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一種磁化磁路結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:7090938閱讀:214來源:國知局
一種磁化磁路結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種磁化磁路結(jié)構(gòu),包含面對面成對設(shè)置的第一磁極和第二磁極、分別連接第一磁極和第二磁極的磁軛、以及套設(shè)在磁軛上的勵磁線圈,第一磁極和第二磁極之間形成氣隙,第一磁極和第二磁極的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小。當(dāng)勵磁線圈通入電流時,電流產(chǎn)生的磁場沿第一磁極、磁軛、氣隙和第二磁極形成磁路,由于第一磁極和第二磁極的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小,磁場由磁軛到氣隙逐漸集中,因而使氣隙處的磁場增加,能在不增加勵磁電流的情況下提高在磁極之間的氣隙處的磁場強度,可防止磁極處磁場發(fā)散。
【專利說明】一種磁化磁路結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種磁化磁路結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]在磁分離、磁化等應(yīng)用領(lǐng)域,利用導(dǎo)磁材料做成磁路和磁極,可以將磁場限定在一定范圍內(nèi),實現(xiàn)局部范圍內(nèi)磁場的提高。但在目前,磁路都采用固定橫截面結(jié)構(gòu),磁極橫截面與磁路其它部分橫截面相同,磁路中的磁場與磁極氣隙處的磁場大小接近。為防止磁路飽和,磁極橫截面與磁路其它部分橫截面都很大,這樣造成磁極處磁場發(fā)散嚴(yán)重,磁場強度難以提高。如果要提高磁極間氣隙的磁場,就必須提高磁路中的磁場,因而需要提高勵磁電流,增加損耗和電源功率。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu),可防止磁極處磁場發(fā)散,提高磁極之間的磁場強度。
[0004]為了達(dá)到上述目的,本實用新型提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu),該磁化磁路結(jié)構(gòu)包含:
[0005]面對面成對設(shè)置的第一磁極和第二磁極,該第一磁極和第二磁極組成磁極對;
[0006]磁軛,其分別連接第一磁極和第二磁極,該磁軛呈“匚”型,或“C”型;
[0007]勵磁線圈,其套設(shè)在磁軛上,該勵磁線圈連接外部電流源;
[0008]所述的第一磁極和第二磁極之間形成氣隙,該氣隙的位置用于放置待磁化材料。
[0009]當(dāng)勵磁線圈通入電流時,電流產(chǎn)生的磁場沿第一磁極、磁軛、氣隙和第二磁極形成磁路;
[0010]在所述第一磁極和第二磁極組成的磁極對中,第一磁極和第二磁極中的任意一個是變截面結(jié)構(gòu),或者第一磁極和第二磁極都是變截面結(jié)構(gòu),所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小。
[0011]所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處按斜面逐漸減小。
[0012]所述斜面與水平方向的夾角大于O度,小于90度。
[0013]所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處呈階梯式逐漸減小。
[0014]所述階梯的層數(shù)大于等于I層。
[0015]所述第一磁極和第二磁極組成的磁極對的數(shù)量大于等于一個。
[0016]所述第一磁極和第二磁極的橫截面為任意形狀。
[0017]所述第一磁極、第二磁極和磁軛采用整塊高導(dǎo)磁材料加工而成,或者采用疊片形式的高導(dǎo)磁材料加工而成,或者采用粉末材料的高導(dǎo)磁材料壓制加工而成。
[0018]所述的高導(dǎo)磁材料是硅鋼片或非晶合金高導(dǎo)磁材料。
[0019]所述勵磁線圈的數(shù)量大于等于一個。
[0020]本實用新型可防止磁極處磁場發(fā)散,提高磁極之間的磁場強度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是本實用新型的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2是本實用新型的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖3是本實用新型的第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖4是本實用新型的第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0025]以下根據(jù)圖1?圖4,具體說明本實用新型的較佳實施例。
[0026]如圖1?圖4所示,本實用新型提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu),該磁化磁路結(jié)構(gòu)包含:
[0027]面對面成對設(shè)置的第一磁極I和第二磁極2,該第一磁極I和第二磁極2組成磁極對;
[0028]磁軛4,其分別連接第一磁極I和第二磁極2,該磁軛呈“匚”型,或“C”型;
[0029]勵磁線圈3,其套設(shè)在磁軛4上,該勵磁線圈3連接外部電流源。
[0030]所述的第一磁極I和第二磁極2之間形成氣隙5,該氣隙5的位置用于放置待磁化材料。
[0031]當(dāng)勵磁線圈3通入電流時,電流產(chǎn)生的磁場沿第一磁極1、磁軛4、氣隙5和第二磁極2形成閉合回路,稱為磁路。
[0032]所述第一磁極I和第二磁極2組成的磁極對的數(shù)量大于等于一個,該磁極對可沿任意方向有序設(shè)置,或無向無序設(shè)置。
[0033]所述勵磁線圈3的數(shù)量大于等于一個。
[0034]所述的第一磁極I和第二磁極2中的任意一個是變截面結(jié)構(gòu),或者第一磁極I和第二磁極2都是變截面結(jié)構(gòu),對于第一磁極I,該第一磁極I上與磁軛4相連一端的橫截面大于靠近氣隙一端的橫截面,該第一磁極I的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小,同理,對于第二磁極2,該第二磁極2上與磁軛4相連一端的橫截面大于靠近氣隙一端的橫截面,該第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小。
[0035]如圖1和圖3所不,所述第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處按斜面6逐漸減小,所述斜面6與水平方向的夾角大于O度,小于90度。
[0036]如圖2和圖4所不,所述第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處呈階梯式逐漸減小,所述階梯7的層數(shù)大于等于I層。
[0037]所述第一磁極I和第二磁極2的橫截面為任意形狀,例如:圓形、矩形、正方形或三角形等等。
[0038]所述第一磁極1、第二磁極2和磁軛4可以采用整塊高導(dǎo)磁材料加工而成,也可以采用疊片形式的高導(dǎo)磁材料加工而成,也可以采用粉末材料的高導(dǎo)磁材料壓制加工而成。
[0039]所述的高導(dǎo)磁材料是硅鋼片或非晶合金高導(dǎo)磁材料。
[0040]實施例1
[0041]如圖1所不,提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu),面對面設(shè)置一對第一磁極I和第二磁極2,第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處按斜面逐漸減小,所述斜面6與水平方向的夾角范圍為O?30°,第一磁極I和第二磁極2和橫截面為矩形。
[0042]磁軛4的橫截面為寬600_、長400mm的矩形,面積大,可以防止磁場飽和。第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小,第一磁極I和第二磁極2在靠近氣隙5處的橫截面都為長400mm,寬10mm的矩形。當(dāng)磁場進(jìn)入第一磁極I和第二磁極2后,磁路面積減小,磁場逐步集中,最終在第一磁極I和第二磁極2之間的氣隙5中形成12000聞斯的磁場。
[0043]實施例2
[0044]如圖2所不,提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu),面對面設(shè)置一對第一磁極I和第二磁極2,第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處呈階梯式逐漸減小,所述階梯7的層數(shù)為3層,第一磁極I和第二磁極2和橫截面為矩形。
[0045]實施例3
[0046]如圖3所示,提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu),面對面設(shè)置兩對第一磁極I和第二磁極2,所述的兩對第一磁極I和第二磁極2沿圖中的X方向平行設(shè)置(也可沿Y方向平行設(shè)置,還可以沿任意方向設(shè)置),第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處按斜面逐漸減小,所述斜面6與水平方向的夾角范圍為O?45° ,第一磁極I和第二磁極2和橫截面為矩形。
[0047]實施例4
[0048]如圖4所示,提供一種磁化磁路結(jié)構(gòu),面對面設(shè)置兩對第一磁極I和第二磁極2,所述的兩對第一磁極I和第二磁極2沿圖中的X方向平行設(shè)置(也可沿Y方向平行設(shè)置,還可以沿任意方向設(shè)置),第一磁極I和第二磁極2的橫截面由磁軛處向氣隙處呈階梯式逐漸減小,所述階梯7的層數(shù)為3層,第一磁極I和第二磁極2和橫截面為矩形。
[0049]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型將磁極與磁軛分開設(shè)計,并且磁極橫截面小于磁軛橫截面積,磁極的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小,磁場由磁軛到氣隙逐漸集中,因而使氣隙處的磁場增加,能在不增加勵磁電流的情況下提高在磁極之間的氣隙處的磁場強度。
[0050]盡管本實用新型的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細(xì)介紹,但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本實用新型的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后,對于本實用新型的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此,本實用新型的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,該磁化磁路結(jié)構(gòu)包含: 面對面成對設(shè)置的第一磁極(I)和第二磁極(2),該第一磁極(I)和第二磁極(2)組成磁極對; 磁軛(4),其分別連接第一磁極(I)和第二磁極(2),該磁軛呈“匚”型,或“C”型; 勵磁線圈(3 ),其套設(shè)在磁軛(4 )上,該勵磁線圈(3 )連接外部電流源; 所述的第一磁極(I)和第二磁極(2)之間形成氣隙(5),該氣隙(5)的位置用于放置待磁化材料; 當(dāng)勵磁線圈(3)通入電流時,電流產(chǎn)生的磁場沿第一磁極(I)、磁軛(4)、氣隙(5)和第二磁極(2)形成磁路; 在所述第一磁極(I)和第二磁極(2 )組成的磁極對中,第一磁極(I)和第二磁極(2 )中的任意一個是變截面結(jié)構(gòu),或者第一磁極(I)和第二磁極(2)都是變截面結(jié)構(gòu),所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處逐漸減小。
2.如權(quán)利要求1所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處以斜面形式逐漸減小。
3.如權(quán)利要求2所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述斜面與水平方向的夾角大于O度,小于90度。
4.如權(quán)利要求1所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述變截面結(jié)構(gòu)的橫截面由磁軛處向氣隙處以階梯形式逐漸減小。
5.如權(quán)利要求4所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述階梯的層數(shù)大于等于I層。
6.如權(quán)利要求2-5中任意一個所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁極(I)和第二磁極(2)組成的磁極對的數(shù)量大于等于一個。
7.如權(quán)利要求6所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁極(I)和第二磁極(2)的橫截面為任意形狀。
8.如權(quán)利要求7所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一磁極(I)、第二磁極(2)和磁軛(4)采用整塊高導(dǎo)磁材料加工而成,或者采用疊片形式的高導(dǎo)磁材料加工而成,或者采用粉末材料的高導(dǎo)磁材料壓制加工而成。
9.如權(quán)利要求8所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述的高導(dǎo)磁材料是硅鋼片或非晶合金高導(dǎo)磁材料。
10.如權(quán)利要求9所述的磁化磁路結(jié)構(gòu),其特征在于,所述勵磁線圈(3)的數(shù)量大于等于一個。
【文檔編號】H01F13/00GK204117737SQ201420569291
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月4日
【發(fā)明者】周繼生 申請人:上海巖川電磁科技有限公司
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