有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】根據(jù)各實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括：單元陣列，所述單元陣列包括：在基板上彼此交叉以界定多個像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線、形成在所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線之間的交叉部分處以對應(yīng)于所述多個像素區(qū)域的多個薄膜晶體管、和均勻形成在所述基板之上以覆蓋所述薄膜晶體管的保護(hù)膜；多個第一電極，所述多個第一電極形成為使得與各個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的氧化物半導(dǎo)體層部分被形成為導(dǎo)電的，所述金屬氧化物層均勻設(shè)置在所述保護(hù)膜上；堤部，所述堤部構(gòu)成所述金屬氧化物層中沒有形成所述第一電極的其余部分并形成為具有絕緣特性；形成在所述金屬氧化物層之上的發(fā)光層；和形成在所述發(fā)光層上從而面對所述第一電極的第二電極。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001] 本申請要求2013年5月30日提交的韓國專利申請第10-2013-0061695號的優(yōu)先 權(quán)，在此援引該專利申請，如同在這里完全闡述一樣。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明涉及一種具有簡化結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003] 隨著信息時代的到來，在視覺上顯示電信息信號的顯示器領(lǐng)域已得到快速發(fā)展。 因而，在不斷進(jìn)行著對超薄、更輕重量且具有更低功耗的平板顯示裝置的開發(fā)方法的研究。
[0004] 這種平板顯示裝置的例子包括液晶顯示（IXD)裝置、等離子顯示面板（PDP)裝置、 場發(fā)射顯示（FED)裝置、電致發(fā)光顯示（ELD)裝置、電潤濕顯示（EWD)裝置和有機(jī)發(fā)光顯示 裝置，但并不限于此。這種平板顯示裝置必須包括平板顯示面板以顯示圖像。平板顯示面 板具有其中一對基板彼此相對地貼合且在該對基板之間設(shè)置有發(fā)光或偏振材料的結(jié)構(gòu)。
[0005] 在這些顯示裝置之中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置使用有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示圖像， 這些0LED是自發(fā)光的。0LED包括彼此面對的第一電極和第二電極以及形成在它們之間 并由有機(jī)發(fā)光材料形成的發(fā)光層，因而基于在第一電極和第二電極之間流動的驅(qū)動電流發(fā) 光。
[0006] 在這一點(diǎn)上，在形成為與多個像素區(qū)域的每個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的第一電 極中，電流集中在第一電極的形成有臺階的邊緣部分處，這是有機(jī)發(fā)光材料的壽命減少的 原因。
[0007] 因而，為防止發(fā)光層由于第一電極的臺階導(dǎo)致的壽命減少，一般來說，普通的有機(jī) 發(fā)光顯示裝置進(jìn)一步包括與第一電極的邊緣區(qū)域至少部分交迭的堤部。就是說，第一電極 的邊緣區(qū)域被堤部遮蔽，因而在第一電極的邊緣區(qū)域中不形成有機(jī)發(fā)光材料，因此可防止 發(fā)光層的退化。
[0008] 然而，因為普通的有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)一步包括堤部，所以在薄膜制造、降低制造 成本和提高產(chǎn)量方面存在限制。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 因此，本發(fā)明涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個或 多個問題的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0010] 本發(fā)明的一個目的是提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置在第一電 極的邊緣區(qū)域上不包括作為單獨(dú)絕緣層形成以與邊緣區(qū)域交迭的堤部，可防止發(fā)光層由于 第一電極的臺階而導(dǎo)致的退化。
[0011] 本發(fā)明的另一個目的是提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
[0012] 在下面的描述中將部分列出本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征，對于本領(lǐng)域普通技 術(shù)人員來說這些優(yōu)點(diǎn)、目的和特征的一部分在閱讀了下面的描述后將變得顯而易見，或者 可從本發(fā)明的實施中領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn) 和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
[0013] 為了實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和概括描述的， 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：基板；單元陣列，所述單元陣列包括：在所述基板上彼此交 叉以界定多個像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線、形成在所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線之間的交叉部 分處以對應(yīng)于所述像素區(qū)域的多個薄膜晶體管、和均勻形成在所述基板的整個上表面之上 以覆蓋所述薄膜晶體管的保護(hù)膜；多個第一電極，所述多個第一電極形成為使得均勻設(shè)置 在所述保護(hù)膜上的與每個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的金屬氧化物層部分形成為導(dǎo)電的；堤 部，所述堤部構(gòu)成所述金屬氧化物層中沒有形成所述第一電極的其余部分并形成為具有絕 緣特性；形成在所述金屬氧化物層的整個上表面之上的發(fā)光層；和形成在所述發(fā)光層上以 與所述第一電極面對的第二電極。
[0014] 在本發(fā)明的另一個方面，一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括：在基 板上布置單元陣列，所述單元陣列包括：彼此交叉以界定多個像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線、 對應(yīng)于所述像素區(qū)域的多個薄膜晶體管、和均勻形成并覆蓋所述薄膜晶體管的保護(hù)膜；在 所述保護(hù)膜上均勻形成金屬氧化物層；形成多個第一電極，使得與每個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū) 域?qū)?yīng)的金屬氧化物層部分形成為導(dǎo)電的，并且由所述金屬氧化物層的其余部分形成具有 絕緣特性的堤部；在所述金屬氧化物層的整個上表面之上形成發(fā)光層；和在所述發(fā)光層上 形成第二電極以面對所述第一電極。
[0015] 應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性 的，意在對要求保護(hù)的內(nèi)容提供進(jìn)一步的解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 所包括以對本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并被包含在說明書內(nèi)且組成說明書一部分的 附圖圖解了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：
[0017] 圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明各實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的多個像素區(qū)域中的任 意一個的剖面圖；
[0018] 圖2是圖解圖1中所示的單元陣列的平面圖；
[0019] 圖3是根據(jù)各實施方式的圖1中所示的薄膜晶體管的剖面圖；
[0020] 圖4是圖1中所示的金屬氧化物層的平面圖；
[0021] 圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明各實施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖；
[0022] 圖6A到6H是按順序圖解圖5的方法的工藝的示圖；
[0023] 圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的多個像素區(qū)域中的 任意一個的剖面圖。

【具體實施方式】
[0024] 現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，附圖中圖解了這些優(yōu)選實施方式的一些 例子。只要可能，將在整個附圖中使用相同的參考標(biāo)記來指代相同或相似的部件。
[0025] 下面，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方 法。
[0026] 首先，將參照圖1到4描述根據(jù)本發(fā)明各實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0027] 圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明各實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的多個像素區(qū)域中的任 意一個的剖面圖。圖2是圖解圖1中所示的單元陣列的平面圖。圖3是根據(jù)各實施方式的 圖1中所示的薄膜晶體管（TFT)的剖面圖。圖4是圖1中所示的金屬氧化物層的平面圖。
[0028] 如圖1中所示，根據(jù)本發(fā)明各實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板101、形成在 基板101上的單元陣列100、以及形成在單元陣列100上的發(fā)光裝置200。在一個或多個實 施方式中，術(shù)語"單元陣列"可指顯示裝置的像素單元的陣列。
[0029] 如圖2中所示，單元陣列100對應(yīng)于在顯示表面之中的充分顯示圖像的顯示區(qū)域 AA。此外，單元陣列100包括彼此交叉以界定多個像素區(qū)域PA的柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL、以 及形成在柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL之間的交叉部分處以對應(yīng)于像素區(qū)域PA的多個TFT。
[0030] 如圖3中所示，每個TFT包括：形成在層疊于基板101的整個上表面之上的緩沖膜 102上以與柵極線GL(見圖2)連接的柵極電極111、形成在緩沖膜102的整個上表面之上 以覆蓋柵極電極111的柵極絕緣膜103、形成在柵極絕緣膜103上以與柵極電極111的至少 一部分交迭的有源層112、以及形成在柵極絕緣膜103上以分別與有源層112的相對兩側(cè)交 迭并彼此間隔開的源極電極113和漏極電極114。
[0031] 有源層112可由半導(dǎo)體材料，例如多晶硅、非晶硅和氧化物半導(dǎo)體材料中的任意 一種形成。
[0032] 氧化物半導(dǎo)體材料是包含金屬和氧的化合物材料，即金屬氧化物。氧化物半導(dǎo)體 材料包括A xByCz0(其中x，y和z中的至少一個>0,例如x>0，y = z = 0 ;例如X和y>0, z = 〇 ;例如X，y和z>0)，其中A，B和C每個都獨(dú)立地選自Zn，Cd，Ga，In，Sn，Hf和Zr。例如， 氧化物半導(dǎo)體材料可包括選自In-Ga-Zn氧化物（IGZ0)、In-Sn-Zn氧化物（ΙΤΖ0)和In-Ga 氧化物（IG0)中的任意一種。
[0033] 氧化物半導(dǎo)體材料具有這樣的特性：在氧化物半導(dǎo)體材料中的載流子濃度（cnT3) 對應(yīng)于氧在氣氛中的比例，該性質(zhì)用于進(jìn)行氧化物半導(dǎo)體材料的沉積。也就是說，當(dāng)氣氛中 的氧比例升高時，則形成具有較小載流子濃度的氧化物半導(dǎo)體材料。反之，當(dāng)氣氛中氧比例 降低時，則形成具有較大載流子濃度的氧化物半導(dǎo)體材料。一般來說，具有10 18(cnT3)或更 高載流子濃度的氧化物半導(dǎo)體材料被視為導(dǎo)電材料，具有1015(cnT 3)或更低載流子濃度的 氧化物半導(dǎo)體材料被視為絕緣材料，而具有1〇15?1018(cnT 3)范圍的載流子濃度的氧化物 半導(dǎo)體材料被視為半導(dǎo)電性材料。
[0034] 因而，有源層112由在氣氛中沉積的氧化物半導(dǎo)體材料形成，所述氣氛具有被調(diào) 節(jié)的一些氧比例以便氧化物半導(dǎo)體材料具有半導(dǎo)電特性。
[0035] 每個TFT可進(jìn)一步包括形成在有源層112的至少溝道區(qū)域上的蝕刻阻止層115。 當(dāng)有源層112不是由于暴露于用于形成源極電極113和漏極電極114的蝕刻氣體或蝕刻劑 而易于喪失其半導(dǎo)體特性的材料時，每個TFT可不包括蝕刻阻止層115。
[0036] TFT被按順序地形成為面對基板101的整個上表面的層間絕緣膜121和保護(hù)膜 122覆蓋。就是說，層間絕緣膜121形成在柵極絕緣膜103的整個上表面之上，以覆蓋有源 層112和蝕刻阻止層115的任意一個以及源極電極113和漏極電極114。此外，保護(hù)膜122 形成在層間絕緣膜121的整個上表面之上，以具有平坦的上表面。
[0037] 此外，每個TFT的源極電極113和漏極電極114的任意一個通過接觸孔CT與發(fā)光 裝置200連接，另一個與形成在柵極絕緣膜103上的數(shù)據(jù)線DL(見圖2)連接。
[0038] 接觸孔CT形成為至少穿過保護(hù)膜122,以暴露源極電極113和漏極電極114的任 意一個的一部分。就是說，當(dāng)在柵極絕緣膜103的整個上表面之上按順序地層疊層間絕緣 膜121和保護(hù)膜122以覆蓋TFT時，接觸孔CT形成為穿過層間絕緣膜121和保護(hù)膜122。
[0039] 盡管未示出，但當(dāng)在層間絕緣膜121與保護(hù)膜122之間不存在單獨(dú)的導(dǎo)電層（例 如濾色器（CF)層）時，可省略層間絕緣膜121。
[0040] 發(fā)光裝置200包括：構(gòu)成均勻設(shè)置在平坦的保護(hù)膜122上的金屬氧化物層210的 多個第一電極211和堤部212、形成在金屬氧化物層210的整個上表面之上的發(fā)光層220、 和形成在發(fā)光層220上以面對第一電極211的第二電極230。
[0041] 金屬氧化物層210層疊在具有平坦上表面的保護(hù)膜122上，從而具有平坦的上表 面。
[0042] 金屬氧化物層210可由包其中x，y和z中的至少一個>0,例如x>0，y = z = 0 ;例如X和y>〇, z = 0 ;例如X，y和z>0)的氧化物半導(dǎo)體材料形成，其中A，B和C每 個都獨(dú)立地選自211，0(1，6&，111，311，!^和21'。例如，金屬氧化物層210可包括選自111-6 &-211 氧化物（IGZ0)、In-Sn-Zn氧化物（ΙΤΖ0)和In-Ga氧化物（IG0)中的任意一種。
[0043] 如上面所描述，諸如IGZO (In-Ga-Zn氧化物）、ITZO (In-Sn-Zn氧化物）和 IG0(In-Ga氧化物）的氧化物半導(dǎo)體材料可通過調(diào)節(jié)用于進(jìn)行氧化物半導(dǎo)體材料沉積的氣 氛中的氧比例而形成為具有絕緣特性。例如，按照一些實施方式，在用于進(jìn)行氧化物半導(dǎo)體 材料沉積的氣氛中的用于形成氧化物半導(dǎo)體材料的氧比例在9?10%，所述氧化物半導(dǎo)體 材料具有l(wèi)〇 15(cnT3)或更低的載流子濃度，因而具有絕緣特性。
[0044] 而且，在形成具有絕緣特性的氧化物半導(dǎo)體材料之后，通過處理將該絕緣的氧化 物半導(dǎo)體材料改變?yōu)閷?dǎo)電材料。進(jìn)行該處理以去除該絕緣的氧化物半導(dǎo)體材料中的大量氧 (換句話說，以降低氧含量），從而提高氧化物半導(dǎo)體材料中的載流子濃度。
[0045] 利用氧化物半導(dǎo)體材料的該特性，通過沉積由具有絕緣特性的氧化物半導(dǎo)體材料 形成的金屬氧化物層210,然后使與每個像素區(qū)域PA的發(fā)光區(qū)域EA對應(yīng)的金屬氧化物層 210部分導(dǎo)電來形成第一電極211。例如，該部分金屬氧化物層210可通過等離子處理，例 如使用包括Ar，N2、NH 3和H2中的至少一種氣體而具有導(dǎo)電性，由此形成第一電極211。
[0046] 此外，每個第一電極211通過至少穿過保護(hù)膜122的接觸孔CT與TFT連接。
[0047] 堤部212為金屬氧化物層210的沒有形成第一電極211的其余部分，S卩，不被形成 為導(dǎo)電的而保持絕緣特性的其余部分。
[0048] 換句話說，如圖4中所示，與各個像素區(qū)域PA的發(fā)光區(qū)域EA對應(yīng)的一部分金屬氧 化物層210被形成為導(dǎo)電的，以形成第一電極211，而其余部分保持絕緣特性，由此形成堤 部 212。
[0049] 使用有機(jī)發(fā)光材料，在金屬氧化物層210之上，即在第一電極211以及形成在第一 電極211邊緣處的堤部212上形成發(fā)光層220。
[0050] 在這一點(diǎn)上，發(fā)光層220可由發(fā)射具有相同波長的光的有機(jī)發(fā)光材料形成。換句 話說，在發(fā)光區(qū)域EA的每一個中，由發(fā)光層210發(fā)射的光可具有相同波長（顏色）或波長 譜（顏色譜）。在該情形中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)一步包括形成在發(fā)光層220與發(fā)光表面之 間的濾色器（CF)層。CF層可配置成提供不同顏色的光，例如配置成在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中 提供不同顏色的像素，如紅色、綠色和藍(lán)色像素。
[0051] 例如，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置是通過基板101發(fā)射顯示光的底部發(fā)光型時，有機(jī)發(fā) 光顯示裝置可進(jìn)一步包括形成在層間絕緣膜121與保護(hù)膜122之間的CF層（未示出）以 對應(yīng)于每個像素區(qū)域PA的發(fā)光區(qū)域EA。另一方面，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置是通過除基板101 之外的光路發(fā)射顯示光的頂部發(fā)射型時，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可進(jìn)一步包括形成在發(fā)光裝置 200與密封層（未示出）之間的CF層（未示出）以對應(yīng)于每個像素區(qū)域PA的發(fā)光區(qū)域 EA。在這一點(diǎn)上，密封層（未示出）配置成面對基板101，以防止?jié)駳饣蜓鯕鉂B透到發(fā)光裝 置 200。
[0052] 第二電極230形成在發(fā)光層220之上。就是說，第二電極230配置成面對第一電 極211，發(fā)光層220設(shè)置在第二電極230與第一電極211之間。
[0053] 如上所述，根據(jù)本發(fā)明的各實施方式，第一電極211形成為均勻設(shè)置在保護(hù)膜122 上的金屬氧化物層210的一部分，以代替通過選擇性蝕刻單獨(dú)的導(dǎo)電層來形成。此外，在第 一電極211的邊緣處布置有由一部分金屬氧化物層210形成并保持絕緣特性的堤部212。
[0054] 通過這種構(gòu)造，第一電極211不形成臺階，因而可防止當(dāng)發(fā)光層220的有機(jī)發(fā)光材 料設(shè)置在每個第一電極211的邊緣區(qū)域上時導(dǎo)致的比其他區(qū)域更快速的發(fā)光層220的退 化。
[0055] 在根據(jù)本發(fā)明各實施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，每個第一電極211的邊緣區(qū)域 被遮蔽，因而不必形成下述堤部，即該堤部形成為在每個第一電極211的邊緣區(qū)域上的單 獨(dú)絕緣層以與該邊緣區(qū)域交迭，從而在每個第一電極211的邊緣區(qū)域上不沉積有機(jī)發(fā)光材 料。
[0056] 因此，很容易使有機(jī)發(fā)光顯示裝置變薄并可減小制造時間和成本，這導(dǎo)致產(chǎn)量提 商。
[0057] 下面，將參照圖5和圖6A到6H描述根據(jù)本發(fā)明各實施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示 裝置的方法。
[0058] 圖5是圖解根據(jù)本發(fā)明各實施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的流程圖。圖 6A到6H是按順序圖解圖5的方法的工藝的示圖。
[0059] 如圖5中所示，根據(jù)本發(fā)明各實施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法包括：在 基板上布置單元陣列，單元陣列包括配置成界定多個像素區(qū)域的柵極線和數(shù)據(jù)線、多個TFT 和具有平坦上表面的保護(hù)膜（步驟S110);形成至少穿透保護(hù)膜的接觸孔以暴露每個TFT 的一部分（步驟S120);在平坦的保護(hù)膜上均勻形成金屬氧化物層（步驟S130);在金屬氧 化物層上形成掩模，掩模包括與各個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的開口（步驟S141);通過使 用掩模對金屬氧化物層選擇性地進(jìn)行等離子處理，形成多個第一電極和堤部，其中經(jīng)由與 各個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的開口暴露、并通過等離子處理而具有導(dǎo)電性的金屬氧化物 層部分形成第一電極，其余部分形成堤部（步驟S142);在金屬氧化物層的整個上表面之上 形成發(fā)光層（步驟S150);以及在發(fā)光層上形成第二電極以面對第一電極（步驟S160)。
[0060] 如圖6A中所示，在基板101上形成單元陣列100 (步驟S110)。
[0061] 在這一點(diǎn)上，在形成單元陣列100之前，可進(jìn)一步形成緩沖膜102,以防止?jié)駳饣?氧氣滲透到基板101。
[0062] 單元陣列100包括對應(yīng)于像素區(qū)域PA的TFT和形成在基板101的整個上表面之 上以覆蓋TFT的、具有平坦上表面的保護(hù)膜122。
[0063] 參照圖2,單元陣列100包括彼此交叉以界定像素區(qū)域PA的柵極線GL和數(shù)據(jù)線 DL、以及形成在柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL之間的交叉部分處以對應(yīng)于像素區(qū)域PA的多個TFT。
[0064] 參照圖3,該布置步驟（步驟S110)包括：在設(shè)置于基板101的整個上表面之上的 緩沖膜102上形成柵極線GL (見圖2)和與柵極線GL連接的柵極電極111 ;在緩沖膜102的 整個上表面之上形成柵極絕緣膜103,以覆蓋柵極線GL和柵極電極111 ;在柵極絕緣膜103 上形成有源層112,從而與柵極電極111的至少一部分交迭；在有源層112的至少溝道區(qū)域 上形成蝕刻阻止層115 ;并在柵極絕緣膜103上形成數(shù)據(jù)線DL(見圖2)以及分別與有源層 112的相對兩側(cè)交迭并彼此間隔開的源極電極113和漏極電極114。
[0065] 此外，該布置步驟（步驟S110)進(jìn)一步包括在基板101的整個上表面之上，即在柵 極絕緣膜103的整個上表面之上形成保護(hù)膜122,從而覆蓋TFT并具有平坦的上表面。
[0066] 而且，該布置步驟（步驟S110)可進(jìn)一步包括在形成保護(hù)膜122之前，在柵極絕緣 膜103的整個上表面上形成層間絕緣膜121，以覆蓋TFT。
[0067] 如圖6B中所示，形成至少穿透保護(hù)膜122的接觸孔CT，從而暴露每個TFT的不與 數(shù)據(jù)線DL連接的源極電極113和漏極電極114中的任意一個的一部分（步驟S120)。
[0068] 如圖6C中所示，在平坦的保護(hù)膜122的整個上表面之上均勻形成具有絕緣特性的 金屬氧化物層210 (步驟S130)。
[0069] 金屬氧化物層210由包括金屬和氧化物的化合物材料形成，特別地，氧化物半導(dǎo) 體材料包括AxByCz0(其中x，y和z中的至少一個>0,例如x>0，y = z = 0 ;例如X和y>0，z =〇 ;例如x，y和z>0)，其中A，B和C每個都獨(dú)立地選自Zn，Cd，Ga，In，Sn，Hf和Zr。例如， 金屬氧化物層210可包括選自In-Ga-Zn氧化物（IGZ0)、In-Sn-Zn氧化物（ΙΤΖ0)和In-Ga 氧化物（IG0)中的任意一種。
[0070] 在這一點(diǎn)上，金屬氧化物層210可在包括9?30% (例如9?10% )的氧比例的 氣氛中沉積，使得金屬氧化物層210具有絕緣特性。
[0071] 此外，金屬氧化物層210可形成為填充每個像素區(qū)域PA的接觸孔CT。
[0072] 接著，如圖6D中所示，在金屬氧化物層210上形成掩模300,掩模300具有與各個 像素區(qū)域PA的發(fā)光區(qū)域EA對應(yīng)的開口（步驟S141)。
[0073] 如圖6E中所示，使用掩模300對通過開口 310暴露的金屬氧化物層210部分進(jìn)行 等離子處理。在這一點(diǎn)上，上面進(jìn)行了等離子處理的金屬氧化物層210部分被形成為導(dǎo)電 的，由此形成第一電極211。此外，上面沒有進(jìn)行等離子處理的金屬氧化物層210的其余部 分保持絕緣特性，由此形成堤部212 (步驟S142)。
[0074] 在這一點(diǎn)上，可使用包括41*，隊，順3和!12中至少一種的氣體進(jìn)行金屬氧化物層210 的選擇性等離子處理，從而形成第一電極211。
[0075] 例如，如下面的表1中所示，金屬氧化物層210可由在包括9?30% (例如9? 10% )的氧比例的氣氛中沉積的氧化物半導(dǎo)體材料形成，從而成為具有1〇8(Ω / □)或更 大電阻的絕緣材料。如果包括絕緣氧化物半導(dǎo)體材料的金屬氧化物層210暴露于每個條件 的處理1?50秒，則金屬氧化物層210改變?yōu)榫哂?00?1000 ( Ω /□)電阻的導(dǎo)電材料。 表1例子中的氧化物半導(dǎo)體材料包括具有700Α厚度的a-IGZO,且在包括9. 4%氧比例的 氣氛下以及室溫（R. T)下沉積。處理的反應(yīng)壓力在0. 5?1. 5托。
[0076] 表 1
[0077]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括： 基板； 單元陣列，所述單元陣列包括：在所述基板上彼此交叉以界定多個像素區(qū)域的柵極線 和數(shù)據(jù)線、形成在所述柵極線與所述數(shù)據(jù)線之間的交叉部分處以對應(yīng)于所述多個像素區(qū)域 的多個薄膜晶體管、和均勻形成在所述基板之上以覆蓋所述薄膜晶體管的保護(hù)膜； 多個第一電極，所述多個第一電極形成為使得與各個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的氧化 物半導(dǎo)體層部分被形成為導(dǎo)電的，所述金屬氧化物層均勻設(shè)置在所述保護(hù)膜上； 堤部，所述堤部構(gòu)成所述金屬氧化物層中沒有形成所述第一電極的其余部分并形成為 具有絕緣特性； 形成在所述金屬氧化物層之上的發(fā)光層；和 形成在所述發(fā)光層上從而面對所述第一電極的第二電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述金屬氧化物層包括AxByCzO(x， y，z>0)，其中A，B和C每個都獨(dú)立地選自Zn，Cd，Ga，In，Sn，Hf和Zr。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述金屬氧化物層包括選自 In-Ga-Zn氧化物（IGZO)、In-Sn-Zn氧化物（ITZO)和In-Ga氧化物（IGO)中的任意一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中每個所述薄膜晶體管包括： 形成在所述基板上以與所述柵極線連接的柵極電極； 形成在覆蓋所述柵極電極的柵極絕緣膜上從而與所述柵極電極的至少一部分交迭的 有源層；和 形成在所述柵極絕緣膜上從而分別與所述有源層的相對兩側(cè)交迭并彼此間隔開的源 極電極和漏極電極， 其中所述薄膜晶體管被形成在所述柵極絕緣膜之上的所述保護(hù)膜覆蓋。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述源極電極和漏極電極中的任意 一個通過穿過所述保護(hù)膜的接觸孔與所述第一電極連接，所述源極電極和漏極電極中的另 一個與所述數(shù)據(jù)線連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，進(jìn)一步包括： 子電極，所述子電極對應(yīng)于每個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域，并形成在所述第一電極與所述 保護(hù)膜之間，以至少覆蓋所述接觸孔。
7. -種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括： 在基板上布置單元陣列，所述單元陣列包括：彼此交叉以界定多個像素區(qū)域的柵極線 和數(shù)據(jù)線、對應(yīng)于所述多個像素區(qū)域的多個薄膜晶體管、和均勻形成并覆蓋所述薄膜晶體 管的保護(hù)膜； 在所述保護(hù)膜上均勻形成金屬氧化物層； 形成多個第一電極，使得與各個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的金屬氧化物層部分形成為 導(dǎo)電的，并且形成構(gòu)成所述金屬氧化物層的其余部分從而具有絕緣特性的堤部； 在所述金屬氧化物層之上形成發(fā)光層；和 在所述發(fā)光層上形成第二電極以面對所述第一電極。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在形成所述金屬氧化物層時，所述金屬氧化物層 包括AxByC zO (X，y，z>0)，其中A，B和C每個都獨(dú)立地選自Zn，Cd，Ga，In，Sn，Hf和Zr，且通 過沉積形成所述金屬氧化物層，從而所述金屬氧化物層具有絕緣特性。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述金屬氧化物層包括選自In-Ga-Zn氧化物 (IGZO)、In-Sn-Zn氧化物（ITZO)和In-Ga氧化物（IGO)中的任意一種。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中形成所述第一電極和形成所述堤部的步驟包括： 在所述金屬氧化物層上形成掩模，所述掩模具有與所述各個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng) 的開口；和 使用所述掩模對所述金屬氧化物層選擇性地進(jìn)行等離子處理，從而所述金屬氧化物層 與所述各個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的部分通過所述等離子處理形成具有導(dǎo)電特性的所 述多個第一電極，而所述金屬氧化物層的其余部分形成所述堤部。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中使用包括八1^2和!12中的至少一種氣體進(jìn)行用 于所述金屬氧化物層所述部分的等離子處理。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中布置所述單元陣列的步驟包括： 在所述基板上形成所述柵極線和與所述柵極線連接的柵極電極； 在所述基板之上形成柵極絕緣膜，從而覆蓋所述柵極線和所述柵極電極； 在所述柵極絕緣膜上形成與所述柵極電極的至少一部分交迭的有源層； 在所述柵極絕緣膜上形成所述數(shù)據(jù)線及所述源極電極和漏極電極，所述源極電極和漏 極電極分別與所述有源層的相對兩側(cè)交迭并彼此間隔開；和 在所述柵極絕緣膜之上形成所述保護(hù)膜，從而覆蓋所述源極電極和漏極電極并具有平 坦的上表面。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，在形成所述金屬氧化物層之前，進(jìn)一步包括： 形成至少穿過所述保護(hù)膜的接觸孔，從而暴露所述源極電極和漏極電極中的任意一個 的一部分， 其中每個第一電極通過所述接觸孔與所述源極電極和漏極電極中的任意一個連接。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，在形成所述接觸孔之后且在形成所述金屬氧化物層 之前，進(jìn)一步包括： 形成子電極，所述子電極對應(yīng)于每個像素區(qū)域的發(fā)光區(qū)域并設(shè)置在所述第一電極與所 述保護(hù)膜之間，以至少覆蓋所述接觸孔。
【文檔編號】H01L51/52GK104218063SQ201410234660
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】徐鉉植, 金鍾宇, 徐景韓 申請人:樂金顯示有限公司