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襯底的氮化方法及氮化鎵緩沖層的制備方法與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12065864

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本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種襯底的氮化方法及氮化鎵緩沖層的制備方法。背景技術(shù)藍(lán)寶石(A12O3)因其具有制備工藝成熟、耐熱、表面易于處理,且在高溫下具有良好的穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),成為GaN外延技術(shù)常用的襯底材料。但是,由于Al2O3與GaN存在較大晶格常數(shù)失配度,導(dǎo)致GaN外延薄膜存在高位錯(cuò)密度,從而在A12O3襯底上外延生長(zhǎng)的GaN薄膜中會(huì)存在應(yīng)力,該應(yīng)力會(huì)引發(fā)更多的位錯(cuò)與缺陷,嚴(yán)重影響GaN薄膜的晶體質(zhì)量。為此,通常制備GaN薄膜的方法是利用ICP(InductivelyCouple...
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