一種集成反向pin管的mos場(chǎng)控晶閘管及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，具體說(shuō)的是涉及一種通過(guò)消除反向過(guò)沖電壓來(lái)提升器件可靠性的MOS場(chǎng)控晶閘管。本發(fā)明的MOS場(chǎng)控晶閘管，在P型基區(qū)(5)上層設(shè)置有P型源區(qū)(1)，P型源區(qū)(1)與N型基區(qū)(4)連接并位于N型基區(qū)(4)遠(yuǎn)離柵極(11)的一側(cè)；N型襯底(6)下層設(shè)置有N型陽(yáng)極區(qū)(8)，N型陽(yáng)極區(qū)(8)與P型陽(yáng)極區(qū)(7)連接并與P型源區(qū)(1)位于同一側(cè)；其中，P型源區(qū)(1)與N型陽(yáng)極區(qū)(8)及其之間的P型基區(qū)(5)和N型襯底(6)構(gòu)成反向PIN管。本發(fā)明的有益效果為，提供了具有更大反向電流能力的MCT器件，解決了常規(guī)MCT在脈沖放電過(guò)程中會(huì)遇到大的反向過(guò)沖電壓?jiǎn)栴}。本發(fā)明尤其適用于MOS場(chǎng)控晶閘管。
【專(zhuān)利說(shuō)明】—種集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，具體的說(shuō)是涉及一種單片集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管及制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在脈沖功率系統(tǒng)中，脈沖功率開(kāi)關(guān)是極為關(guān)鍵的一個(gè)環(huán)節(jié)。在一個(gè)脈沖功率系統(tǒng)中，通常是開(kāi)關(guān)的性能限制了系統(tǒng)的性能，諸如峰值功率或重復(fù)頻率等。而半導(dǎo)體功率器件有著損耗低、重復(fù)頻率高、體積小、成本低等優(yōu)點(diǎn)。而這些都是閘流管、引燃管、火花隙開(kāi)關(guān)等傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)所不具備的。所以，近年來(lái)半導(dǎo)體功率器件作為脈沖功率開(kāi)關(guān)得到了深入的研究和廣泛的應(yīng)用。其中，MOS場(chǎng)控晶閘管(MOS Controlled Thyristor，簡(jiǎn)稱(chēng):MCT)，這種半導(dǎo)體功率器件在脈沖功率應(yīng)用中受到廣泛關(guān)注。由于MCT在陰極附近和陽(yáng)極附近都有電導(dǎo)調(diào)制作用，使其在高壓大功率領(lǐng)域具有更小的正向壓降。更為重要的是，MCT是通過(guò)控制晶閘管來(lái)進(jìn)行工作，沒(méi)有電流飽和特性，具有更大的峰值電流和更大的電流上升速率?；谶@些優(yōu)點(diǎn)，MCT在脈沖功率應(yīng)用中占有難以替代的位置。
[0003]而功率半導(dǎo)體器件的可靠性一直是衡量器件好壞的其中一個(gè)重要指標(biāo)。在脈沖功率系統(tǒng)中，開(kāi)關(guān)器件要經(jīng)歷大的電流脈沖震蕩過(guò)程。常規(guī)MCT由于有P型的陽(yáng)極區(qū)和N型的陰極區(qū)，主要由P型陽(yáng)極區(qū)7和N型襯底6承受反向耐壓，沒(méi)有反向?qū)ㄍǖ馈Ｔ诖箅娏鞯拿}沖震蕩過(guò)程中，常規(guī)MCT的反向電流過(guò)程是完全依靠對(duì)襯底的載流子進(jìn)行抽取完成的。而在實(shí)際制造中，背面工藝水平常常限制了陽(yáng)極摻雜濃度，影響了電導(dǎo)調(diào)制。襯底的載流子濃度限制了其反向電流能力，使得反向的高電壓不能快速地泄放。這就導(dǎo)致了一個(gè)很高的反向過(guò)沖電壓的產(chǎn)生。這個(gè)反向過(guò)沖電壓很可能使器件擊穿，甚至燒毀，極大地影響了器件的可靠性。更為嚴(yán)重的是，如果陽(yáng)極激活率嚴(yán)重不足，會(huì)導(dǎo)致在反向電流過(guò)程中襯底的載流子抽取完時(shí)都沒(méi)有完成反向電流過(guò)程。這會(huì)導(dǎo)致器件一直處于一個(gè)反向偏壓的狀態(tài)，而這個(gè)電壓只能依靠漏電流緩慢下降。這樣一個(gè)電壓長(zhǎng)時(shí)間鉗制的過(guò)程，既影響了器件正常工作，又使器件可靠性得不到保證。
[0004]MCT存在的另一個(gè)問(wèn)題是，MCT由于其是常開(kāi)器件，需要在柵極施加負(fù)電壓才能使之承受高耐壓。這增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性，也給系統(tǒng)安全帶來(lái)了隱患。本發(fā)明就是基于以上兩點(diǎn)不足，在常規(guī)MCT上進(jìn)行改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的，就是在常規(guī)MCT結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，提出一種具有消除負(fù)向過(guò)沖電壓功能的MCT，以解決常規(guī)MCT在脈沖放電過(guò)程中遇到的高的反向過(guò)沖電壓?jiǎn)栴}，提高其可靠性，并且使其具有常關(guān)功能。
[0006]本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管，包括N型襯底6、設(shè)置在N型襯底6上層的P型基區(qū)5和N型襯底6下層的P型陽(yáng)極區(qū)7 ;所述P型基區(qū)5上層設(shè)置有N型基區(qū)4 ;所述N型基區(qū)4上層設(shè)置有相互獨(dú)立的P型陰極區(qū)3和N型源區(qū)2，其中P型陰極區(qū)3位于靠近器件柵極一側(cè)；在N型襯底6的上表面、N型襯底6與N型基區(qū)4之間的P型基區(qū)5上表面、P型基區(qū)5與P型陰極區(qū)3之間的N型基區(qū)4上表面設(shè)置有柵氧化層10 ;柵氧化層10的上表面設(shè)置有柵極11 ;其特征在于，P型基區(qū)5上層設(shè)置有P型源區(qū)1，P型源區(qū)I與N型基區(qū)4連接并位于N型基區(qū)4遠(yuǎn)離柵極11的一側(cè)；N型襯底6下層設(shè)置有N型陽(yáng)極區(qū)8，N型陽(yáng)極區(qū)8與P型陽(yáng)極區(qū)7連接并與P型源區(qū)I位于同一側(cè)；其中，P型源區(qū)I與N型陽(yáng)極區(qū)8及其之間的P型基區(qū)5和N型襯底6構(gòu)成反向PIN管；N型陽(yáng)極區(qū)8與P型陽(yáng)極區(qū)7下表面設(shè)置有陽(yáng)極金屬12 ；P型源區(qū)I和N型源區(qū)2上表面設(shè)置有陰極金屬9 ;其中，所述N型基區(qū)4寬度為20?100 μ m,所述P型源區(qū)寬度I為I?5 μ m，摻雜濃度為IXlO18?lX1019cm_2，所述P型基區(qū)5的摻雜濃度為IXlO13?8X1013cm_2，所述N型陽(yáng)極區(qū)8寬度為10?50 μ m。
[0007]本發(fā)明總的技術(shù)方案，通過(guò)P型源區(qū)1、P型基區(qū)5、N型襯底66和N型陽(yáng)極區(qū)8組成了器件內(nèi)部的一個(gè)反向的PIN晶體管，為器件提供了大的反向?qū)芰?，發(fā)射極寬度是常規(guī)MCT的幾倍到十幾倍。
[0008]具體的，所述的N型源區(qū)寬度為42 μ m，所述P型基區(qū)的摻雜濃度為
5.32 X IO1W20
[0009]一種集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟:
[0010]第一步:制備N(xiāo)型襯底6;
[0011]第二步:采用離子注入和高溫?cái)U(kuò)散推結(jié)工藝，在N型襯底6上層形成P型基區(qū)5 ；
[0012]第三步:在N型襯底6和部分P型基區(qū)5的上表面生長(zhǎng)二氧化硅，形成柵氧化層10，在柵氧化層10上表面淀積N型導(dǎo)電多晶硅形成柵極11 ；
[0013]第四步:采用離子注入和高溫?cái)U(kuò)散推結(jié)工藝，在P型基區(qū)5上層形成N型基區(qū)4 ；所述N型基區(qū)4的寬度為20?IOOum ；
[0014]第五步:采用離子注入工藝，在P型基區(qū)5上層形成P型源區(qū)I ;所述P型源區(qū)I與N型基區(qū)4連接并位于N型基區(qū)4遠(yuǎn)離柵極11的一側(cè)；
[0015]第六步:采用離子注入工藝，在N型基區(qū)4上層分別形成相互獨(dú)立的P型陰極區(qū)3和N型源區(qū)2，其中P型陰極區(qū)3位于靠近柵極11的一側(cè)；
[0016]第七步:在P型源區(qū)1、N型源區(qū)2和P型陰極區(qū)3上表面淀積金屬層，形成陰極金屬9 ；
[0017]第八步:采用離子注入工藝，在N型襯底6下層分別形成P型陽(yáng)極區(qū)7和N型陽(yáng)極區(qū)8，其中，N型陽(yáng)極區(qū)8與P型陽(yáng)極區(qū)7連接并與P型源區(qū)I位于同一側(cè)；
[0018]第九步:在N型陽(yáng)極區(qū)8與P型陽(yáng)極區(qū)7下表面淀積金屬層，形成陽(yáng)極金屬12。
[0019]本發(fā)明的有益效果為，提供了一種單片集成反向PIN管的MCT器件，解決了常規(guī)MCT在脈沖放電過(guò)程中遇到過(guò)高的反向過(guò)沖電壓?jiǎn)栴}，提高了器件可靠性。同時(shí)本發(fā)明具有常規(guī)MCT所不具有常關(guān)功能，降低了系統(tǒng)的安全隱患。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是本發(fā)明的MOS場(chǎng)控晶閘管的縱向剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2是本發(fā)明的MOS場(chǎng)控晶閘管的等效電路圖；
[0022]圖3是常規(guī)的MOS場(chǎng)控晶閘管的縱向剖面結(jié)構(gòu)示意圖；[0023]圖4是常規(guī)的MOS場(chǎng)控晶閘管的等效電路圖；
[0024]圖5是常規(guī)MCT與本發(fā)明MCT阻斷特性曲線示意圖；
[0025]圖6是常規(guī)MCT與本發(fā)明MCT導(dǎo)通特性曲線示意圖；
[0026]圖7是對(duì)常規(guī)MCT與本發(fā)明MCT進(jìn)行脈沖放電測(cè)試的測(cè)試電路圖；
[0027]圖8是常規(guī)MCT與本發(fā)明MCT脈沖放電電流特性曲線示意圖；
[0028]圖9是常規(guī)MCT與本發(fā)明MCT脈沖放電電壓特性曲線示意圖；
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，詳細(xì)描述本發(fā)明的技術(shù)方案:
[0030]如圖1所示，本發(fā)明提供的單片集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管，其特征是在常規(guī)MCT制作工藝上通過(guò)對(duì)其陰極結(jié)構(gòu)和陽(yáng)極結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，在內(nèi)部集成了一個(gè)反向的PIN晶體管。其陰極結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)寬于常規(guī)MCT，采用更大尺寸的N型源區(qū)2，寬度在20μπι到IOOym之間；并且設(shè)置一個(gè)P型源區(qū)I和N型陰極區(qū)，使P型源區(qū)1、Ρ型基區(qū)5、Ν型襯底6和N型陽(yáng)極區(qū)8組成一個(gè)器件內(nèi)部的反向PIN管。
[0031]本發(fā)明提供的MCT，其結(jié)構(gòu)可與現(xiàn)有各種半導(dǎo)體功率器件的襯底結(jié)構(gòu)相結(jié)合，組合出具有本發(fā)明所述的單片集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管。
[0032]本發(fā)明提供的MCT，其工作原理如下:
[0033]如圖2所示，為本發(fā)明的MOS場(chǎng)控晶閘管的等效電路圖，在所述的單片集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管的陽(yáng)極加正電壓，陰極加零電壓，柵極加零電壓。此時(shí)，P型基區(qū)5中的空穴迅速被PIN晶體管的P+區(qū)域抽走，N型襯底6中的電子通過(guò)PIN晶體管的N+區(qū)域被陽(yáng)極抽走。器件處于正向耐壓狀態(tài)。正向耐壓只取決于襯底長(zhǎng)度和襯底摻雜濃度。
[0034]將所述的MCT的柵極的零電壓變化為正電壓，則柵極下方與柵極相接觸的P型基區(qū)5中產(chǎn)生一個(gè)η型溝道，連通了 N型源區(qū)2和N型襯底6。此時(shí)，陰極開(kāi)始向襯底中注入電子，襯底中的電子又通過(guò)N型陽(yáng)極區(qū)被陽(yáng)極抽走，器件中形成了電子電流，此時(shí)的工作模式類(lèi)似于VDMOS晶體管。然后，當(dāng)注入襯底的電子增多時(shí)，電子電流相應(yīng)增大。增大的電子電流使其在陽(yáng)極區(qū)附近產(chǎn)生的橫向壓降隨之增大。該橫向壓降增大到一定程度時(shí)，使集電結(jié)從距陽(yáng)極短路的遠(yuǎn)端到近端逐漸開(kāi)啟，P型陽(yáng)極區(qū)開(kāi)始向襯底注入空穴電流。該空穴電流逐漸增大，一段時(shí)間后遠(yuǎn)大于N型陽(yáng)極區(qū)抽走的電子電流。此時(shí)，器件的工作模式類(lèi)似于一個(gè)常規(guī)的IGBT?？昭娏鳈M向流過(guò)P型基區(qū)5，并通過(guò)P型源區(qū)3被陰極抽走。該空穴電流在P型基區(qū)5中產(chǎn)生了橫向壓降。當(dāng)電流增大，使其產(chǎn)生的橫向壓降也隨之增大。當(dāng)橫向壓降高于由P型基區(qū)5和N型源區(qū)2成的PN結(jié)的勢(shì)壘電壓時(shí)，該P(yáng)N結(jié)開(kāi)啟。此時(shí)，器件內(nèi)部NPNP晶閘管開(kāi)啟，器件進(jìn)入MCT模式下的正向?qū)顟B(tài)。
[0035]在脈沖放電過(guò)程中，本發(fā)明MCT由于具有一個(gè)反向的PIN晶體管，反向放電時(shí)電流不完全依賴(lài)抽取襯底中的載流子，而可以通過(guò)反向PIN晶體管泄放器件反向高壓。這樣就顯著增大了器件的反向電流能力，很好地降低了反向過(guò)沖電壓。
[0036]另一方面，由于本發(fā)明MCT可看作是依靠反向PIN晶體管耐壓的，在耐壓狀態(tài)下，P型基區(qū)中的空穴和N型襯底6中的電子分別被陰極和陽(yáng)極所抽走。所以其柵上加OV電壓也可承受高耐壓。而常規(guī)MCT需要給柵極加上一個(gè)負(fù)電壓，才能形成P型溝道使P型基區(qū)中的空穴被抽走，從而承受耐壓。[0037]實(shí)施例:
[0038]以耐壓為1400V的常規(guī)結(jié)構(gòu)MCT和本發(fā)明提供的MCT為例進(jìn)行仿真比較，直觀地展示出本發(fā)明已很好地解決常規(guī)MCT在脈沖放電過(guò)程中遇到的反向過(guò)沖電壓較高的問(wèn)題。用作對(duì)照的常規(guī)MCT的結(jié)構(gòu)如圖3所示，其等效電路圖如圖4所示。進(jìn)行脈沖放電性能測(cè)試的測(cè)試電路如圖7所示，電源電壓為1000V，電容C為0.2 μ F，電感L為5ηΗ，柵電阻Rg為
4.7 Ω。常規(guī)MCT和本發(fā)明提供的MCT的陽(yáng)極區(qū)濃度均為I X 1018cm_2。在脈沖放電進(jìn)行到反向電流過(guò)程的時(shí)候，常規(guī)MCT由于完全通過(guò)內(nèi)部載流子輸運(yùn)電流，如圖8所示，其中，線條中帶有空心正方形的為常規(guī)MCT，線條中帶有空心圓形的為本發(fā)明的MCT，可得出常規(guī)的MCT器件其反向電流能力較弱，而本發(fā)明MCT由于有逆向?qū)ㄍǖ?，脈沖放電過(guò)程可以正常進(jìn)行。如圖9所示，常規(guī)結(jié)構(gòu)的MCT有200V左右的反向過(guò)沖電壓，而本發(fā)明的MCT反向過(guò)沖電壓幾乎為零。
[0039]同樣以耐壓為1400V的常規(guī)結(jié)構(gòu)MCT和本發(fā)明提供的MCT為例進(jìn)行仿真比較，展示出本發(fā)明具有常規(guī)MCT所不具有的常關(guān)功能。如圖5所示，在柵壓等于OV時(shí)，本發(fā)明MCT具有1600V的耐壓。而常規(guī)MCT在柵壓等于OV時(shí)，耐壓只有0.7V。另一方面，在襯底摻雜濃度和長(zhǎng)度均一樣的情況下，常規(guī)MCT柵壓達(dá)到-1OV時(shí)耐壓也只有1400V，比本發(fā)明MCT可承受的耐壓低。這是由于本發(fā)明MCT有陽(yáng)極短路結(jié)構(gòu)，增加了器件的耐壓能力。同時(shí)，如圖6所示，本發(fā)明由于開(kāi)啟過(guò)程不同，有約為2.5V的轉(zhuǎn)折電壓，此后器件正向能力與常規(guī)MCT基本相當(dāng)。
[0040]以圖1所示的器件結(jié)構(gòu)為例，其制造方法包括以下步驟:
[0041]第一步:制備N(xiāo)型襯底6;
[0042]第二步:采用離子注入和高溫?cái)U(kuò)散推結(jié)工藝，在N型襯底6上層形成P型基區(qū)5 ；
[0043]第三步:在N型襯底6和部分P型基區(qū)5的上表面生長(zhǎng)二氧化硅，形成柵氧化層10，在柵氧化層10上表面淀積N型導(dǎo)電多晶硅形成柵極11 ；
[0044]第四步:采用離子注入和高溫?cái)U(kuò)散推結(jié)工藝，在P型基區(qū)5上層形成N型基區(qū)4 ；所述N型基區(qū)4的寬度為20?IOOum ；
[0045]第五步:采用離子注入工藝，在P型基區(qū)5上層形成P型源區(qū)I ;所述P型源區(qū)I與N型基區(qū)4連接并位于N型基區(qū)4遠(yuǎn)離柵極11的一側(cè)；
[0046]第六步:采用離子注入工藝，在N型基區(qū)4上層分別形成相互獨(dú)立的P型陰極區(qū)3和N型源區(qū)2，其中P型陰極區(qū)3位于靠近柵極11的一側(cè)；
[0047]第七步:在P型源區(qū)1、N型源區(qū)2和P型陰極區(qū)3上表面淀積金屬層，形成陰極金屬9 ；
[0048]第八步:采用離子注入工藝，在N型襯底6下層分別形成P型陽(yáng)極區(qū)7和N型陽(yáng)極區(qū)8，其中，N型陽(yáng)極區(qū)8與P型陽(yáng)極區(qū)7連接并與P型源區(qū)I位于同一側(cè)；
[0049]第九步:在N型陽(yáng)極區(qū)8與P型陽(yáng)極區(qū)7下表面淀積金屬層，形成陽(yáng)極金屬12。
【權(quán)利要求】
1.一種集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管，包括N型襯底(6)、設(shè)置在N型襯底(6)上層的P型基區(qū)(5)和N型襯底(6)下層的P型陽(yáng)極區(qū)(7);所述P型基區(qū)(5)上層設(shè)置有N型基區(qū)(4);所述N型基區(qū)(4)上層設(shè)置有相互獨(dú)立的P型陰極區(qū)(3)和N型源區(qū)(2)，其中P型陰極區(qū)(3)位于靠近器件柵極一側(cè)；在N型襯底(6)的上表面、N型襯底(6)與N型基區(qū)⑷之間的P型基區(qū)(5)上表面、P型基區(qū)(5)與P型陰極區(qū)(3)之間的N型基區(qū)(4)上表面設(shè)置有柵氧化層(10);柵氧化層(10)的上表面設(shè)置有柵極(11);其特征在于，P型基區(qū)(5)上層設(shè)置有P型源區(qū)(I)，P型源區(qū)⑴與N型基區(qū)(4)連接并位于N型基區(qū)(4)遠(yuǎn)離柵極(11)的一側(cè)；N型襯底(6)下層設(shè)置有N型陽(yáng)極區(qū)(8)，N型陽(yáng)極區(qū)⑶與P型陽(yáng)極區(qū)(7)連接并與P型源區(qū)⑴位于同一側(cè)；其中，P型源區(qū)⑴與N型陽(yáng)極區(qū)⑶及其之間的P型基區(qū)(5)和N型襯底(6)構(gòu)成反向PIN管；N型陽(yáng)極區(qū)⑶與P型陽(yáng)極區(qū)(7)下表面設(shè)置有陽(yáng)極金屬(12) ;P型源區(qū)(I)和N型源區(qū)(2)上表面設(shè)置有陰極金屬(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成反向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管，其特征在于，所述N型基區(qū)⑷的寬度為42um。
3.一種集成反 向PIN管的MOS場(chǎng)控晶閘管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 第一步:制備N(xiāo)型襯底(6)； 第二步:采用離子注入和高溫?cái)U(kuò)散推結(jié)工藝，在N型襯底(6)上層形成P型基區(qū)(5)； 第三步:在N型襯底(6)和部分P型基區(qū)(5)的上表面生長(zhǎng)二氧化硅，形成柵氧化層(10)，在柵氧化層(10)上表面淀積N型導(dǎo)電多晶硅形成柵極(11)； 第四步:采用離子注入和高溫?cái)U(kuò)散推結(jié)工藝，在P型基區(qū)(5)上層形成N型基區(qū)(4)；所述N型基區(qū)(4)的寬度為20~IOOum ； 第五步:采用離子注入工藝，在P型基區(qū)(5)上層形成P型源區(qū)(I);所述P型源區(qū)(I)與N型基區(qū)(4)連接并位于N型基區(qū)(4)遠(yuǎn)離柵極(11)的一側(cè)； 第六步:采用離子注入工藝，在N型基區(qū)(4)上層分別形成相互獨(dú)立的P型陰極區(qū)(3)和N型源區(qū)(2)，其中P型陰極區(qū)(3)位于靠近柵極(11)的一側(cè)； 第七步:在P型源區(qū)(1)、N型源區(qū)(2)和P型陰極區(qū)(3)上表面淀積金屬層，形成陰極金屬(9)； 第八步:采用離子注入工藝，在N型襯底(6)下層分別形成P型陽(yáng)極區(qū)(7)和N型陽(yáng)極區(qū)(8)，其中，N型陽(yáng)極區(qū)⑶與P型陽(yáng)極區(qū)(7)連接并與P型源區(qū)⑴位于同一側(cè)； 第九步:在N型陽(yáng)極區(qū)(8)與P型陽(yáng)極區(qū)(7)下表面淀積金屬層，形成陽(yáng)極金屬(12)。
【文檔編號(hào)】H01L29/745GK104022149SQ201410275726
【公開(kāi)日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月19日
【發(fā)明者】陳萬(wàn)軍, 楊騁, 肖琨, 孫瑞澤, 張波 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)