層狀雙體led芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括LED晶片、正極金線、正極焊層、負(fù)極金線、負(fù)極焊層、底層成型體和頂層封裝體，LED晶片、正極焊層和負(fù)極焊層置于底層成型體的一面上，LED晶片通過正極金線電連接正極焊層，且該LED晶片通過負(fù)極金線電連接負(fù)極焊層；頂層封裝體與底層成型體連接后將LED晶片封裝在內(nèi)，且正極焊層和負(fù)極焊層有金屬連接端露出；頂層封裝體的表面設(shè)有SiO2增透薄膜。本案利用層狀雙體的中部夾持住發(fā)光源，使得發(fā)光源被抬高一段位移，這樣出光角度更大；又頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，光強損失小，出光效率更高。在頂層封裝體的表面設(shè)有SiO2增透薄膜，可以進(jìn)一步地提高出光效率。
【專利說明】 層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及綠色照明【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，貼片式LED—般采用封裝體，封裝體由于體積小，重量輕，散射角度大，發(fā)光均勻性好，可靠性高，抗振能力強，高頻性能好，易于實現(xiàn)自動化提高生產(chǎn)效率，所以廣泛應(yīng)用于照明、顯示器、背光等領(lǐng)域。
[0003]現(xiàn)有的LED燈封裝結(jié)構(gòu)中，支架體采用塑料材質(zhì)，塑料材質(zhì)不僅透光性不好，而且會造成環(huán)境污染。透光性是衡量固晶膠性能最重要的參數(shù)，而硅膠的透光性能一般，如果采用硅膠作為固晶膠，會導(dǎo)致LED燈的光強損失較大。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]針對上述技術(shù)中存在的不足之處，本實用新型提供一種發(fā)光角度更大，出光效率更高，且光強損失較小的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括LED晶片、正極金線、正極焊層、負(fù)極金線、負(fù)極焊層、底層成型體和頂層封裝體，所述LED晶片、正極焊層和負(fù)極焊層置于底層成型體的一面上，所述LED晶片通過正極金線電連接正極焊層，且該LED晶片通過負(fù)極金線電連接負(fù)極焊層；所述頂層封裝體與底層成型體連接后將LED晶片封裝在內(nèi)，且正極焊層和負(fù)極焊層有金屬連接端露出；所述頂層封裝體的表面設(shè)有Si02增透薄膜。
[0006]其中，所述底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)。
[0007]其中，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)。
[0008]其中，所述底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)有Si02增透薄膜。
[0009]其中，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)有Si02增透薄膜。
[0010]本實用新型的有益效果是:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型提供的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，利用層狀雙體的中部夾持住發(fā)光源，使得發(fā)光源被抬高一段位移，這樣出光角度更大；又利用封裝的雙焊層結(jié)構(gòu)，并利用金線進(jìn)行焊接導(dǎo)電，可以顯著提高電連接的可靠性；又頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，光強損失小，出光效率更高。在頂層封裝體的表面設(shè)有Si02增透薄膜，可以進(jìn)一步地提高出光效率。
[0011]進(jìn)一步地，層狀雙體結(jié)構(gòu)可以有多種變形:
[0012]第一種為上下均為環(huán)氧樹脂的反射結(jié)構(gòu)，這樣的布置可以提高定向發(fā)光強度，發(fā)光切線好，無需反光杯即可實現(xiàn)高反射光。
[0013]第二種為上環(huán)氧樹脂下聚乙烯的反射結(jié)構(gòu)，這樣的布置可以提高定向發(fā)光強度，發(fā)光切線好，無需反光杯即可實現(xiàn)高反射光。
[0014]第三種為上下均為環(huán)氧樹脂的透明結(jié)構(gòu)，這樣的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得發(fā)光源360度全發(fā)光。
[0015]第四種為上環(huán)氧樹脂下聚乙烯的透光結(jié)構(gòu)，利用聚乙烯材質(zhì)的特性，安裝在不同規(guī)格的散熱基板上，成型體具有較高的耐高溫特性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]圖1為本實用新型的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)圖。
[0017]主要元件符號說明如下:
[0018]10、底層成型體11、頂層封裝體
[0019]12、LED晶片13、正極焊層
[0020]14、負(fù)極焊層15、正極金線
[0021]16、負(fù)極金線
【具體實施方式】
[0022]為了更清楚地表述本實用新型，下面結(jié)合附圖對本實用新型作進(jìn)一步地描述。
[0023]請參閱圖1，本實用新型的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括LED晶片12、正極金線15、正極焊層13、負(fù)極金線16、負(fù)極焊層14、底層成型體10和頂層封裝體11，LED晶片12、正極焊層13和負(fù)極焊層14置于底層成型體10的一面上，LED晶片12通過正極金線15電連接正極焊層13，且該LED晶片12通過負(fù)極金線16電連接負(fù)極焊層14 ;頂層封裝體11與底層成型體10連接后將LED晶片12封裝在內(nèi)，且正極焊層13和負(fù)極焊層14有金屬連接端露出；頂層封裝體11的表面設(shè)有Si02增透薄膜。
[0024]相較于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實用新型提供的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，利用層狀雙體的中部夾持住發(fā)光源，使得發(fā)光源被抬高一段位移，這樣出光角度更大；又利用封裝的雙焊層結(jié)構(gòu)，并利用金線進(jìn)行焊接導(dǎo)電，可以顯著提高電連接的可靠性；又頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，光強損失小，出光效率更高。在頂層封裝體的表面設(shè)有Si02增透薄膜，可以進(jìn)一步地提高出光效率。
[0025]本實用新型的優(yōu)勢在于，層狀雙體結(jié)構(gòu)可以有多種變形:
[0026]第一種為上下均為環(huán)氧樹脂的反射結(jié)構(gòu)，底層成型體10和頂層封裝體11為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體10為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)。這樣的布置可以提高定向發(fā)光強度，發(fā)光切線好，無需反光杯即可實現(xiàn)高反射光。
[0027]第二種為上環(huán)氧樹脂下聚乙烯的反射結(jié)構(gòu)，底層成型體10為聚乙烯材質(zhì)，頂層封裝體11為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)。這樣的布置可以提高定向發(fā)光強度，發(fā)光切線好，無需反光杯即可實現(xiàn)高反射光。
[0028]第三種為上下均為環(huán)氧樹脂的透明結(jié)構(gòu)，底層成型體10和頂層封裝體11為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體10為透光結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)有Si02增透薄膜。這樣的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得發(fā)光源360度全發(fā)光。
[0029]第四種為上環(huán)氧樹脂下聚乙烯的透光結(jié)構(gòu)，底層成型體10為聚乙烯材質(zhì)，頂層封裝體11為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體10為透光結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)有Si02增透薄膜。利用聚乙烯材質(zhì)的特性，安裝在不同規(guī)格的散熱基板上，成型體具有較高的耐高溫特性。
[0030]以上公開的僅為本實用新型的幾個具體實施例，但是本實用新型并非局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思之的變化都應(yīng)落入本實用新型的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括LED晶片、正極金線、正極焊層、負(fù)極金線、負(fù)極焊層、底層成型體和頂層封裝體，所述LED晶片、正極焊層和負(fù)極焊層置于底層成型體的一面上，所述LED晶片通過正極金線電連接正極焊層，且該LED晶片通過負(fù)極金線電連接負(fù)極焊層；所述頂層封裝體與底層成型體連接后將LED晶片封裝在內(nèi)，且正極焊層和負(fù)極焊層有金屬連接端露出；所述頂層封裝體的表面設(shè)有Si02增透薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，且底層成型體為摻雜具有反射效果的不透光結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體和頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)有Si02增透薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層狀雙體LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述底層成型體為聚乙烯材質(zhì)，所述頂層封裝體為環(huán)氧樹脂材質(zhì)，該底層成型體為透光結(jié)構(gòu)，其表面設(shè)有Si02增透薄膜。
【文檔編號】H01L33/58GK204067421SQ201420416447
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月28日
【發(fā)明者】許海鵬 申請人:深圳市新光臺電子科技有限公司