1.一種圖案化方法，包括：
提供材料層；
在所述材料層上形成多個掩模結(jié)構(gòu)，所述掩模結(jié)構(gòu)由所述材料層起依序包括第一掩模層與第一光致抗蝕劑層；
在所述材料層上共形地形成覆蓋所述掩模結(jié)構(gòu)的第二掩模層；
至少于所述掩模結(jié)構(gòu)之間的所述第二掩模層上形成第一犧牲層；
移除部分所述第二掩模層而暴露出所述第一光致抗蝕劑層，以于相鄰的所述掩模結(jié)構(gòu)之間形成第一U型掩模層；
移除所述第一光致抗蝕劑層與所述第一犧牲層；
在所述第一掩模層與所述第一U型掩模層上共形地形成第三掩模層，其中所述第三掩模層具有第一表面與第二表面，所述第一表面高于所述第二表面；
至少于所述第三掩模層的所述第二表面上形成第二犧牲層；
移除部分所述第三掩模層而暴露出所述第一U型掩模層的突出部，以于所述第一U型掩模層的突出部之間形成第二U型掩模層；以及
以所述第二U型掩模層的突出部為掩模，對所述材料層進行圖案化。
2.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中對所述材料層進行圖案化方法包括：
以所述第二U型掩模層的突出部為掩模，移除所述第一U型掩模層的突出部與所述第二犧牲層；以及
移除位于所述第二U型掩模層的突出部之間的所述第二U型掩模層、未被所述第二U型掩模層的突出部覆蓋的所述第一掩模層、所述第一U型掩模層與所述材料層。
3.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中于所述材料層上形成所述掩模結(jié)構(gòu)的步驟包括：
在所述材料層上依序形成第一掩模材料層與所述第一光致抗蝕劑層；以及
以所述第一光致抗蝕劑層為掩模移除部分所述第一掩模材料層。
4.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中所述第一掩模層與所述第二掩 模層的材料相同。
5.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中所述第三掩模層的材料不同于所述第一掩模層的材料與所述第二掩模層的材料。
6.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中所述第一U型掩模層的突出部與所述第二U型掩模層的突出部的形狀包括矩形。
7.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中所述第一掩模層、所述第二掩模層與所述第三掩模層的形成方法分別包括化學(xué)氣相沉積法或原子層沉積法。
8.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中所述第一犧牲層與所述第二犧牲層的形成方法分別包括旋轉(zhuǎn)涂布法。
9.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中移除部分所述第二掩模層與移除部分所述第三掩模層的方法分別包括干式蝕刻法。
10.如權(quán)利要求1所述的圖案化方法，其中移除所述第一光致抗蝕劑層、所述第一犧牲層與所述第二犧牲層的方法分別包括濕式蝕刻法、干式蝕刻法或等離子體清洗法。