本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是涉及一種連接結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

凸塊(Bump)為覆晶封裝(Flip Chip Package)結(jié)構(gòu)中用于連接基板與晶片的重要元件。覆晶封裝結(jié)構(gòu)通常使用凸塊作為媒介，以機(jī)械性或?qū)щ娦缘倪B接基板與晶片。由于凸塊是基板與晶片之間連接的關(guān)鍵，因此凸塊的可靠性會(huì)影響整體覆晶封裝結(jié)構(gòu)的操作。封裝的目的是為了保護(hù)經(jīng)過(guò)多道工藝的晶片，并使封裝晶片附著至印刷電路板上。無(wú)論如何決不允許封裝工藝對(duì)晶片所產(chǎn)生的任何損壞。

回焊(Reflow)工藝為連接表面安裝元件至電路板及/或金屬襯墊的最常規(guī)方法。為了較好的可靠性及連接至金屬襯墊，可借由回焊工藝來(lái)處理凸塊。在回焊工藝中，電路板與凸塊全部的組裝(assembly)在熱處理下進(jìn)行，例如借由退火(annealing)。熱處理可借由將所述組裝通過(guò)回焊爐(Reflow oven)或在紅外線燈泡下以完成。據(jù)此，改善凸塊在封裝工藝中的可靠度是必要的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種連接結(jié)構(gòu)及其制造方法，其具有圖案化表面結(jié)構(gòu)，可改善在回焊期間的晶片翹曲，以避免晶片破裂并增加可靠性，還降低整體的翹曲級(jí)。

本發(fā)明提供一種連接結(jié)構(gòu)。該連接結(jié)構(gòu)包含半導(dǎo)體基板、金屬層、鈍化層以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。金屬層位于半導(dǎo)體基板的上方。鈍化層位于金屬層的上方， 且包含一個(gè)開(kāi)口。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)具有圖案化表面結(jié)構(gòu)，圖案化表面結(jié)構(gòu)通過(guò)鈍化層的開(kāi)口與金屬層接觸。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含凸塊(bump)或焊球(soldering ball)。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖案化表面結(jié)構(gòu)包含金屬部分及支撐部分。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，連接結(jié)構(gòu)還包含凸塊下方金屬(under-bump metallurgy，UBM)層，其設(shè)置于金屬層及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，圖案化表面結(jié)構(gòu)的支撐部分為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)、多個(gè)規(guī)則排列柱子或同心圓柱。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，所述柱子具有一個(gè)剖面包含多邊形、圓形或橢圓形。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，圖案化表面結(jié)構(gòu)的支撐部分的材料包含至少一種無(wú)機(jī)材料、至少一種有機(jī)材料或其組合；而無(wú)機(jī)材料為二氧化硅(silicon dioxide)、氮化硅(silicon nitride)、二氧化鈦(titanium dioxide)或氧化鋁(aluminum oxide)，有機(jī)材料為聚亞酰胺(polyimide)或聚苯惡唑(polybenzoxazole，PBO)。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，圖案化表面結(jié)構(gòu)的金屬部分的材料包含錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、合金或其組合。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，凸塊下方金屬層的材料包含氮化鈦(TiN)、鈦(Ti)、氮化鎢(WN)、錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、合金或其組合。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，鈍化層的開(kāi)口具有一種形狀，該形狀包含多邊形、圓形或橢圓形。

本發(fā)明提供一種制造連接結(jié)構(gòu)的方法，且其方法包含下列步驟。在半導(dǎo)體基板的上方形成金屬層。在金屬層的上方形成鈍化層。凹槽化鈍化層以形成開(kāi)口。形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且其具有圖案化表面結(jié)構(gòu)，而圖案化表面結(jié)構(gòu)通過(guò) 鈍化層的開(kāi)口與金屬層接觸。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，凹槽化鈍化層以形成開(kāi)口的工藝包含下列步驟。使用光阻至鈍化層上。在鈍化層進(jìn)行微影(lithography)及蝕刻(etching)以形成開(kāi)口，且開(kāi)口中具有鈍化層的剩余部分以作為開(kāi)口中的支撐部分。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的工藝包含下列步驟。將金屬填入開(kāi)口。所述金屬進(jìn)行回焊(reflow)以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，在凹槽化鈍化層之后，以及形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前，所述方法還包含形成支撐部分于開(kāi)口中。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的工藝包含下列步驟。將金屬填入開(kāi)口。所述金屬進(jìn)行回焊以形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的工藝包含下列步驟。形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，且其具有圖案化表面結(jié)構(gòu)，而圖案化表面結(jié)構(gòu)具有金屬部分及支撐部分。借由鈍化層的開(kāi)口，以連接導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖案化表面結(jié)構(gòu)與金屬層。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，在凹槽化該鈍化層之后，以及形成該導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前，所述方法還包含在金屬層與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間形成凸塊下方金屬層。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，支撐部分的材料包含至少一種無(wú)機(jī)材料、至少一種有機(jī)材料或其組合；而無(wú)機(jī)材料為二氧化硅(silicon dioxide)、氮化硅(silicon nitride)、二氧化鈦(titanium dioxide)或氧化鋁(aluminum oxide)，有機(jī)材料為聚亞酰胺(polyimide)或聚苯惡唑(polybenzoxazole，PBO)。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，圖案化表面結(jié)構(gòu)的金屬部分的材料包含錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、合金或其組合。

在本發(fā)明各種實(shí)施方式中，凸塊下方金屬層的材料包含氮化鈦(TiN)、鈦(Ti)、氮化鎢(WN)、錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、合金或其組合。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明的連接結(jié)構(gòu)及其制造方法，其具有圖案化表面結(jié)構(gòu)，可改善在回焊期間的晶片翹曲，以避免晶 片破裂并增加可靠性，還降低整體的翹曲級(jí)。

參照以下的說(shuō)明以及權(quán)利要求，可更加理解本發(fā)明的特征、實(shí)施例以及優(yōu)點(diǎn)。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般敘述以及以下的詳細(xì)敘述是實(shí)例，并旨在對(duì)所要求保護(hù)發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)施方式可從下面的詳細(xì)描述并結(jié)合參閱附圖得到最佳的理解。要強(qiáng)調(diào)的是，按照在業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)做法，各種特征不一定是按比例繪制。事實(shí)上，為了清楚的討論各種特征的尺寸可任意放大或縮小。

圖1是繪示依據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式的一種連接結(jié)構(gòu)的剖面圖；

圖2A至圖2C是繪示依據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式的沿著圖1中的A至A’線的仰視圖；

圖3是繪示依據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式的一種連接結(jié)構(gòu)的剖面圖；

圖4A至圖4C是繪示依據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式的一種連接結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的中間階段剖面圖；

圖5A至圖5D是繪示依據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式的一種連接結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的中間階段剖面圖；

圖6A至圖6D是繪示依據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式的一種連接結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的中間階段剖面圖；以及

圖7A至圖7D是繪示依據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式的一種連接結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的中間階段剖面圖。

具體實(shí)施方式

之后將以示例圖式以詳細(xì)描述本發(fā)明的各種實(shí)施方式，且在圖式和說(shuō)明 書(shū)中使用相同的元件符號(hào)以指代相同或相似的部分。

以下將以圖式公開(kāi)本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施方式，為明確說(shuō)明起見(jiàn)，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說(shuō)明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說(shuō)，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見(jiàn)，一些現(xiàn)有慣用的結(jié)構(gòu)與元件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示。

由于前述的問(wèn)題，凸塊成為基板與晶片之間連接的關(guān)鍵，因此凸塊的可靠性會(huì)影響整體覆晶封裝結(jié)構(gòu)的操作。為了較好的可靠性及連接至金屬襯墊，可借由回焊工藝來(lái)處理凸塊。然而，在回焊期間，凸塊時(shí)常引起晶片翹曲。據(jù)此，極需一種改善的連接結(jié)構(gòu)及其制造方法。

本發(fā)明提供一種連接結(jié)構(gòu)及其制造方法。該連接結(jié)構(gòu)具有圖案化表面結(jié)構(gòu)，其可改善在回焊期間的晶片翹曲。因此，借由本發(fā)明所提供的連接結(jié)構(gòu)可避免晶片破裂(crack)且增加可靠性，還降低整體的翹曲級(jí)(warpage level)。

請(qǐng)參照?qǐng)D1。根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式，圖1為一種連接結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖1所示，連接結(jié)構(gòu)100包含半導(dǎo)體基板110、金屬層120、鈍化層130及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140。半導(dǎo)體基板110上方具有金屬層120位于其上。具有開(kāi)口的鈍化層130位于金屬層120的上方。而導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140具有圖案化表面結(jié)構(gòu)142，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140的圖案化表面結(jié)構(gòu)142經(jīng)由鈍化層130的開(kāi)口與金屬層120接觸。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140的圖案化表面結(jié)構(gòu)142包含金屬部分142a與支撐部分142b。在一些實(shí)施方式中，值得注意的是，圖案化表面結(jié)構(gòu)142的支撐部分142b可能來(lái)自鈍化層130的剩余部份、來(lái)自新加入到鈍化層130開(kāi)口中的材料、或借由直接形成于導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140中的方式。關(guān)于上述得到支撐部分的選擇將于之后再詳細(xì)說(shuō)明(在圖4A至圖6D的介紹中)。

在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140包含凸塊(bump)或焊球(soldering ball)。根據(jù)一些實(shí)施方式，鈍化層的開(kāi)口具有一種形狀，該形狀包含多邊形、圓形或橢圓形。當(dāng)開(kāi)口的形狀為多邊形時(shí)，所述多邊形的實(shí)例包含，但不限于， 三角形、矩形、梯形、平行四邊形、菱形、五邊形或六邊形。在一些實(shí)施方式中，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140的支撐部分142b的材料包含，但不限于，至少一種無(wú)機(jī)材料如二氧化硅(silicon dioxide)、氮化硅(silicon nitride)、二氧化鈦(titanium dioxide)、氧化鋁(aluminum oxide)，或至少一種有機(jī)材料如聚亞酰胺(polyimide)、聚苯惡唑(polybenzoxazole，PBO)，或其組合。在一些實(shí)施方式中，圖案化表面結(jié)構(gòu)142的金屬部分142a的材料為錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、合金(alloy)或其組合。在一些實(shí)施方式中，鈍化層130的材料為至少一種無(wú)機(jī)材料如二氧化硅(silicon dioxide)、氮化硅(silicon nitride)、二氧化鈦(titanium dioxide)、氧化鋁(aluminum oxide)，或至少一種有機(jī)材料如聚亞酰胺(polyimide)、聚苯惡唑(polybenzoxazole，PBO)，或其組合。

本發(fā)明提供一種連接結(jié)構(gòu)100具有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140，其經(jīng)由圖案化表面結(jié)構(gòu)142與金屬層120接觸。進(jìn)一步地，圖案化表面結(jié)構(gòu)142的支撐部分142b可于回焊工藝中減少應(yīng)力(stress)以改善晶片翹曲。因此，連接結(jié)構(gòu)100中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)140的圖案化表面結(jié)構(gòu)142可避免晶片破裂且提升可靠性，還降低整體的翹曲級(jí)(warpage level)。

根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式，圖2A至圖2C為沿著圖1中的A至A’線的仰視圖。參照?qǐng)D2A，在一實(shí)施方式中，圖案化表面結(jié)構(gòu)142的支撐部分142b為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。根據(jù)另一實(shí)施方式，圖2B繪示出圖案化表面結(jié)構(gòu)142的支撐部分142b為多個(gè)規(guī)則排列柱子。舉例而言，所述柱子具有剖面，該剖面包含多邊形、圓形或橢圓形。此外，舉例來(lái)說(shuō)多邊形包含，但不限于三角形、矩形、梯形、平行四邊形、菱形、五角形或六角形。圖2B繪示出具有圓形剖面的柱子。在一些實(shí)施方式中，圖案化表面結(jié)構(gòu)142的支撐部分142b為一個(gè)或多個(gè)同心圓柱。圖2C繪示出圖案化表面結(jié)構(gòu)142的支撐部分142b為兩個(gè)同心圓柱。

請(qǐng)參照?qǐng)D3。根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式，圖3為一種連接結(jié)構(gòu)的剖面圖。如圖3所示，連接結(jié)構(gòu)200包含半導(dǎo)體基板210、金屬層220、鈍化層230、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)240及凸塊下方金屬(under-bump metallurgy，UBM)層250。半導(dǎo)體 基板210上方具有金屬層220位于其上。具有開(kāi)口的鈍化層230位于金屬層220的上方。而導(dǎo)電結(jié)構(gòu)240具有圖案化表面結(jié)構(gòu)242，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)240的圖案化表面結(jié)構(gòu)242經(jīng)由鈍化層230的開(kāi)口與金屬層220接觸。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)240的圖案化表面結(jié)構(gòu)242包含金屬部分242a與支撐部分242b。凸塊下方金屬層250設(shè)置于金屬層220與導(dǎo)電結(jié)構(gòu)240之間，且凸塊下方金屬層250的材料例如包含，但不限于氮化鈦(TiN)、鈦(Ti)、氮化鎢(WN)、錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鎳(Ni)、合金或其組合。然而，圖3繪示出的實(shí)施例是對(duì)應(yīng)于圖1所示的實(shí)施例，所以其詳細(xì)說(shuō)明便不在此重復(fù)。因此，根據(jù)一些實(shí)施方式，可利用如前述圖1的說(shuō)明所提及的相似的材料及任何細(xì)節(jié)。

請(qǐng)參照?qǐng)D4A至圖4C。根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式，圖4A至圖4C為一種連接結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的中間階段剖面圖。

本發(fā)明一些實(shí)施方式提供一種制造如圖4C所示的連接結(jié)構(gòu)300的方法。首先參照?qǐng)D4A，金屬層320在半導(dǎo)體基板310的上方形成，而后鈍化層330在金屬層320的上方形成。接著，如圖4B所示，凹槽化鈍化層330以形成開(kāi)口332。詳細(xì)說(shuō)明如下，使用光阻(未顯示)至鈍化層330上。在鈍化層330進(jìn)行微影(lithography)與蝕刻(etching)以形成開(kāi)口332，且開(kāi)口332中具有鈍化層330的剩余部分以作為開(kāi)口332中的支撐部份334。繼續(xù)參照?qǐng)D4C，將金屬填入圖4B所示的開(kāi)口332中，而后回焊金屬以形成具有圖案化表面結(jié)構(gòu)342的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)340。圖案化表面結(jié)構(gòu)342包含金屬部分342a與支撐部份334，且其會(huì)通過(guò)圖4B所示的鈍化層330的開(kāi)口332與金屬層320接觸。詳細(xì)描述如下，舉例而言，將金屬填入圖4B所示的開(kāi)口332中的方法包含，但不限于電鍍(plating)、熱蒸鍍(thermal evaporation)或?yàn)R鍍(sputtering)。在一些實(shí)施方式中，借由通過(guò)回焊爐(reflow oven)或在紅外線燈泡下進(jìn)行退火(annealing)以回焊金屬。

繼續(xù)參照?qǐng)D4A至圖4C。在一些實(shí)施方式中，支撐部份334的材料與鈍化層330相同，其為至少一種無(wú)機(jī)材料如二氧化硅(silicon dioxide)、氮化硅(silicon nitride)、二氧化鈦(titanium dioxide)、氧化鋁(aluminum oxide)，或至少 一種有機(jī)材料如聚亞酰胺(polyimide)、聚苯惡唑(polybenzoxazole，PBO)，或其組合。根據(jù)一些實(shí)施方式，圖案化表面結(jié)構(gòu)342的金屬部分342a包含，但不限于錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、合金(alloy)或其組合。

請(qǐng)參照?qǐng)D5A至圖5D。根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式，圖5A至圖5D為一種連接結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的中間階段剖面圖。

本發(fā)明一些實(shí)施方式提供一種制造如圖5D所示的連接結(jié)構(gòu)400的方法。首先參照?qǐng)D5A，金屬層420在半導(dǎo)體基板410的上方形成，而后鈍化層430在金屬層420的上方形成。接著，如圖5B所示，凹槽化鈍化層430以形成開(kāi)口432。詳細(xì)說(shuō)明如下，使用光阻(未顯示)至鈍化層430上。在鈍化層430進(jìn)行微影(lithography)與蝕刻(etching)以形成開(kāi)口432?，F(xiàn)在參照?qǐng)D5C，支撐部分440在圖5B所示的開(kāi)口432中形成。根據(jù)一些實(shí)施方式，支撐部分440是以介電材料所制成，舉例而言，介電材料如二氧化硅(silicon dioxide)、氮化硅(silicon nitride)、二氧化鈦(titanium dioxide)或其組合。接著參照?qǐng)D5D，將金屬填入圖5B所示的開(kāi)口432中，而后回焊金屬以形成具有圖案化表面結(jié)構(gòu)452的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)450。圖案化表面結(jié)構(gòu)452包含金屬部分452a與支撐部份440，且其會(huì)通過(guò)圖5B所示的鈍化層430的開(kāi)口432與金屬層420接觸。詳細(xì)描述如下，舉例而言，將金屬填入圖5B所示的開(kāi)口432中的方法包含，但不限于電鍍(plating)、熱蒸鍍(thermal evaporation)或?yàn)R鍍(sputtering)。在一些實(shí)施方式中，借由通過(guò)回焊爐(reflow oven)或在紅外線燈泡下進(jìn)行退火(annealing)以回焊金屬。此外，根據(jù)一些實(shí)施方式，可利用如前述圖4A至圖4C的說(shuō)明所提及的相似的材料。

請(qǐng)參照?qǐng)D6A至圖6D。根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式，圖6A至圖6D為一種連接結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的中間階段剖面圖。

本發(fā)明一些實(shí)施方式提供一種制造如圖6D所示的連接結(jié)構(gòu)500的方法。首先參照?qǐng)D6A，金屬層520在半導(dǎo)體基板510的上方形成，而后鈍化層530在金屬層520的上方形成。接著，如圖6B所示，凹槽化鈍化層530以形成開(kāi)口532。詳細(xì)說(shuō)明如下，使用光阻(未顯示)至鈍化層530上。在鈍化層530進(jìn) 行微影(lithography)與蝕刻(etching)以形成開(kāi)口532。參照?qǐng)D6C，單獨(dú)形成的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)540具有包含金屬部分542a與支撐部分542b的圖案化表面結(jié)構(gòu)542。接著參照?qǐng)D6D，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)540的圖案化表面結(jié)構(gòu)542通過(guò)圖6B所示的鈍化層530的開(kāi)口532與金屬層520接觸。此外，根據(jù)一些實(shí)施方式，可利用如前述圖4A至圖4C的說(shuō)明所提及的相似的材料。

根據(jù)一些實(shí)施方式，在凹槽化鈍化層之后，以及形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之前，所述方法還包含在金屬層及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間形成凸塊下方金屬(under-bump metallurgy，UBM)層。舉例而言，形成凸塊下方金屬層的方法包含，但不限于圖7A至圖7D所示的工藝。

請(qǐng)參照?qǐng)D7A至圖7D。根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施方式，圖7A至圖7D為一種連接結(jié)構(gòu)制造過(guò)程中的中間階段剖面圖。

本發(fā)明一些實(shí)施方式提供一種制造如圖7D所示的連接結(jié)構(gòu)600的方法。首先參照?qǐng)D7A，金屬層620在半導(dǎo)體基板610的上方形成，而后鈍化層630在金屬層620的上方形成。接著，如圖6B所示，凹槽化鈍化層630以形成開(kāi)口632。詳細(xì)說(shuō)明如下，使用光阻(未顯示)至鈍化層630上。在鈍化層630進(jìn)行微影(lithography)與蝕刻(etching)以形成開(kāi)口632，且開(kāi)口632中具有鈍化層630的剩余部分以作為開(kāi)口632中的支撐部份634。具有支撐部分634的開(kāi)口632，其具有一個(gè)上表面。接著參照?qǐng)D7C，凸塊下方金屬層640保形地在開(kāi)口632的上表面上形成。隨后參照?qǐng)D7D，將金屬填入圖7B所示的開(kāi)口632中，而后回焊金屬以形成具有圖案化表面結(jié)構(gòu)652的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)650。圖案化表面結(jié)構(gòu)652包含金屬部分652a與支撐部份634，且其會(huì)通過(guò)圖7B所示的鈍化層630的開(kāi)口632與金屬層620接觸。詳細(xì)描述如下，舉例而言，將金屬填入圖7B所示的開(kāi)口632中的方法包含，但不限于電鍍(plating)、熱蒸鍍(thermal evaporation)或?yàn)R鍍(sputtering)。在一些實(shí)施方式中，借由通過(guò)回焊爐(reflow oven)或在紅外線燈泡下進(jìn)行退火(annealing)以回焊金屬。此外，根據(jù)一些實(shí)施方式，可利用如前述圖4A至圖4C的說(shuō)明所提及的相似的材料。

由上述本發(fā)明實(shí)施方式可知，本發(fā)明優(yōu)于現(xiàn)有的連接結(jié)構(gòu)與其工藝，并 總結(jié)此些優(yōu)點(diǎn)如下。凸塊在回焊期間時(shí)常引起晶片翹曲。替代地，本發(fā)明提供一種改善的連接結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述連接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可通過(guò)圖案化表面結(jié)構(gòu)與金屬層接觸。此外，圖案化表面結(jié)構(gòu)包含金屬部分與支撐部分。支撐部分在回焊期間可降低應(yīng)力(stress)，進(jìn)而改善晶片翹曲的問(wèn)題。總結(jié)前述重點(diǎn)，在連接結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的圖案化表面結(jié)構(gòu)在回焊期間可改善晶片翹曲，以避免晶片破裂(crack)，并增加其可靠性，還降低整體的翹曲級(jí)(warpage level)。

本發(fā)明已經(jīng)相當(dāng)詳細(xì)地描述某些實(shí)施方式，但其他的實(shí)施方式也為可能的。因此，權(quán)利要求的精神和范籌不應(yīng)限于本文所描述的實(shí)施方式。

雖然本發(fā)明已經(jīng)以實(shí)施方式公開(kāi)如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種變動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。