技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于偶極層的高壓AlGaN/GaN?MISHEMT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，從下往上依次包括襯底、GaN緩沖層、AlN隔離層、GaN溝道層、AlGaN本征層、AlGaN摻雜層，所述AlGaN摻雜層上設(shè)有源極、鈍化層1、有機(jī)絕緣層PTFE、鈍化層2和漏極，所述有機(jī)絕緣層PTFE和漏極間設(shè)有鈍化層2，所述有機(jī)絕緣層PTFE上設(shè)有ITO柵電極，所述ITO柵電極與所述源極間設(shè)有鈍化層1，所述ITO柵電極向源極方向延伸填充鈍化層1與有機(jī)絕緣層PTFE間的區(qū)域。本發(fā)明采用PTFE和ITO產(chǎn)生偶極子層減小了柵漏局部區(qū)域的2DEG，提高了擊穿電壓；并利用ITO柵場板，再次提高了器件的擊穿電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：馮倩;董良;代波;杜鍇;鄭雪峰;杜鳴;張春福;馬曉華;郝躍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號碼：201410311885
技術(shù)研發(fā)日：2014.07.02
技術(shù)公布日：2016.11.16