基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，包括1）定位識別；2）切槽自動對位；3）激光透切；4）正面貼膜；5）UV照射；6）芯片反置；7）背面貼膜；8）再次反置；9）脫正面膜，9個步驟，芯片的正面向上的切割模式，能夠有效地保護(hù)好芯片表面已經(jīng)置好的凸球，并防止芯片表面被劃傷，從正面進(jìn)行激光透切，能有效地將切割熔渣從背面的工作盤縫隙中排出保證芯片正面無異物，從而提高切割質(zhì)量，防止因熔渣連接到芯片電路而導(dǎo)致失效，提高出品合格率，采用激光切割頭，無需更換刀頭，攜帶能量70W，切割速度100mm/s，能夠保證切割出的芯片邊緣不出現(xiàn)毛刺，效果佳，代替了傳統(tǒng)的切割工藝，具有良好的應(yīng)用前景。
【專利說明】基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，屬于液體硅印刷【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，通過液體硅印刷工藝代替原有的固體硅材料制集成電路芯片，能夠大大的節(jié)能制作成本和硅能源的使用，液體硅印刷制作集成電路芯片工藝，還能大大簡化集成電路芯片的制作工藝，提高工作效率，是當(dāng)前國內(nèi)外研究的發(fā)展方向，在液體硅印刷過程中，采用不銹鋼基底代替原有的SiO2基底，能夠進(jìn)一步節(jié)省成本，但是，用于切割SiO2基底的傳統(tǒng)的切割工藝，已經(jīng)適合不銹鋼基底的切割，由于使用傳統(tǒng)的金剛石刀片硬度不夠，無法進(jìn)行切割，刀頭很容易損壞，需要經(jīng)常更換，降低切割效率，而且，傳統(tǒng)的切割工藝，會使不銹鋼基底的邊緣存在毛刺，達(dá)不到芯片設(shè)計的要求，是當(dāng)前液體硅印刷領(lǐng)域急需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有的切割工藝，不能切割基于液體硅印刷的不銹鋼基底，刀頭很容易損壞、切割效率低、切割邊緣存在毛刺的問題。本發(fā)明提供的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種基于液體娃印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，其特征在于:液體娃印刷的芯片等間隔排列在不銹鋼底板的正面，將不銹鋼底板放置到切割臺上，對不銹鋼底板正面的芯片進(jìn)行切割的工藝，具體包括以下步驟，
步驟(I )，定位識別，將不銹鋼底板在校正平臺上自動進(jìn)行方位定位識別；
步驟(2)，切槽自動對位，將定位識別后的不銹鋼底板在切割平臺上進(jìn)行水平切割對
位；
步驟(3)，激光透切，激光切割頭分別沿不銹鋼底板上的芯片X方向和Y方向的切割槽對不銹鋼底板從正面向背面方向進(jìn)行透切，將不銹鋼底板上的各芯片進(jìn)行分離開，所述激光切割頭攜帶能量為60-80W，切割速度為90-110mm/s ；
步驟(4)，正面貼膜，將不銹鋼底板放置到貼膜工作平臺上，在不銹鋼底板的正面貼一層UV膜；
步驟(5)，UV照射，將正面貼膜的不銹鋼底板放入UV照射設(shè)備，去除正面UV膜的粘性； 步驟(6)，芯片反置，將已去除粘性的正面貼膜的不銹鋼底板反置在貼膜工作平臺上； 步驟(7)，背面貼膜，在不銹鋼底板的背面粘貼一層吸片膜；
步驟(8)，再次反置，將背面貼膜的不銹鋼底板的正面朝上；
步驟(9)，脫正面膜，將不銹鋼底板正面的UV膜取下，完成芯片切割。
[0004]前述的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，其特征在于:所述切割平臺為真--平臺。
[0005]前述的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，其特征在于:步驟(2)，切槽自動對位的方法為，通過位于不銹鋼底板正、背面的攝像頭，對不銹鋼底板上的芯片進(jìn)行定位，控制激光切割頭的位置。
[0006]前述的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，其特征在于:步驟(4)激光切割頭攜帶能量為70W，切割速度為100mm/S。
[0007]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，包括I)定位識別；2)切槽自動對位；3)激光透切；4)正面貼膜；5) UV照射；6)芯片反置；
7)背面貼膜；8)再次反置；9)脫正面膜，9個步驟，芯片的正面向上的切割模式，能夠有效地保護(hù)好芯片表面已經(jīng)置好的凸球，并防止芯片表面被劃傷，從正面進(jìn)行激光透切，能有效地將切割熔渣從背面的工作盤縫隙中排出保證芯片正面無異物，從而提高切割質(zhì)量，防止因熔渣連接到芯片電路而導(dǎo)致失效，提高出品合格率，采用激光切割頭，無線更換刀頭，攜帶能量70W，切割速度lOOmm/s，能夠保證切割出的芯片邊緣不出現(xiàn)毛刺，效果佳，代替了傳統(tǒng)的切割工藝，具有良好的應(yīng)用前景。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明 的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]下面將結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0010]本發(fā)明的基于液體娃印刷的不鎊鋼基底的芯片切割工藝，液體娃印刷的芯片等間隔排列在不銹鋼底板的正面，將不銹鋼底板放置到切割臺上，對不銹鋼底板正面的芯片進(jìn)行切割的工藝，本發(fā)明采用芯片正面向上的切割模式，能夠有效地保護(hù)好芯片表面已經(jīng)置好的凸球，并防止芯片表面被劃傷，如圖1所示，具體包括以下步驟，
步驟(I )，定位識別，將不銹鋼底板在校正平臺上自動進(jìn)行方位定位識別；
步驟(2)，切槽自動對位，將定位識別后的不銹鋼底板在切割平臺上進(jìn)行水平切割對位，自動對位的方法為通過位于不銹鋼底板正、背面的攝像頭，對不銹鋼底板上的芯片進(jìn)行定位，控制激光切割頭的位置，本切割平臺為真空平臺，真空平臺的凸臺尺寸和不銹鋼底板上的芯片的單顆芯粒尺寸一致，真空通路一直通到凸臺上，凸臺之間縫隙寬度和不銹鋼芯片的切割槽寬度一致，當(dāng)定位后的芯片放置在真空平臺上后，真空開啟后能有效地吸附不銹鋼底板的背面，保證不銹鋼底板正面在切割平臺上的平整度，激光切割頭在固定焦距下透切芯片時才能保證透切的一致性，當(dāng)各芯片顆粒被分切開后，凸臺也能有效地將單顆芯片吸附，能有效地避免單顆芯粒飛落的情況；
步驟(3)，激光透切，激光切割頭分別沿不銹鋼底板上的芯片X方向和Y方向的切割槽對不銹鋼底板從正面向背面方向進(jìn)行透切，將不銹鋼底板上的各芯片進(jìn)行分離開，激光切割頭攜帶能量為60-80W，切割速度為90-1 lOmm/s，優(yōu)選攜帶能量為70W，切割速度為IOOmm/S，能夠保證切割出的芯片邊緣不出現(xiàn)毛刺，效果佳，提高芯片出品的質(zhì)量，采用激光切割，無線更換刀頭，使用方便，從正面進(jìn)行激光透切，能有效地將切割熔渣從背面的工作盤縫隙中排出保證芯片正面無異物，從而提高切割質(zhì)量，防止因熔渣連接到芯片電路而導(dǎo)致失效，提聞出品合格率；
步驟(4)，正面貼膜，將不銹鋼底板放置到貼膜工作平臺上，在不銹鋼底板的正面貼一層UV膜；
步驟(5)，UV照射，將正面貼膜的不銹鋼底板放入UV照射設(shè)備，去除正面UV膜的粘性； 步驟(6)，芯片反置，將已去除粘性的正面貼膜的不銹鋼底板反置在貼膜工作平臺上； 步驟(7)，背面貼膜，在不銹鋼底板的背面粘貼一層吸片膜；
步驟(8)，再次反置，將背面貼膜的不銹鋼底板的正面朝上；
步驟(9)，脫正面膜，將不銹鋼底板正面的UV膜取下，完成芯片切割。
[0011]綜上所述，本發(fā)明的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，包括I)定位識別；2)切槽自動對位；3)激光透切；4)正面貼膜；5)UV照射；6)芯片反置；7)背面貼膜；
8)再次反置；9)脫正面膜，9個步驟，芯片的正面向上的切割模式，能夠有效地保護(hù)好芯片表面已經(jīng)置好的凸球，并防止芯片表面被劃傷，從正面進(jìn)行激光透切，能有效地將切割熔渣從背面的工作盤縫隙中排出保證芯片正面無異物，從而提高切割質(zhì)量，防止因熔渣連接到芯片電路而導(dǎo)致失效，提高出品合格率，采用激光切割頭，無線更換刀頭，攜帶能量70W，切割速度100mm/S，能夠保證切割出的芯片邊緣不出現(xiàn)毛刺，效果佳，代替了傳統(tǒng)的切割工藝，具有良好的應(yīng)用前景。
[0012]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征及優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.基于液體娃印刷的不鎊鋼基底的芯片切割工藝，其特征在于:液體娃印刷的芯片等間隔排列在不銹鋼底板的正面，將不銹鋼底板放置到切割臺上，對不銹鋼底板正面的芯片進(jìn)行切割的工藝，具體包括以下步驟， 步驟(I )，定位識別，將不銹鋼底板在校正平臺上自動進(jìn)行方位定位識別； 步驟(2)，切槽自動對位，將定位識別后的不銹鋼底板在切割平臺上進(jìn)行水平切割對位； 步驟(3)，激光透切，激光切割頭分別沿不銹鋼底板上的芯片X方向和Y方向的切割槽對不銹鋼底板從正面向背面方向進(jìn)行透切，將不銹鋼底板上的各芯片進(jìn)行分離開，所述激光切割頭攜帶能量為60-80W，切割速度為90-110mm/s ； 步驟(4)，正面貼膜，將不銹鋼底板放置到貼膜工作平臺上，在不銹鋼底板的正面貼一層UV膜； 步驟(5)，UV照射，將正面貼膜的不銹鋼底板放入UV照射設(shè)備，去除正面UV膜的粘性； 步驟(6)，芯片反置，將已去除粘性的正面貼膜的不銹鋼底板反置在貼膜工作平臺上； 步驟(7)，背面貼膜，在不銹鋼底板的背面粘貼一層吸片膜； 步驟(8)，再次反置，將背面貼膜的不銹鋼底板的正面朝上； 步驟(9)，脫正面膜，將不銹鋼底板正面的UV膜取下，完成芯片切割。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，其特征在于:所述切割平臺為真空平臺。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，其特征在于:步驟(2)，切槽自動對位的方法為，通過位于不銹鋼底板正、背面的攝像頭，對不銹鋼底板上的芯片進(jìn)行定位，控制激光切割頭的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于液體硅印刷的不銹鋼基底的芯片切割工藝，其特征在于:步驟(4)激光切割頭攜帶能量為70W，切割速度為lOOmm/s。
【文檔編號】H01L21/78GK103972171SQ201410229458
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】沈燦彬 申請人:江蘇聯(lián)恒物宇科技有限公司