一種高顯色性白光免封裝led的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種高顯色性白光免封裝LED，包括：基板；倒裝芯片，用于發(fā)出激活熒光粉或量子點(diǎn)的光線，所述倒裝芯片通過焊錫連接在基板上方；反射層，設(shè)置在倒裝芯片的側(cè)壁，用于將倒裝芯片側(cè)壁發(fā)出的光線反射回倒裝芯片內(nèi)部；量子點(diǎn)層，設(shè)置在倒裝芯片上方。本實(shí)用新型在傳統(tǒng)的白光免封裝LED上設(shè)置了量子點(diǎn)層，可大幅改善LED的顯色指數(shù)，應(yīng)用于背光模組中可有效提升背光模組的色域，且光化學(xué)穩(wěn)定性高，熒光壽命長，發(fā)光效率高。
【專利說明】一種高顯色性白光免封裝LED

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及照明領(lǐng)域領(lǐng)域，尤其涉及一種高顯色性白光免封裝LED。

【背景技術(shù)】
[0002]LED (Light Emitting D1de，發(fā)光二極管)，是把電能轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體光電器件，屬光電半導(dǎo)體的一種。
[0003]發(fā)光二極管的核心部分是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組成的芯片，在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間有一個(gè)過渡層，稱為P-N結(jié)。在某些半導(dǎo)體材料的PN結(jié)中，注入的少數(shù)載流子與多數(shù)載流子復(fù)合時(shí)會(huì)把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉(zhuǎn)換為光能。PN結(jié)加反向電壓，少數(shù)載流子難以注入，故不發(fā)光。這種利用注入式電致發(fā)光原理制作的二極管叫發(fā)光二極管，通稱LED。
[0004]傳統(tǒng)的LED封裝結(jié)構(gòu)包括以下四部分:正裝芯片、支架、膠水、熒光粉。封裝過程是將芯片用膠水固定在支架內(nèi)部，通過打線方式連接電極，利用混合有熒光粉的硅膠，點(diǎn)膠方式在支架內(nèi)部封住LED芯片，形成白光LED。
[0005]免封裝LED包括以下四部分:倒裝芯片、陶瓷基板、熒光粉層、焊錫。封裝過程為使用倒裝芯片F(xiàn)lim Chip通過焊錫與陶瓷基板直接進(jìn)行電極的連接，使用熒光粉層貼覆在芯片上表面，形成白光LED。與傳統(tǒng)的封裝LED相比省去了支架，使得芯片與陶瓷基板間熱通道變小，可有效的減少了 LED的熱阻；同時(shí)貼覆式的熒光粉層較傳統(tǒng)封裝的點(diǎn)膠式封裝，光型較好，便于后續(xù)光學(xué)設(shè)計(jì)。
[0006]但目前免封裝LED都是通過藍(lán)光激發(fā)熒光粉層，所以光學(xué)方面還存在色純度不好、顯色指數(shù)較低和熒光粉激發(fā)效率較低的問題。
[0007]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種高顯色性白光免封裝LED，旨在解決現(xiàn)有的白光免封裝LED其色純度不好、顯色指數(shù)較低和激發(fā)效率低的問題。
[0009]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0010]一種高顯色性白光免封裝LED，其中，包括:
[0011]基板；
[0012]倒裝芯片，用于發(fā)出激活熒光粉或量子點(diǎn)的光線，所述倒裝芯片通過焊錫連接在基板上方；
[0013]反射層，設(shè)置在倒裝芯片的側(cè)壁，用于將倒裝芯片側(cè)壁發(fā)出的光線反射回倒裝芯片內(nèi)部；
[0014]量子點(diǎn)層，設(shè)置在倒裝芯片上方。
[0015]所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，量子點(diǎn)層的上表面設(shè)置有密封膠體層。
[0016]所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，量子點(diǎn)層的上表面以及量子點(diǎn)層與倒裝芯片之間均設(shè)置有密封膠體層。
[0017]所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，量子點(diǎn)層與倒裝芯片之間設(shè)置有密封膠體層O
[0018]所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，所述反射層為氧化鈦反射層。
[0019]所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，所述量子點(diǎn)層通過膠體貼覆在倒裝芯片的表面。
[0020]所述的高顯色性白光免封裝LED，其中，所述基板為陶瓷基板。
[0021]有益效果:本實(shí)用新型在傳統(tǒng)的白光免封裝LED上設(shè)置了量子點(diǎn)層，可大幅改善LED的顯色指數(shù)，應(yīng)用于背光模組中可有效提升背光模組的色域，且光化學(xué)穩(wěn)定性高，熒光壽命長，發(fā)光效率高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本實(shí)用新型一種高顯色性白光免封裝LED第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2為本實(shí)用新型一種高顯色性白光免封裝LED第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024]本實(shí)用新型提供一種高顯色性白光免封裝LED，為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0025]請參閱圖1，圖1為本實(shí)用新型一種高顯色性白光免封裝LED較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所述，其包括:
[0026]基板10 ；
[0027]倒裝芯片20，用于發(fā)出激活熒光粉或量子點(diǎn)的光線，所述倒裝芯片20通過焊錫30連接在基板10上方；
[0028]反射層50，設(shè)置在倒裝芯片20的側(cè)壁，用于將倒裝芯片20側(cè)壁發(fā)出的光線反射回倒裝芯片20內(nèi)部；
[0029]量子點(diǎn)層40，設(shè)置在倒裝芯片20上方。
[0030]本實(shí)施例中，采用量子點(diǎn)層40代替熒光粉層，由于量子點(diǎn)的發(fā)射光譜可通過改變量子點(diǎn)的尺寸大小來控制，所以通過改變量子點(diǎn)的尺寸可使發(fā)射光譜覆蓋整個(gè)可見光區(qū)，具有寬的激發(fā)譜和窄的發(fā)射譜，所以光譜覆蓋率較高。并且量子點(diǎn)層40的熒光壽命是熒光粉的3到5倍，具有很好的光穩(wěn)定性。由于本實(shí)施例的免封裝LED使用量子點(diǎn)層40，其色純度和顯色性較傳統(tǒng)LED有較大改善，應(yīng)用在背光模組中可有效提示背光模組的色域，并且量子點(diǎn)層40的激發(fā)效率高，所以LED發(fā)光效率高。
[0031]具體來說，本實(shí)用新型的量子點(diǎn)層40其包含量子點(diǎn)材料和載體，其中的量子點(diǎn)材料為具有核殼結(jié)構(gòu)的CdSe/ZnS和CdSe/CdS/ZnS納晶量子點(diǎn)，或聚三苯胺(poly-TPD)、八羥基喹啉鋁(Alq3)。載體則為硅膠、PC、PMMA、玻璃。其具體是將量子點(diǎn)材料和載體混合然后壓制而成得到量子點(diǎn)膠膜層(即量子點(diǎn)層)。
[0032]其中的基板10優(yōu)選為陶瓷基板，其中的倒裝芯片20通過焊錫30連接在基板上方，利用焊錫30連接倒裝芯片20和陶瓷基板10的電極，形成電路的導(dǎo)通。
[0033]反射層50則為氧化鈦反射層，氧化鐵反射層性質(zhì)穩(wěn)定，其可將倒裝芯片20側(cè)壁發(fā)出的光線反射回倒裝芯片20內(nèi)部，使光線從倒裝芯片20上方出射到量子點(diǎn)層40中，提高光從量子點(diǎn)層40的出射量，即提高激發(fā)效率。
[0034]本實(shí)施例的制作流程是:對倒裝芯片20的側(cè)壁蒸鍍反射層50，然后將蒸鍍好的倒裝芯片20和陶瓷基板10通過回流焊，利用焊錫30連接電極導(dǎo)通電路。再將量子點(diǎn)材料和載體進(jìn)行均勻混合，混合后通過模具壓制成為量子點(diǎn)層40，通過膠體將量子點(diǎn)層40貼覆在倒裝芯片20的表面。最后進(jìn)行裁切形成本實(shí)施例的免封裝LED。
[0035]本實(shí)用新型還提供一種高顯色性白光免封裝LED第二實(shí)施例，如圖2所示，其與第一實(shí)施例不同的是，在所述量子點(diǎn)層40的上表面以及量子點(diǎn)層40與倒裝芯片20之間均設(shè)置有密封膠體層60。該密封膠體層60可使用硅膠或環(huán)氧樹脂等，其可進(jìn)一步保護(hù)量子點(diǎn)層40不被刮傷，避免與空氣發(fā)生化學(xué)作用，同時(shí)可降低量子點(diǎn)層40溫度，增加LED的可靠性。
[0036]該密封膠體層60也可單獨(dú)設(shè)置在量子點(diǎn)層40與倒裝芯片20之間，或者單獨(dú)設(shè)置在量子點(diǎn)層40的表面。
[0037]綜上所述，本實(shí)用新型在傳統(tǒng)的白光免封裝LED上設(shè)置了量子點(diǎn)層，可大幅改善LED的顯色指數(shù)，應(yīng)用于背光模組中可有效提升背光模組的色域，且光化學(xué)穩(wěn)定性高，熒光壽命長，發(fā)光效率高。
[0038]應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)用新型的應(yīng)用不限于上述的舉例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種高顯色性白光免封裝LED，其特征在于，包括: 基板； 倒裝芯片，用于發(fā)出激活熒光粉或量子點(diǎn)的光線，所述倒裝芯片通過焊錫連接在基板上方； 反射層，設(shè)置在倒裝芯片的側(cè)壁，用于將倒裝芯片側(cè)壁發(fā)出的光線反射回倒裝芯片內(nèi)部； 量子點(diǎn)層，設(shè)置在倒裝芯片上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯色性白光免封裝LED，其特征在于，量子點(diǎn)層的上表面設(shè)置有密封膠體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯色性白光免封裝LED，其特征在于，量子點(diǎn)層的上表面以及量子點(diǎn)層與倒裝芯片之間均設(shè)置有密封膠體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯色性白光免封裝LED，其特征在于，量子點(diǎn)層與倒裝芯片之間設(shè)置有密封膠體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯色性白光免封裝LED，其特征在于，所述反射層為氧化鈦反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯色性白光免封裝LED，其特征在于，所述量子點(diǎn)層通過膠體貼覆在倒裝芯片的表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯色性白光免封裝LED，其特征在于，所述基板為陶瓷基板。
【文檔編號】H01L33/44GK204204899SQ201420654661
【公開日】2015年3月11日 申請日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】孟長軍 申請人:創(chuàng)維液晶器件(深圳)有限公司