1.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，包含：
提供一基底；
利用一第一圖案化掩模形成一柵極介電層于該基底上；
去除該第一圖案化掩模；
去除部分該柵極介電層；以及
形成一淺溝隔離于該柵極介電層兩側(cè)的該基底中。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一圖案化掩模包含氮化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該柵極介電層包含氧化硅。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含：
形成該第一圖案化掩模于該基底上；以及
形成該柵極介電層于該第一圖案化掩模未覆蓋的該基底上。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該柵極介電層的上表面與該基底上表面齊平或低于該基底上表面。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包含：
進(jìn)行一第一蝕刻制作工藝去除部分該柵極介電層；
形成一第二圖案化掩模于該基底及部分該柵極介電層上；
進(jìn)行一第二蝕刻制作工藝以形成一凹槽于該柵極介電層兩側(cè)；以及
填入一材料層于該凹槽內(nèi)以形成該淺溝隔離。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該第二圖案化掩模及該柵極介電層包含不同材料。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中該材料層及該柵極介電層包含相同材料。
9.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，包含：
提供一基底；
形成一硬掩模于該基底上；
形成一圖案化掩模于該硬掩模旁；
去除部分該基底及該硬掩模以形成一第一凹槽以及一第二凹槽于該第一凹槽兩側(cè)；以及
形成一材料層于該第一凹槽及該第二凹槽內(nèi)以形成一柵極介電層以及 一淺溝隔離于該柵極介電層兩側(cè)。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該硬掩模包含氧化硅。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該硬掩模及該圖案化掩模包含不同材料。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，還包含去除該硬掩模及該硬掩模正下方的部分該基底以形成該第一凹槽及去除該硬掩模周圍的該基底以形成該第二凹槽。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該第一凹槽的底表面低于該基底的上表面且高于該第二凹槽的底表面。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中該材料層包含氧化硅。
15.一種半導(dǎo)體元件，包含：
基底，該基底包含低壓區(qū)以及高壓區(qū)；
柵極介電層設(shè)于該高壓區(qū)的該基底內(nèi)；以及
淺溝隔離設(shè)于該柵極介電層兩側(cè)。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該柵極介電層完全設(shè)于該基底內(nèi)。
17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該柵極介電層包含氧化硅。
18.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該柵極介電層直接接觸該淺溝隔離。
19.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，其中該柵極介電層的上表面與該基底上表面齊平或低于該基底上表面。
20.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體元件，還包含：
第一金屬柵極設(shè)于該低壓區(qū)；以及
第二金屬柵極設(shè)于該高壓區(qū)，其中該第一金屬柵極的上表面與該第二金屬柵極的上表面齊平。