1.一種半導(dǎo)體制作工藝，包含有：
提供一基底，包含一主動區(qū)；
進(jìn)行一第一蝕刻制作工藝，圖案化該主動區(qū)的該基底，以形成一鰭狀結(jié)構(gòu)的一頂部；
覆蓋一掩模于該基底的一保留區(qū)；
進(jìn)行一第二蝕刻制作工藝，蝕刻該基底以加深該鰭狀結(jié)構(gòu)的該頂部，但保留該保留區(qū)，因而形成該鰭狀結(jié)構(gòu)，具有一延伸部突出自該鰭狀結(jié)構(gòu)；
移除該掩模；以及
形成一柵極跨設(shè)該鰭狀結(jié)構(gòu)，其中該柵極直接于該延伸部上。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制作工藝，其中該頂部的一高度為該鰭狀結(jié)構(gòu)的一高度的一半。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制作工藝，在移除該掩模之后，還包含：
全面覆蓋一絕緣材料；以及
平坦化該絕緣材料至暴露出鰭狀結(jié)構(gòu)，再蝕刻該絕緣材料至暴露出該延伸部，因而形成一絕緣結(jié)構(gòu)于該鰭狀結(jié)構(gòu)以及該延伸部側(cè)邊，其中該絕緣結(jié)構(gòu)的一頂面與該延伸部的一頂面齊平。
4.一種平面場效晶體管，包含有：
基底，包含主動區(qū)，其中該主動區(qū)包含框架區(qū)、貫穿區(qū)穿過該框架區(qū)；以及
柵極，跨設(shè)該主動區(qū)，其中該柵極直接設(shè)置于該貫穿區(qū)上，且位于該柵極至少一側(cè)邊的該框架區(qū)構(gòu)成一源/漏極，并環(huán)繞一孤立絕緣島。
5.如權(quán)利要求4所述的平面場效晶體管，還包含：
至少一延伸區(qū)，自該貫穿區(qū)延伸且突出自該框架區(qū)。
6.如權(quán)利要求5所述的平面場效晶體管，其中單一的該延伸區(qū)自該貫穿區(qū)的一端延伸且突出自該框架區(qū)。
7.如權(quán)利要求5所述的平面場效晶體管，其中二該延伸區(qū)自該貫穿區(qū)的相對兩端延伸且突出自該框架區(qū)。
8.如權(quán)利要求5所述的平面場效晶體管，其中該框架區(qū)、該貫穿區(qū)以及該延伸區(qū)位于同一平面。
9.如權(quán)利要求5所述的平面場效晶體管，其中該貫穿區(qū)以及該延伸區(qū)的長度大于該柵極的一長度。
10.如權(quán)利要求5所述的平面場效晶體管，其中該延伸區(qū)的一寬度等于該柵極的一長度。
11.如權(quán)利要求5所述的平面場效晶體管，其中全部的該柵極直接設(shè)置于該貫穿區(qū)以及該延伸區(qū)上且不接觸該孤立絕緣島。
12.一種鰭狀場效晶體管，包含有：
基底，包含主動區(qū)，其中該主動區(qū)包含鰭狀結(jié)構(gòu)，具有至少一延伸部突出自該鰭狀結(jié)構(gòu)；以及
柵極跨設(shè)該鰭狀結(jié)構(gòu)，其中該柵極直接設(shè)置于該延伸部上。
13.如權(quán)利要求12所述的鰭狀場效晶體管，其中該鰭狀場效晶體管包含二該鰭狀結(jié)構(gòu)，且該二鰭狀結(jié)構(gòu)的該二延伸部合并為一體。
14.如權(quán)利要求12所述的鰭狀場效晶體管，其中該柵極側(cè)邊的該鰭狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成一源/漏極。
15.如權(quán)利要求12所述的鰭狀場效晶體管，其中該延伸部的高度小于該鰭狀結(jié)構(gòu)的高度。
16.如權(quán)利要求12所述的鰭狀場效晶體管，其中該延伸部的長度大于該柵極的長度。
17.如權(quán)利要求16所述的鰭狀場效晶體管，其中該延伸部的該長度為該柵極的該長度的兩倍。
18.如權(quán)利要求12所述的鰭狀場效晶體管，其中該延伸部的寬度等于該柵極的長度。
19.如權(quán)利要求12所述的鰭狀場效晶體管，還包含：
絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)置于具有該延伸部的該鰭狀結(jié)構(gòu)的側(cè)邊，其中該絕緣結(jié)構(gòu)的頂面與該延伸部的頂面齊平。
20.如權(quán)利要求19所述的鰭狀場效晶體管，其中全部的該柵極直接設(shè)置于該延伸部上且不接觸該絕緣結(jié)構(gòu)。