技術(shù)特征：
1.一種基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，從下往上依次包括襯底、GaN緩沖層、AlN隔離層、GaN溝道層、AlGaN本征層、AlGaN摻雜層，所述AlGaN摻雜層上設(shè)有源極、鈍化層1、有機(jī)絕緣層PTFE、鈍化層2和漏極，所述有機(jī)絕緣層PTFE和漏極之間設(shè)有鈍化層2，所述有機(jī)絕緣層PTFE上設(shè)有ITO柵電極，所述ITO柵電極與所述源極之間設(shè)有鈍化層1，所述ITO柵電極向源極方向延伸填充鈍化層1與有機(jī)絕緣層PTFE間的區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底材料為藍(lán)寶石、碳化硅、GaN或MgO。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述AlGaN摻雜層中Al的組分含量在0～1之間，Ga的組分含量與Al的組分含量之和為1。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)絕緣層PTFE層的厚度為200-300nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)，所述鈍化層1和2中包括Si3N4、Al2O3、HfO2和HfSiO中的一種或多種。6.一種基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：(1)對外延生長的AlGaN/GaN材料進(jìn)行有機(jī)清洗，用流動的去離子水清洗并放入HCl:H2O＝1:1的溶液中進(jìn)行腐蝕30～60s，最后用流動的去離子水清洗并用高純氮?dú)獯蹈桑?2)對清洗干凈的AlGaN/GaN材料進(jìn)行光刻和干法刻蝕，形成有源區(qū)臺面；(3)對制備好臺面的AlGaN/GaN材料進(jìn)行光刻，形成源漏區(qū)， 放入電子束蒸發(fā)臺中淀積歐姆接觸金屬Ti/Al/Ni/Au＝20/120/45/50nm，并進(jìn)行剝離,最后在氮?dú)猸h(huán)境中進(jìn)行850℃35s的快速熱退火，形成歐姆接觸；(4)對完成合金的器件進(jìn)行光刻，形成有機(jī)絕緣介質(zhì)PTFE淀積區(qū)域，然后放入氧等離子處理室中對AlGaN表面進(jìn)行輕度氧化處理，然后放入電子束蒸發(fā)臺中：反應(yīng)室真空抽至4.0×10-3帕，緩慢加電壓使控制PTFE蒸發(fā)速率為0.1nm/s,淀積200～300nm厚的PTFE薄膜；(5)將淀積好PTFE介質(zhì)的器件放入丙酮溶液中浸泡30～60min，進(jìn)行超聲剝離；(6)對完成蒸發(fā)淀積的器件進(jìn)行光刻，形成柵極刻蝕區(qū)域，放入ICP干法刻蝕反應(yīng)室中，去除刻蝕殘留物；(7)對完成清洗的器件進(jìn)行光刻，形成柵區(qū)域以及柵場板區(qū)域；(8)完成光刻的器件放入電子束蒸發(fā)臺中淀積200nm厚的ITO柵和柵場板，將淀積好柵電極和柵場板的器件放入丙酮溶液中浸泡30～60min，進(jìn)行超聲剝離，形成槽柵電極以及柵場板結(jié)構(gòu)；(9)將完成柵電極制備的器件放入PECVD反應(yīng)室淀積SiN鈍化膜；(10)將器件再次進(jìn)行清洗、光刻顯影，形成SiN薄膜的刻蝕區(qū)，并放入ICP干法刻蝕反應(yīng)室中，將源極、漏極上面覆蓋的SiN薄膜刻蝕掉；(11)將器件進(jìn)行清洗、光刻顯影，放入電子束蒸發(fā)臺中淀積Ti/Au＝20/200nm的加厚電極并進(jìn)行剝離，完成整體器件的制備。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟(6)中ICP干法刻蝕反應(yīng)室中的工藝條件為：上電極功率為200W，下電極功率為20W，反 應(yīng)室壓力為1.5Pa，Cl2的流量為10sccm,N2的流量為10sccm，將AlGaN摻雜層刻蝕掉5～10nm，然后將器件放入HCl:H2O＝1:1溶液中處理30s。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟(9)中PECVD反應(yīng)室中的工藝條件為：SiH4的流量為40sccm，NH3的流量為10sccm，反應(yīng)室壓力為1～2Pa,射頻功率為40W，淀積200nm～300nm厚的SiN鈍化膜。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于偶極層的高壓AlGaN/GaNMISHEMT器件結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟(10)中ICP干法刻蝕反應(yīng)室中的工藝條件為：上電極功率為200W，下電極功率為20W，反應(yīng)室壓力為1.5Pa，CF4的流量為20sccm,Ar氣的流量為10sccm，刻蝕時間為10min。