技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上形成有若干分立的柵極結(jié)構(gòu)、位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面的側(cè)墻；在半導(dǎo)體襯底表面形成與柵極結(jié)構(gòu)表面齊平的第一介質(zhì)層；刻蝕柵極結(jié)構(gòu)，使柵極結(jié)構(gòu)的高度下降，形成位于柵極結(jié)構(gòu)頂部的凹槽；形成填充滿凹槽和覆蓋第一介質(zhì)層表面的掩膜材料層；刻蝕掩膜材料層至第一介質(zhì)層表面，形成填充滿凹槽的保護(hù)層以及覆蓋相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的部分第一介質(zhì)層的掩膜層，掩膜層的寬度大于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間第一介質(zhì)層的寬度，且橫跨相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的部分第一介質(zhì)層；刻蝕位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間、未被掩膜層覆蓋的第一介質(zhì)層至半導(dǎo)體襯底表面，形成接觸孔。上述方法有利于提高形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)研發(fā)人員：張城龍;張海洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510136849
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.26
技術(shù)公布日：2016.11.23