小尺寸ALN基板10瓦10dB衰減片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種小尺寸ALN基板10瓦10dB衰減片，其包括一尺寸為2.5mm×5mm×1mm的ALN基板，所述ALN基板的正面印刷有高溫銀漿導(dǎo)線，所述高溫銀漿導(dǎo)線間印刷有膜狀電阻，所述高溫銀漿導(dǎo)線和膜狀電阻通過高溫?zé)Y(jié)連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有整面高溫銀漿，所述高溫銀漿導(dǎo)線和背面印刷有整面高溫銀漿通過側(cè)面二次印刷銀漿導(dǎo)通。該衰減片在方案設(shè)計(jì)時(shí)，在滿足功率要求的前提下，盡量縮小了產(chǎn)品的尺寸，使得產(chǎn)品的生產(chǎn)效率提高，材料成本降低，同時(shí)電路設(shè)計(jì)上，充分考慮了目前市場(chǎng)的VSWR和衰減精度等性能指標(biāo)的要求，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)無小尺寸衰減片的空白，滿足了目前主流的3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求，其各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
【專利說明】 小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種ALN基板衰減片，特別涉及一種小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片。

【背景技術(shù)】
[0002]衰減片在航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播、通訊等領(lǐng)域有著不可或確的作用，之前大部分設(shè)備采用負(fù)載片作為吸收功率的作用，而負(fù)載片只能單純地消耗和吸收多余的功率，是一個(gè)純功率消耗器件。而使用衰減片在吸收反向輸入的功率的同時(shí)還能對(duì)設(shè)備工作的信號(hào)進(jìn)行抽樣分析，既能保護(hù)設(shè)備，又能檢測(cè)設(shè)備。
[0003]隨著科技的不斷進(jìn)步，對(duì)通訊設(shè)備的要也越來越高，目前很多通訊設(shè)備，例如我們手機(jī)接受和發(fā)射信號(hào)的基站在越來越多地采用衰減片。在國(guó)外，特別是歐美國(guó)家，對(duì)衰減片和負(fù)載片研發(fā)生產(chǎn)都要比國(guó)內(nèi)起步早很多，無論在產(chǎn)品的豐富性還是產(chǎn)品微波特性上都處于比較優(yōu)勢(shì)地位。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上現(xiàn)有的衰減片系列少，衰減精度低，且能使用的頻段相對(duì)較窄。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說，與兩端電路都是匹配的。當(dāng)衰減精度或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際使用要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種阻值滿足61.1 Ω ±3%，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為10±0.5dB,駐波要求輸入、輸出端在1.2以內(nèi)，能夠滿足目前主流的3G網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用要求的小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片，取代國(guó)外同類產(chǎn)品，并在特性上填補(bǔ)國(guó)內(nèi)產(chǎn)品的空白。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
1.一種小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片，其特征在于:包括一尺寸為
2.5mmX5mmX Imm的ALN基板，所述ALN基板的正面印刷有高溫銀漿導(dǎo)線，所述高溫銀漿導(dǎo)線間印刷有膜狀電阻，所屬高溫銀漿導(dǎo)線和膜狀電阻通過高溫?zé)Y(jié)連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有整面高溫銀漿，所述高溫銀漿導(dǎo)線和背面印刷有整面高溫銀漿通過側(cè)面二次印刷銀漿導(dǎo)通。
[0006]優(yōu)選的，所述銀漿采用高溫銀漿。
[0007]優(yōu)選的，所述高溫銀漿導(dǎo)線和所術(shù)背面印刷的整面高溫銀漿通過側(cè)面二次印刷銀漿導(dǎo)通。
[0008]優(yōu)選的，所述高溫銀漿導(dǎo)線和膜狀電阻組成的電路印刷有一層黑色改性硅樹脂保護(hù)膜。
[0009]上述技術(shù)方案具有如下有益效果:小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片，生產(chǎn)效率高，有效降低了材料成本，從而從根本上降低了產(chǎn)品本身成本，且功率滿足使用要求。電路設(shè)計(jì)上基于MWO電路設(shè)計(jì)理念，采用了對(duì)稱電路設(shè)計(jì)，并采用導(dǎo)體本身介質(zhì)特性，對(duì)產(chǎn)品電性能進(jìn)行改善，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得該型號(hào)衰減片能應(yīng)用于3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域以及隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
[0010]上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說明如后。本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0013]如圖1所示,該小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片一尺寸為2.5mmX 5mmX Imm的ALN基板1，ALN基板I的背面印刷有整面高溫銀漿背導(dǎo)層，ALN基板I的正面印刷有高溫銀漿導(dǎo)線2及膜狀電阻Rl、R2、R3，R4、R5，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5通過高溫銀漿導(dǎo)線連接形成衰減電路，衰減電路通過二次側(cè)面印刷銀漿與背導(dǎo)層連接，從而使衰減電路接地導(dǎo)通。該衰減電路沿陶瓷基板的中心線對(duì)稱，膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有玻璃保護(hù)膜3，高溫銀漿導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色改性硅樹脂保護(hù)膜4，這樣可對(duì)高溫銀漿導(dǎo)線2及膜狀電阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保護(hù)。
[0014]該小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片要求輸入端和接地的阻值為61.1 Ω ±3%，輸出端和接地端的阻值為61.1Ω ±3%。信號(hào)輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過膜狀電阻Rl、R2、R5、R3、R4對(duì)功率的逐步吸收，從輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。
[0015]該小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片，生產(chǎn)效率高，有效降低了材料成本，從而從根本上降低了產(chǎn)品本身成本，且功率滿足使用要求。電路設(shè)計(jì)上基于MWO電路設(shè)計(jì)理念，采用了對(duì)稱電路設(shè)計(jì)，并采用導(dǎo)體本身介質(zhì)特性，對(duì)產(chǎn)品電性能進(jìn)行改善，打破了原來衰減片只能應(yīng)用于低頻的局面，使得該型號(hào)衰減片能應(yīng)用于3G的網(wǎng)絡(luò)?？蓮V泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域以及隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)，拓展了國(guó)內(nèi)衰減片的應(yīng)用頻段。
[0016]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片，其特征在于:包括一尺寸為2.5mmX5mmX Imm的ALN基板，所述ALN基板的正面印刷有高溫銀漿導(dǎo)線，所述高溫銀漿導(dǎo)線間印刷有膜狀電阻，所屬高溫銀漿導(dǎo)線和膜狀電阻通過高溫?zé)Y(jié)連通，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有整面高溫銀漿，所述高溫銀漿導(dǎo)線和背面印刷有整面高溫銀漿通過側(cè)面二次印刷銀漿導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片，其特征在于:所述銀漿采用高溫銀漿。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片，其特征在于:所述高溫銀漿導(dǎo)線和所術(shù)背面印刷的整面高溫銀漿通過側(cè)面二次印刷銀漿導(dǎo)通。
4.據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸ALN基板10瓦1dB衰減片，其特征在于:所述高溫銀漿導(dǎo)線和膜狀電阻組成的電路印刷有一層黑色改性硅樹脂保護(hù)膜。
【文檔編號(hào)】H01P1/22GK104241758SQ201410231784
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司