1.一種離子注入方法，用于向半導體襯底注入摻雜離子，其特征在于，在向所述半導體襯底注入摻雜離子時，控制離子束入射方向在一定角度范圍內變化。
2.根據(jù)權利要求1所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向在一定角度范圍內振動。
3.根據(jù)權利要求2所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向的振動頻率為100MHZ～200MHZ。
4.根據(jù)權利要求2所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向的振動角度為0～5度。
5.根據(jù)權利要求2-4之一所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向沿平行于所述半導體襯底表面的方向振動。
6.根據(jù)權利要求2-4之一所述的離子注入方法，其特征在于，所述離子束入射方向沿與所述半導體襯底表面呈一定角度的方向振動。