一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：雙電級散熱片，所述雙電級散熱片經(jīng)過了高反射性材料的電鍍處理，形成了高反射率的電極電鍍反射層；設(shè)置于所述雙電級散熱片四周有大角度出光面的外殼碗杯；安置在所述外殼碗杯內(nèi)的LED芯片；連接所述LED芯片的鍵合線；用于保護所述LED芯片的封裝膠。本實用新型是通過增加LED芯片散熱通道，加大導(dǎo)熱通道引腳接觸面積，從而降低LED芯片結(jié)溫，實現(xiàn)高量子效率、高可靠性。
【專利說明】一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及LED封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體的說是涉及一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]LED作為第四代光源，因其節(jié)能、環(huán)保、長壽命、成本相對較低等優(yōu)點極具發(fā)展前景。但因為LED的通性是對溫度極為敏感，LED是采用藍光芯片涂覆黃色熒光粉制造白光技術(shù)，這種技術(shù)在原理上是可以產(chǎn)生效果較好的白光，但是在使用過程中LED的結(jié)溫升高時會影響芯片的壽命、光效、光色、色溫、光形以及色度、電氣參數(shù)、綜合來講會使LED產(chǎn)生嚴重光衰，分析其光衰的主要原因有以下幾方面:1.LED芯片材料本身內(nèi)部存在的缺陷在較高溫度時會快速增殖、繁衍，直至侵入LED的發(fā)光區(qū)，形成大量的非輻射復(fù)合中心，嚴重降低LED的發(fā)光效率；并且在高溫條件下，材料內(nèi)部的微小缺陷及來自界面與電板的快擴雜質(zhì)也會引入發(fā)光區(qū)，形成大量的深能級，同樣會加速LED器件的光衰。2.隨著溫度上升，熒光粉量子效率降低，出光減少，LED的外部光提取效率降低。3.高溫時透明封裝膠體會變性、發(fā)黃，影響其透光性能，工作溫度越高這種過程將進行得越快，導(dǎo)致LED光衰。4.傳統(tǒng)的LED貼片支架結(jié)構(gòu)散熱和反射面積固定，同樣是熱電一體散熱結(jié)構(gòu)，單其散熱通道只有一個電極，在應(yīng)用到多芯片封裝時，多顆芯片只能通過一個通道散熱，不僅影響其可靠性，出光效率也會越低。
[0003]因此，如何提供一種光萃取率高，散熱性能好的LED貼片結(jié)構(gòu)是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。
實用新型內(nèi)容
[0004]有鑒于此，本實用新型提供了一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，不僅光萃取率高，而且散熱性能好，有效的降低了 LED芯片的工作溫度，使其出光效率更高。
[0005]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案:
[0006]一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，具體包括:雙電級散熱片，所述雙電級散熱片經(jīng)過了高反射性材料的電鍍處理，形成了高反射率的電極電鍍反射層；設(shè)置于所述雙電級散熱片四周有大角度出光面的外殼碗杯；安置在所述外殼碗杯內(nèi)的LED芯片；連接所述LED芯片的鍵合線；用于保護所述LED芯片的封裝膠。
[0007]優(yōu)選的，在上述一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)中，所述雙電級散熱片內(nèi)的固晶區(qū)域等比例分開，并且在單位面積不變的情況下，相對增加所述LED芯片的數(shù)量，同時底部引腳面積等比放大，增加引腳的單位散熱接觸面積。
[0008]優(yōu)選的，在上述一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)中，所述封裝膠是混有突光粉的膠體。
[0009]經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型公開提供了一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，一方面是在原有貼片支架尺寸不變的情況下將LED芯片的固晶區(qū)等比例分開，在單位面積不變的情況下相對增加多顆LED芯片的散熱面積，這樣有效提高了 LED芯片光萃取率，同時還解決了因多顆LED芯片光熱量過大而使其影響旁邊芯片的出光效率；另一方面是在支架底部同樣等比例分開支架引腳，且增加引腳的單位散熱接觸面積，因此使LED單芯片散熱無影響，并且雙芯片或多芯片散熱時有效的增加了一條散熱通道，實現(xiàn)雙通道散熱，同時底部散熱面積的增加有效提高了 LED貼片與基板接觸面積，更大增加散熱面積，提升散熱速度。因此，本實用新型較現(xiàn)有LED貼片結(jié)構(gòu)來講散熱性能更好，有效的能降低LED芯片工作溫度使其出光效率更高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0011]圖1附圖為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]在圖1中:
[0013]I為雙電級散熱片、2為外殼碗杯、3為LED芯片、4為鍵合線、5為封裝膠。

【具體實施方式】
[0014]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0015]請參閱附圖1為本實用新型公開的一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，具體包括:
[0016]雙電級散熱片1，雙電級散熱片I經(jīng)過了高反射性材料的電鍍處理，形成了高反射率的電極電鍍反射層；設(shè)置于所述雙電級散熱片I四周有大角度出光面的外殼碗杯2 ;安置在外殼碗杯2內(nèi)的LED芯片3 ;連接LED芯片3的鍵合線4 ;用于保護LED芯片3的封裝膠5。
[0017]本實用新型實施例公開了一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，通過增加單顆LED芯片的散熱和反射面的面積，加大導(dǎo)熱通道引腳面積，實現(xiàn)了光萃取率更高，散熱性能更好。
[0018]為了進一步優(yōu)化上述技術(shù)方案，雙電級散熱片I內(nèi)的固晶區(qū)域等比例分開，并且在單位面積不變的情況下，相對增加LED芯片3的數(shù)量，同時底部引腳面積等比放大，增加引腳的單位散熱接觸面積，有效提高了 LED芯片3的光萃取率，同時還解決了因多顆LED芯片3光熱量過大而影響旁邊芯片出光效率，并且在支架底部同樣等比例分開支架引腳，增加了引腳的單位散熱接觸面積，因此使LED單顆芯片散熱無影響，雙芯片或多芯片散熱時有效的增加了一條散熱通道，實現(xiàn)雙通道散熱；底部散熱面積的增加有效提高LED貼片與基板接觸面積，增加了散熱面積，提升散熱速度，有效的能降低LED芯片工作溫度使其出光效率更聞。
[0019]為了進一步優(yōu)化上述技術(shù)方案，封裝膠5是混有熒光粉的膠體。
[0020]本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。對于實施例公開的裝置而言，由于其與實施例公開的方法相對應(yīng)，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法部分說明即可。
[0021]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實用新型。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實用新型的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本實用新型將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:雙電級散熱片(1)，所述雙電級散熱片(I)經(jīng)過了高反射性材料的電鍍處理，形成了高反射率的電極電鍍反射層；設(shè)置于所述雙電級散熱片(I)四周大角度出光面的外殼碗杯(2);安置在所述外殼碗杯(2)內(nèi)的LED芯片(3);連接所述LED芯片(3)的鍵合線(4);用于保護所述LED芯片(3)的封裝膠(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙電級散熱片(I)內(nèi)的固晶區(qū)域等比例分開，并且在單位面積不變的情況下，相對增加所述LED芯片(3)的數(shù)量，同時底部引腳面積等比放大，增加引腳的單位散熱接觸面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種熱電一體雙電級貼片散熱結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝膠(5)是混有熒光粉的膠體。
【文檔編號】H01L33/48GK204088365SQ201420474024
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月22日
【發(fā)明者】龔文, 邵鵬睿, 張磊 申請人:深圳市晶臺股份有限公司