一種防過熱的厚膜電阻的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種防過熱的厚膜電阻，包括：絕緣基體、蒸鍍于絕緣基體表面的導電膜層，導電膜層的長度方向上形成有至少一對切槽組，每對切槽組均包括對稱設置的兩個L型切槽；導電膜層的一端比絕緣基體短從而使絕緣基體部分地裸露，另一端為圓弧形且最端部與絕緣基體平齊。在導電膜層上形成至少一對L型切槽，能夠使得熱量有效分散，防止局部過熱燒壞電阻；而且導電膜層一端設置成圓弧形，在確保電阻本身性能的基礎上，減小了電阻的體積，減少了膜材料的用量；此外在等效寬度區(qū)形成了散熱凹槽，還通過結構巧妙的散熱銅棒進一步提高散熱性能；導電膜層為10-20微米且小于絕緣基體的厚度，確保電阻結構穩(wěn)定和可靠。
【專利說明】-種防過熱的厚膜電阻
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種電阻，具體涉及一種防過熱的厚膜電阻，屬于電子元器件領域。
【背景技術】
[0002] 膜電阻是指采用類蒸發(fā)的方法將一定電阻率的材料蒸鍍于絕緣材料表面而制成 的，按照鍍膜的厚度可分為薄膜電阻和厚膜電阻，具有體積小、可靠性好的優(yōu)點，能夠廣泛 應用于各種電子電路中。
[0003] -般來說，在膜電阻上會形成一個切槽用于調(diào)整阻值，在切槽處，電阻的有效寬度 減小，電阻方數(shù)增加，從而使阻值上升，實現(xiàn)調(diào)節(jié)電阻。這帶來的問題是：電阻通電時，電流 會繞過切槽從有效寬度區(qū)域通過，那么，有效寬度區(qū)域的功率就會高些，導致該區(qū)域的發(fā)熱 明顯高于別處，更加容易由于局部過熱導致電阻燒壞。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 為解決現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠防止局部過熱、確保使 用壽命的厚膜電阻。
[0005] 為了實現(xiàn)上述目標，本發(fā)明采用如下的技術方案：
[0006] -種防過熱的厚膜電阻，包括：絕緣基體、蒸鍍于絕緣基體表面的導電膜層，所述 導電膜層的長度方向上形成有至少一對切槽組，每對切槽組均包括對稱設置的兩個L型切 槽；所述導電膜層的一端比絕緣基體短從而使絕緣基體部分地裸露，另一端為圓弧形且最 端部與絕緣基體平齊。
[0007] 前述每對切槽組的兩個L型切槽之間的導電膜層為等效寬度區(qū)，在等效寬度區(qū)形 成有若干個散熱凹槽。
[0008] 前述散熱凹槽內(nèi)設有散熱銅棒，所述散熱銅棒包括：與散熱凹槽配合的棒體、與棒 體一體成型的輔助散熱桿，所述棒體的周面為鋸齒形。
[0009] 前述絕緣基體由陶瓷材料制成。
[0010] 前述導電膜層為碳膜或金屬膜。
[0011] 前述導電膜層的厚度為10-20微米且小于絕緣基體的厚度。
[0012] 本發(fā)明的有益之處在于：本發(fā)明的一種防過熱的厚膜電阻，在導電膜層上形成至 少一對L型切槽，能夠使得熱量有效分散，防止局部過熱燒壞電阻；而且導電膜層一端設置 成圓弧形，在確保電阻本身性能的基礎上，減小了電阻的體積，減少了膜材料的用量；此外 在等效寬度區(qū)形成了散熱凹槽，還通過結構巧妙的散熱銅棒進一步提高散熱性能；導電膜 層為10-20微米且小于絕緣基體的厚度，確保電阻結構穩(wěn)定和可靠。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013] 圖1是本發(fā)明的一種防過熱的厚膜電阻的一個優(yōu)選實施例的結構示意圖。
[0014] 圖中附圖標記的含義：1、絕緣基體，2、導電膜層，3、L型切槽，4、棒體，5、輔助散熱 桿。
【具體實施方式】
[0015] 以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作具體的介紹。
[0016] 參見圖1，本發(fā)明的一種防過熱的厚膜電阻，包括：絕緣基體1和蒸鍍于絕緣基體 1表面的導電膜層2,其中，絕緣基體1優(yōu)選由陶瓷材料制成，導電膜層2優(yōu)選為碳膜或金屬 膜，而導電膜層2的厚度為10-20微米且小于絕緣基體1的厚度。導電膜層2的一端比絕 緣基體1短從而使絕緣基體1部分地裸露，另一端為圓弧形且最端部與絕緣基體1平齊，這 樣一來，在確保不影響電阻本身性能的基礎上，減小了電阻的體積，減少了膜材料的用量。
[0017] 為了實現(xiàn)調(diào)節(jié)阻值，在導電膜層2的長度方向上形成有至少一對切槽組，每對切 槽組均包括對稱設置的兩個L型切槽3。兩個L型切槽3之間的導電膜層2即為等效寬度 區(qū)，當電流到達切槽組所在位置的時候，就會繞過L型切槽3,從等效寬度區(qū)通過。傳統(tǒng)的 電阻中，一般是在導電膜層2的一邊形成一個較大的切槽，這就導致電流繞過的路徑較長， 損耗較大，而且發(fā)熱也比較集中，電阻容易燒壞，所以，本發(fā)明中，采用了若干對切槽組，圖 1中的實施例僅有一對切槽組，根據(jù)調(diào)阻需要，可以設置兩對甚至三對，也就是說，如果無法 一次將阻值調(diào)至目標阻值，即可通過多次調(diào)阻、循序漸進的方式來實現(xiàn)，當然，等效寬度區(qū) 的寬度也是隨著調(diào)阻的需要逐漸變化的，一般是隨著電流的方向，等效寬度區(qū)的寬度逐漸 變小。具體來說，一旦需要多次調(diào)節(jié)的話，則可以在圖1所示實施例的切槽組(第一切槽組） 與圓弧形端面之間再設置一對切槽組，我們稱之為第二切槽組，當然第二切槽組的兩個切 槽之間的等效寬度區(qū)的寬度是比第一切槽組的等效寬度區(qū)小的。
[0018] 進一步地，在等效寬度區(qū)形成有若干個散熱凹槽，散熱凹槽的深度小于導電膜層2 的厚度。更進一步地，散熱凹槽內(nèi)設有散熱銅棒以提高散熱性能，散熱銅棒包括：與散熱凹 槽配合的棒體4、與棒體4 一體成型的輔助散熱桿5,棒體4的周面為鋸齒形（圖中未示出） 以進一步優(yōu)化散熱效果。通過在散熱凹槽內(nèi)設置散熱銅棒，既能保證電阻本身的性能不受 影響，同時又能夠借助銅棒優(yōu)良的散熱性能提高散熱效果，一舉多得。
[0019] 以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和優(yōu)點。本行業(yè)的技術人員應該 了解，上述實施例不以任何形式限制本發(fā)明，凡采用等同替換或等效變換的方式所獲得的 技術方案，均落在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。
【權利要求】
1. 一種防過熱的厚膜電阻，其特征在于，包括：絕緣基體、蒸鍍于絕緣基體表面的導電 膜層，所述導電膜層的長度方向上形成有至少一對切槽組，每對切槽組均包括對稱設置的 兩個L型切槽；所述導電膜層的一端比絕緣基體短從而使絕緣基體部分地裸露，另一端為 圓弧形且最端部與絕緣基體平齊。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種防過熱的厚膜電阻，其特征在于，每對切槽組的兩個L型 切槽之間的導電膜層為等效寬度區(qū)，在等效寬度區(qū)形成有若干個散熱凹槽。
3. 根據(jù)權利要求2所述的一種防過熱的厚膜電阻，其特征在于，所述散熱凹槽內(nèi)設有 散熱銅棒，所述散熱銅棒包括：與散熱凹槽配合的棒體、與棒體一體成型的輔助散熱桿，所 述棒體的周面為鍋齒形。
4. 根據(jù)權利要求1所述的一種防過熱的厚膜電阻，其特征在于，所述絕緣基體由陶瓷 材料制成。
5. 根據(jù)權利要求1所述的一種防過熱的厚膜電阻，其特征在于，所述導電膜層為碳膜 或金屬膜。
6. 根據(jù)權利要求1-5任一項所述的一種防過熱的厚膜電阻，其特征在于，所述導電膜 層的厚度為10-20微米且小于絕緣基體的厚度。
【文檔編號】H01C7/00GK203910372SQ201420271927
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年5月27日 優(yōu)先權日:2014年5月27日
【發(fā)明者】李文武 申請人:昆山福燁電子有限公司