技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種MOSFET器件及其制作方法，包括：在第一導(dǎo)電類(lèi)型的襯底上依次形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的外延層、柵氧化層和多晶硅層；刻蝕所述多晶硅層形成第一多晶硅層、第二多晶硅層和第三多晶硅層，并進(jìn)行第二導(dǎo)電類(lèi)型離子的第一次注入，在所述外延層內(nèi)形成體區(qū)；進(jìn)行第二導(dǎo)電類(lèi)型離子的第二次注入并進(jìn)行第一次高溫退火，在所述體區(qū)形成重?fù)诫s體區(qū)及在所述第二多晶硅層內(nèi)形成間隔設(shè)置的第二導(dǎo)電類(lèi)型離子摻雜區(qū)；進(jìn)行第一導(dǎo)電類(lèi)型離子的第一次注入并進(jìn)行第二次高溫退火，在所述體區(qū)內(nèi)形成源區(qū)及在所述第二多晶硅層內(nèi)形成與所述第二導(dǎo)電類(lèi)型離子摻雜區(qū)交替設(shè)置的第一導(dǎo)電類(lèi)型離子摻雜區(qū)；采用該方法，避免了柵氧化層的擊穿。

技術(shù)研發(fā)人員：蔡遠(yuǎn)飛;何昌;姜春亮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510295716
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.02
技術(shù)公布日：2017.01.04