技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子裝置，所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上依次形成蝕刻停止層、層間介電層和具有接觸孔開口圖案的掩膜層；蝕刻層間介電層，直至在所述接觸孔開口圖案的下部殘留部分層間介電層；去除所述掩膜層；完全去除位于所述接觸孔開口圖案下部的殘留的層間介電層，以形成貫通所述層間介電層的接觸孔，同時圓化位于所述接觸孔頂部附近的所述層間介電層；去除露出的蝕刻停止層。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種具有新的蝕刻輪廓的接觸孔，可以擴(kuò)大形成接觸塞的工藝窗口，提升產(chǎn)品的良率。

技術(shù)研發(fā)人員：張城龍;黃敬勇;張海洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號碼：201510967098
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.21
技術(shù)公布日：2017.06.27