128個(gè)積木塊狀面板。amisr由4,096個(gè)天線制成，從而產(chǎn)生高達(dá)兩百萬瓦特的組合功率。通過控制來自個(gè)別天線的信號(hào)的相對(duì)相位，雷達(dá)波束可幾乎瞬時(shí)從天空中的一個(gè)位置被操控到另一位置。此允許對(duì)大氣中的快速移動(dòng)特征進(jìn)行研究。遠(yuǎn)程操作及電子波束操控允許研究者操作并定位雷達(dá)波束以準(zhǔn)確地測(cè)量快速改變的空間天氣事件。然而，amisr是大致足球場(chǎng)大小。

相位陣列雷達(dá)系統(tǒng)還被海軍用于艦船中，因?yàn)橄辔魂嚵欣走_(dá)允許艦船使用單個(gè)雷達(dá)系統(tǒng)進(jìn)行表面檢測(cè)及跟蹤、發(fā)現(xiàn)其它艦船以及空氣檢測(cè)及跟蹤。船載相位陣列雷達(dá)系統(tǒng)可使用波束操控來同時(shí)跟蹤許多目標(biāo)而且還控制數(shù)個(gè)飛行中的導(dǎo)彈。

相位陣列天線系統(tǒng)得益于大數(shù)目個(gè)輻射元件。使用較多輻射元件實(shí)現(xiàn)提供較高增益的較尖且較窄波束。然而，隨著輻射元件的數(shù)目增加，系統(tǒng)的大小及組裝成本同樣增加，從而限制相位陣列天線系統(tǒng)(尤其對(duì)消費(fèi)型產(chǎn)品)的應(yīng)用。雖然相位陣列雷達(dá)確實(shí)存在許多應(yīng)用，但相對(duì)少的應(yīng)用已被開發(fā)，因?yàn)橄辔魂嚵欣走_(dá)的大小及成本對(duì)許多應(yīng)用來說是過高的。

除其它外，隨著組件的大小縮小，布置多個(gè)相異元件的困難增加。半導(dǎo)體芯片或裸片自動(dòng)化組裝設(shè)備通常使用真空操作放置頭(例如真空抓持器或取放工具)來拾取并將裝置施加到襯底。使用此技術(shù)來拾取及放置超薄及/或小型裝置常常是困難的。

一些電子裝置由于其超薄及/或小尺寸而難以通過常規(guī)組裝技術(shù)來構(gòu)造。舉例來說，一些電子裝置(例如，微型集成電路)可在一個(gè)橫向維度上小于0.1mm。此外，一些電子裝置得益于大數(shù)目個(gè)輻射元件(例如，并入有較多輻射元件的相位陣列雷達(dá)可以較高增益形成較尖、較窄波束)。然而，隨著輻射元件的數(shù)目增加，零件所需的面積及組裝的成本會(huì)增加。此外，例如天線等元件的空間分布可導(dǎo)致相位陣列天線系統(tǒng)的低效面積使用。

因此，需要相位陣列天線系統(tǒng)及其制造方法，以使得相位陣列天線系統(tǒng)能夠使用比單片式方法少的半導(dǎo)體材料被封裝成小尺度系統(tǒng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

所揭示技術(shù)提供相位陣列天線系統(tǒng)及其制造方法，以使得相位陣列天線系統(tǒng)能夠使用比單片式方法少的半導(dǎo)體材料被封裝成小尺度系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，相位陣列天線系統(tǒng)上有源組件的密度較小(例如，5％或更小)。在其它實(shí)施例中，取決于應(yīng)用，有源組件可密集地堆積在目的地襯底上。微組裝提供在相位陣列中高效使用半導(dǎo)體材料的方式，從而減少非有源半導(dǎo)體區(qū)域(例如，半導(dǎo)體材料上不包含晶體管、二極管或其它有源組件的區(qū)域)的量。此外，高生產(chǎn)量微組裝(例如，通過微轉(zhuǎn)印印刷)減少與大零件計(jì)數(shù)相關(guān)聯(lián)的成本且在一些實(shí)施例中允許將小型微尺度裝置準(zhǔn)確地布置成較大系統(tǒng)。

微轉(zhuǎn)印印刷準(zhǔn)許選擇并應(yīng)用超薄、易碎或小型裝置而不對(duì)所述裝置本身造成損壞。微結(jié)構(gòu)化印?？捎糜谑叭∥⑿脱b置，將所述微型裝置輸送到目的地襯底，及將所述微型裝置印刷到所述目的地襯底上。表面粘附力用于控制對(duì)這些裝置的選擇及其到目的地襯底上的印刷。此過程可大規(guī)模地并行執(zhí)行。印模可經(jīng)設(shè)計(jì)以在單個(gè)拾取及印刷操作中轉(zhuǎn)印數(shù)百到數(shù)千個(gè)離散結(jié)構(gòu)。

微轉(zhuǎn)印印刷還實(shí)現(xiàn)將高性能半導(dǎo)體微型裝置并行組裝到幾乎任何襯底材料(舉例來說，玻璃、塑料、金屬或半導(dǎo)體)上。襯底可為柔性的，借此準(zhǔn)許產(chǎn)生柔性電子裝置。柔性襯底可集成于大數(shù)目個(gè)配置中，舉例來說，包含在脆性硅基電子裝置的情況下不可能實(shí)現(xiàn)的配置。另外，舉例來說，塑料襯底是機(jī)械堅(jiān)固性的且可用于提供較不易于遭受由機(jī)械應(yīng)力引起的損壞或電子性能降級(jí)的電子裝置。因此，這些材料可用于通過能夠以低成本在大襯底區(qū)域上方產(chǎn)生電子裝置的連續(xù)、高速印刷技術(shù)(例如，卷對(duì)卷制造)來制作電子裝置。

此外，這些微轉(zhuǎn)印印刷技術(shù)可用于在與塑料聚合物襯底上的組裝兼容的溫度下印刷半導(dǎo)體裝置。另外，半導(dǎo)體材料可印刷到大面積襯底上，借此實(shí)現(xiàn)復(fù)雜集成電路在大襯底區(qū)域上方的連續(xù)、高速印刷。此外，可提供在柔性或變形裝置定向中具有良好電子性能的完全柔性電子裝置以實(shí)現(xiàn)廣泛的柔性電子裝置。

在一個(gè)方面中，本發(fā)明針對(duì)于一種使用印刷微組裝有源組件形成相位陣列天線結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括：在目的地襯底上提供多個(gè)天線；在第一襯底上形成多個(gè)放大器；在第二襯底上形成多個(gè)相位控制裝置；使所述第一襯底與蝕刻劑接觸，借此移除在所述多個(gè)放大器下方的第一犧牲層的一部分中的至少一者并形成多個(gè)可印刷放大器，每一可印刷放大器通過一或多個(gè)系鏈連接到所述第一襯底；使所述第二襯底與蝕刻劑接觸，借此移除在所述多個(gè)相位控制裝置下方的第二犧牲層的一部分中的至少一者并形成多個(gè)可印刷相位控制裝置，每一可印刷相位控制裝置通過一或多個(gè)系鏈連接到所述第二襯底；使所述多個(gè)可印刷放大器及所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的至少一部分暴露于化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)或處理所述多個(gè)可印刷放大器及所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的新暴露的表面；及通過微組裝將所述多個(gè)可印刷放大器及所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的至少一部分轉(zhuǎn)印到所述目的地襯底并使所述天線、所述放大器及所述相位控制裝置電互連，以借此使用來自多個(gè)源晶片的高頻微尺度裝置陣列來形成相位陣列天線系統(tǒng)。

在某些實(shí)施例中，將所述多個(gè)可印刷放大器及所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的至少一部分轉(zhuǎn)印到目的地襯底包括：使所述多個(gè)可印刷放大器的所述部分與轉(zhuǎn)印裝置接觸，其中所述轉(zhuǎn)印裝置與所述多個(gè)可印刷放大器的所述部分之間的接觸將所述多個(gè)可印刷放大器的所述部分暫時(shí)粘結(jié)到所述轉(zhuǎn)印裝置；使所述多個(gè)可印刷放大器的安置在所述轉(zhuǎn)印裝置上的所述部分與所述目的地襯底的接納表面接觸；使所述轉(zhuǎn)印裝置與所述多個(gè)可印刷放大器的所述部分分離，借此將所述多個(gè)可印刷放大器的所述部分轉(zhuǎn)印到所述目的地襯底上；使所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的所述部分與轉(zhuǎn)印裝置接觸，其中所述轉(zhuǎn)印裝置與所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的所述部分之間的接觸將所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的所述部分暫時(shí)粘結(jié)到所述轉(zhuǎn)印裝置；使所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的安置在所述轉(zhuǎn)印裝置上的所述部分與所述目的地襯底的所述接納表面接觸；及使所述轉(zhuǎn)印裝置與所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的所述部分分離，借此將所述多個(gè)可印刷相位控制裝置的所述部分轉(zhuǎn)印到所述目的地襯底上。

在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)天線包括多個(gè)貼片天線。

在某些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括：在同質(zhì)襯底中的每一者中形成錨定結(jié)構(gòu)及拴系結(jié)構(gòu)，使得在使所述同質(zhì)襯底中的每一者與所述蝕刻劑接觸之后通過所述錨定結(jié)構(gòu)或拴系結(jié)構(gòu)將經(jīng)釋放或可釋放結(jié)構(gòu)連接到其相應(yīng)同質(zhì)襯底。

在某些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括：由非外延材料形成錨定或拴系結(jié)構(gòu)，使得在使所述襯底與所述蝕刻劑接觸之后通過所述錨定結(jié)構(gòu)或拴系結(jié)構(gòu)將所述經(jīng)釋放或可釋放結(jié)構(gòu)連接到其相應(yīng)同質(zhì)襯底。

在某些實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括：形成一或多個(gè)囊封結(jié)構(gòu)以囊封所述經(jīng)釋放或可釋放結(jié)構(gòu)的至少一部分。

在某些實(shí)施例中，所述第一犧牲層構(gòu)成所述第一襯底的一部分。在某些實(shí)施例中，所述第二犧牲層構(gòu)成所述第二襯底的一部分。在某些實(shí)施例中，化學(xué)蝕刻通過形成于所述一或多個(gè)系鏈中的進(jìn)入點(diǎn)而通達(dá)所述犧牲層。

在某些實(shí)施例中，所述化學(xué)蝕刻通過所述一或多個(gè)系鏈中的外出點(diǎn)從之前由所述犧牲層的至少一部分占據(jù)的空間退出。

在某些實(shí)施例中，所述外出點(diǎn)與所述進(jìn)入點(diǎn)相同。

在某些實(shí)施例中，所述目的地襯底是選自由以下各項(xiàng)組成的群組的成員：聚合物、塑料、樹脂、聚酰亞胺、pen、pet、金屬、金屬箔、玻璃、半導(dǎo)體及藍(lán)寶石。在某些實(shí)施例中，所述目的地襯底對(duì)于可見光具有大于或等于50％、80％、90％或95％的透明度。

在另一方面中，本發(fā)明針對(duì)于一種裝置，其包括：目的地襯底；及多層結(jié)構(gòu)，其在所述目的地襯底上，其中所述多層結(jié)構(gòu)包括彼此上下堆疊的多個(gè)印刷電容器，其中在每一電容器之間沿著所述電容器的至少一個(gè)邊緣存在偏移。

在某些實(shí)施例中，所述偏移處于一維中。在某些實(shí)施例中，所述偏移處于二維中。在某些實(shí)施例中，所述偏移使得每一電容器的頂部表面的一部分被暴露。

在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有介于100nf/mm²與400nf/mm²之間的電容。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從1μm到10μm、10μm到30μm、30μm到50μm或50μm到100μm的厚度。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的寬度。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的長(zhǎng)度。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器是相同形狀及大小。

在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)印刷電容器以并聯(lián)或串聯(lián)中的至少一種方式連接。

在某些實(shí)施例中，所述目的地襯底是選自由以下各項(xiàng)組成的群組的成員：聚合物、塑料、樹脂、聚酰亞胺、pen、pet、金屬、金屬箔、玻璃、半導(dǎo)體及藍(lán)寶石。

在某些實(shí)施例中，所述目的地襯底對(duì)于可見光具有大于或等于50％、80％、90％或95％的透明度。

在另一方面中，本發(fā)明針對(duì)于一種可印刷電容器晶片，所述晶片包括：源襯底；第一犧牲層，其在所述源襯底的工藝側(cè)上；第一組可印刷電容器，其在所述第一犧牲層上；第二犧牲層，其在所述第一組可印刷電容器上；及第二組可印刷電容器，其在所述第二犧牲層上。

在某些實(shí)施例中，所述第二組可印刷電容器中的每一可印刷電容器安置于所述第一組可印刷電容器中的可印刷電容器上面。在某些實(shí)施例中，所述第一組可印刷電容器及所述第二組可印刷電容器中的每一者形成電容器陣列。在某些實(shí)施例中，所述第一組可印刷電容器及所述第二組可印刷電容器中的每一組的密度是5到15個(gè)電容器/平方毫米。

在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有厚度為從1μm到10μm、10μm到30μm、30μm到50μm或50μm到100μm的薄金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的寬度。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的長(zhǎng)度。

在某些實(shí)施例中，所述第一犧牲層及所述第二犧牲層中的每一者包括選自由以下各項(xiàng)組成的群組的至少一個(gè)成員：sin、sio2及si。

在某些實(shí)施例中，所述襯底是選自由以下各項(xiàng)組成的群組的成員：玻璃、藍(lán)寶石、al2ox、砷化鎵、氮化鎵、硅及鍺、碳化硅、塑料、硅晶片、絕緣體上硅晶片、多晶硅晶片、gaas晶片、襯底上硅晶片、鍺晶片、多晶硅薄膜晶片以及硅晶片。

在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)可印刷電容器中的每一電容器具有從100nf/mm²到400nf/mm²的電容。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)可印刷電容器中的每一者具有相同形狀及大小。

在另一方面中，本發(fā)明針對(duì)于一種用于在襯底的接納表面上組裝多個(gè)電容器的方法，所述方法包括：使所述多個(gè)電容器中的第一電容器與具有接觸表面的轉(zhuǎn)印裝置接觸，借此將所述電容器暫時(shí)粘結(jié)到所述接觸表面使得所述接觸表面上暫時(shí)安置有所述電容器；使安置在所述轉(zhuǎn)印裝置的所述接觸表面上的所述第一電容器與所述襯底的所述接納表面接觸；使所述轉(zhuǎn)印裝置的所述接觸表面與所述電容器分離，其中所述電容器被轉(zhuǎn)印到所述接納表面上，借此將所述電容器組裝在所述襯底的所述接納表面上；使所述多個(gè)電容器中的第二電容器與所述轉(zhuǎn)印裝置接觸，借此將所述第二電容器粘結(jié)到所述接觸表面使得所述接觸表面上安置有所述第二電容器；使安置在所述轉(zhuǎn)印裝置的所述接觸表面上的所述第二電容器與組裝在所述襯底的所述接納表面上的所述第一電容器的表面接觸；及使所述轉(zhuǎn)印裝置的所述接觸表面與所述第二電容器分離，其中所述第二電容器被轉(zhuǎn)印到組裝在所述襯底的所述接納表面上的所述電容器上，借此將所述第二電容器組裝在組裝于所述襯底的所述接納表面上的所述電容器上。

在某些實(shí)施例中，所述第二電容器從所述第一電容器偏移。在某些實(shí)施例中，所述偏移處于一維中。在某些實(shí)施例中，所述偏移處于二維中。在某些實(shí)施例中，所述偏移使得每一電容器的頂部表面的一部分被暴露。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從100nf/mm²到400nf/mm²的電容。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器是相同形狀及大小。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有厚度為從1μm到10μm、10μm到30μm、30μm到50μm或50μm到100μm的薄金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的寬度。在某些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、50μm到100μm或100μm到200μm的長(zhǎng)度。

在某些實(shí)施例中，所述第一電容器及所述第二電容器是經(jīng)由薄膜晶片級(jí)互連件而電連接。

在某些實(shí)施例中，所述第一電容器與所述第二電容器是并聯(lián)連接。在某些實(shí)施例中，所述第一電容器與所述第二電容器是串聯(lián)連接。在某些實(shí)施例中，所述第一電容器是經(jīng)由薄膜晶片級(jí)互連件而電連接。在某些實(shí)施例中，安置在所述轉(zhuǎn)印裝置上的所述第一電容器以大于或等于25微米的放置準(zhǔn)確度與所述接納表面的區(qū)接觸。

在某些實(shí)施例中，將粘合劑層提供在所述接納表面上，其中所述第一電容器在將所述電容器轉(zhuǎn)印到所述襯底的所述接納表面期間與所述粘合劑層接觸。

在某些實(shí)施例中，所述轉(zhuǎn)印裝置包括可保形轉(zhuǎn)印裝置。在某些實(shí)施例中，所述轉(zhuǎn)印裝置包括彈性體印模。

在某些實(shí)施例中，使安置在所述轉(zhuǎn)印裝置上的所述第一電容器與所述襯底的所述接納表面接觸是在小于400℃的溫度下執(zhí)行。

在某些實(shí)施例中，所揭示技術(shù)涉及提供使用借助可印刷微尺度有源組件驅(qū)動(dòng)的天線的相位陣列。在某些實(shí)施例中，所揭示技術(shù)包含個(gè)別射頻(rf)或微波組件的相位陣列，每一元件包含貼片天線、印刷(例如，微轉(zhuǎn)印印刷)放大器及印刷相位控制裝置。在某些實(shí)施例中，所述可印刷裝置具有從2μm到5μm、從5μm到10μm、從10μm到20μm或從20μm到50μm的寬度、長(zhǎng)度或高度(例如，二維或三維)?？刂圃扇Q于電路復(fù)雜性、集成技術(shù)及設(shè)計(jì)規(guī)則而具有廣泛的大小。舉例來說，控制元件可具有數(shù)十微米到數(shù)百微米的尺寸及50平方微米到50,000平方微米或甚至更大的面積。所述控制元件可交錯(cuò)在微組裝微尺度有源射頻組件陣列內(nèi)或天線陣列內(nèi)。

在某些實(shí)施例中，所揭示技術(shù)包含一種制備經(jīng)釋放或可釋放異質(zhì)集成式單片微波集成電路的方法。所述方法可包含：在相應(yīng)同質(zhì)襯底上形成一組相異的兩個(gè)或兩個(gè)以上裝置(例如，所述組包括兩個(gè)或兩個(gè)以上不同種類的裝置)(例如，在通過添加及/或圖案化介電及/或?qū)щ姳∧げ牧隙练e在第一同質(zhì)襯底上的外延材料中或借助所述外延材料；例如，sige、gan、gaas、inp、cmos)(例如，在其同質(zhì)襯底上呈區(qū)域密集配置，其中每一區(qū)域密集配置為非同質(zhì)目的地襯底上的較大區(qū)域裝置供應(yīng)組件)；在所述同質(zhì)襯底上將可釋放結(jié)構(gòu)劃界，部分地暴露同質(zhì)襯底；使所述同質(zhì)襯底中的每一者(例如，及其上包含的裝置)與蝕刻劑(例如，經(jīng)加熱的四甲基氫氧化銨或氫氧化鉀，或氫氧化鈉或用于執(zhí)行各向異性硅蝕刻的其它堿性溶液)接觸，借此移除所述襯底材料的一部分及在所述結(jié)構(gòu)下方的犧牲層中的至少一者并形成經(jīng)釋放或可釋放(例如，經(jīng)由系鏈連接到所述襯底)、能夠微組裝材料及/或裝置(例如，裝置陣列)；任選地，將所述同質(zhì)襯底及所述經(jīng)釋放或可釋放結(jié)構(gòu)(例如，通過錨定結(jié)構(gòu)及/或拴系結(jié)構(gòu)連接到所述襯底)中的每一者暴露于化學(xué)試劑以調(diào)節(jié)或處理所述經(jīng)釋放結(jié)構(gòu)的新暴露的表面(例如，通過暴露于經(jīng)加熱磷酸而賦予表面粗糙度)；及通過微組裝將所述組相異的兩個(gè)或兩個(gè)以上裝置轉(zhuǎn)印到非同質(zhì)目的地襯底(例如，非同質(zhì)于集成電路的一些或全部組件；例如，且包含氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、藍(lán)寶石、玻璃、金剛石、類金剛石碳、硅、氧化鈹、玻璃樹脂復(fù)合物或銅中的一或多者)，借此在支撐所述相異組的不同非同質(zhì)目的地襯底上由多個(gè)源晶片產(chǎn)生高頻相異集成電路陣列。所述集成電路可包含處理或控制高頻或射頻信號(hào)的集成電路。

所述組相異的兩個(gè)或兩個(gè)以上裝置可包含以下各項(xiàng)中的至少一者：至少部分地形成于砷化鎵或磷化銦襯底上且經(jīng)轉(zhuǎn)印到所述非同質(zhì)目的地襯底的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管；至少部分地形成于其同質(zhì)襯底上且經(jīng)轉(zhuǎn)印到同質(zhì)目的地襯底的基于gaas、inp或gan相關(guān)材料的高電子遷移率晶體管；至少部分地形成于絕緣體上硅襯底上且經(jīng)轉(zhuǎn)印到其非同質(zhì)目的地襯底的sige晶體管；及至少部分地形成于其同質(zhì)襯底(舉例來說，硅或絕緣體上硅晶片)上且經(jīng)轉(zhuǎn)印到非同質(zhì)目的地襯底的二極管、無源組件及信號(hào)處理集成電路。

在某些實(shí)施例中，所揭示技術(shù)包含一種制備經(jīng)釋放或可釋放晶體管的方法。所述方法可包含：在釋放層上形成晶體管(例如，rf晶體管、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管及/或高電子遷移率晶體管)，其中所述釋放層具有選擇性蝕刻特征，此允許化學(xué)移除所述釋放層，從而將所述可釋放裝置與同質(zhì)襯底(例如，gaas或inp)至少部分地分離；在所述同質(zhì)襯底上形成錨定結(jié)構(gòu)及/或拴系結(jié)構(gòu)(例如，包括光可界定材料、光致抗蝕劑材料、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、電介質(zhì)、金屬及/或半導(dǎo)體；例如，或由將晶體管囊封免受釋放過程中所使用的化學(xué)品影響的光致抗蝕劑材料制成)，使得在使所述同質(zhì)襯底與所述蝕刻劑接觸之后通過所述錨定結(jié)構(gòu)及/或拴系結(jié)構(gòu)將所述經(jīng)釋放或可釋放結(jié)構(gòu)連接到所述同質(zhì)襯底，借此貫穿所述釋放過程維持所述晶體管的空間配置；在形成所述錨定、拴系及/或囊封結(jié)構(gòu)之后，通過化學(xué)蝕刻將所述釋放層移除，借此將所述晶體管至少部分地釋放使得所述晶體管準(zhǔn)備好用于由轉(zhuǎn)印元件取回移除；使轉(zhuǎn)印元件(例如，所述轉(zhuǎn)印元件至少部分由保形材料(舉例來說，pdms橡膠)制成，使得所述轉(zhuǎn)印元件與所述可釋放物件的形貌的至少一部分緊密接觸)接觸于所述晶體管且將所述轉(zhuǎn)印元件粘附到被至少部分地釋放的晶體管；在粘附到所述被至少部分地釋放的晶體管之后，使所述轉(zhuǎn)印元件移動(dòng)遠(yuǎn)離所述同質(zhì)襯底同時(shí)維持粘附到所述經(jīng)釋放物件，借此將所述晶體管從其同質(zhì)襯底取回、移除、分離或拾取，其中所述錨定或拴系結(jié)構(gòu)在將所述轉(zhuǎn)印元件從所述同質(zhì)襯底取回或使其移動(dòng)遠(yuǎn)離所述同質(zhì)襯底的過程中斷裂及/或失去與所述同質(zhì)襯底及/或所述經(jīng)釋放物件的連接；及使所述晶體管接觸所述非同質(zhì)襯底并移除所述轉(zhuǎn)印元件，借此將所述晶體管放置在所述非同質(zhì)襯底上。

附圖說明

通過參考結(jié)合附圖作出的以下描述，本發(fā)明的前述及其它目標(biāo)、方面、特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更顯而易見及更好理解，附圖中：

圖1a是供在使用印刷有源組件的相位陣列中使用的個(gè)別元件的示意性圖解說明；

圖1b是使用印刷有源組件的相位陣列的實(shí)例性16印刷元件陣列的示意性圖解說明；

圖1c是使用印刷有源組件的相位陣列的實(shí)例性128印刷元件陣列的示意性圖解說明；

圖2是可轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的橫截面；

圖3是具有錨、系鏈及囊封的可轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的橫截面；

圖4是可轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的釋放及移除的橫截面；

圖5是可轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的放置及印刷的橫截面；

圖6是轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)集成式單片微波集成電路的示意圖；

圖7是包含同質(zhì)源襯底及目的地襯底的轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)集成式單片微波集成電路的示意圖；

圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的電容器堆疊的橫截面；

圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有二維偏移的電容器堆疊的透視圖；

圖10是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的偏移印刷硅隔膜的實(shí)例的光學(xué)顯微照片；

圖11是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的偏移印刷硅隔膜的替代實(shí)例的光學(xué)顯微照片；

圖12是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶片的橫截面；

圖13是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的已被底切的裝置的經(jīng)圖案化及蝕刻晶片的橫截面；

圖14是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶片上的裝置陣列的透視圖；

圖15是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有經(jīng)暴露電觸點(diǎn)的電容器堆疊的透視圖；及

圖16是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多個(gè)堆疊晶片的橫截面。

當(dāng)結(jié)合圖式閱讀下文所陳述的詳細(xì)說明時(shí)，本發(fā)明的特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加顯而易見，其中在通篇中相似參考字符識(shí)別對(duì)應(yīng)元件。在圖式中，相似參考編號(hào)通常指示相同、功能上類似及/或結(jié)構(gòu)上類似的元件。

具體實(shí)施方式

如本文中所使用，表達(dá)“半導(dǎo)體元件”及“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”同義使用且廣泛指代半導(dǎo)體材料、結(jié)構(gòu)、裝置或裝置的組件。半導(dǎo)體元件包含高質(zhì)量單晶及多晶半導(dǎo)體、經(jīng)由高溫處理制作的半導(dǎo)體材料、經(jīng)摻雜半導(dǎo)體材料、有機(jī)及無機(jī)半導(dǎo)體，以及具有一或多個(gè)額外半導(dǎo)體組件及/或非半導(dǎo)體組件的復(fù)合半導(dǎo)體材料及結(jié)構(gòu)，例如介電層或材料及/或?qū)щ妼踊虿牧?。半?dǎo)體元件包含半導(dǎo)體裝置及裝置組件，包含但不限于晶體管、包含太陽能電池的光伏裝置、二極管、發(fā)光二極管、激光器、p-n結(jié)、光電二極管、集成電路及傳感器。另外，半導(dǎo)體元件可指代形成功能半導(dǎo)體裝置或產(chǎn)品的零件或部分。

“半導(dǎo)體”是指在極低溫度下為絕緣體但在約300開氏度的溫度下具有可觀導(dǎo)電率的材料的任何材料。半導(dǎo)體的電特性可通過添加雜質(zhì)或摻雜劑而修改且通過使用電場(chǎng)來控制。在本說明中，術(shù)語半導(dǎo)體的用法旨在與此術(shù)語在微電子及電子裝置領(lǐng)域中的用法相一致。在本發(fā)明中有用的半導(dǎo)體可包含例如硅、鍺及金剛石等元素半導(dǎo)體及例如以下各項(xiàng)的化合物半導(dǎo)體：iv族化合物半導(dǎo)體，例如sic及sige；iii-v族半導(dǎo)體，例如alsb、alas、aln、alp、bn、gasb、gaas、gan、gap、insb、inas、inn及inp；iii-v族三元半導(dǎo)體合金，例如alxga1-xas；ii-vi族半導(dǎo)體，例如csse、cds、cdte、zno、znse、zns及znte；i-vii族半導(dǎo)體cucl；iv-vi族半導(dǎo)體，例如pbs、pbte及sns；層式半導(dǎo)體，例如pbi2、mos2及gase；氧化物半導(dǎo)體，例如cuo及cu2o。術(shù)語半導(dǎo)體包括本質(zhì)半導(dǎo)體及非本質(zhì)半導(dǎo)體，其摻雜有一種或多種選定材料，包含具有p型摻雜材料及n型摻雜材料的半導(dǎo)體，以提供適用于給定應(yīng)用或裝置的有益電子性質(zhì)。術(shù)語“半導(dǎo)體”包含包括半導(dǎo)體及/或摻雜劑的混合物的復(fù)合材料。在本發(fā)明的一些應(yīng)用中有用的特定半導(dǎo)體材料包含但不限于：si、ge、sic、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、inp、inas、gasb、inp、inas、insb、zno、znse、znte、cds、cdse、znse、znte、cds、cdse、cdte、hgs、pbs、pbse、pbte、algaas、alinas、alinp、gaasp、gainas、gainp、algaassb、algainp及gainasp。多孔硅半導(dǎo)體材料對(duì)于本發(fā)明在傳感器及發(fā)光材料(例如發(fā)光二極管(led)及固態(tài)激光器)領(lǐng)域中的應(yīng)用是有用的。半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)是除半導(dǎo)體材料本身以外的原子、元素、離子及/或分子，或者提供于半導(dǎo)體材料中的任何摻雜劑。雜質(zhì)是半導(dǎo)體材料中所存在的非所要材料，其可能會(huì)不利地影響半導(dǎo)體材料的電子性質(zhì)，且包含但不限于氧、碳及金屬，包含重金屬。重金屬雜質(zhì)包含但不限于：元素周期表上位于銅與鉛之間的元素群組族、鈣、鈉及其所有離子、化合物及/或錯(cuò)合物。

“襯底”是指其上或其中進(jìn)行(或已進(jìn)行)工藝(例如半導(dǎo)體元件的圖案化、組裝或集成)的結(jié)構(gòu)或材料。襯底包含但不限于：(i)其上制作、沉積、轉(zhuǎn)印或支撐半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)(還稱作為同質(zhì)襯底)；(ii)裝置襯底，舉例來說，電子裝置襯底；(iii)具有用于隨后轉(zhuǎn)印、組裝或集成的例如半導(dǎo)體元件等元件的施體襯底；及(iv)用于接納例如半導(dǎo)體元件等可印刷結(jié)構(gòu)的目標(biāo)襯底。施體襯底可為但未必是同質(zhì)襯底。

如本文中所使用的“目的地襯底”是指用于接納例如半導(dǎo)體元件等可印刷結(jié)構(gòu)的目標(biāo)襯底(例如，非同質(zhì)襯底)。目的地襯底材料的實(shí)例包含聚合物、塑料、樹脂、聚酰亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚對(duì)酞酸乙二酯、金屬、金屬箔、玻璃、柔性玻璃、半導(dǎo)體及藍(lán)寶石。

如本文中所使用的術(shù)語“微型”及“微型裝置”是指根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的某些裝置或結(jié)構(gòu)的描述性大小。如本文中所使用，術(shù)語“微型”及“微型裝置”意在指代尺度為.5μm到250μm(例如，從.5μm到2μm、從2μm到5μm、從5μm到10μm、從10μm到20μm、從20μm到50μm、從20μm到50μm、從50μm到100μm或從100μm到250μm)的結(jié)構(gòu)或裝置。然而，將了解，本發(fā)明的實(shí)施例未必限制于此，且實(shí)施例的某些方面可適用于更大或更小大小的尺度。

如本文中所使用，“微型led”是指尺度為.5μm到250μm的無機(jī)發(fā)光二極管。舉例來說，微型led可具有寬度、長(zhǎng)度及高度中的至少一者(或二維或全部三維)。微型led在被激勵(lì)時(shí)發(fā)射光。由led發(fā)射的光的色彩取決于微型led的結(jié)構(gòu)而變化。舉例來說，當(dāng)經(jīng)激勵(lì)時(shí)，紅色微型led發(fā)射紅色光，綠色微型led發(fā)射綠色光，藍(lán)色微型led發(fā)射藍(lán)色光，黃色微型led發(fā)射黃色光，且青色微型led發(fā)射青色光。

“可印刷”是指能夠轉(zhuǎn)印、組裝、圖案化、組織或集成到襯底上或襯底中而不會(huì)將襯底暴露于高溫(即，在小于或等于約400、200或150攝氏度的溫度下)的材料、結(jié)構(gòu)、裝置組件或集成式功能裝置。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可印刷材料、元件、裝置組件或裝置能夠經(jīng)由溶液印刷、微轉(zhuǎn)印印刷或干式轉(zhuǎn)印接觸印刷而轉(zhuǎn)印、組裝、圖案化、組織及/或集成到襯底上或襯底中。

本發(fā)明的“可印刷半導(dǎo)體元件”包括可(舉例來說)可通過使用干式轉(zhuǎn)印接觸印刷、微轉(zhuǎn)印印刷或溶液印刷方法而組裝或集成到襯底表面上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明的可印刷半導(dǎo)體元件為單一單晶、多晶或微晶無機(jī)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在此說明的上下文中，單一結(jié)構(gòu)是具有經(jīng)機(jī)械連接的特征的單片式元件。本發(fā)明的半導(dǎo)體元件可未經(jīng)摻雜或經(jīng)摻雜，可具有選定空間分布的摻雜劑且可摻雜有多種不同摻雜劑材料，包含p型及n型摻雜劑。本發(fā)明包含具有大于或等于約1微米的至少一個(gè)橫截面尺寸的微結(jié)構(gòu)化可印刷半導(dǎo)體元件及具有小于或等于約1微米的至少一個(gè)橫截面尺寸的納米結(jié)構(gòu)化可印刷半導(dǎo)體元件。在許多應(yīng)用中有用的可印刷半導(dǎo)體元件包括從對(duì)高純度塊體材料(例如使用常規(guī)高溫處理技術(shù)產(chǎn)生的高純度結(jié)晶半導(dǎo)體晶片)的“由上而下”處理得來的元件。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明的可印刷半導(dǎo)體元件包括復(fù)合結(jié)構(gòu)，所述復(fù)合結(jié)構(gòu)具有以操作方式連接到至少一個(gè)額外裝置組件或結(jié)構(gòu)(例如導(dǎo)電層、介電層、電極、額外半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或其任一組合)的半導(dǎo)體。在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明的可印刷半導(dǎo)體元件包括可拉伸半導(dǎo)體元件或異質(zhì)半導(dǎo)體元件。

術(shù)語“柔性”是指材料、結(jié)構(gòu)、裝置或裝置組件可逆地變形成彎曲形狀(例如)而無需經(jīng)歷引起顯著應(yīng)變(例如表征材料、結(jié)構(gòu)、裝置或裝置組件的故障點(diǎn)的應(yīng)變)的變換的能力。

“塑料”是指可經(jīng)模制或塑形(通常在加熱時(shí))且經(jīng)硬化成所要形狀的任何合成或天然存在材料或材料組合。在本發(fā)明的裝置及方法中有用的示范性塑料包含但不限于聚合物、樹脂及纖維素衍生物。在本說明中，術(shù)語塑料旨在包含復(fù)合塑料材料，所述復(fù)合塑料材料包括具有一或多種添加劑的一或多種塑料，所述塑料例如為結(jié)構(gòu)增強(qiáng)劑、填充劑、纖維、塑化劑、穩(wěn)定劑或可提供所要化學(xué)或物理性質(zhì)的添加劑。

“電介質(zhì)”及“介電材料”在本說明中同義使用且是指對(duì)電流流動(dòng)具有高抗性且可通過所施加電場(chǎng)極化的物質(zhì)。有用介電材料包含但不限于sio2、ta2o5、tio2、zro2、y2o3、sin4、sto、bst、plzt、pmn及pz。

“聚合物”是指包括多個(gè)重復(fù)化學(xué)基團(tuán)(通常稱作為單體)的分子。聚合物的特征通常在于高分子質(zhì)量。本發(fā)明中可使用的聚合物可為有機(jī)聚合物或無機(jī)聚合物且可呈非晶、半非晶、結(jié)晶或部分結(jié)晶狀態(tài)。聚合物可包括具有相同化學(xué)組成的單體或可包括具有不同化學(xué)組成的多種單體，例如共聚物。具有鏈接式單體鏈的交聯(lián)聚合物對(duì)本發(fā)明的一些應(yīng)用尤其有用。本發(fā)明的方法、裝置及裝置組件中可用的聚合物包含但不限于塑料、彈性體、熱塑性彈性體、彈性塑料、恒溫器、熱塑性塑料及丙烯酸酯。示范性聚合物包含但不限于縮醛聚合物、可生物降解聚合物、纖維素聚合物、含氟聚合物、尼龍、聚丙烯腈聚合物、聚酰胺-亞酰胺聚合物、酰亞胺、聚芳香酯、聚苯并咪唑、聚丁烯、聚碳酸酯、聚酯、聚醚酰亞胺、聚乙烯、聚乙烯共聚物及經(jīng)改質(zhì)聚乙烯、聚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基戊烯、聚伸苯醚及聚苯硫、聚鄰苯二甲酰胺、聚丙烯、聚氨酯、苯乙烯樹脂、砜基樹脂、乙烯基樹脂或這些的任何組合。

如本文中所使用的“微轉(zhuǎn)印印刷”是指用于將微型或納米型材料、裝置及半導(dǎo)體元件確定性組裝成具有二維及三維布局的經(jīng)空間組織的功能布置的系統(tǒng)、方法及技術(shù)。通常難以拾取并放置超薄或小型裝置，然而，微轉(zhuǎn)印印刷準(zhǔn)許選擇并施加這些超薄、易碎或小型裝置(例如微型led)而不會(huì)對(duì)裝置本身造成損壞。微結(jié)構(gòu)化印模(例如，彈性印模、靜電印?；蚧旌蠌椥?靜電印模)可用于拾取微型裝置，將微型裝置輸送到目的地襯底，及將微型裝置印刷到目的地襯底上。在一些實(shí)施例中，表面粘附力用于控制對(duì)這些裝置的選擇及其到目的地襯底上的印刷。此過程可大規(guī)模地并行執(zhí)行。印?？山?jīng)設(shè)計(jì)以在單個(gè)拾取及印刷操作中轉(zhuǎn)印單個(gè)裝置或數(shù)百到數(shù)千個(gè)離散結(jié)構(gòu)。關(guān)于微轉(zhuǎn)印印刷的論述通常參考第7,622,367號(hào)及第8,506,867號(hào)美國(guó)專利，所述美國(guó)專利中的每一者特此以引用的方式全文并入本文中。

相位陣列天線系統(tǒng)可使用轉(zhuǎn)印印刷有源組件來構(gòu)造。相位陣列天線系統(tǒng)得益于大數(shù)目個(gè)輻射元件(例如，較多的輻射元件可形成較尖、較窄的波束且提供較高增益)。隨著輻射元件的數(shù)目增加，系統(tǒng)的大小及組裝的成本會(huì)增加。高生產(chǎn)量微組裝(例如，通過微轉(zhuǎn)印印刷)減少與大零件計(jì)數(shù)相關(guān)聯(lián)的成本。

微組裝優(yōu)于在半導(dǎo)體晶片上形成多個(gè)輻射元件的單體式方法，因?yàn)槲⒔M裝使用較少半導(dǎo)體材料來提供陣列所需要的有源組件。相位陣列天線系統(tǒng)上有源組件的密度較小(數(shù)百分比或更少)。微組裝提供在相位陣列天線系統(tǒng)中高效使用半導(dǎo)體材料的方式，從而減少原始同質(zhì)源襯底中的非有源半導(dǎo)體區(qū)域(例如，半導(dǎo)體材料上不包含晶體管、二極管或其它有源組件的區(qū)域)的量。微轉(zhuǎn)印方法描述于第8,722,458號(hào)、第7,622,367號(hào)及第8,506,867號(hào)美國(guó)專利中，所述美國(guó)專利中的每一者特此以引用方式并入本文中。

在一些實(shí)施例中，將有源組件放置在天線相位陣列中的每一個(gè)別天線附近是有利的。在一些實(shí)施例中，通過以下方式減少每一有源組件的成本：使(舉例來說)集成電路中的有源組件小型化，從而準(zhǔn)許在給定半導(dǎo)體晶片上產(chǎn)生較大數(shù)目個(gè)組件。

有源組件可從同質(zhì)襯底被釋放，從而促進(jìn)到有源組件的薄膜互連并通過實(shí)現(xiàn)襯底重新使用而降低其成本。與包含線接合及凸塊接合的其它互連手段相比，到有源組件的薄膜互連因提供減少的寄生效應(yīng)而在rf應(yīng)用中是有利的。

使用轉(zhuǎn)印印刷微組裝有源組件的相位陣列天線系統(tǒng)可用于為自動(dòng)駕駛車輛提供雷達(dá)，為無線無人運(yùn)載工具提供電力傳輸，為無線相機(jī)提供電力傳輸，為微波爐提供加熱，為無線照明裝置提供電力傳輸，提供從手持機(jī)及個(gè)人計(jì)算機(jī)到輔助移動(dòng)裝置的數(shù)據(jù)傳輸、電力傳輸，或提供到模塊化信息顯示元件(包含例如電泳顯示器等雙穩(wěn)態(tài)或多穩(wěn)態(tài)顯示元件)的電力及數(shù)據(jù)傳輸。舉例來說，用于無人駕駛運(yùn)載工具的控制系統(tǒng)得益于具有高增益波束形成能力的雷達(dá)。微組裝為在戰(zhàn)術(shù)航空精確度中有用的高增益相位陣列提供經(jīng)濟(jì)路線。轉(zhuǎn)印印刷相位陣列的優(yōu)勢(shì)尤其包含頂尖材料(sige、gan、gaas、inp、cmos等)的單片集成及高效材料利用以及放大器到天線的低電感互連。

圖1a是供在包含印刷有源組件的相位天線陣列中使用的個(gè)別元件100的圖解說明。個(gè)別元件100陣列可被微組裝到襯底上以形成相位陣列天線系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，元件100包含天線102，例如貼片天線。貼片天線可安裝在平坦表面上且具有低輪廓。天線102連接到經(jīng)微組裝(例如，微轉(zhuǎn)印印刷)到襯底上的放大器104。相位控制裝置106連接到放大器104使得可控制使用天線102進(jìn)行的信號(hào)廣播的相位。相位控制裝置106可與放大器104集成于共同裝置(例如集成電路)中，或是單獨(dú)的，舉例來說，位于單獨(dú)集成電路中。

在一些實(shí)施例中，使用化合物微組裝技術(shù)來形成所述個(gè)別元件。舉例來說，化合物微組裝允許在中間襯底上形成含有小型裝置(例如，從1微米到100微米的寬度、長(zhǎng)度及高度)的微型系統(tǒng)陣列，舉例來說，通過將個(gè)別元件從上面形成有所述個(gè)別元件的一或多個(gè)同質(zhì)襯底微轉(zhuǎn)印印刷到一或多個(gè)中間襯底。然后可將中間襯底上的微型系統(tǒng)微轉(zhuǎn)印印刷到目的地襯底以形成由各自位于其自身的單獨(dú)中間襯底上的數(shù)個(gè)微型系統(tǒng)形成的大型系統(tǒng)。

圖1b是使用印刷有源組件的相位陣列天線150的實(shí)例性16印刷元件陣列的圖解說明。圖1c是使用印刷有源組件的相位陣列天線系統(tǒng)175的實(shí)例性128印刷元件陣列的圖解說明。相位陣列天線可包含交錯(cuò)于微組裝射頻組件陣列內(nèi)的控制元件180陣列?？刂圃捎糜趯⑿盘?hào)發(fā)送到天線。控制元件還可用于將控制信號(hào)發(fā)送到相位控制裝置106以控制或調(diào)整通過天線102發(fā)送的信號(hào)的相位，從而實(shí)現(xiàn)電子波束操控。

圖2到5圖解說明形成于化合物半導(dǎo)體材料上的適于微組裝的可釋放射頻晶體管，例如生長(zhǎng)于gaas或inp襯底上的可釋放射頻晶體管。在一些實(shí)施例中，如圖2中所圖解說明，晶體管形成于釋放層204上，所述釋放層具有選擇性蝕刻特性，此允許化學(xué)移除釋放層204從而使可釋放裝置212與其生長(zhǎng)或同質(zhì)襯底202至少部分地分離?？舍尫叛b置212可包含形成于集極208上的射極210，集極208本身在某些實(shí)施例中形成于子集極206上，所述子集極形成于釋放層204上方。集極208可包含經(jīng)摻雜半導(dǎo)體材料層，子集極可同樣包含經(jīng)摻雜半導(dǎo)體材料層。子集極可經(jīng)摻雜以增大半導(dǎo)體的導(dǎo)電率。晶體管可為射頻晶體管，例如異質(zhì)結(jié)雙極晶體管或高電子遷移率晶體管。

圖3是具有錨、系鏈及囊封的可轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的圖解說明。在制備用于微組裝的例如射頻晶體管等可釋放物件的過程中，可使用在釋放過程中維持物件的空間配置的結(jié)構(gòu)。維持空間配置的結(jié)構(gòu)(通常稱作為錨、系鏈或其它穩(wěn)定化結(jié)構(gòu))可包含光致抗蝕劑材料、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、電介質(zhì)、金屬及/或半導(dǎo)體。此些結(jié)構(gòu)貫穿釋放過程維持與同質(zhì)襯底302或其它固定本體的接觸。圖3是展示形成(例如)由光致抗蝕劑制成的此些結(jié)構(gòu)的實(shí)例性圖解說明，所述光致抗蝕劑還將裝置的有源組件囊封免受釋放過程中所使用的化學(xué)品影響，借此提供額外益處。光可界定材料有利于此種類的錨定、拴系或囊封結(jié)構(gòu)，便利于形成且在許多情形中便利于通過溶解于濕化學(xué)品、有機(jī)溶劑或水性混合物中或通過在氧及/或氟化合物中灰化來移除。在圖3中所示的實(shí)例中，兩個(gè)系鏈320a及320b(統(tǒng)稱為320)將裝置固定到襯底302。每一系鏈320a及320b分別連接到錨(例如，錨322a及322b(統(tǒng)稱為322))。系鏈320及錨322的化學(xué)選擇性使得其在釋放層304被移除(例如，借助蝕刻)時(shí)不受影響(例如，或受最小影響)。

圖4是圖解說明可轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)結(jié)雙極晶體管從同質(zhì)襯底402的釋放及移除。在形成錨定、拴系或囊封結(jié)構(gòu)之后，釋放層(在圖3中為304)可被化學(xué)移除?；瘜W(xué)反應(yīng)物蝕刻釋放層，從而通過形成于錨定、拴系及/或囊封結(jié)構(gòu)中的進(jìn)入點(diǎn)(未展示)而通達(dá)。蝕刻反應(yīng)產(chǎn)物通過外出點(diǎn)(未展示)從在可釋放物件下方的空間退出，所述外出點(diǎn)在許多但并非所有情形中與進(jìn)入點(diǎn)相同。當(dāng)將釋放層完全或部分移除時(shí)，認(rèn)為可釋放物件至少部分地釋放且準(zhǔn)備好由轉(zhuǎn)印元件414取回?？臻g配置由系鏈(例如，在圖3中為320)及錨(例如，在圖3中為322)維持。轉(zhuǎn)印元件414接觸并粘附到被至少部分地釋放的物件。使轉(zhuǎn)印元件414是保形的以與可釋放物件的形貌的至少一部分緊密接觸是有利的。舉例來說，轉(zhuǎn)印元件414可包含保形材料，例如pdms。在粘附到被至少部分地釋放的物件之后，轉(zhuǎn)印元件414移動(dòng)遠(yuǎn)離同質(zhì)襯底402，從而維持到釋放物件的粘附，借此將物件從其同質(zhì)襯底402取回、移除、分離或拾取。在移除過程中，錨定或拴系結(jié)構(gòu)斷裂或失去與同質(zhì)襯底402或釋放物件的連接。在錨定及拴系結(jié)構(gòu)中選擇具有特定斷裂性質(zhì)、粘附性質(zhì)的材料或?qū)哂袘?yīng)力集中特征的幾何形狀的界定有益于控制分離或斷裂點(diǎn)。在圖4中所示的實(shí)例中，兩個(gè)系鏈420a及420b(統(tǒng)稱為420)將裝置固定到襯底402。每一系鏈420a及420b分別連接到錨(例如，錨422a及422b(統(tǒng)稱為422))。如圖4中所示，當(dāng)轉(zhuǎn)印元件414拾取裝置時(shí)，系鏈420斷裂。

圖5是可轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的放置及印刷的圖解說明。轉(zhuǎn)印元件514(對(duì)應(yīng)于圖4的元件414)通過使射頻裝置接觸非同質(zhì)襯底516并移除轉(zhuǎn)印元件514來將所述裝置放置在非同質(zhì)襯底516上。以下方式會(huì)促進(jìn)經(jīng)釋放裝置與轉(zhuǎn)印元件514的分離并轉(zhuǎn)印到非同質(zhì)襯底516：可動(dòng)力切換粘附到轉(zhuǎn)印元件514、抵靠非同質(zhì)襯底516壓縮、裝置與非同質(zhì)襯底516的平坦表面之間的接觸、添加平坦或可保形粘附促進(jìn)層518、暴露于電磁輻射、機(jī)械剪切、加熱、等離子活化、在經(jīng)釋放物件與轉(zhuǎn)印元件514之間的界面處材料的金屬化接合或軟化、流動(dòng)或燒蝕。粘附促進(jìn)層518可包含平坦化層，舉例來說，bcb、聚酰亞胺、聚苯并唑、焊劑、可保形介電材料或?qū)щ姴牧匣蛐渴讲ＡР牧?。粘附促進(jìn)層518還可具有促進(jìn)到釋放物件的表面的緊密接觸的機(jī)械性質(zhì)，舉例來說，聚硅氧、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯并唑、軟或液態(tài)金屬、焊劑或bcb。粘附促進(jìn)層518還可為光活性，舉例來說，通過暴露于光而可交聯(lián)。在那些實(shí)施例中，在轉(zhuǎn)印過程期間或之后使一些或全部粘附促進(jìn)層518暴露于光是有利的以維持所轉(zhuǎn)印裝置的空間位置及定向。

圖6是轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)集成式單片集成電路602a到602g(例如微波集成電路)的圖解說明。由多個(gè)源晶片微組裝成一組相異裝置可在不同襯底(支撐所述組相異集成電路602a到602g的非同質(zhì)襯底600)上產(chǎn)生高頻集成電路。非同質(zhì)襯底600非同質(zhì)于集成電路602a到602g的一些或所有組件。舉例來說，非同質(zhì)襯底600可為氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷、藍(lán)寶石、玻璃、金剛石、類金剛石碳、硅、氧化鈹、玻璃樹脂復(fù)合材料、聚合物、塑料、聚合物、金屬或銅。可針對(duì)熱性質(zhì)、成本、射頻響應(yīng)特性、大小、機(jī)械性質(zhì)或其它所要屬性選擇非同質(zhì)襯底600。在一些實(shí)施例中，非同質(zhì)襯底600是柔性的。作為實(shí)例，集成電路602a到602g可包含以下各項(xiàng)：至少部分地形成于砷化鎵或磷化銦襯底上且經(jīng)轉(zhuǎn)印到非同質(zhì)襯底600的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管；至少部分地形成于其同質(zhì)襯底(例如，圖4中的402)上且經(jīng)轉(zhuǎn)印到非同質(zhì)襯底的基于gaas、inp或gan相關(guān)材料的高電子遷移率晶體管；至少部分地形成于絕緣體上硅襯底上且經(jīng)轉(zhuǎn)印到其非同質(zhì)目的地襯底的sige晶體管；或至少部分地形成于其同質(zhì)襯底(舉例來說，硅或絕緣體上硅晶片)上且經(jīng)轉(zhuǎn)印到非同質(zhì)目的地襯底的二極管、無源組件及信號(hào)處理集成電路。

一組相異裝置602a到602g在單個(gè)非同質(zhì)襯底600上的此種配置提供材料減少的成本及性能優(yōu)勢(shì)，因?yàn)檫@些種類的集成電路中的很多集成電路僅需要使其區(qū)域的一小部分填充有有源組件。形成有源組件的過程在每區(qū)域基礎(chǔ)上可為高成本，且本文中所描述的微組裝組可促進(jìn)有源組件以區(qū)域密集配置形成于其同質(zhì)源襯底上，其中每一區(qū)域密集配置為非同質(zhì)目的地襯底上的更大區(qū)域裝置供應(yīng)組件。微組裝提供益處，因?yàn)檫@些集成電路的組件中的很多組件均可小型化到通過常規(guī)組裝技術(shù)難以組裝出的大小，舉例來說，在一個(gè)橫向維度上小于0.1mm，或在至少一個(gè)橫向維度上小于0.05mm或0.02mm。經(jīng)微組裝裝置可使用薄膜互連件而互連，借此提供具有減少的寄生效應(yīng)的互連。

圖7是轉(zhuǎn)印印刷異質(zhì)集成式單片微波集成電路的圖解說明。圖7圖解說明適于將多個(gè)集成電路微組裝于非同質(zhì)目的地襯底上的以區(qū)域密集配置形成于多個(gè)同質(zhì)襯底上的一組相異組件。

雷達(dá)及其它電子系統(tǒng)通常利用電容器來供應(yīng)及存儲(chǔ)能量。舉例來說，電容器(例如，具有高功率密度的電容器用于滿足脈沖雷達(dá)及激光應(yīng)用的高電流脈沖要求且對(duì)于相位陣列天線系統(tǒng)也是有用的。所揭示技術(shù)可提供可使用微組裝技術(shù)并入到微尺度系統(tǒng)(例如，雷達(dá)系統(tǒng)及其它電子系統(tǒng))中的電容器及電容器堆疊。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的襯底806上的電容器堆疊804的圖式。將薄電容器組裝成偏移堆疊使表面區(qū)域暴露且使得電容器可連接到電路。電容器堆疊804包含電容器804a、804b、804c、804d。電容器804a到804d中的每一者是薄金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu)。電容器804a到804d中的每一者是被微轉(zhuǎn)印印刷到其相應(yīng)目的地。在圖8中所示的實(shí)例中，電容器804c以一偏移堆疊在電容器804d的頂部上，所述偏移使得電容器804d的表面上的區(qū)域被暴露。804d的經(jīng)暴露表面區(qū)域包含與互連件802d接合的電觸點(diǎn)。其余電容器804a及804b類似地以偏移堆疊，從而使得互連件802a、802b及802c能夠分別與電容器804a、804b及804c的經(jīng)暴露表面區(qū)域上的電觸點(diǎn)接合。電容器804中的每一者使用互連件802a、802b、802c及802d(統(tǒng)稱為互連件802)連接到硅襯底806以便組裝電路。所述電容器可互連成并聯(lián)或串聯(lián)電路。因此，可使用堆疊中的適當(dāng)數(shù)目個(gè)電容器、堆疊中每一電容器的適當(dāng)物理大小及適當(dāng)布線方案來提供具有各種電容的電容器。舉例來說，當(dāng)電容器804中的每一者具有250nf/mm²的電容且電容器804a互連于并聯(lián)電路中時(shí)，完整堆疊電容器的電容是1μf/mm²。

在某些實(shí)施例中，偏移可沿著一維，如圖8中所示。舉例來說，當(dāng)薄電容器彼此上下堆疊以使得每一電容器的寬度及長(zhǎng)度平行時(shí)，電容器僅沿著電容器的長(zhǎng)度偏移，或僅沿著電容器的寬度偏移。在一些實(shí)施例中，偏移可沿著二維，舉例來說，沿著寬度維度及長(zhǎng)度維度兩者，舉例來說，如圖9中所示。圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有偏移印刷的電容器堆疊的圖解說明。電容器堆疊900展示使用微轉(zhuǎn)印印刷堆疊成偏移布置的電容器804。電容器804是垂直堆疊且沿著其余兩個(gè)軸偏移。舉例來說，當(dāng)薄電容器彼此上下堆疊以使得每一電容器的寬度及長(zhǎng)度平行時(shí)，電容器沿著電容器的長(zhǎng)度偏移且沿著電容器的寬度偏移。在圖8或圖9的的實(shí)施例中的任一者中，偏移暴露每一電容器的頂部表面的一部分(例如，未由堆疊于其上的電容器覆蓋)且經(jīng)暴露部分可用于接觸端子及布線。

在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從100nf/mm²及400nf/mm²的每單位面積電容。在其它實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從1μm到10μm、從10μm到30μm、從30μm到50μm或從50μm到100μm的厚度。在進(jìn)一步實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、從50μm到100μm或從100μm到200μm的寬度。在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)電容器中的每一電容器具有從10μm到50μm、從50μm到100μm或從100μm到200μm的長(zhǎng)度。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的硅隔膜的偏移印刷的實(shí)例的光學(xué)顯微照片(在此情形中為電容器堆疊1000的光學(xué)顯微照片)。在此實(shí)施例中，不僅堆疊的每一層中的電容器沿長(zhǎng)度及寬度維度兩者暴露，而且電容器各自繞垂直于電容器的長(zhǎng)度及寬度方向的垂直軸旋轉(zhuǎn)不同量。

圖11是硅隔膜的偏移印刷的替代實(shí)例的光學(xué)顯微照片。隔膜堆疊1100是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的另一電容器堆疊布置。這些布置可用于使用微轉(zhuǎn)印印刷電容器堆疊來形成具有不同電容的電容器。

圖12及13圖解說明使用源襯底1210形成電容器的過程。過程以襯底1210(例如硅(111)襯底)開始。將底部電極1206沉積并圖案化到硅晶片襯底1210上。在一些實(shí)施例中，襯底是砷化鎵、氮化鎵、硅、鍺或介電材料。在沉積并圖案化底部電極1206之后，沉積電介質(zhì)1204(例如，聚乙烯、bcb、聚碳酸酯、mylar、sio2、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、fr4、sio、si3n4、aln、al2o3、si3n4、batio3、nbox、ta2o5、sic、hfo、wo2、ta2o5、tio2、batio3、basrtio3、pbzrxti1-xo3、ba0.8pb0.2(zr0.12ti0.88)o3)，并使其退火且加以圖案化。在已沉積電介質(zhì)1204，使其退火并加以圖案化之后，沉積頂部電極1202并加以圖案化以形成電容器結(jié)構(gòu)1208。在一些實(shí)施例中，電容器結(jié)構(gòu)1208是尚未被部分地釋放(例如，通過蝕刻犧牲層)的電容器。在其它實(shí)施例中，舉例來說，使用圖案化與蝕刻工藝將電容器結(jié)構(gòu)1208劃界成多個(gè)電容器。

在已如圖12中所示沉積并制備用以形成電容器1208的適當(dāng)材料之后，在一些實(shí)施例中，在襯底1210上劃界出多個(gè)電容器。此劃界可使用圖案化及蝕刻材料來完成。在一些實(shí)施例中，材料經(jīng)沉積使得不需要?jiǎng)澖绮襟E。如圖13中所示，襯底1210經(jīng)蝕刻以底切電容器結(jié)構(gòu)1308(例如，通過蝕刻，例如koh蝕刻)，從而至少部分地使薄硅隔膜1304與襯底1210分離，使薄膜電容器1302僅附接到薄硅隔膜1304。可印刷電容器結(jié)構(gòu)1308包含附接到薄硅隔膜1304的薄膜電容器1302且通過系鏈(未展示)保持部分附接到襯底1210以將單元固持在適當(dāng)位置中。系鏈隨后在微轉(zhuǎn)印印刷過程期間斷開使得可將電容器結(jié)構(gòu)1308轉(zhuǎn)印到目的地襯底。

圖14是通過系鏈1404a固定到襯底1210的可印刷電容器1302(例如看到，電容器1302通過系鏈1404a及1404b(統(tǒng)稱為系鏈1404)固定)的陣列的圖解說明。個(gè)別電容器可通過轉(zhuǎn)印裝置(例如，彈性體印模)轉(zhuǎn)印到目的地襯底。在某些實(shí)施例中，目的地襯底(例如，襯底1210)非同質(zhì)于電容器。在某些實(shí)施例中，電容器經(jīng)堆疊以形成經(jīng)偏移堆疊的電容器，如上文圖8及9中所示。微轉(zhuǎn)印印刷裝置附接到可微轉(zhuǎn)印印刷電容器1402，因此使系鏈1404a斷開且在硅襯底1210上的電容器陣列中留下空閑空間。在后續(xù)微轉(zhuǎn)印印刷步驟中，微轉(zhuǎn)印印刷裝置經(jīng)配置以將第二電容器從陣列的不同位置移除。多個(gè)可印刷電容器中的每一者包括涂覆有接合層的頂部表面，所述接合層促進(jìn)將可印刷電容器接合到微轉(zhuǎn)印印刷裝置(例如，可保形轉(zhuǎn)印裝置、彈性體印模)的接觸表面。在某些實(shí)施例中，電容器的密度是5到15個(gè)電容器/平方毫米。

陣列1400由微轉(zhuǎn)印印刷過程用于將電容器轉(zhuǎn)印到襯底(例如，玻璃、塑料或藍(lán)寶石)的接納表面。微轉(zhuǎn)印印刷裝置使第一電容器與具有接觸表面的轉(zhuǎn)印裝置(例如，可保形轉(zhuǎn)印裝置)接觸，借此將電容器暫時(shí)粘結(jié)到接觸表面使得接觸表面上暫時(shí)安置有電容器。轉(zhuǎn)印裝置行進(jìn)到非同質(zhì)目的地襯底，且通過使可保形轉(zhuǎn)印裝置的接觸表面與電容器分離，將電容器組裝于非同質(zhì)目的地襯底的接納表面上。在一些實(shí)施例中，接納表面包括由電容器接觸的粘合劑層。在某些實(shí)施例中，在小于400℃的溫度下執(zhí)行接觸。接下來，轉(zhuǎn)印裝置接觸陣列1400的第二電容器，粘結(jié)電容器，然后行進(jìn)到非同質(zhì)目的地襯底并使所述轉(zhuǎn)印裝置的接觸表面與電容器分離，從而將第二電容器以偏移組裝在第一電容器的表面頂部上。然后通過薄膜晶片級(jí)互連件并聯(lián)或串聯(lián)地電連接兩個(gè)電容器。在某些實(shí)施例中，將多個(gè)電容器堆疊。在一些實(shí)施例中，電容器包括涂覆有釋放層的頂部表面，所述釋放層促進(jìn)將電容器接合到可保形轉(zhuǎn)印裝置(例如光致抗蝕劑)的接觸表面。所述電容器是以大于或等于25微米的放置準(zhǔn)確度被組裝。

圖15是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有經(jīng)暴露電觸點(diǎn)的電容器堆疊的圖式。個(gè)別經(jīng)偏移堆疊的電容器804a、804b、804c及804d分別包含第一電觸點(diǎn)1502a、1502b、1502c及1502d。個(gè)別經(jīng)偏移堆疊的電容器804a、804b、804c及804d分別還包含第二電觸點(diǎn)1504a、1504b、1504c及1504d。在組裝出偏移堆疊時(shí)，微轉(zhuǎn)印印刷過程經(jīng)配置以出于使經(jīng)堆疊電容器804互連的目的而使電觸點(diǎn)暴露。

圖16是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的堆疊晶片的橫截面圖。堆疊晶片是晶片上電容器的晶片多層堆疊。多個(gè)電容器結(jié)構(gòu)1208a到1208c(統(tǒng)稱為1208)彼此上下形成。第一電容器結(jié)構(gòu)1208c形成于第一襯底1210c上，第二電容器結(jié)構(gòu)1208b形成于第二襯底1210b上，且第三電容器結(jié)構(gòu)1208a形成于第三襯底1210a上。在一些實(shí)施例中，視需要在上面形成額外電容器結(jié)構(gòu)及襯底。在一些實(shí)施方案中，每一電容器結(jié)構(gòu)通過緩沖層(例如，緩沖層1606a、1606b及1606c(統(tǒng)稱為1606))與上面的襯底分開。在一些實(shí)施方案中，緩沖層1606是犧牲層。在一些實(shí)施例中，如上文所闡釋，電容器結(jié)構(gòu)經(jīng)劃界以形成數(shù)個(gè)電容器。此后，視需要微組裝電容器。一旦形成每一電容器，即將頂部電容器結(jié)構(gòu)1208a移除，且然后將任何剩余襯底1210a材料及緩沖層1606a移除。形成、印刷以及移除襯底及緩沖層的過程可針對(duì)多達(dá)所存在的結(jié)構(gòu)繼續(xù)。

雷達(dá)系統(tǒng)及其它電子裝置還得益于低成本中介層技術(shù)。中介層用作高級(jí)芯片與下伏印刷電路板之間的中間層。在一些實(shí)施例中，將各功能性集成到中介層中。舉例來說，電力分布可集成到中介層中，使得電力圍繞系統(tǒng)高效且智能地分布。在另一實(shí)例中，電容器、電阻器、電感器及二極管可集成到中介層中。中介層本身可為由許多材料(例如，玻璃、塑料及藍(lán)寶石)形成。例如玻璃等材料由于成本及面板級(jí)處理可能性而是有益的。然而，與硅相比，難以將有源組件集成到玻璃中介層中。在一些實(shí)施例中，所揭示技術(shù)將微組裝技術(shù)(例如，微轉(zhuǎn)印印刷)與玻璃及硅中介層兩者一起使用來產(chǎn)生“有源”中介層。舉例來說，微轉(zhuǎn)印印刷可用于將小型二極管或晶體管集成到玻璃或硅中介層上。印刷元件的微尺度性質(zhì)允許使用標(biāo)準(zhǔn)金屬化過程來互連所述元件(在不進(jìn)行任何額外處理步驟的情況下進(jìn)行集成)。

已描述所揭示技術(shù)的各種實(shí)施例，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員現(xiàn)在將明了，可使用并入有所述概念的其它實(shí)施例。因此，認(rèn)為這些實(shí)施例不應(yīng)限于所揭示實(shí)施例，而是應(yīng)僅受所附權(quán)利要求書的精神及范圍限制。

貫穿其中將設(shè)備及系統(tǒng)描述為具有、包含或包括特定組件或?qū)⑦^程及方法描述為具有、包含或包括特定步驟的說明，預(yù)計(jì)另外存在基本上由所敘述的組件組成或由所敘述的組件組成的所揭示技術(shù)的設(shè)備及系統(tǒng)，且存在基本上由所敘述的處理步驟組成或由所敘述的處理步驟組成的根據(jù)所揭示技術(shù)的過程及方法。

應(yīng)理解，只要所揭示技術(shù)保持可操作，步驟的次序或執(zhí)行某些動(dòng)作的次序并不重要。此外，可同時(shí)進(jìn)行兩個(gè)或兩個(gè)以上步驟或動(dòng)作。