技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供的襯底的氮化方法及氮化鎵緩沖層的制備方法，其用于在外延生長氮化鎵緩沖層之前，且在所述襯底完成圖形刻蝕之后，使用感應(yīng)耦合等離子體加工設(shè)備對襯底表面進(jìn)行氮化處理，包括以下步驟：向反應(yīng)腔室內(nèi)通入氮化氣體，并開啟上電極電源和下電極電源，以在所述襯底表面形成氮化層。本發(fā)明提供的襯底的氮化方法，其可以擴(kuò)大氮化窗口，以在襯底表面形成充分、均勻的氮化層，從而可以減少緩沖層缺陷。

技術(shù)研發(fā)人員：馮林軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
文檔號碼：201510797160
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.18
技術(shù)公布日：2017.05.24