GaN基發(fā)光二極管的外延片及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種GaN基發(fā)光二極管的外延片及其制作方法，屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。所述外延片包括：襯底、生長(zhǎng)在襯底上的緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層、復(fù)合層和P型氮化鎵層，復(fù)合層包括多個(gè)周期，每個(gè)周期中的復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，從多量子阱層一側(cè)開始，插入層和電子阻擋層依次層疊布置，插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層。本發(fā)明通過Al元素?fù)诫s的ZnO插入層成為載流子的蓄積層，蓄積后的載流子迅速在二維平面內(nèi)鋪展，增強(qiáng)抗靜電擊穿能力，電子阻擋層可以有效地阻擋電子溢流，且ZnO與多量子阱層中的采用GaN層的量子壘層的晶格失配比較小，可有效避免晶格失配缺陷，有利于提高載流子的注入效率，進(jìn)而增強(qiáng)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
【專利說明】GaN基發(fā)光二極管的外延片及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種GaN基發(fā)光二極管的外延片及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]GaN(氮化鎵)是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，其優(yōu)異的高熱導(dǎo)率、耐高溫、耐酸堿、高硬度等特性，使其被廣泛地應(yīng)用于制作藍(lán)、綠、紫外發(fā)光二極管。GaN基發(fā)光二極管通常包括 外延片和設(shè)于外延片上的電極。
[0003]現(xiàn)有的一種GaN基半導(dǎo)體發(fā)光外延片，其包括襯底、以及依次生長(zhǎng)在襯底上的N型層、多量子講層、EBL(Electron Blocking Layer,電子阻擋層)和P型層，其中，多量子講層是InGaN和GaN交替生長(zhǎng)的超晶格結(jié)構(gòu)，其對(duì)載流子起限制作用，當(dāng)正向電流通過時(shí)，N型層中的電子和P型層中的空穴被限制在量子阱層中發(fā)光。EBL層為單層P型AlGaN或p型AlGaN和GaN構(gòu)成的短周期超晶格結(jié)構(gòu)，其通過抑制電子溢流出多量子阱層，提高載流子的注入效率，進(jìn)而提聞發(fā)光二極管的売度。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]在EBL中，隨著Al含量的增加，P型AlGaN或p型AlGaN和GaN構(gòu)成的短周期超晶格結(jié)構(gòu)的性質(zhì)可以發(fā)生原子遷移率降低或者缺陷態(tài)的改變，使得外延片的質(zhì)量變差，晶格失配和極化效應(yīng)增強(qiáng)，進(jìn)而導(dǎo)致EBL有效勢(shì)壘高度降低，電子溢流的可能性增加，從而降低了發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基發(fā)光二極管的外延片及其制作方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底、生長(zhǎng)在所述襯底上的緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，所述多量子阱層為超晶格結(jié)構(gòu)，所述超晶格結(jié)構(gòu)包括交替生長(zhǎng)的量子阱層和量子壘層，所述外延片還包括:生長(zhǎng)在所述多量子阱層和所述P型氮化鎵層之間的復(fù)合層，所述復(fù)合層包括多個(gè)周期，每個(gè)所述周期中的所述復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，從所述多量子阱層一側(cè)開始，所述插入層和所述電子阻擋層依次層疊布置，所述插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層。
[0008]進(jìn)一步地，每層所述插入層中的所述過渡金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物的摩爾摻雜比大于O且小于或等于3.0 %。
[0009]可選地，多層所述插入層中的所述Al元素的含量固定、逐層增加、逐層降低或者相鄰的周期中的兩層所述插入層中的所述Al元素的含量一高一低交替變化。
[0010]可選地，所述插入層還摻雜有過渡金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物中的至少一種，所述過渡金屬元素包括In、Sn、T1、N1、Ta和Ga。
[0011]進(jìn)一步地，每層所述插入層中的所述過渡金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物的摩爾摻雜比為大于等于O且小于或等于2.0%。
[0012]可選地，多層所述插入層中的所述過渡金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物的含量固定、逐層增加、逐層降低或者相鄰的周期中的兩層所述插入層中的所述過渡金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物的含量一高一低交替變化。
[0013]可選地，所述復(fù)合層的周期數(shù)為I?50。
[0014]可選地，所述復(fù)合層的總體厚度為20?200nm，所述復(fù)合層的每個(gè)周期的厚度為I ?20nmo
[0015]進(jìn)一步地，每層所述插入層中的Al元素的摩爾摻雜比大于O且小于或等于3.0%。
[0016]另一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基發(fā)光二極管的外延片的制作方法,用于制備如上述一方面所述的外延片，所述方法包括:
[0017]提供一襯底；
[0018]在所述襯底上生長(zhǎng)緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層；
[0019]在所述多量子阱層上生長(zhǎng)復(fù)合層，所述復(fù)合層包括多個(gè)周期，每個(gè)所述周期中的所述復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，從所述多量子阱層一側(cè)開始，所述插入層和所述電子阻擋層依次層疊布置，所述插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層；
[0020]在所述復(fù)合層上生長(zhǎng)P型氮化鎵層。
[0021]進(jìn)一步地，所述插入層和所述電子阻擋層的生長(zhǎng)溫度為200?1000°C，生長(zhǎng)壓力為50?500托。
[0022]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0023]通過在多量子阱層和P型氮化鎵層之間增加復(fù)合層，該復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層，合理的Al元素?fù)诫s的ZnO可以調(diào)控插入層的帶隙和阻值，低阻的插入層可以成為載流子的蓄積層，使蓄積后的載流子迅速的在二維平面內(nèi)鋪展，增強(qiáng)其抗靜電擊穿能力，與插入層配合使用的電子阻擋層可以有效地阻擋電子溢流，且ZnO與多量子阱層中的采用GaN層的量子壘層的晶格失配比較小，可有效避免晶格失配缺陷，有利于提高載流子的注入效率，進(jìn)而增強(qiáng)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種GaN基發(fā)光二極管的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的GaN基發(fā)光二極管的外延片的制作方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0028]實(shí)施例一
[0029]本發(fā)明實(shí)施例提供了 一種GaN基發(fā)光二極管的外延片的結(jié)構(gòu)示意圖，參見圖1，該外延片包括:該外延片包括襯底1、生長(zhǎng)在襯底I上的緩沖層2、N型氮化鎵層4、多量子阱層5和P型氮化鎵層6，多量子阱層5為超晶格結(jié)構(gòu)，該超晶格結(jié)構(gòu)包括交替生長(zhǎng)的量子阱層51和量子壘層52，該外延片還包括生長(zhǎng)在多量子阱層5和P型氮化鎵層6之間的復(fù)合層7，復(fù)合層7包括多個(gè)周期，每個(gè)周期中的復(fù)合層7包括插入層71和電子阻擋層72，從多量子阱層5 —側(cè)開始，插入層71和電子阻擋層72依次層疊布置，插入層71為Al元素?fù)诫s的氧化鋅(ZnO)層。
[0030]采用Al元素?fù)诫s的ZnO層的插入層帶隙較大，且其帶隙可以通過Al元素的摻雜濃度進(jìn)行調(diào)節(jié)，其生長(zhǎng)溫度區(qū)間和生長(zhǎng)壓力區(qū)間寬泛，制備工藝簡(jiǎn)單粗放，制作成本低。
[0031]其中，電子阻擋層72為AlyGa^N層或者InAlN層，其中，0.l〈y〈0.5。
[0032]優(yōu)選地，復(fù)合層7可以為超晶格結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。當(dāng)復(fù)合層7采用超晶格結(jié)構(gòu)時(shí)，其一個(gè)周期即為超晶格結(jié)構(gòu)的一個(gè)周期，當(dāng)復(fù)合層7采用疊層結(jié)構(gòu)時(shí)，其一個(gè)周期即為一層插入層71和一層電子阻擋層72，這里的疊層結(jié)構(gòu)的每個(gè)周期的復(fù)合層對(duì)應(yīng)的厚度大于超晶格結(jié)構(gòu)的每個(gè)周期的復(fù)合層的對(duì)應(yīng)的厚度。
[0033]在本實(shí)施例中，插入層71還可以摻雜過渡金屬元素和過渡金屬元素的氧化物中的至少一種，過渡金屬元素包括In、Sn、T1、N1、Ta和Ga。隨著電流的注入，摻雜Al元素的ZnO材料的性質(zhì)可能會(huì)發(fā)生原子遷移或者缺陷態(tài)的改變，使插入層的電學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定，而過渡金屬元素和其氧化物的摻入可以提高插入層的穩(wěn)定性，提高了空穴的注入效率，從而進(jìn)一步提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0034]其中，每層 插入層71中的Al元素的摩爾摻雜比大于O且小于或等于3.0%，優(yōu)選的Al元素的摩爾摻雜比大于O且小于或等于1.5%。
[0035]多層插入層71中的Al元素的含量固定、逐層增加、逐層降低或者相鄰的周期中的兩層插入層71中的Al元素的含量一高一低交替變化。
[0036]每層插入層71中的過渡金屬元素和過渡金屬元素氧化物的摩爾摻雜比大于等于O且小于或等于2.0%。
[0037]多層插入層71中的過渡金屬元素和過渡金屬元素的氧化物的含量固定、逐層增加、逐層降低或者相鄰的周期中的兩層插入層71中的過渡金屬元素和過渡金屬元素的氧化物的含量一高一低交替變化。需要說明的是，在相鄰的周期中的兩層插入層71中的過渡金屬元素和過渡金屬元素的氧化物的含量一高一低交替變化的方式中，含量較低的插入層中的過渡金屬元素和過渡金屬元素的氧化物的含量可以為O。
[0038]在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要對(duì)插入層71中的Al元素的含量的變化和過渡金屬元素和過渡金屬元素的氧化物的含量的變化進(jìn)行任意組合。
[0039]在本實(shí)施例中，復(fù)合層7的周期數(shù)可以為I~50。復(fù)合層7的總體厚度可以為20~200nm，復(fù)合層7的每個(gè)周期的厚度可以為I~20nm。實(shí)現(xiàn)時(shí)，復(fù)合層7的周期數(shù)優(yōu)選為I~30，復(fù)合層7的總體厚度優(yōu)選為20~120nm，復(fù)合層7的每個(gè)周期厚度優(yōu)選為I~12nm。
[0040]頭現(xiàn)時(shí)，星子講層為InGaN層，星子魚層為GaN層。
[0041]可選地，襯底I包括但不限于藍(lán)寶石襯底。
[0042]其中，緩沖層2可以包括低溫緩沖層21和高溫緩沖層22?？蛇x地，低溫緩沖層22可以為氮化鎵、氮化鋁或鋁鎵氮等材料。高溫緩沖層22可以為非摻雜的GaN層。[0043]可選地，N型氮化鎵層4的上面可直接生長(zhǎng)多量子阱層5，也可插入其他緩沖層或應(yīng)力釋放層后再生長(zhǎng)多量子阱層5。在本實(shí)施例中，N型氮化鎵層4包括但不限于Si摻雜，該N型GaN層可以為單層也可以為多層。
[0044]可選地，P型氮化鎵層6包括但不限于Mg摻雜。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例通過在多量子阱層和P型氮化鎵層之間增加復(fù)合層，該復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層，合理的Al元素?fù)诫s的ZnO可以調(diào)控插入層的帶隙和阻值，低阻的插入層可以成為載流子的蓄積層，使蓄積后的載流子迅速的在二維平面內(nèi)鋪展，增強(qiáng)其抗靜電擊穿能力，與插入層配合使用的電子阻擋層可以有效地阻擋電子溢流，且ZnO與多量子阱層中的采用GaN層的量子壘層的晶格失配比較小，可有效避免晶格失配缺陷，有利于提高載流子的注入效率，進(jìn)而增強(qiáng)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。另夕卜，過渡金屬元素或其氧化物的摻入可以提高插入層的穩(wěn)定性，提高了空穴的注入效率，從而進(jìn)一步提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0046]實(shí)施例二
[0047]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種GaN基發(fā)光二極管的外延片的制作方法，參見圖2，方法包括:
[0048]步驟201:提供一襯底。
[0049]在本實(shí)施例中，襯底包括但不限于藍(lán)寶石襯底。
[0050]在實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以將襯底在1000?1200°C的H2氣氛下進(jìn)行熱處理8分鐘，清潔其表面，然后在對(duì)襯底進(jìn)行氮化處理。
[0051]步驟202:在襯底上依次生長(zhǎng)緩沖層、N型氮化鎵層。
[0052]其中，緩沖層可以包括低溫緩沖層和高溫緩沖層。
[0053]可選地，低溫緩沖層可以為氮化鎵層，也可以為氮化鋁層或者鋁鎵氮層。具體地，將反應(yīng)腔內(nèi)的溫度下降至400?600°C，在壓力為400?600torr (托)的環(huán)境下，生長(zhǎng)厚度為15?35nm的低溫氮化鎵層，然后再進(jìn)行原位退火處理。其中，原位退火溫度為1000?1200°C，退火時(shí)間為5?10分鐘。
[0054]具體地，生長(zhǎng)非摻雜的氮化鎵層可以是，將溫度升至1000?1100°C，在壓力為100?500Torr的環(huán)境下，在低溫緩沖層上生長(zhǎng)一層厚度為I?5 μ m的非摻雜的GaN層，即
高溫緩沖層。
[0055]可選地，N型氮化鎵層的上面可直接生長(zhǎng)多量子阱層，也可插入其他緩沖層或應(yīng)力釋放層后再生長(zhǎng)多量子阱層。在本實(shí)施例中，N型氮化鎵層包括但不限于Si摻雜，該N型GaN層可以為單層也可以為多層。具體地，將溫度調(diào)節(jié)至1000?1200°C，在壓力為100?500Torr的環(huán)境下，在緩沖層上生長(zhǎng)一層厚度為I?5 μ m的Si摻雜的GaN。其中，摻雜Si的濃度為IO18?IO19Cm 3O
[0056]步驟203:在N型氮化鎵層上生長(zhǎng)多量子阱層，多量子阱層為超晶格結(jié)構(gòu)，該超晶格結(jié)構(gòu)包括交替生長(zhǎng)的量子阱層和量子壘層。
[0057]其中，量子阱層為InGaN層，量子壘層為GaN層。
[0058]多量子阱層的周期數(shù)可以為5?11，每個(gè)周期的InGaN層的厚度為2_3nm，生長(zhǎng)溫度為720?829°C，生長(zhǎng)壓力為100?500Torr，每個(gè)周期的GaN層的厚度為9?20nm，生長(zhǎng)溫度為邪0?％9°C，生長(zhǎng)壓力為100?500Torr。[0059]步驟204:在多量子阱層上生長(zhǎng)復(fù)合層，復(fù)合層包括多個(gè)周期，每個(gè)周期中的復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，從多量子阱層一側(cè)開始，插入層和電子阻擋層依次層疊布置，插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層。
[0060]復(fù)合層的周期數(shù)可以為I?50。復(fù)合層的總體厚度可以為20?200nm，復(fù)合層的每個(gè)周期的厚度可以為I?20nm。實(shí)現(xiàn)時(shí)，復(fù)合層7的周期數(shù)優(yōu)選為I?30，復(fù)合層7的總體厚度優(yōu)選為20?120nm，復(fù)合層7的每個(gè)周期厚度優(yōu)選為I?12nm。
[0061]插入層還可以摻雜過渡金屬元素和過渡金屬元素的氧化物中的一種或多種，摻雜過渡金屬元包括In、Sn、T1、N1、Ta和Ga。電子阻擋層為AlyG&1_yN層，其中，0.l〈y〈0.5。
[0062]具體地，插入層和電子阻擋層的生長(zhǎng)溫度為200?1000°C，生長(zhǎng)壓力為50?500Torr,插入層的總體厚度區(qū)間為I?150nm,電子阻擋層的總體厚度為20?lOOnm。
[0063]可選地，還可以在復(fù)合層上繼續(xù)生長(zhǎng)一個(gè)或者多個(gè)復(fù)合層。由于復(fù)合層的周期數(shù)限制在I?50內(nèi)，根據(jù)實(shí)際需要還可以在復(fù)合層上繼續(xù)生長(zhǎng)一個(gè)或者多個(gè)復(fù)合層，以進(jìn)一步提高電子和空穴的注入效率，進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。容易理解地，當(dāng)采用多個(gè)復(fù)合層時(shí)，各個(gè)復(fù)合層的周期數(shù)可以相同，也可以不同。
[0064]步驟205:在復(fù)合層上生長(zhǎng)P型氮化鎵層。
[0065]P型氮化鎵層包括但不限于Mg摻雜，具體地，將反應(yīng)腔內(nèi)的溫度調(diào)為600?1000°C，在100?300Torr的環(huán)境下，生長(zhǎng)厚度為100?800nm的P型GaN層。
[0066]可選地，還可以將反應(yīng)腔內(nèi)的溫度調(diào)至850?1050°C，在壓力為100?30torr的環(huán)境下，在P型GaN層上生長(zhǎng)厚度為5?300nm的p型接觸層。
[0067]在實(shí)際操作時(shí)，在步驟205之后，該方法還可以包括:將反應(yīng)腔內(nèi)的溫度降低，并在氮?dú)鈿夥罩型嘶鹛幚??15分鐘，其中，退火處理的溫度為650?850°C，靜置至反應(yīng)腔內(nèi)的溫度降至室溫，結(jié)束外延片的生長(zhǎng)。
[0068]本發(fā)明實(shí)施例通過在多量子阱層和P型氮化鎵層之間增加復(fù)合層，該復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層，合理的Al元素?fù)诫s的ZnO可以調(diào)控插入層的帶隙和阻值，低阻的插入層可以成為載流子的蓄積層，使蓄積后的載流子迅速的在二維平面內(nèi)鋪展，增強(qiáng)其抗靜電擊穿能力，與插入層配合使用的電子阻擋層可以有效地阻擋電子溢流，且ZnO與多量子阱層中的采用GaN層的量子壘層的晶格失配比較小，可有效避免晶格失配缺陷，有利于提高載流子的注入效率，進(jìn)而增強(qiáng)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。另夕卜，過渡金屬元素或其氧化物的摻入可以提高插入層的穩(wěn)定性，提高了空穴的注入效率，從而進(jìn)一步提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0069]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種GaN基發(fā)光二極管的外延片，所述外延片包括襯底、生長(zhǎng)在所述襯底上的緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層和P型氮化鎵層，所述多量子阱層為超晶格結(jié)構(gòu)，所述超晶格結(jié)構(gòu)包括交替生長(zhǎng)的量子阱層和量子壘層，其特征在于， 所述外延片還包括:生長(zhǎng)在所述多量子阱層和所述P型氮化鎵層之間的復(fù)合層，所述復(fù)合層包括多個(gè)周期，每個(gè)所述周期中的所述復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，從所述多量子阱層一側(cè)開始，所述插入層和所述電子阻擋層依次層疊布置，所述插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，每層所述插入層中的Al元素的摩爾摻雜比大于O且小于或等于3.0%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延片，其特征在于，多層所述插入層中的所述Al元素的含量固定、逐層增加、逐層降低或者相鄰的周期中的兩層所述插入層中的所述Al元素的含量一高一低交替變化。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述插入層還摻雜有過渡金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物中的至少一種，所述過渡金屬元素包括In、Sn、T1、N1、Ta和Ga。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外延片，其特征在于，每層所述插入層中的所述過渡金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物的摩爾摻雜比為大于等于O且小于或等于2.0%。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的外延片，其特征在于，多層所述插入層中的所述過渡金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物的含量固定、逐層增加、逐層降低或者相鄰的周期中的兩層所述插入層中的所述過渡 金屬元素和所述過渡金屬元素的氧化物的含量一高一低交替變化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述復(fù)合層的周期數(shù)為I~50。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，所述復(fù)合層的總體厚度為20~200nm，所述復(fù)合層的每個(gè)周期的厚度為I~20nm。
9.一種GaN基發(fā)光二極管的外延片的制作方法,用于制備如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的外延片，其特征在于，所述方法包括: 提供一襯底； 在所述襯底上生長(zhǎng)緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層； 在所述多量子阱層上生長(zhǎng)復(fù)合層，所述復(fù)合層包括多個(gè)周期，每個(gè)所述周期中的所述復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，從所述多量子阱層一側(cè)開始，所述插入層和所述電子阻擋層依次層疊布置，所述插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層； 在所述復(fù)合層上生長(zhǎng)P型氮化鎵層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述插入層和所述電子阻擋層的生長(zhǎng)溫度為200~1000°C，生長(zhǎng)壓力為50~500托。
【文檔編號(hào)】H01L33/06GK104022198SQ201410235690
【公開日】2014年9月3日 申請(qǐng)日期:2014年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月30日
【發(fā)明者】王群, 郭炳磊, 呂蒙普, 葛永暉, 胡加輝, 魏世禎 申請(qǐng)人:華燦光電(蘇州）有限公司