1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
基板，包括：
核心層，包括第一表面以及相對(duì)所述第一表面的第二表面；
第一圖案化金屬層，設(shè)置于所述第一表面；
第二圖案化金屬層，設(shè)置于所述第二表面，所述第二圖案化金屬層包括多個(gè)焊墊及金屬墊，該些焊墊具有第一厚度，所述金屬墊的最大厚度大于所述第一厚度；以及
防焊層，覆蓋所述第二表面并具有第一開口以及多個(gè)第二開口，所述第一開口局部暴露出所述金屬墊，該些第二開口分別局部暴露出該些焊墊，且所述防焊層的最大厚度與所述金屬墊的最大厚度相等；
芯片，設(shè)置在所述第一表面上并電性連接所述第一圖案化金屬層，所述第一開口的分布范圍與所述芯片在所述第二表面上的正投影至少局部重疊；以及
封裝膠體，設(shè)置在所述第一表面上，并覆蓋所述芯片以及所述第一圖案化金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬墊具有凸緣部和主體部，所述凸緣部相對(duì)于所述第二表面具有第一高度，所述第一高度等于所述第一厚度，所述主體部相對(duì)于所述第二表面具有第二高度，所述第二高度等于所述金屬墊的最大厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述防焊層覆蓋所述金屬墊的所述凸緣部且所述第一開口暴露出所述主體部背離所述第二表面的底表面，所述底表面與所述防焊層背離所述第二表面的下表面為共平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開口的分布范圍位于所述芯片在所述第二表面上的正投影內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬墊為散熱墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述防焊層還覆蓋所述第一表面且局部暴露出所述第一圖案化金屬層，所述芯片設(shè)置在所述防焊層上并電性連接暴露出的所述第一圖案化金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板還包括多個(gè) 導(dǎo)通柱，設(shè)置于所述核心層以電性連接所述第一圖案化金屬層與所述第二圖案化金屬層。
8.一種封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：
提供基材，所述基材包括核心層、第一金屬層以及第二金屬層，所述核心層包括相對(duì)的第一表面以及第二表面，所述第一金屬層與所述第二金屬層分別設(shè)置于所述第一表面與所述第二表面；
對(duì)所述第一金屬層與所述第二金屬層進(jìn)行圖案化處理，以分別形成第一圖案化金屬層與第二圖案化金屬層，所述第二圖案化金屬層包括多個(gè)焊墊及金屬墊，該些焊墊具有第一厚度，所述金屬墊的最大厚度大于所述第一厚度；
形成防焊層，所述防焊層覆蓋所述第二表面，并具有第一開口以及多個(gè)第二開口，所述第一開口局部暴露出所述金屬墊，該些第二開口分別局部暴露出該些焊墊，且所述防焊層的最大厚度與所述金屬墊的最大厚度相等；
設(shè)置芯片在所述第一表面上，所述芯片電性連接所述第一圖案化金屬層，且所述第一開口的分布范圍與所述芯片在所述第二表面上的正投影至少局部重疊；以及
形成封裝膠體在所述第一表面上，所述封裝膠體覆蓋所述芯片以及所述第一圖案化金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行所述圖案化處理的步驟還包括：
對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行第一圖案化處理，以形成彼此連接的金屬墊部以及多個(gè)焊墊部；以及
對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行第二圖案化處理，以形成多個(gè)開孔于所述金屬墊部與該些焊墊部之間，以定義出彼此分離的所述金屬墊以及該些焊墊，其中所述金屬墊具有凸緣部和主體部，所述凸緣部相對(duì)于所述第二表面具有第一高度，所述第一高度等于所述第一厚度，所述主體部相對(duì)于所述第二表面具有第二高度，所述第二高度等于所述金屬墊的最大厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述防焊層覆蓋所述金屬墊的所述凸緣部且所述第一開口暴露出所述主體部背離所述第二表面的底表面，所述底表面與所述防焊層背離所述第二表面的下表面為共平面。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一開口的分布范圍位于所述芯片在所述第二表面上的正投影內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述金屬墊為散熱墊。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述防焊層還覆蓋所述第一表面且局部暴露出所述第一圖案化金屬層，所述芯片設(shè)置在所述防焊層上并電性連接暴露出的所述第一圖案化金屬層。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括：
形成多個(gè)通孔于所述核心層，該些通孔連通所述第一金屬層與所述第二金屬層；以及
對(duì)該些通孔進(jìn)行電鍍處理，以形成多個(gè)導(dǎo)通柱，該些導(dǎo)通柱電性連接所述第一金屬層與所述第二金屬層。