所公開的實(shí)施例總體涉及內(nèi)部振蕩器的領(lǐng)域，并且更具體地涉及借助振蕩器提供具有高精度的給定頻率。

背景技術(shù)：

振蕩器可以寬泛地分類為晶體振蕩器和內(nèi)部振蕩器。晶體振蕩器可以具有精度高達(dá)百萬分之一(ppm)或百萬分之二的非常穩(wěn)定的頻率。另一方面，完全在硅芯片上構(gòu)建的內(nèi)部振蕩器或具有一個(gè)或幾個(gè)外部組件(例如，電阻器、電容器、電感器等)的內(nèi)部振蕩器不能提供相同的精度水平。對(duì)于內(nèi)部振蕩器，當(dāng)前可以達(dá)到的最佳精度在0.5-1.0％的范圍內(nèi)；希望更高的精度。

為了在振蕩器中達(dá)到高精度，需要在校正環(huán)路內(nèi)部或外部的精準(zhǔn)組件。這種精準(zhǔn)組件可以使用一個(gè)或多個(gè)外部組件來實(shí)現(xiàn)，諸如片外電阻器-電容器組合、經(jīng)修整的內(nèi)部組件或這些組件的組合。修整是在組件上進(jìn)行以從該組件獲得特定精度的操作。該操作可以利用激光來物理地?zé)艚M件的一部分，或者設(shè)計(jì)可以提供多個(gè)開關(guān)，其可以在制造過程之后被設(shè)置以提供期望的結(jié)果。將片上元件諸如電阻器或電容器修整到非常高的精度(即在0.1％的范圍內(nèi))幾乎是不可能的和完全不切實(shí)際的。在這種困難的示例中，具有+-15％工藝變化的20K電阻器將需要300個(gè)步長(step)，每個(gè)20Ω。通過開關(guān)自身，幾乎不可能實(shí)現(xiàn)小于20Ω的實(shí)際開關(guān)。如果我們不能在任何內(nèi)部組件中實(shí)現(xiàn)高(～0.1％)精度，則我們不能使用完全片上組件來構(gòu)建具有高精度的振蕩器。

現(xiàn)有的高精準(zhǔn)解決方案需要高精準(zhǔn)模擬模塊，諸如極低偏移的比較器/放大器，精確的開關(guān)電容器采樣或高質(zhì)量開關(guān)。此外，這些高精準(zhǔn)度的解決方案需要修整精準(zhǔn)模擬RC的過程。我們以前沒有將內(nèi)部電阻-電容(RC)時(shí)間常數(shù)修整至為0.1％的任何方法；因此，我們不能夠構(gòu)建具有這種精度水平的完全片上精準(zhǔn)振蕩器。此外，在合理的實(shí)際實(shí)現(xiàn)方式中，非理想性(比如開關(guān)導(dǎo)通電阻、上升時(shí)間/下降時(shí)間、不完全安置和寄生耦合)將精度限制在約0.5％以上。此外，對(duì)于包含多個(gè)振蕩器的芯片，在芯片上的每個(gè)振蕩器需要分別修整和調(diào)諧，這導(dǎo)致高測試成本。另外，當(dāng)高精準(zhǔn)振蕩器被調(diào)諧到一個(gè)頻率時(shí)，以后難以將相同的振蕩器以類似的高精度調(diào)諧到某個(gè)其他頻率。在一些情況下，這種重新調(diào)諧在小范圍內(nèi)是可能的，但在較大頻率范圍內(nèi)是困難的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本專利申請公開了提供高精準(zhǔn)模擬RC的系統(tǒng)、方法和設(shè)備，該高精準(zhǔn)模擬RC可以用于實(shí)現(xiàn)具有0.1％或更好的精度的振蕩器。在所公開的設(shè)計(jì)中，精準(zhǔn)模擬RC不通過物理方法修整，而是通過時(shí)鐘分頻比“修整”；因此，根據(jù)所利用的分頻比，可以實(shí)現(xiàn)非常精準(zhǔn)的時(shí)鐘。由于該分頻，在系統(tǒng)中引入的其他誤差也衰減，從而提供非常高精度的時(shí)鐘頻率。頻率調(diào)諧模塊(FTM)從待調(diào)諧的內(nèi)部數(shù)字可控振蕩器(DCO)接收時(shí)鐘信號(hào)。給定振蕩器的期望頻率，F(xiàn)TM被編程為獲知當(dāng)DCO的頻率精確時(shí)精準(zhǔn)模擬RC電路中的電容器被充電或放電至基準(zhǔn)電壓所需的時(shí)鐘周期的數(shù)量(N)。頻率調(diào)諧模塊觸發(fā)精準(zhǔn)模擬RC模塊；然后在N個(gè)時(shí)鐘周期后，將精準(zhǔn)模擬RC模塊上的電荷與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較?；诒容^結(jié)果來調(diào)節(jié)DCO的頻率。通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)精準(zhǔn)模擬RC模塊中的值，N的值可以為1000或更大，這提供了用于調(diào)諧DCO的頻率的0.1％的步長。N的值可以基于RC模塊的實(shí)際值而非設(shè)計(jì)值來設(shè)置。因此，DCO的頻率可以非常精確地調(diào)諧，而與DCO中的工藝變化無關(guān)。對(duì)于N個(gè)時(shí)鐘僅具有一個(gè)上升/下降時(shí)間通過因子N降低了非理想性的影響，并且比較器被定時(shí)以減少誤差貢獻(xiàn)。

總體而言，該系統(tǒng)是靈活并且可數(shù)字地重新配置。通過提供具有已知特性的精準(zhǔn)模擬RC模塊，頻率調(diào)諧模塊能夠以先前在內(nèi)部振蕩器中不可能實(shí)現(xiàn)的精準(zhǔn)度將給定芯片上的每個(gè)振蕩器調(diào)諧到需求頻率。該架構(gòu)獨(dú)立于DCO實(shí)現(xiàn)方式。所公開的解決方案是簡單、低廉和實(shí)用的。單個(gè)延遲元件(模擬RC模塊)可以被用于以多個(gè)不同頻率修整多個(gè)時(shí)鐘，從而提供顯著的可數(shù)字重新配置性。

在一個(gè)方面中，公開了將內(nèi)部振蕩器調(diào)諧到期望頻率F1的方法的實(shí)施例。該方法使用包括電阻器、電容器和比較器的精準(zhǔn)RC延遲元件。該方法包括：從待調(diào)諧的振蕩器接收時(shí)鐘信號(hào)；觸發(fā)RC延遲元件的充電；在距觸發(fā)充電的M個(gè)時(shí)鐘循環(huán)處，獲得指示在RC延遲元件上的電壓是否高于或低于基準(zhǔn)電壓的第一結(jié)果；以及基于該第一結(jié)果向振蕩器提供校正反饋。

在另一方面中，公開了將內(nèi)部振蕩器調(diào)諧到期望頻率F1的方法的進(jìn)一步的實(shí)施例。該方法使用包括電阻器、電容器和比較器的RC延遲元件。該方法包括：從待調(diào)諧的振蕩器接收時(shí)鐘信號(hào)；觸發(fā)RC延遲元件的放電；在距觸發(fā)放電的M個(gè)時(shí)鐘循環(huán)處，獲得指示RC延遲元件上的電壓是否高于或低于基準(zhǔn)電壓的結(jié)果；以及基于該結(jié)果向振蕩器提供校正反饋。

在又一方面中，公開了集成電路(IC)芯片的實(shí)施例。該IC芯片包括：頻率調(diào)諧模塊，其經(jīng)耦合以向振蕩器提供控制信號(hào)并且從振蕩器接收時(shí)鐘信號(hào)；以及RC延遲元件，其包括數(shù)字緩沖器、電阻器、電容器和比較器，該電阻器被連接在數(shù)字緩沖器和比較器的第一輸入端之間，該比較器的第二輸入端接收基準(zhǔn)電壓，該電容器具有連接在電阻器和比較器的第一輸入端之間的端子，并且數(shù)字緩沖器被連接以接收起始觸發(fā)；其中所述頻率調(diào)諧模塊被配置成執(zhí)行以下操作：觸發(fā)RC延遲元件的充電；在距觸發(fā)充電的M個(gè)時(shí)鐘循環(huán)后，從比較器獲得第一結(jié)果；以及基于給第一結(jié)果向振蕩器提供校正反饋。

附圖說明

在附圖中的圖形中借助示例的方式而非限制的方式示出本公開的實(shí)施例，在附圖中，相同的標(biāo)記指示相似的元件。應(yīng)當(dāng)注意的是，在本公開中，對(duì)“某一”或“一個(gè)”實(shí)施例的不同引用不一定是相同的實(shí)施例，并且這樣的引用可以意指至少一個(gè)實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合無論是否明確描述的其他實(shí)施例來產(chǎn)生此類特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)范圍內(nèi)。

附圖并入說明書中并形成說明書的一部分以說明本公開的一個(gè)或多個(gè)示例性實(shí)施例。通過以下結(jié)合所附權(quán)利要求并參考附圖的具體實(shí)施方式，將理解本公開的各種優(yōu)點(diǎn)和特征，在附圖中：

圖1示出根據(jù)本專利申請的實(shí)施例的用于將內(nèi)部DCO調(diào)諧到超高精準(zhǔn)度的方法的示例系統(tǒng)；

圖2示出根據(jù)本專利申請的實(shí)施例的將內(nèi)部DCO調(diào)諧到超高精準(zhǔn)度的方法的示例流程圖；

圖3示出根據(jù)本專利申請的實(shí)施例的用于操作RC電路的雙充電/放電方法的時(shí)序的示例；

圖4示出根據(jù)本專利申請的雙充電/放電實(shí)施例的將內(nèi)部DCO調(diào)諧到超高精準(zhǔn)度的方法的示例流程圖；和

圖5示出根據(jù)本專利申請的實(shí)施例的包含多個(gè)內(nèi)部DCO并且包括將那些內(nèi)部DCO調(diào)諧至超高精準(zhǔn)度的電路的示例芯片。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。在本發(fā)明的實(shí)施例的以下詳細(xì)描述中，闡述了許多具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的更透徹的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將顯而易見的是，本發(fā)明可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下被實(shí)踐。在其他情況下，公知特征沒有詳細(xì)描述以避免不必要地使描述復(fù)雜化。另外，諸如“耦合”和“連接”等術(shù)語及其派生詞可用于以下描述、權(quán)利要求或這兩者中。應(yīng)當(dāng)理解，這些術(shù)語不一定旨在作為彼此的同義詞?！榜詈稀笨梢杂糜谥甘颈舜丝梢曰蚩梢圆恢苯游锢砘螂娊佑|的兩個(gè)或多個(gè)元件彼此協(xié)作或交互?！斑B接”可以用于指示在彼此耦合的兩個(gè)或多個(gè)元件之間的通信的建立，即通信關(guān)系。

現(xiàn)在參考附圖且更具體地參考圖1，其中示出根據(jù)本申請的實(shí)施例的用于將內(nèi)部DCO 116調(diào)諧到超高精準(zhǔn)度的系統(tǒng)100。頻率調(diào)諧模塊112經(jīng)連接以將控制信號(hào)136提供至內(nèi)部DCO 116并且從DCO 116接收時(shí)鐘信號(hào)138。在至少一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)部DCO 116是低廉、低功率DCO。在至少一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)部DCO 116是高性能DCO。兩種類型的DCO均可以實(shí)現(xiàn)相同的最終頻率精度。

FTM 112經(jīng)連接以將信號(hào)130、132提供至精準(zhǔn)RC延遲元件102并且從精準(zhǔn)RC延遲元件102接收信號(hào)134，如將在以下更詳細(xì)地討論的。精準(zhǔn)RC延遲元件102包含數(shù)字緩沖器104，其接收來自FTM 112的觸發(fā)信號(hào)130以開始電路的充電。電阻器106被連接在數(shù)字緩沖器104和比較器110的第一輸入端之間，并且電容器108具有連接在電阻器106和比較器110的第一輸入端之間的一個(gè)端子。在一個(gè)示例實(shí)施例中，電阻器106的值為752K并且電容器108的值為5.75pF以對(duì)于120MHz的時(shí)鐘周期實(shí)現(xiàn)N＝500的值。比較器110在第二輸入端上接收基準(zhǔn)電壓Vref，并且通過連接132接收來自FTM112的信號(hào)作為時(shí)鐘輸入。來自比較器110的結(jié)果被提供至FTM 112，指示在精準(zhǔn)RC延遲元件102上的電荷是否大于或小于Vref。在所公開的實(shí)施例中，電阻器106和電容器108不需要被修整，但被允許隨著工藝而變化。相反，N的值被補(bǔ)償以“修整”RC工藝變化。換句話說，一旦芯片完成，就精確地確定經(jīng)由電阻器106將電容器108充電到基準(zhǔn)電壓Vref所需的時(shí)間Tref。該值除以與DCO 116的期望頻率相關(guān)聯(lián)的周期可以被用于初始化N，其表示如果DCO的頻率正確在Tref秒內(nèi)出現(xiàn)的時(shí)鐘的數(shù)量。使用這種“邏輯修整”的方法意味著對(duì)精準(zhǔn)RC延遲元件102沒有開關(guān)或寄生影響，從而允許該延遲元件非常精確。通過選擇電阻器106和電容器108的正確值，可以實(shí)現(xiàn)N的任何值。雖然已經(jīng)按照RC網(wǎng)絡(luò)解釋了電路，但是應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到，所公開的概念也可以使用電感器-電容器(LC)電路或簡單地使用電流充電電容器來實(shí)施。

FTM 112控制DCO 116的自校準(zhǔn)過程200，將現(xiàn)在參考圖2來描述該過程。FTM 112從DCO 116接收(205)時(shí)鐘信號(hào)，其具有周期‘tclk’。FTM 112觸發(fā)(210)信號(hào)130，該信號(hào)使得精準(zhǔn)RC延遲元件102以受控速率充電。FTM 112可以被提供有待使用的N的值。FTM 112然后確定(215)自觸發(fā)充電以來是否已經(jīng)出現(xiàn)N個(gè)時(shí)鐘循環(huán)。在恰好“N”個(gè)時(shí)鐘之后，F(xiàn)TM 112觸發(fā)時(shí)鐘輸入端132并獲得比較器110的結(jié)果，該比較器110將精準(zhǔn)RC延遲元件102上的電荷與Vref進(jìn)行比較(220)。FTM 112確定(225)比較器134的結(jié)果是“高”還是“低”。如果結(jié)果為高，則在N*tclk時(shí)間內(nèi)，RC延遲元件102被充電大于Vref；因此N*tclk＞Tref。如果結(jié)果為低，則在N*tclk時(shí)間內(nèi)，RC延遲元件102被充電小于Vref；因此N*tclk＜Tref。基于比較器結(jié)果，F(xiàn)TM 112向DCO 116給出校正反饋。在該示例中，如果結(jié)果為低，則FTM 112減小(230)時(shí)鐘信號(hào)的頻率；如果結(jié)果高，則FTM 112增加(235)該頻率。在穩(wěn)定狀態(tài)下，時(shí)鐘周期“tclk”將在“Tref/N”周圍徘徊，這取決于DCO的步長。在DCO中很容易實(shí)現(xiàn)小步長，因此如果我們能夠假設(shè)DCO步長是可忽略的，則tclk將近似等于Tref/N。當(dāng)DCO步長充分小于1/N時(shí)，最終頻率的精度將近似等于1/N。雖然已經(jīng)按照“計(jì)數(shù)”(即，作為RC延遲模塊充電所需的時(shí)鐘周期的數(shù)量)描述了精準(zhǔn)RC延遲模塊的操作，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離本公開的精神的情況下，電路的操作也可以純粹按照對(duì)RC延遲模塊充電所需的時(shí)間來限定。類似地，雖然電路已經(jīng)被描述為充電電路，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，在不脫離本公開的精神的情況下，電路也可以被實(shí)現(xiàn)為放電電路。

在電路的元件中的偏移可以按照設(shè)計(jì)或結(jié)果的初始值與相同結(jié)果的當(dāng)前值之間的差來定義。雖然在定義N的值中考慮RC延遲元件的初始偏移，但是在至少一個(gè)實(shí)施例中，比較器110的偏移影響隨時(shí)間改變，從而導(dǎo)致需要校正的精準(zhǔn)RC延遲元件102的漂移。該校正可以通過使用雙充電/放電方法來實(shí)施，其時(shí)序在圖3示出。在時(shí)序圖300中，先前的變量‘N’由兩個(gè)變量‘M’和‘N’代替，其中M和N一起確定在調(diào)諧DCO 116中可獲得的步長的大小。在該實(shí)施例中，M表示在其期間精準(zhǔn)RC延遲元件102以精準(zhǔn)速率被充電的時(shí)鐘的數(shù)量，而N表示在其期間精準(zhǔn)RC延遲元件102以精準(zhǔn)速率放電的時(shí)鐘的數(shù)量。應(yīng)當(dāng)理解，時(shí)鐘信號(hào)302是從DCO 116接收的時(shí)鐘，而線304表示電容器108上的電荷。虛線306表示Vref的值。當(dāng)DCO 116的時(shí)鐘被正確地調(diào)諧時(shí)，電容器108在M個(gè)時(shí)鐘內(nèi)充電至Vref并且在N個(gè)時(shí)鐘內(nèi)放電。在示例實(shí)施例中，比較器110已經(jīng)漂移，使得線308表示比較器110的偏移。

現(xiàn)將參照圖4的流程圖400描述由時(shí)序圖300表示的方法。在該圖中，F(xiàn)TM 112從DCO 116接收(405)時(shí)鐘信號(hào)，并觸發(fā)信號(hào)130從而以受控速率開始對(duì)精準(zhǔn)RC延遲元件102充電(410)。如圖3所示，信號(hào)130在時(shí)鐘循環(huán)的起始處被觸發(fā)。FTM 112確定(415)自從觸發(fā)充電起是否已出現(xiàn)M個(gè)時(shí)鐘循環(huán)，并且如果尚未出現(xiàn)M個(gè)時(shí)鐘循環(huán)則等待。在恰好M個(gè)時(shí)鐘之后，F(xiàn)TM112觸發(fā)到比較器110的時(shí)鐘輸入端132并獲得(420)比較器的第一結(jié)果。FTM 112然后打開開關(guān)(未具體示出)以快速地將電容器充電(425)到兩倍的基準(zhǔn)電壓。一旦電容器108被完全充電，F(xiàn)TM 112就觸發(fā)(430)精準(zhǔn)RC延遲元件102以受控速率放電。要注意，放電也在時(shí)鐘循環(huán)起始時(shí)開始。然后，F(xiàn)TM 112確定(435)自從觸發(fā)放電起是否已經(jīng)出現(xiàn)N個(gè)時(shí)鐘循環(huán)，并且等待直到該條件已經(jīng)出現(xiàn)。在恰好N個(gè)時(shí)鐘循環(huán)之后，F(xiàn)TM 112從比較器110獲得(440)第二結(jié)果。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，雖然放電電路已經(jīng)被公開為充電到兩倍的基準(zhǔn)電壓，但是，只要放電時(shí)間是已知的，那么在放電階段也可以使用其他電壓，例如三倍的基準(zhǔn)電壓。

一旦FTM 112具有第一結(jié)果的值和第二結(jié)果的值，F(xiàn)TM 112就確定(445)兩個(gè)值是否相同。如果兩個(gè)結(jié)果彼此一致，則FTM 112將轉(zhuǎn)變M和N的值以校正偏移，而如果兩個(gè)結(jié)果不一致，則FTM 112將調(diào)節(jié)DCO頻率。如所示的，當(dāng)兩個(gè)結(jié)果值相同時(shí)，F(xiàn)TM 112接下來確定(450)兩個(gè)結(jié)果是高還是低。如果兩個(gè)結(jié)果都為低，則FTM 112將M的值增加(455)給定量且將N的值減小相同的量以校正偏移。如果兩個(gè)結(jié)果都為高，則FTM 112將M的值減小(460)給定量并將N的值增加相同的給定量。如果第一和第二結(jié)果彼此不同，則FTM 112確定(470)第一結(jié)果是高還是低。如果第一結(jié)果為高，則FTM 112增加(475)DCO 116的時(shí)鐘信號(hào)的頻率，從而減小其周期tclk。如果第一結(jié)果為低，則FTM 112減小(480)DCO 116的時(shí)鐘信號(hào)的頻率，從而增加其周期tclk。該決策過程在下面所示的表1中表示。

表1

在穩(wěn)定狀態(tài)，

其中Ts等于tclk，并且

V_os為偏移電壓。

如果我們假設(shè)α＝1/2(該值提供針對(duì)頻移的最大靈敏度并且更易于比較器設(shè)計(jì))，我們可以寫成，

為了在Vdd＝1.1V時(shí)實(shí)現(xiàn)小于0.1％的Ts變化，比較器偏移必須小于±20mV。與使用當(dāng)前方法的小于±381uV的偏移相比，該值高度寬松。要注意，最終調(diào)諧頻率取決于(M+N)，而不是它們各自的值。

用于啟動(dòng)和調(diào)諧振蕩器所需的時(shí)間可以與初始調(diào)諧精度進(jìn)行權(quán)衡。例如實(shí)現(xiàn)1％的精度僅要求每步長約100個(gè)時(shí)鐘，但實(shí)現(xiàn)0.1％的精度要求每步長約1000個(gè)時(shí)鐘。在至少一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)被配置有實(shí)現(xiàn)5％的精度內(nèi)的非?？焖俚膯?dòng)且然后緩慢地收斂到非常高的精度，例如約0.1％。調(diào)諧邏輯和相關(guān)聯(lián)的延遲元件僅需要在頻率調(diào)諧期間運(yùn)行；在全部其他時(shí)間，這些元件可以被斷電。

申請人注意到，相同的延遲元件和相關(guān)聯(lián)的頻率調(diào)諧能力可以由在集成電路(IC)芯片上的多個(gè)振蕩器使用，其中每個(gè)振蕩器被調(diào)諧到不同頻率。該實(shí)現(xiàn)方式的實(shí)施例在圖5中示出。圖5的IC芯片500大體對(duì)應(yīng)于圖1并且包含用于元件的類似編號(hào)，因此除非必要，否則在本文中將不明確討論該圖的細(xì)節(jié)。應(yīng)當(dāng)理解，雖然IC芯片500被示為僅包含DCO和相關(guān)聯(lián)的調(diào)諧模塊，但是其他電路(未具體示出)也提供在IC芯片500上以完成多種任務(wù)。另外，雖然在該圖中示出了具有相應(yīng)的控制線536、537和時(shí)鐘輸出端538、539的兩個(gè)DCO 516A、516B，但是將理解，任何數(shù)量的DCO都可以連接到FTM 512。FTM 512僅需要接收來自每個(gè)DCO的時(shí)鐘，具有到每個(gè)DCO的控制線，以及接收包含用于每個(gè)DCO的M和N的適當(dāng)值的輸入540、542。值得注意的是，在不調(diào)諧時(shí)，每個(gè)時(shí)鐘連接可以被關(guān)閉。因此，存在對(duì)時(shí)鐘耦合的最小的關(guān)注。還將理解，如果具有頻率f1的一個(gè)振蕩器用代碼k1調(diào)諧，則對(duì)于該IC芯片，頻率和代碼之間的關(guān)系保持恒定，即：

其中代碼k1和kn是指在調(diào)諧頻率時(shí)在本文中所用的計(jì)數(shù)，即，當(dāng)雙充電/放電方法未被利用時(shí)N的值，以及當(dāng)雙充電/放電方法被使用時(shí)M和N的值。值得注意的是，可以按照這個(gè)等式將振蕩器重新調(diào)諧到不同頻率。借助RC模塊上的單個(gè)“邏輯”修整操作“修整”多個(gè)振蕩器的能力等同于降低IC芯片的測試成本。

在本公開的各種實(shí)施例的以上描述中，應(yīng)當(dāng)理解本文所使用的術(shù)語僅用于描述具體實(shí)施例的目的而不旨在限制本發(fā)明。除非另有定義，否則本文使用的全部術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。還應(yīng)當(dāng)理解，術(shù)語(諸如在通常使用的字典中定義的那些術(shù)語)應(yīng)當(dāng)理解為具有與它們在本說明書和相關(guān)技術(shù)的語境中的含義一致的含義并且不能以理想化或過度正式意義來理解，除非在本文明確定義。

在本文參考計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法、裝置(系統(tǒng)和/或設(shè)備)和/或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的框圖和/或流程圖來描述至少一些示例實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解，框圖和/或流程圖說明的方框，以及框圖和/或流程圖說明中的方框的結(jié)合可以通過由一個(gè)或多個(gè)計(jì)算機(jī)電路執(zhí)行的計(jì)算機(jī)程序指令來實(shí)施。此類計(jì)算機(jī)程序指令可以提供至通用計(jì)算機(jī)電路、專用計(jì)算機(jī)電路和/或其他可編程數(shù)據(jù)處理電路的處理器電路以產(chǎn)生機(jī)器，使得指令(其經(jīng)由計(jì)算機(jī)的處理器和/或其他可編程數(shù)據(jù)處理裝置執(zhí)行)轉(zhuǎn)換和控制晶體管、存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器位置中的值以及此類電路內(nèi)的其他硬件組件從而實(shí)施在框圖和/或流程圖框中指定的功能/動(dòng)作，從而創(chuàng)建裝置(功能性)和/或用于實(shí)施在框圖和/或流程圖框中指定的功能/動(dòng)作的結(jié)構(gòu)。另外，計(jì)算機(jī)程序指令還可以存儲(chǔ)在非暫時(shí)性實(shí)體計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，該介質(zhì)可以引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理裝置以特定方式運(yùn)行，使得存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的指令產(chǎn)生包括實(shí)施框圖和/或流程圖框或者框中指定的功能/動(dòng)作的指令的制品。

應(yīng)當(dāng)理解，在本公開的附圖中示出的流程圖中的任何一個(gè)中例示的動(dòng)作、步驟、功能、組件或框可修改、更改、替換、定制化或以其他方式布置在特定流程圖或框圖內(nèi)，包括刪除或省略特定動(dòng)作、步驟、功能、組件或框。此外，在特定流程圖中例示的動(dòng)作、步驟、功能、組件或框可以與在另一個(gè)流程圖和/或框圖中例示的動(dòng)作、步驟、功能、組件或框相互混合或以其它方式相互布置或重新布置以便實(shí)行相對(duì)于用于實(shí)踐本專利公開的教導(dǎo)內(nèi)容的一個(gè)或多個(gè)過程的附加變型、修改和配置。

雖然已經(jīng)詳細(xì)地示出和描述了各種實(shí)施例，但是權(quán)利要求不限于任何特定的實(shí)施例或示例。以上具體實(shí)施方式不應(yīng)被解讀為暗示任何特定的組件、元件、步驟、動(dòng)作或功能是必要的，使得其必須包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。除非明確地如此陳述，否則對(duì)以單數(shù)形式元素的引用不旨在意指“一個(gè)且僅一個(gè)”，而是“一個(gè)或多個(gè)”。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的上述實(shí)施例的元件的全部結(jié)構(gòu)和功能等同物通過引用明確地并入本文，并且旨在被包括在本權(quán)利要求中。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，本文所描述的示例性實(shí)施例可以在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)以各種修改和變型來實(shí)踐。