技術(shù)編號(hào)：7049770
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，屬于半導(dǎo)體。所述外延片包括襯底、生長(zhǎng)在襯底上的緩沖層、N型氮化鎵層、多量子阱層、復(fù)合層和P型氮化鎵層，復(fù)合層包括多個(gè)周期，每個(gè)周期中的復(fù)合層包括插入層和電子阻擋層，從多量子阱層一側(cè)開始，插入層和電子阻擋層依次層疊布置，插入層為Al元素?fù)诫s的氧化鋅層。本發(fā)明通過Al元素?fù)诫s的ZnO插入層成為載流子的蓄積層，蓄積后的載流子迅速在二維平面內(nèi)鋪展，增強(qiáng)抗靜電擊穿能力，電子阻擋層可以有效地阻擋電子溢流，且ZnO與多量子阱層中的采用GaN層的量子壘層...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。