廣色域led發(fā)光器件及其背光組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種廣色域LED發(fā)光器件及含有該發(fā)光器件的LED背光組件，所述廣色域LED發(fā)光器件包括至少一個(gè)LED芯片，所述LED芯片為藍(lán)光或紫光LED芯片，在LED芯片的出光面的表面包覆有熒光轉(zhuǎn)換層，所述熒光轉(zhuǎn)換層由熒光轉(zhuǎn)換材料和熱固性膠體混合而成，所述熒光轉(zhuǎn)換材料包括綠色熒光轉(zhuǎn)換材料、紅色熒光轉(zhuǎn)換材料及在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料。本發(fā)明提供的廣色域LED發(fā)光器件，其可降低LED發(fā)光器件高NTSC值對(duì)所需的綠色熒光粉半峰寬的苛刻要求。
【專利說(shuō)明】廣色域LED發(fā)光器件及其背光組件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種廣色域LED發(fā)光器件及其背光組件。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶電視的色彩表現(xiàn)度受到越來(lái)越多人的關(guān)注，已成為背光領(lǐng)域發(fā)展的新趨勢(shì)。色彩表現(xiàn)度可用NTSC來(lái)定量衡量，NTSC越高其可表現(xiàn)的色彩越豐富。液晶電視中每個(gè)像素都是由R、G、B三個(gè)長(zhǎng)方形色塊組成，色彩表現(xiàn)取決于背光模塊和濾色膜的性能。傳統(tǒng)的電視背光模組采用CCFL作為光源，其N(xiāo)TSC僅僅在65% -75%之間。LED作為一種新興光源，其具有可靠性好、節(jié)能、環(huán)保等特性，有逐步取代傳統(tǒng)CCFL光源的趨勢(shì)。用YAG熒光粉涂覆的LED光源其N(xiāo)TSC為72 % -80 %，而用G/R熒光粉涂覆的LED光源其N(xiāo)TSC可在80 %以上。G/R熒光粉的半峰寬直接影響LED的NTSC值，一般來(lái)說(shuō)熒光粉的半峰寬越窄NTSC越高，G/R粉的半峰寬若能在50nm以下，其N(xiāo)TSC很容易做到90 %以上。但傳統(tǒng)LED用的G粉其半峰寬很難做到50nm以下、R粉半峰寬難做到70nm以下，這直接導(dǎo)致用傳統(tǒng)LED熒光粉封裝的光源NTSC值受到很大局限；
[0003]尋找半峰寬更窄的熒光粉新材料成為獲得廣色域的重要途徑，如納米級(jí)材料量子點(diǎn)(QD)及非稀土紅粉K2SiF6/Mn，其半峰寬多在30nm以下，NTSC很容易達(dá)到95%以上，甚至超過(guò)100%，但以上材料具很強(qiáng)的毒性，一定程度上限制其應(yīng)用。
[0004]紅光或綠光LED芯片的半峰寬在40nm以下，以窄半峰寬的綠光或紅光芯片替代寬峰的綠色/紅色熒光粉，其N(xiāo)TSC很容易大于90%，但該方案的難點(diǎn)在于如何通過(guò)調(diào)節(jié)芯片之間的比例來(lái)達(dá)到指定的色坐標(biāo)點(diǎn)，且G/R芯片增加了光源的成本；
[0005]如何在傳統(tǒng)LED用熒光粉封裝基礎(chǔ)上，降低高NTSC值對(duì)熒光粉半峰寬的苛刻要求，實(shí)現(xiàn)更廣色域，以及如何在現(xiàn)有高NTSC封裝方法基礎(chǔ)上進(jìn)一步提升色域，成為本【技術(shù)領(lǐng)域】亟需要解決的技術(shù)問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了克服上述不足，本發(fā)明的目的在于提供一種廣色域的LED發(fā)光器件，其可降低LED發(fā)光器件高NTSC值對(duì)所需的綠色熒光粉半峰寬的苛刻要求。
[0007]本發(fā)明為達(dá)到其目的，采用的技術(shù)方案如下:
[0008]一種廣色域LED發(fā)光器件，包括至少一個(gè)LED芯片，所述LED芯片為藍(lán)光或紫光LED芯片，在LED芯片的出光面的表面包覆有熒光轉(zhuǎn)換層，所述熒光轉(zhuǎn)換層由熒光轉(zhuǎn)換材料和熱固性膠體混合而成，所述熒光轉(zhuǎn)換材料包括綠色熒光轉(zhuǎn)換材料、紅色熒光轉(zhuǎn)換材料及在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料。
[0009]優(yōu)選的，所述在460_510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料在所述熒光轉(zhuǎn)換層中的重量百分比為0.5%?10%。460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料在熒光轉(zhuǎn)換層中的添加量可影響整個(gè)LED的NTSC及亮度，本申請(qǐng)發(fā)明人發(fā)現(xiàn)其添加量過(guò)低時(shí)，LED發(fā)光器件的NTSC的提升不明顯，但其添加量過(guò)多會(huì)則會(huì)降低LED的亮度，將其添加量控制為熒光轉(zhuǎn)換層重量的0.5% -10%效果較佳，這樣制得的LED發(fā)光器件的亮度和色域均更佳。
[0010]由熒光轉(zhuǎn)換材料和熱固性膠體混合而成的熒光轉(zhuǎn)換層，其中含有的綠色熒光轉(zhuǎn)換材料、紅色熒光轉(zhuǎn)換材料的用量配比，本【技術(shù)領(lǐng)域】人員可根據(jù)所需求的色坐標(biāo)點(diǎn)通過(guò)反復(fù)調(diào)節(jié)來(lái)確定紅、綠熒光轉(zhuǎn)換材料的用量；所需的熱固性膠體的用量也是本【技術(shù)領(lǐng)域】人員根據(jù)需求的色坐標(biāo)點(diǎn)反復(fù)調(diào)節(jié)就可確定的，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所掌握的常規(guī)技術(shù)。
[0011]進(jìn)一步，所述在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料具有如下性質(zhì):峰值波長(zhǎng)在460_510nm之間，半峰寬(FWHM)小于40nm, 14L.mo I 1.cm k ε (吸收系數(shù))<106L ?moF1 ?cnT1,且在550nm-610nm區(qū)域無(wú)發(fā)射或發(fā)射光較弱。優(yōu)選采用具有該性質(zhì)的熒光轉(zhuǎn)換材料，其可以吸收掉對(duì)NTSC貢獻(xiàn)值為負(fù)的藍(lán)綠光，從而提升LED的NTSC ；
[0012]具體的，所述在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料選自在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的摻雜Pr3+的β-賽隆(β-sialon)、鎢酸鹽、有機(jī)化合物中的一種或多種。
[0013]更優(yōu)選的，所述綠色突光轉(zhuǎn)換材料其峰值波長(zhǎng)在510nm-545nm之間，半峰寬在70nm以下。具體的，所述綠色熒光轉(zhuǎn)換材料可選自摻雜Eu2+的β _賽隆、硅酸鹽、量子點(diǎn)中的一種或多種；所述量子點(diǎn)包括如CdS、CdSe> ZnS> ZnSe> InP等。
[0014]更優(yōu)選的，所述紅色突光轉(zhuǎn)換材料其峰值波長(zhǎng)在620nm-670nm之間，半峰寬在10nm以下。具體的，所述紅色熒光轉(zhuǎn)換材料可選自氮化物、硅酸鹽、量子點(diǎn)、K/Na2SiF6:Mn4+、K/Na2TiF6:Mn4+中的一種或多種組成；所述量子點(diǎn)包括如CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、InP 等。
[0015]所述熱固性膠體可選自硅膠、硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂中的一種或多種。
[0016]本發(fā)明提供的廣色域LED發(fā)光器件可應(yīng)用于LED背光組件中以獲得廣色域的LED背光組件，具體如應(yīng)用于側(cè)入式或直下式LED背光組件。
[0017]本發(fā)明提供的技術(shù)方案具有如下有益效果:
[0018]1、采用本發(fā)明結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件，其在熒光轉(zhuǎn)換層中添加在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料，利用在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料將影響色純度的G/B之間重疊的藍(lán)綠光波段吸收，同時(shí)不影響G/B峰值的強(qiáng)度，在原有NTSC基礎(chǔ)上可實(shí)現(xiàn)更廣的色域。
[0019]2、采用本發(fā)明結(jié)構(gòu)的LED發(fā)光器件，和傳統(tǒng)的G/R熒光粉封裝的LED器件相比，其對(duì)綠色熒光粉半峰寬不需要嚴(yán)格在50nm以下也能獲得廣色域的LED發(fā)光器件。
[0020]3、無(wú)論是與單純G/R熒光粉封裝獲得的LED發(fā)光器件相比，還是與窄半峰寬的新型熒光粉材料或是窄半峰寬的綠色/紅色芯片封裝的器件相比，采用本發(fā)明結(jié)構(gòu)均可突破這幾種方法所能達(dá)到的最廣色域；
[0021]4、本發(fā)明提供的廣色域LED發(fā)光器件其色域(NTSC)可達(dá)到90%以上。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為現(xiàn)有的R/G熒光粉組合的典型光譜圖；
[0023]圖2為本發(fā)明LED發(fā)光器件的一種結(jié)構(gòu)示意圖
[0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的激發(fā)發(fā)射光譜圖；
[0025]圖4為本發(fā)明實(shí)施例2的激發(fā)光譜圖；
[0026]圖5為本發(fā)明實(shí)施例3的直下式高色域組件示意圖；
[0027]圖6為本發(fā)明實(shí)施例4的側(cè)入式高色域組件示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028]本發(fā)明提供一種廣色域LED發(fā)光器件，該LED發(fā)光器件包括至少一個(gè)LED芯片，該LED芯片為藍(lán)光或紫光LED芯片。本發(fā)明的LED發(fā)光器件和現(xiàn)有技術(shù)的LED發(fā)光器件相比，其主要改進(jìn)在于，本發(fā)明的LED發(fā)光器件，其LED芯片的出光面包覆有熒光轉(zhuǎn)換層，該熒光轉(zhuǎn)換層由熒光轉(zhuǎn)換材料和熱固性膠體混合而成，其中，所述的熒光轉(zhuǎn)換材料包括綠色熒光轉(zhuǎn)換材料、紅色熒光轉(zhuǎn)換材料和在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料。本發(fā)明中，所述在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料在所述熒光轉(zhuǎn)換層中的重量百分比優(yōu)選為0.5%?10%。所述在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料其更為優(yōu)選為具有如下性質(zhì)的熒光轉(zhuǎn)換材料:峰值波長(zhǎng)在460-510nm之間，半峰寬(FWHM)小于40nm，14L.πιοΓ1.cnTk ε (吸收系數(shù))<106L.moF1.cnT1,且在 550nm-610nm 區(qū)域無(wú)發(fā)射或發(fā)射光較弱。本發(fā)明利用在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料將影響色純度的G/B之間重疊的藍(lán)綠光波段吸收，同時(shí)不影響G/B峰值的強(qiáng)度，在原有NTSC基礎(chǔ)上可實(shí)現(xiàn)更廣的色域。
[0029]下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)一步進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:
[0030]實(shí)施例1
[0031]本實(shí)施例提供一種廣色域的LED發(fā)光器件，其包括至少一個(gè)LED芯片。本實(shí)施例的LED發(fā)光器件其和現(xiàn)有的LED發(fā)光器件相比，主要不同在于，其LED芯片為發(fā)射峰值范圍為445nm-457.5nm的藍(lán)光LED芯片，在該LED芯片的出光面的表面包覆有熒光轉(zhuǎn)換層。該熒光轉(zhuǎn)換層由綠色熒光轉(zhuǎn)換材料、紅色熒光轉(zhuǎn)換材料、在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料和硅膠混合而成。其中，綠色熒光轉(zhuǎn)換材料為峰值波長(zhǎng)525-535nm、半峰寬為50-60nm的β-賽隆綠色熒光粉；紅色熒光轉(zhuǎn)換材料為峰值波長(zhǎng)660_670nm、半峰寬為90-100nm的紅粉氮化物熒光粉。本實(shí)施例中，在460_510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料為在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的β -賽隆化合物，其具體結(jié)構(gòu)為Si6-zAlz0zN8_z:Prx。
[0032]本實(shí)施例，具體按照如下方法在LED芯片的出光面形成所述熒光轉(zhuǎn)換層:首先根據(jù)所需坐標(biāo)點(diǎn)確定賽隆綠色熒光粉及紅粉氮化物紅色熒光粉的比例及濃度，本實(shí)施例制備的LED發(fā)光器件其色坐標(biāo)點(diǎn)為(0.26，0.23)，所需綠色熒光粉、紅色熒光粉之間的重量比例為9:1，綠色、紅色熒光粉二者總重量占整個(gè)熒光轉(zhuǎn)換層重量的20%，所需Si6_zAlz0zN8_z:Prx在熒光轉(zhuǎn)換層中的重量百分比為2%，熒光轉(zhuǎn)換層其余物料均為硅膠。稱取相應(yīng)重量的紅色熒光粉、綠色熒光粉、硅膠及添加2% (重量)的Si6_zAlz0zN8_z:Prx，，將物料混合后均勻攪拌、脫泡，得熒光轉(zhuǎn)換層混合料，備用。參見(jiàn)圖2，向固設(shè)有LED芯片102且與其電氣連接的LED支架101內(nèi)點(diǎn)入合適量熒光轉(zhuǎn)換層混合料，使其覆蓋于LED芯片102的出光面表面，通過(guò)烘烤使其固化為熒光轉(zhuǎn)換層103，從而獲得廣色域LED發(fā)光器件100。
[0033]本實(shí)施例的熒光轉(zhuǎn)換層中所添加的在460_510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的β-賽隆化合物Si6_zAlz0zN8_z:Prx，其在460-500nm之間的強(qiáng)吸收峰可有效的吸收藍(lán)光芯片及綠色熒光粉之間的重疊光，其發(fā)射峰位于600-640nm，雖然其在600_610nm有部分發(fā)射會(huì)降低LED的NTSC，但其在610-640之間的發(fā)射明顯強(qiáng)于600_610nm，可彌補(bǔ)600_610nm帶來(lái)的NTSC損失，相比傳統(tǒng)的采用單獨(dú)的G/R熒光粉制備的LED發(fā)光器件，本實(shí)施例的LED發(fā)光器件其N(xiāo)TSC可提高I %-5%。本實(shí)施例的LED NTSC最高可達(dá)95%以上；另外，熒光轉(zhuǎn)換層中所添加的在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的β -賽隆化合物Si6_zAlz0zN8_z:Prx，其在610_640nm的紅光還可提高LED的亮度，實(shí)現(xiàn)NTSC及亮度的同時(shí)提升。圖3所示為本實(shí)施例的LED發(fā)光器件100的激發(fā)發(fā)射光譜圖。
[0034]實(shí)施例2
[0035]本實(shí)施例提供了一種廣色域LED發(fā)光器件,其和實(shí)施例1基本相同,對(duì)于相同之處不再贅述，下面對(duì)不同之處進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例提供的LED發(fā)光器件和實(shí)施例1相比，其不同之處在于:本實(shí)施例的LED發(fā)光器件，其LED芯片為發(fā)射峰值范圍為390nm-400nm的紫光LED芯片；熒光轉(zhuǎn)換層中所含有的綠色熒光轉(zhuǎn)換材料為峰值波長(zhǎng)525-535nm、半峰寬為50-60nm的β-賽隆綠色熒光粉；紅色熒光轉(zhuǎn)換材料為峰值波長(zhǎng)660_670nm、半峰寬為90-100nm的紅粉氮化物熒光粉。本實(shí)施例中，所用的在460_510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料為460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的鎢酸鹽化合物，其具體結(jié)構(gòu)為Na5Y (MoO4)4: Sm3+。
[0036]本實(shí)施例，具體按照如下方法在LED芯片的出光面形成所述熒光轉(zhuǎn)換層:首先根據(jù)所需坐標(biāo)點(diǎn)確定賽隆綠色熒光粉及紅粉氮化物紅色熒光粉的比例及濃度，本實(shí)施例制備的LED發(fā)光器件其色坐標(biāo)點(diǎn)為(0.26,0.23)，所需綠色熒光粉、紅色熒光粉之間的重量比例為15:1，綠色、紅色熒光粉二者總重量占整個(gè)熒光轉(zhuǎn)換層重量的18% ;所需Na5Y (MoO4) 4: Sm3+在熒光轉(zhuǎn)換層中的重量百分比為I %，熒光轉(zhuǎn)換層其余物料均為硅膠。稱取相應(yīng)重量的紅色熒光粉、綠色熒光粉、硅膠及添加1% (重量)的Na5Y (MoO4)4: Sm3+，，將物料混合后均勻攪拌、脫泡，得到熒光轉(zhuǎn)換層混合料，備用。參見(jiàn)圖2，向固設(shè)有LED芯片102且與其電氣連接的LED支架101內(nèi)點(diǎn)入合適量的熒光轉(zhuǎn)換層混合料，使其覆蓋于LED芯片102的出光面表面，通過(guò)烘烤使其固化為熒光轉(zhuǎn)換層103，從而獲得廣色域LED發(fā)光器件100。
[0037]本實(shí)施例的熒光轉(zhuǎn)換層中所添加的在460_510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的鎢酸鹽化合物為Na5Y (MoO4)4: Sm3+，其在460_490nm之間的強(qiáng)吸收峰可有效的吸收紫光芯片及綠色熒光粉之間的重疊光，相比傳統(tǒng)的采用單獨(dú)的G/R熒光粉制備的LED發(fā)光器件，本實(shí)施例的LED發(fā)光器件其N(xiāo)TSC可提高I % -5 %，本實(shí)施例的LED NTSC最高可達(dá)95 %以上；圖4所示為本實(shí)施例提供的LED發(fā)光器件的激發(fā)光譜圖。
[0038]本發(fā)明提供的廣色域LED發(fā)光器件可以應(yīng)用于LED背光組件中，例如直下式或側(cè)入式的背光組件。下面通過(guò)實(shí)施例3、4做進(jìn)一步介紹。
[0039]實(shí)施例3
[0040]本實(shí)施例提供一種廣色域LED直下式背光組件200，該背光組件200其結(jié)構(gòu)采用現(xiàn)有的LED直下式背光組件結(jié)構(gòu)即可，其和現(xiàn)有的LED直下式背光組件的主要不同在于該背光組件其LED發(fā)光器件采用的是實(shí)施例1或?qū)嵤├?提供的廣色域LED發(fā)光器件100。圖5示出的為一種采用了實(shí)施例1的廣色域LED發(fā)光器件100的LED直下式背光組件200。圖5所示的背光組件200其具有PCB板202、光學(xué)透鏡201、擴(kuò)散板204、棱鏡片205、擴(kuò)散片206、背板203。LED發(fā)光器件100設(shè)于PCB板202上，光學(xué)透鏡201設(shè)于LED發(fā)光器件100頂部，設(shè)有LED發(fā)光器件100的PCB板202固設(shè)于背板203底部，擴(kuò)散板204設(shè)于背板203頂部，棱鏡片205設(shè)于擴(kuò)散板204上表面,擴(kuò)散片206設(shè)于棱鏡片205上表面。本實(shí)施例的背光組件200其N(xiāo)TSC最高可達(dá)95%以上。
[0041]實(shí)施例4
[0042]本實(shí)施例提供一種廣色域LED側(cè)入式背光組件300，該背光組件300其結(jié)構(gòu)采用現(xiàn)有的LED側(cè)入式背光組件結(jié)構(gòu)即可，其和現(xiàn)有的側(cè)入式背光組件的主要不同在于該背光組件其LED發(fā)光器件采用的是實(shí)施例1或?qū)嵤├?提供的廣色域LED發(fā)光器件100。圖6示出的為一種采用了實(shí)施例1的廣色域LED發(fā)光器件100的LED側(cè)入式背光組件300。圖6所示的背光組件300其具有導(dǎo)光板303、反光片302、增亮膜304、擴(kuò)散膜305。LED發(fā)光器件100和PCB板301連接并設(shè)于導(dǎo)光板303 —側(cè)，反光片302和增亮膜304分別設(shè)于導(dǎo)光板303的下表面和上表面，擴(kuò)散膜305設(shè)于增亮膜304上表面。本實(shí)施例的背光組件300其N(xiāo)TSC最高可達(dá)95%以上。
[0043]本發(fā)明實(shí)施例1、2制得的LED發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)示意圖均可參見(jiàn)圖2，圖2所示的LED發(fā)光器件100，其具有一個(gè)LED支架101，該支架頂部向內(nèi)凹陷形成一個(gè)杯碗104，LED芯片102設(shè)在杯碗104底部，熒光轉(zhuǎn)換層103填充在杯碗104內(nèi)并覆蓋在LED芯片102出光面的表面。當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用中，還存在不含有LED支架的LED發(fā)光器件，此時(shí)本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要而制備具有本發(fā)明特點(diǎn)的不含有LED支架的LED發(fā)光器件，只要在其LED芯片出光面的表面包覆有具有本發(fā)明特點(diǎn)的熒光轉(zhuǎn)換層即可。
[0044]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明做任何形式上的限制，故凡未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種廣色域LED發(fā)光器件，包括至少一個(gè)LED芯片，其特征在于，所述LED芯片為藍(lán)光或紫光LED芯片，在LED芯片的出光面的表面包覆有熒光轉(zhuǎn)換層，所述熒光轉(zhuǎn)換層由熒光轉(zhuǎn)換材料和熱固性膠體混合而成，所述熒光轉(zhuǎn)換材料包括綠色熒光轉(zhuǎn)換材料、紅色熒光轉(zhuǎn)換材料及在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣色域LED發(fā)光器件，其特征在于，所述在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料在所述熒光轉(zhuǎn)換層中的重量百分比為0.5%?10%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣色域LED發(fā)光器件，其特征在于，所述在460-510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料具有如下性質(zhì):峰值波長(zhǎng)在460-510nm之間，半峰寬小于40nm，14L.πιοΓ1.cnTk吸收系數(shù)ε <106L.moF1.cnT1,且在550nm-610nm區(qū)域無(wú)發(fā)射或發(fā)射光較弱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的廣色域LED發(fā)光器件，其特征在于，所述在460-51nm波段范圍有強(qiáng)吸收的熒光轉(zhuǎn)換材料選自在460_510nm波段范圍有強(qiáng)吸收的摻雜Pr3+的β -賽隆、鎢酸鹽、有機(jī)化合物中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的廣色域LED發(fā)光器件，其特征在于，所述綠色熒光轉(zhuǎn)換材料其峰值波長(zhǎng)在510nm_545nm之間，半峰寬在70nm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的廣色域LED發(fā)光器件，其特征在于，所述綠色熒光轉(zhuǎn)換材料選自摻雜Eu2+的β-賽隆、硅酸鹽、量子點(diǎn)中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的廣色域LED發(fā)光器件，其特征在于，所述紅色熒光轉(zhuǎn)換材料其峰值波長(zhǎng)在620nm-670nm之間，半峰寬在10nm以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的廣色域LED發(fā)光器件，其特征在于，所述紅色熒光轉(zhuǎn)換材料選自氮化物、硅酸鹽、量子點(diǎn)、K/Na2SiF6: Mn4+、K/Na2TiF6: Mn4+中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的廣色域LED發(fā)光器件，其特征在于，所述熱固性膠體選自硅膠、硅樹(shù)脂或環(huán)氧樹(shù)脂中的一種或多種。
10.一種廣色域LED背光組件，其包括有LED發(fā)光器件，其特征在于，所述LED發(fā)光器件為權(quán)利要求1?9任一項(xiàng)所述的廣色域LED發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】H01L33/56GK104241507SQ201410480126
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月18日
【發(fā)明者】姚述光, 萬(wàn)垂銘, 劉如熹, 曾照明, 姜志榮, 肖國(guó)偉, 區(qū)偉能 申請(qǐng)人:晶科電子（廣州）有限公司