技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種集成電路冷卻陣列，優(yōu)選地用于微處理器或冷卻裝置，該集成電路冷卻陣列由介電基板和至少一個熱電組件組成，其中，所述介電基板具有摻雜和識別區(qū)域，所述介電基板用于實現(xiàn)由至少一個微電子組件形成集成電路，所述至少一個熱電組件形成冷卻陣列。所述冷卻陣列的特征在于，所述熱電組件(1)包括至少一個第一接觸區(qū)域、至少一個第二接觸區(qū)域以及至少一個冷卻段，其中，所述冷卻段設置在所述第一與所述第二接觸區(qū)域之間，并且由至少一個熱敏元件(29)組成，其由所述第一接觸區(qū)域和所述第二接觸區(qū)域通過控制單元使用電壓供電，其中，所述熱敏元件(29)由至少一個第一摻雜層和第二摻雜層組成，其通過橋元件(53、58、59、73、83、84、92)連接，在這種方式中，所述橋元件(53、58、59、73、83、84、92)僅部分設置在所述第一摻雜層和/或所述第二摻雜層上。根據(jù)本發(fā)明所述的冷卻陣列，由于確保了來自所述集成電路內(nèi)部的足夠自由熱流動，可實現(xiàn)緊湊和/或更有效的集成電路。

技術(shù)研發(fā)人員：哈里爾·科里奇
受保護的技術(shù)使用者：海特科技公司
文檔號碼：201580029712
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.01
技術(shù)公布日：2017.03.01