鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，通過(guò)設(shè)計(jì)版圖中光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的寬度和間距，按照邊墻硬掩膜自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化工藝過(guò)程進(jìn)行犧牲層的刻蝕、邊墻介質(zhì)層的沉積與刻蝕、以及鰭的刻蝕，并且沉積的邊墻介質(zhì)層填充滿光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距；從而使得光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處得到的鰭寬度與該處的犧牲層圖形的間距相同且大于鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度；由此，本發(fā)明在不增加額外的光刻工藝下，有效地將光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭寬度增加，且其面積占光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的總面積的比例增加，從而顯著提升了光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光學(xué)識(shí)別率和光刻對(duì)準(zhǔn)精度。
【專利說(shuō)明】鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于鰭型晶體管工藝中的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路制造工藝的進(jìn)步，傳統(tǒng)的平面體硅0103已無(wú)法克服漏電流大、導(dǎo)通電流小等缺點(diǎn)，必須采用立體鰭型晶體管(打必價(jià))器件結(jié)構(gòu)，并由英特爾率先在22=0節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
[0003]與平面0103相比，立體鰭型晶體管最重要的改變，是將有源區(qū)由平面塊狀變?yōu)榉至⒌牧Ⅲw鰭(5111)狀，且每根鰭寬度一致。由于鰭寬度很小(在英特爾2211111工藝中為1511111)，節(jié)距很緊(在英特爾2211111工藝中為60=111)，超過(guò)了現(xiàn)有最先進(jìn)的193=111浸沒(méi)式光刻機(jī)的分辨極限(約80=0)，因此，業(yè)界普遍采用邊墻硬掩模自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化(^09)工藝來(lái)形成立體鰭。
[0004]請(qǐng)參閱圖1，邊墻硬掩模自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化(^09)的工藝流程如下:
[0005]步驟101:在平面硅襯底上生長(zhǎng)刻蝕阻擋層；刻蝕阻擋層的材料可以為氮化硅；
[0006]步驟102:在刻蝕阻擋層上生長(zhǎng)犧牲層；犧牲層的材料可以為非晶碳；
[0007]步驟103:經(jīng)光刻和刻蝕犧牲層，使?fàn)奚鼘拥膶挾葹轹挼拈g距，使?fàn)奚鼘拥拈g距為兩根鰭的寬度加上鰭的間距；例如，在22=0中犧牲層的寬度最小為45=%犧牲層的間距最小為 7511111 ；
[0008]步驟104:在犧牲層上生長(zhǎng)邊墻介質(zhì)層；邊墻介質(zhì)層的材料可以為二氧化硅；
[0009]步驟105:通過(guò)邊墻刻蝕，在犧牲層兩側(cè)形成介質(zhì)邊墻，介質(zhì)邊墻的寬度為鰭的寬度；如在2211111中介質(zhì)邊墻的寬度最小為1511111 ；
[0010]步驟106:通過(guò)刻蝕氣體反應(yīng)將犧牲層去除；
[0011]步驟107:以留下的介質(zhì)邊墻作為硬掩模層，完成對(duì)硅的刻蝕，形成鰭；
[0012]對(duì)準(zhǔn)精度是光刻最重要的性能指標(biāo)之一，光刻機(jī)必須通過(guò)光學(xué)辨識(shí)硅片上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記完成對(duì)準(zhǔn)。一般當(dāng)層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記由當(dāng)層工藝同時(shí)完成，為下層光刻時(shí)對(duì)準(zhǔn)所用。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記一般都是一組條狀結(jié)構(gòu)，有橫有豎，不同寬度，不同根數(shù)。但為了保證光學(xué)識(shí)別，其寬度都是1微米以上，長(zhǎng)度一般幾十微米。這在平面0103上很容易實(shí)現(xiàn)，但在？111而1工藝中，鰭這層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記無(wú)法做成條狀，只能分解成多根細(xì)鰭，導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)比度顯著下降，甚至無(wú)法對(duì)準(zhǔn)。為了保證對(duì)準(zhǔn)精度，須通過(guò)增加一道額外光刻，用平面工藝專做對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記來(lái)解決。然而，增加額外光刻工序，顯然增加了工藝步驟和制造成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]為了克服以上問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種鰭型晶體管工藝中鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，在無(wú)需增加額外光刻工藝的前提下，提高對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中鰭的寬度和面積。
[0014]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種用于鰭型晶體管工藝中的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其包括以下步驟:
[0015]步驟01:根據(jù)鰭層的鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度，設(shè)計(jì)版圖中常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形以及光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形；其中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的寬度和間距均大于所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的兩倍，且所述常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形的間距大于所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距；
[0016]步驟02:在一硅襯底上沉積犧牲層；
[0017]步驟03:采用所述版圖，在所述犧牲層中刻蝕出常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形以及光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形；
[0018]步驟04:在完成所述步驟03的所述硅襯底上沉積邊墻介質(zhì)層，所述邊墻介質(zhì)層填充滿所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距，且所述邊墻介質(zhì)層的厚度小于所述常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形的間距的一半；
[0019]步驟05:刻蝕所述步驟03所形成的犧牲層圖形頂部的所述邊墻介質(zhì)層，暴露出所述犧牲層圖形的頂部，從而形成邊墻硬掩膜；
[0020]步驟06:將常規(guī)區(qū)域的和光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形去除；
[0021]步驟07:利用所述邊墻硬掩膜，在所述硅襯底中刻蝕出鰭；所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭的寬度大于所述常規(guī)區(qū)域的鰭的寬度。
[0022]優(yōu)選地，所述步驟01中，所述版圖中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距為所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍。
[0023]優(yōu)選地，所述步驟01中，所述版圖中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的寬度大于或等于所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍。
[0024]優(yōu)選地，所述步驟04中，所述邊墻介質(zhì)層的厚度為所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的1.5倍。
[0025]優(yōu)選地，所述步驟07中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭的寬度為所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍。
[0026]優(yōu)選地，所述步驟07中，所述常規(guī)區(qū)域的鰭的寬度為所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度。
[0027]優(yōu)選地，所述步驟02中，沉積所述犧牲層之前，還包括，在所述硅襯底上沉積刻蝕阻擋層。
[0028]優(yōu)選地，所述步驟07中，包括:利用所述邊墻硬掩膜，刻蝕所述刻蝕阻擋層和所述硅襯底，從而在所述硅襯底中形成鰭。
[0029]優(yōu)選地，所述步驟05中，采用等離子體干法刻蝕工藝來(lái)刻蝕所述邊墻介質(zhì)層。
[0030]優(yōu)選地，所述步驟06中，采用干法刻蝕去除所述犧牲層。
[0031]本發(fā)明的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，通過(guò)設(shè)計(jì)版圖中光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的寬度和間距均大于鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的兩倍，且常規(guī)區(qū)域的犧牲層版圖中的犧牲層圖形的間距大于光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層版圖中的犧牲層圖形的間距，按照邊墻硬掩膜自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化工藝過(guò)程進(jìn)行后續(xù)犧牲層的刻蝕、邊墻介質(zhì)層的沉積與刻蝕、以及硅襯底中鰭的刻蝕，并且在邊墻介質(zhì)層的沉積過(guò)程中，使邊墻介質(zhì)層填充滿光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距；從而使得光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的刻蝕后的邊墻介質(zhì)層寬度與該處的犧牲層圖形的間距相同，則該處的犧牲層圖形的間距為該處的鰭的寬度，因此，該處的鰭的寬度大于鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度；由于邊墻介質(zhì)層沉積過(guò)程中，常規(guī)區(qū)域中，邊墻介質(zhì)層的厚度小于該處犧牲層圖形間距的一半，因而，該處的邊墻介質(zhì)層并沒(méi)有像光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的那樣將犧牲層圖形間距填充滿，而是形成常規(guī)的凹凸形狀，從而在后續(xù)的刻蝕鰭之后，該處的刻蝕后的邊墻介質(zhì)層厚度為該處的鰭寬度；由此，本發(fā)明的制備方法，在不增加額外的光刻工藝以及在不影響常規(guī)區(qū)域的刻蝕工藝尺寸的情況下，有效地將光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭寬度增加，且其面積占光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的總面積的比例增加，從而顯著提升了光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光學(xué)識(shí)別率，進(jìn)一步提高了光刻對(duì)準(zhǔn)精度。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1為現(xiàn)有的邊墻硬掩模自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化工藝流程圖
[0033]圖2為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法的流程示意圖
[0034]圖3-9為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法的步驟示意圖

【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說(shuō)明書附圖，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說(shuō)明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0036]本發(fā)明的用于鰭型晶體管工藝中的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，改進(jìn)了邊墻硬掩模自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化工藝，在設(shè)計(jì)版圖時(shí)，將常規(guī)區(qū)域和光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層版圖分別進(jìn)行了設(shè)計(jì)，常規(guī)區(qū)域的犧牲層版圖沿用現(xiàn)有的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)不變，對(duì)光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層版圖中的犧牲層圖形的間距和寬度進(jìn)行了改進(jìn)，將其間距減小，使得沉積的邊墻介質(zhì)層填充滿其間距，該處的邊墻介質(zhì)層寬度大于邊墻介質(zhì)層厚度；這樣，利用邊墻硬掩模自對(duì)準(zhǔn)雙重圖形化工藝特性，刻蝕后的邊墻介質(zhì)層的寬度即為刻蝕出的鰭寬度，在光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處，邊墻介質(zhì)層的寬度為犧牲層圖形的間距，則得到的鰭寬度也為犧牲層圖形間距，而在常規(guī)區(qū)域，得到的鰭寬度為邊墻介質(zhì)層厚度，因此，得到的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭寬度大于常規(guī)區(qū)域的鰭寬度，進(jìn)而達(dá)到提高光刻標(biāo)記識(shí)別率和光刻對(duì)準(zhǔn)精度的目的。
[0037]以下將結(jié)合附圖2-9和一具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。其中，圖2為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法的流程示意圖，圖3-9為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法的步驟示意圖。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說(shuō)明本實(shí)施例的目的
[0038]請(qǐng)參閱圖2，用于鰭型晶體管工藝中的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，包括以下步驟:
[0039]步驟01:請(qǐng)參閱圖3，根據(jù)鰭層的鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度，設(shè)計(jì)版圖中常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形0以及光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處0的犧牲層圖形；
[0040]具體的，為了增加光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭寬度，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的寬度和間距均大于鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的兩倍，且常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形的間距大于光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距；在本實(shí)施中，版圖中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形0的間距為鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的寬度可以大于或等于鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍；常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形的間距可以為鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的五倍，其寬度可以為鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍；需要說(shuō)明的是，鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度可以視為工藝需要的常規(guī)區(qū)域的鰭的寬度。
[0041〕 步驟02:請(qǐng)參閱圖4，在一硅襯底1上沉積犧牲層3 ；
[0042]具體的，在沉積所述犧牲層3之前，還包括，在硅襯底1上沉積刻蝕阻擋層2，可以但不限于采用化學(xué)氣相沉積法來(lái)沉積刻蝕阻擋層2和犧牲層3。
[0043]步驟03:請(qǐng)參閱圖5，采用版圖，在犧牲層3中刻蝕出常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形31以及光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形32 ；圖5中，虛線框內(nèi)表示光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處；
[0044]具體的，可以采用光刻和刻蝕工藝，來(lái)刻蝕犧牲層圖形；這樣，版圖中的犧牲層圖形就轉(zhuǎn)移至硅片的犧牲層中。在犧牲層圖形中的間距和寬度與版圖中的犧牲層圖形保持一致。
[0045]步驟04:請(qǐng)參閱圖6，在完成步驟03的硅襯底上沉積邊墻介質(zhì)層4，邊墻介質(zhì)層4填充滿光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形32的間距，且邊墻介質(zhì)層4的厚度小于常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形31的間距的一半；
[0046]具體的，邊墻介質(zhì)層4填充滿光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形31的間距，則沉積的邊墻介質(zhì)層4的厚度至少應(yīng)為光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形32間距的一半，由于本實(shí)施例中光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形32間距為鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍，則邊墻介質(zhì)層4的厚度可以為鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的1.5倍；這也是考慮到后續(xù)要對(duì)邊墻介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，會(huì)使常規(guī)區(qū)域的邊墻介質(zhì)層的厚度減薄，這樣，常規(guī)區(qū)域的鰭寬度就可以與鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度相同。
[0047]而常規(guī)區(qū)域中，由于犧牲層圖形31的間距為鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的五倍，因而，在沉積邊墻介質(zhì)層4之后，邊墻介質(zhì)層4依然形成了常規(guī)的凹凸結(jié)構(gòu)，沒(méi)有填充滿該處的犧牲層圖形31的間距，如圖6所示，因此，經(jīng)歷后續(xù)的刻蝕工藝，該處的刻蝕后的邊墻介質(zhì)層的厚度即為該處的鰭寬度。
[0048]步驟05:請(qǐng)參閱圖7，刻蝕步驟03所形成的犧牲層圖形31、32頂部的邊墻介質(zhì)層4，暴露出犧牲層圖形31、32的頂部，從而形成邊墻硬掩膜；
[0049]具體的，將邊墻介質(zhì)層4刻蝕的目的是為了暴露出硅襯底1上的犧牲層圖形頂部，包括常規(guī)區(qū)域的和光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形31、32頂部。可以但不限于采用等離子體干法刻蝕工藝來(lái)進(jìn)行邊墻介質(zhì)層4的刻蝕。
[0050]這里，在刻蝕犧牲層圖形31和32頂部的邊墻介質(zhì)層4的同時(shí)，位于刻蝕阻擋層2表面的邊墻介質(zhì)層4部分也被刻蝕掉。
[0051]還需要說(shuō)明的是，在實(shí)際工藝中，如圖7所示，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的邊墻介質(zhì)層在刻蝕后，位于光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記邊緣處的邊墻介質(zhì)層的寬度有可能會(huì)小于光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記中間的邊墻介質(zhì)層的寬度，這是由于光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記邊緣處的犧牲層圖形32與常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形31之間的距離較大而造成的，然則，這并不影響本發(fā)明中的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的最終效果，因此，在光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的邊緣的邊墻介質(zhì)層的寬度小于其中間的邊墻介質(zhì)層的寬度也是涵蓋在本發(fā)明的范圍之內(nèi)的。
[0052]步驟06:請(qǐng)參閱圖8，將常規(guī)區(qū)域的和光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形31、32去除；
[0053]具體的，犧牲層圖形31、32的去除方法可以但不限于采用干法刻蝕；這樣，在犧牲層圖形31、32去除之后，就留下了邊墻硬掩膜；
[0054]步驟07:請(qǐng)參閱圖9，利用邊墻硬掩膜，在硅襯底1中刻蝕出鰭5 ；
[0055]具體的，本實(shí)施例中，利用邊墻硬掩膜，依次刻蝕刻蝕阻擋層2和硅襯底1，從而在刻蝕阻擋層2和硅襯底1中形成溝槽，在硅襯底1中形成鰭，如圖9所示。
[0056]這里，邊墻硬掩膜的寬度則為刻蝕后的鰭寬度；由于版圖中設(shè)計(jì)的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距大于常規(guī)區(qū)域的，因此，硅片上光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭寬度(虛線框內(nèi))大于常規(guī)區(qū)域的鰭寬度；在本實(shí)施例中，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭寬度為犧牲層圖形32的間距，即鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍；常規(guī)區(qū)域的鰭寬度為刻蝕后的邊墻介質(zhì)層4厚度，即為鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度。并且，相比于現(xiàn)有技術(shù)，光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭的面積占光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的總面積的比例增大。
[0057]因此，本發(fā)明的制備方法，在不增加額外的光刻工藝和在不影響常規(guī)區(qū)域的刻蝕工藝尺寸的情況下，有效地將光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭寬度增加，且其面積占光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的總面積的比例增加，從而顯著提升了光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光學(xué)識(shí)別率，進(jìn)一步提高了光刻對(duì)準(zhǔn)精度。
[0058]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述實(shí)施例僅為了便于說(shuō)明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤(rùn)飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書所述為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于鰭型晶體管工藝中的鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟Ol:根據(jù)鰭層的鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度，設(shè)計(jì)版圖中常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形以及光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形；其中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的寬度和間距均大于所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的兩倍，且所述常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形的間距大于所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距； 步驟02:在一硅襯底上沉積犧牲層； 步驟03:采用所述版圖，在所述犧牲層中刻蝕出常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形以及光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形； 步驟04:在完成所述步驟03的所述硅襯底上沉積邊墻介質(zhì)層，所述邊墻介質(zhì)層填充滿所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距，且所述邊墻介質(zhì)層的厚度小于所述常規(guī)區(qū)域的犧牲層圖形的間距的一半； 步驟05:刻蝕所述步驟03所形成的犧牲層圖形頂部的所述邊墻介質(zhì)層，暴露出所述犧牲層圖形的頂部，從而形成邊墻硬掩膜； 步驟06:將常規(guī)區(qū)域的和光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形去除； 步驟07:利用所述邊墻硬掩膜，在所述硅襯底中刻蝕出鰭；所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭的寬度大于所述常規(guī)區(qū)域的鰭的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟01中，所述版圖中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的間距為所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟01中，所述版圖中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的犧牲層圖形的寬度大于或等于所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟04中，所述邊墻介質(zhì)層的厚度為所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的1.5倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟07中，所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記處的鰭寬度為所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度的三倍。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟07中，所述常規(guī)區(qū)域的鰭寬度為所述鰭標(biāo)準(zhǔn)寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟02中，沉積所述犧牲層之前，還包括，在所述硅襯底上沉積刻蝕阻擋層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟07中，包括:利用所述邊墻硬掩膜，刻蝕所述刻蝕阻擋層和所述硅襯底，從而在所述硅襯底中形成鰭。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟05中，采用等離子體干法刻蝕工藝來(lái)刻蝕所述邊墻介質(zhì)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述鰭層光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制備方法，其特征在于，所述步驟06中，采用干法刻蝕去除所述犧牲層。
【文檔編號(hào)】H01L23/544GK104409444SQ201410654615
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月17日
【發(fā)明者】李銘, 袁偉 申請(qǐng)人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司