配線和薄膜晶體管陣列面板的制造方法及有機發(fā)光顯示器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種配線和薄膜晶體管陣列面板的制造方法及有機發(fā)光顯示器。所述配線的制造方法包括：在基板上形成下層；在所述下層上形成中間層；在所述中間層上形成上層；在所述上層上形成、曝光并顯影光刻膠層以形成光刻膠圖案；并且通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述上層、所述中間層和所述下層，以形成配線，使得所述上層覆蓋所述中間層的端部。
【專利說明】配線和薄膜晶體管陣列面板的制造方法及有機發(fā)光顯示器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的示例性實施例涉及形成金屬配線和薄膜晶體管陣列面板的方法以及有 機發(fā)光顯示器。

【背景技術(shù)】
[0002] 近來，通過引進(jìn)容易實現(xiàn)大面積且具有減小的重量和厚度的平板顯示器（FPD)改 變了顯示設(shè)備市場。在許多種平板顯示器中，有機發(fā)光二極管顯示器（0LED)在減小厚度和 重量方面最具優(yōu)勢，因為其是不需要光源的自發(fā)光類型。
[0003] 顯示設(shè)備中的像素包括多個薄膜晶體管，并且薄膜晶體管包括連接至傳輸掃描信 號的柵極線的柵電極、連接至傳輸待施加至像素電極的信號的數(shù)據(jù)線的源電極、面對源電 極的漏電極以及電連接至源電極和漏電極的半導(dǎo)體。
[0004] 為了形成諸如數(shù)據(jù)線和柵極線的金屬配線，在基板上形成金屬層，并且通過使用 光刻膠圖案的光刻工藝而圖案化金屬層。
[0005] 通過曝光和顯影工藝形成光刻膠圖案。通過在顯影工藝中使用的顯影液刻蝕金屬 層，并且根據(jù)所使用的金屬產(chǎn)生雜質(zhì)。
[0006] 具體來說，用于制造低電阻配線的由鋁制成的金屬層與顯影液發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生雜 質(zhì)，并且所產(chǎn)生的雜質(zhì)殘留在金屬層上。最終，在測試工藝中，殘留在金屬層上的雜質(zhì)可被 識別為噪聲。
[0007] 在該【背景技術(shù)】部分公開的上述信息僅是為了加強對本發(fā)明背景的理解，因此，其 可以包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的示例性實施例涉及防止在顯影光刻膠時由于顯影液而產(chǎn)生雜質(zhì)的配線 形成方法、配線和使用這種配線的薄膜晶體管陣列面板的制造方法以及有機發(fā)光顯示器。
[0009] 本發(fā)明的額外的特征記載在隨后的描述中，并且部分地根據(jù)這些描述顯而易見， 或者可以通過實踐本發(fā)明而獲知。
[0010] 本發(fā)明的示例性實施例公開了一種制造配線的方法，包括：在基板上形成下層； 在所述下層上形成中間層；在所述中間層上形成上層；通過曝光并顯影形成在所述上層上 的光刻膠層來形成光刻膠圖案；以及通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述上層、所述 中間層和所述下層來形成配線，其中所述上層覆蓋所述中間層的端部。
[0011] 本發(fā)明的示例性實施例還公開了一種薄膜晶體管陣列面板的制造方法，包括：在 基板上形成第一下層；在所述第一下層上形成第一中間層；在所述第一中間層上形成第一 上層；通過曝光并顯影形成在所述第一上層上的光刻膠層來形成光刻膠圖案；通過將所述 光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述第一上層、所述第一中間層和所述第一下層來形成第一信 號線；形成連接至所述第一信號線的薄膜晶體管；形成連接至所述薄膜晶體管的第二信號 線；以及形成連接至所述第二信號線的第一電極，其中所述第一上層覆蓋所述第一中間層 的端部。
[0012] 本發(fā)明的示例性實施例還公開了 一種有機發(fā)光顯示器，包括基板、形成在所述基 板上的柵極線；與所述柵極線相交的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線；第一薄膜晶體管，具有連接至 所述柵極線的第一柵電極和連接至所述數(shù)據(jù)線的第一源電極；第二薄膜晶體管，具有連接 至所述第一薄膜晶體管的第一漏電極的第二柵電極和連接至所述驅(qū)動電壓線的第二源電 極；連接至所述第二薄膜晶體管的第二漏電極的第一電極；形成在所述第一電極上的有機 發(fā)射層；以及形成在所述有機發(fā)射層上的第二電極，其中所述柵極線和所述驅(qū)動電壓線中 的至少之一由下層、中間層和上層制成。
[0013] 應(yīng)當(dāng)理解，以上大體描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，并且旨在提供 如權(quán)利要求所述的對本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014] 為進(jìn)一步理解本發(fā)明而包括且被包含在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分的 附圖，示出了本發(fā)明的實施例，并且連同描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0015] 圖1、圖2、圖3和圖4是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的配線形成方法的視圖。
[0016] 圖5是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的濺射設(shè)備的示意性剖視圖。
[0017] 圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的包括在有機發(fā)光二極管（0LED)顯示器中的像 素電路的不意性電路圖。
[0018] 圖7、圖8、圖9、圖10、圖11和圖12是示出圖5的有機發(fā)光二極管（0LED)顯示器 的制造方法的剖視圖。
[0019] 圖13和圖14是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的母板和掩膜的俯視圖。

【具體實施方式】
[0020] 以下參考附圖更充分地描述本發(fā)明，附圖中示出本發(fā)明的示例性實施例。本領(lǐng)域 技術(shù)人員將認(rèn)識到，可以在不超出本發(fā)明的精神或范圍的情況下以各種不同的方式來修改 所描述的實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式具體體現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為限于 這里所記載的示例性實施例。相反，提供這些示例性實施例從而使本公開全面完整，并且將 本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，可以放大層、區(qū)和其 他元件的包括寬度、長度和厚度等的尺寸和相對尺寸。附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同的 元件。
[0021] 可以理解，當(dāng)提及諸如層、膜、區(qū)或基板之類的元件位于另一元件"上"或"連接至" 另一元件時，該元件可以直接位于另一元件上或直接連接至另一元件，也可以存在中間元 件。相反，當(dāng)提及一元件"直接位于"另一元件上或"直接連接至"另一元件時，不存在中間 元件。可以理解，為了本公開的目的，"X、Y和Z中的至少一個"可以被解釋為只有X、只有 Y、只有Z或者X、Y和Z中的兩項或者更多項的任意組合（例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ)。
[0022] 另外，除非明確進(jìn)行相反的描述，否則詞"包括"及其變體應(yīng)當(dāng)理解為暗指包括所 述的元件但不排除任何其它元件。另外，在整個說明書中，"在……上"暗指位于目標(biāo)元件的 上方或下方，而并不意味著必須位于基于重力方向的頂部上。
[0023] 以下描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的配線形成方法。
[0024] 圖1至圖4是解釋根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的配線形成方法的視圖，并且圖5是 根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的濺射設(shè)備的示意性剖視圖。
[0025] 如圖1所示，第一金屬層10形成在基板100上。可以通過使用圖5中所示的濺射 設(shè)備形成第一金屬層10。
[0026] 參見圖5,根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的濺射設(shè)備1001包括腔500以及在腔500中 提供的靶部600和掩膜700。
[0027] 在濺射工藝期間，腔500保持真空，并且從腔500外部的功率源施加高頻功率。
[0028] 靶部600包括靶62、下支撐件64、陰極板66和磁體68。
[0029] 下支撐件64固定到靶62,靶62是通過濺射在基板100上形成的沉積材料的供給 源。
[0030] 靶62是即將在基板上形成的金屬材料，在腔中用正離子轟擊靶62。正離子通過 電子的加速產(chǎn)生，使得祀62表面上的材料從祀62分離，從而在基板100上形成第一金屬層 10。
[0031] 陰極板66連接至高頻功率源以將高頻電壓施加至靶62,從而在基板100和靶62 之間產(chǎn)生等離子體。
[0032] 磁體68施加磁場以防止等離子體中產(chǎn)生的電子進(jìn)入濺射設(shè)備的其他部分。
[0033] 掩膜700防止薄膜形成在基板100的邊緣。掩膜700是覆蓋基板100的陰影掩膜， 并覆蓋基板100的邊緣。
[0034] 上支撐件80接收基板100,并且可以是在腔500中支撐并承載基板100的載體。
[0035] 在上支撐件80下形成接地陽極板82。
[0036] 參見圖1，基板100和掩膜700重疊第一寬度D1。
[0037] 如圖2所示，第二金屬層20形成在第一金屬層10上。第二金屬層20的邊界線位 于第一金屬層10的邊界線之內(nèi)。
[0038] 第二金屬層20也可以通過使用圖5的濺射設(shè)備形成。這時，第一金屬層10和第 二金屬層20可以通過根據(jù)要形成的材料而安裝不同靶的濺射設(shè)備分別形成。
[0039] 掩膜700與基板100和第一金屬層10重疊第二寬度D2。因此，第二金屬層20的 邊界位于第一金屬層10的邊界之內(nèi)。第二寬度D2的范圍可以從大約3mm至6mm。
[0040] 如圖3所示，第三金屬層30形成在第二金屬層20上。第三金屬層30被形成為覆 蓋第二金屬層20的端部（或邊界），使得第三金屬層30的邊緣接觸第一金屬層10的邊緣。
[0041] 第三金屬層30也可以通過使用圖5的濺射設(shè)備形成。
[0042] 第二金屬層20和第三金屬層30可以通過根據(jù)要形成的材料而安裝不同靶的濺射 設(shè)備形成。
[0043] 掩膜700與基板100重疊第三寬度D3,并且第二金屬層20的邊界被第三金屬層30 覆蓋。第三寬度D3可以與第一寬度D1相同，并且在使用相同材料時，可以應(yīng)用相同的腔。
[0044] 第一金屬層10和第三金屬層30可以由鑰（Mo)制成，并且第二金屬層20可以由 鋁（A1)、鎳（Ni)和鑭（La)制成。
[0045] 在另一個示例性實施例中，第一金屬層10可以由鑰（Mo)制成；第二金屬層20可 以由鋁（A1)制成；并且第三金屬層30可以由鋁（A1)、鎳（Ni)和鑭（La)制成。
[0046] 在另一個不例性實施例中，第一金屬層10可以由錯（A1)、鎳（Ni)和鑭（La)制成； 第二金屬層20可以由鋁（A1)制成；并且第三金屬層30可以由鑰（Mo)制成。
[0047] 在示例性實施例中，第一金屬層10或第三金屬層30包括鑰（Mo)，然而本發(fā)明并不 限于此，也可以使用鈦（Ti)或鎢（W)。
[0048] 如圖4所示，光刻膠層形成在第三金屬層30上，并被曝光和顯影以形成光刻膠圖 案PR。
[0049] 在光刻膠層的顯影工藝中，第二金屬層20可能被顯影液破壞，從而被鉆蝕，或者 分離的第二金屬層20可以作為雜質(zhì)貼附至第三金屬層30的表面。
[0050] 然而，在示例性實施例中，第三金屬層30完全覆蓋第二金屬層20的端部，使得第 二金屬層20的端部不會暴露于顯影液，從而防止由第二金屬層20造成的雜質(zhì)。
[0051] 然后，通過使用光刻膠圖案作為掩膜刻蝕第三金屬層30、第二金屬層20和第一金 屬層10,以形成由三層結(jié)構(gòu)制成的配線400。
[0052] 接下來將結(jié)合附圖描述包括圖1至圖4中示出的配線的有機發(fā)光二極管（0LED) 顯示器及其制造方法。
[0053] 圖6是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管（0LED)顯示器的像素電路的 電路圖。
[0054] 根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光二極管（0LED)顯示器包括多條信號線121、 171和172以及連接至多條信號線121、171和172的像素 PX。
[0055] 信號線包括傳輸選通信號（或掃描信號）的掃描信號線（即柵極線）121、傳輸數(shù) 據(jù)信號的數(shù)據(jù)線171和傳輸驅(qū)動電壓的驅(qū)動電壓線172。
[0056] 柵極線121基本在行方向上延伸，并且基本互相平行，數(shù)據(jù)線171基本在列方向上 延伸，并且基本互相平行。驅(qū)動電壓線172基本在列方向上延伸，并且基本互相平行，但是 它們可以改為在行方向或列方向上延伸，并且可以形成網(wǎng)狀。
[0057] -個像素 PX包括開關(guān)晶體管Qs、驅(qū)動晶體管Qd、存儲電容器Cst和有機發(fā)光二極 管70。
[0058] 開關(guān)晶體管Qs具有控制端子、輸入端子和輸出端子?？刂贫俗舆B接至掃描信號線 121，輸入端子連接至數(shù)據(jù)線171，并且輸出端子連接至驅(qū)動晶體管Qd。開關(guān)晶體管Qs對從 掃描信號線121接收的掃描信號進(jìn)行響應(yīng)，以將從數(shù)據(jù)線171接收的數(shù)據(jù)信號傳送至驅(qū)動 晶體管Qd。
[0059] 驅(qū)動晶體管Qd具有控制端子、輸入端子和輸出端子。控制端子連接至開關(guān)晶體管 Qs，輸入端子連接至驅(qū)動電壓線172,并且輸出端子連接至有機發(fā)光二極管70。驅(qū)動晶體管 Qd允許具有根據(jù)施加在控制端子和輸出端子之間的電壓而變化的振幅的輸出電流Ιω流經(jīng) 驅(qū)動晶體管Qd。
[0060] 電容器Cst連接在驅(qū)動晶體管Qd的控制端子和輸入端子之間。該電容器Cst充 有施加至驅(qū)動晶體管Qd的控制端子的數(shù)據(jù)信號，并且即使在開關(guān)晶體管Qs被關(guān)斷之后也 維持?jǐn)?shù)據(jù)信號。
[0061] 有機發(fā)光二極管70 (0LED)具有連接至驅(qū)動晶體管Qd的輸出端子的陽極和連接至 公共電壓Vss的陰極。有機發(fā)光二極管70通過發(fā)光來顯示圖像，并且其亮度根據(jù)驅(qū)動晶體 管Qd的輸出電流Ι ω而改變。有機發(fā)光二極管70可以包括固有地發(fā)出諸如紅、綠和藍(lán)的原 色中至少一種顏色的光的有機材料。有機發(fā)光二極管顯示器通過顏色的空間和來顯示期望 的圖像。
[0062] 將描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的具有以上像素的有機發(fā)光二極管（0LED)顯示 器的制造方法。
[0063] 圖7至圖12是解釋圖5中的有機發(fā)光二極管（0LED)顯示器的制造方法的剖視圖， 并且圖13和圖14是根據(jù)示例性實施例的母板和掩膜的俯視圖。
[0064] 因為開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管可以使用相同的沉積結(jié)構(gòu)形成，所以在圖 7至圖12中，將描述針對圖6中的驅(qū)動薄膜晶體管Qd和有機發(fā)光元件70的制造方法。在 下文中，驅(qū)動薄膜晶體管Qd被稱為薄膜晶體管。
[0065] 如圖7所示，在基板100上形成緩沖層120。
[0066] 基板100可以是由玻璃、石英、陶瓷或塑料等形成的透明絕緣基板，或者基板100 可以是由不銹鋼等形成的金屬基板。
[0067] 在示例性實施例中，僅描述一個薄膜晶體管。然而，如圖13所示，基板100可以是 其中同時形成多個有機發(fā)光顯示面板LP的母板。
[0068] 緩沖層120可以形成為氮化硅（SiNx)的單層或其中堆疊氮化硅（SiNx)和氧化硅 (Si0 2)的雙層結(jié)構(gòu)。緩沖層120用于防止諸如雜質(zhì)或水的不必要的成分滲透，并且還用于 對表面進(jìn)行平坦化。
[0069] 另外，通過在緩沖層120上形成非晶硅層，然后使非晶硅層結(jié)晶并圖案化非晶硅 層，來形成半導(dǎo)體圖案130。
[0070] 如圖8所示，在半導(dǎo)體圖案130上形成由氮化硅或氧化硅制成的柵絕緣層140,并 且在柵絕緣層140上沉積第一金屬層10、第二金屬層20和第三金屬層30。然后在第三金 屬層30上形成光刻膠圖案PR。
[0071] 第一金屬層10和第三金屬層30可以由鑰（Mo)制成，并且第二金屬層20可以由 鋁（A1)、鎳（Ni)和鑭（La)制成。
[0072] 然而，第一金屬層10和第三金屬層30并不限于該組成，并且也可以包括鈦（Ti) 或鎢（W)。
[0073] 第一至第三金屬層10、20和30可以通過圖1至圖4的方法形成，并且通過改變圖 5的濺射設(shè)備的掩膜700與基板100的重疊程度，第三金屬層30可以形成為完全覆蓋第二 金屬層20的端部。
[0074] 如圖13所不，掩膜700和基板100互相重疊，以使第一金屬層10和第三金屬層30 距離基板100的邊緣具有第一寬度D1，并且如圖14所示，掩膜700和基板100互相重疊， 以使第二金屬層20距離基板100的邊緣具有第二寬度D2。第二寬度D2大于第一寬度D1。 因此，第三金屬層30形成為完全覆蓋第二金屬層20的端部。
[0075] 在示例性實施例中，如果第三金屬層30形成為覆蓋第二金屬層20,則第二金屬層 20不會被光刻膠層顯影液破壞，并受到保護(hù)。
[0076] 在以上示例性實施例中，雖然以Mo/AlNiLa/Mo的順序沉積薄膜，但是本發(fā)明并不 限于此，并且在形成包括受顯影液腐蝕的金屬的配線時完全可以應(yīng)用。也就是說，受顯影液 腐蝕的金屬層的端部被不受顯影液腐蝕的金屬層所覆蓋，以便不暴露于顯影液。
[0077] 如圖9所示，通過將光刻膠圖案PR用作掩膜，刻蝕第三金屬層30、第二金屬層20 和第一金屬層10以形成包括上層155c、中間層155b和下層155a的三層的柵電極155。
[0078] 柵極線和開關(guān)薄膜晶體管的柵電極也可以一起形成。因此，開關(guān)薄膜晶體管的柵 電極和柵極線可以形成有與柵電極155相同的沉積結(jié)構(gòu)。
[0079] 通過將柵電極155用作掩膜，導(dǎo)電雜質(zhì)離子以高濃度摻入半導(dǎo)體圖案130中，以形 成具有源區(qū)1356和漏區(qū)1357的半導(dǎo)體135。溝道區(qū)1355形成在源區(qū)1356和漏區(qū)1357之 間。
[0080] 如圖10所不，第一層間絕緣層160形成在柵電極155上。
[0081] 刻蝕第一層間絕緣層160和柵絕緣層140以形成暴露半導(dǎo)體135的接觸孔66和 67〇
[0082] 在第一層間絕緣層160上形成第四金屬層、第五金屬層和第六金屬層，并且在第 六金屬層上形成光刻膠圖案。第四金屬層可以由鑰（Mo)制成，并且第五金屬層可以由鋁 (A1)制成。此外，第六金屬層可以由鋁（A1)、鎳（Ni)和鑭（La)制成。
[0083] 在另一個示例性實施例中，第五金屬層可以由鋁（A1)、鎳（Ni)和鑭（La)制成，并 且第五金屬層可以由鋁（A1)制成。此外，第六金屬層可以由鑰（Mo)制成。
[0084] 在示例性實施例中，第四金屬層或第六金屬層包括鑰（Mo)。然而，本發(fā)明并不限于 此，該組合中也可以包括鈦（Ti)或鶴（W)。
[0085] 通過將光刻膠圖案用作掩膜，刻蝕第六金屬層、第五金屬層和第四金屬層，以形成 通過接觸孔66和67連接至源區(qū)1356和漏區(qū)1357的源電極177和漏電極176,并且源電 極177和漏電極176包括上層（176c和177c)、中間層（176b和177b)以及下層（176a和 177a)的三層。
[0086] 數(shù)據(jù)線、開關(guān)薄膜晶體管的源電極和漏電極以及驅(qū)動電壓線也可以一起形成。因 此，數(shù)據(jù)線、開關(guān)薄膜晶體管的源電極和漏電極以及驅(qū)動電壓線可以形成有與源電極177 和漏電極176相同的沉積結(jié)構(gòu)。
[0087] 如果第六金屬層形成為覆蓋第五金屬層，那么由鋁制成的第五金屬層不會被顯影 液破壞，并受到保護(hù)。
[0088] 如圖11所示，在源電極177和漏電極176上形成第二層間絕緣層180。
[0089] 刻蝕第二層間絕緣層180以形成暴露漏電極176的接觸孔85。
[0090] 如圖12所示，在層間絕緣層180上形成金屬層，并圖案化金屬層以形成第一電極 710。
[0091] 在第一電極710上形成具有開口 95的像素限定層190,在像素限定層190的開口 95中形成有機發(fā)射層720,并且在有機發(fā)射層720上形成第二電極730。
[0092] 然后，結(jié)合圖12描述通過所述的布線和薄膜晶體管的制造方法制造的有機發(fā)光 顯示器。
[0093] 根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示器對應(yīng)于結(jié)合圖7至圖12所述的有機 發(fā)光顯示器。因此，省略了與上述結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)的詳細(xì)描述。
[0094] 參見圖12,形成在基板100上的柵極線，詳細(xì)地，連接至柵極線的柵電極155可以 由三層155c、155b和155a制成。
[0095] 在此情形下，形成柵電極155的下層155a可以對應(yīng)于所述的布線和薄膜晶體管的 制造方法中所述的第一金屬層。此外，中間層155b和上層155c可以分別對應(yīng)于第二金屬 層和第三金屬層。
[0096] 另一方面，下層155a和上層155c可以由鑰（Mo)制成。此外，中間層155b可以由 鋁（A1)、鎳（Ni)和鑭（La)制成。
[0097] 連接至薄膜晶體管的數(shù)據(jù)線，更具體來說為源電極177和漏電極176也可以由三 層制成。
[0098] 源電極177可以由下層177a、中間層177b和上層177c制成。此外，漏電極176可 以由下層176a、中間層176b和上層176c制成。
[0099] 在此情形下，形成源電極177和漏電極176的下層177a和176a可以由鑰（Mo)制 成，并且中間層176b和177b可以由鋁（A1)制成。此外，上層176c和177c可以由鋁（A1)、 鎳（Ni)和鑭（La)制成。
[0100] 在另一個示例性實施例中，下層176a和177a可以由鋁（A1)、鎳（Ni)和鑭（La)制 成，并且中間層176b和177b可以由鋁（A1)制成。此外，上層176c和177c可以由鑰（Mo) 制成。
[0101] 在示例性實施例中，當(dāng)形成三層的金屬層時，由鋁制成的薄膜不會暴露于形成光 刻膠圖案所使用的顯影液，從而防止由于顯影液而破壞金屬層，并且還防止雜質(zhì)的產(chǎn)生。
[0102] 在不超出本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明做出各種修改和變形，這 對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，倘若對本發(fā)明的修改和變形處于所附權(quán)利 要求及其等同物的范圍內(nèi)，則意味著本發(fā)明覆蓋這些修改和變形。
【權(quán)利要求】
1. 一種制造配線的方法，包括 在基板上形成下層； 在所述下層上形成中間層； 在所述中間層上形成上層； 使用顯影工藝在所述上層上形成光刻膠圖案；以及 通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述上層、所述中間層和所述下層來形成配線， 其中所述上層覆蓋所述中間層的端部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述上層對顯影液有耐受性，并且所述中間層對 顯影液沒有耐受性。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述顯影工藝包括使用所述顯影液刻蝕光刻膠 層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述中間層包括鋁、鎳和鑭。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述下層和所述上層包括Mo。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述中間層包括鋁。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中： 所述上層包括鑰，并且 所述下層包括鋁、鎳和鑭。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中： 所述上層包括鋁、鎳和鑭，并且 所述下層包括鑰。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中： 所述下層、所述中間層和所述上層在包括與所述基板的邊緣對準(zhǔn)的掩膜的濺射設(shè)備中 形成； 在形成所述中間層時，所述掩膜被對準(zhǔn)為與所述基板重疊第一寬度； 在形成所述上層時，所述掩膜被對準(zhǔn)為與所述基板重疊第二寬度； 所述第一寬度小于所述第二寬度。
10. -種制造薄膜晶體管陣列面板的方法，包括： 在基板上形成第一下層； 在所述第一下層上形成第一中間層； 在所述第一中間層上形成第一上層； 使用第一顯影工藝在所述第一上層上形成光刻膠圖案； 通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述第一上層、所述第一中間層和所述第一下層 來形成第一信號線； 形成連接至所述第一信號線的薄膜晶體管； 形成連接至所述薄膜晶體管的第二信號線；以及 形成連接至所述第二信號線的第一電極， 其中所述第一上層覆蓋所述第一中間層的端部。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第二信號線的形成進(jìn)一步包括： 在所述基板上形成第二下層； 在所述第二下層上形成第二中間層； 在所述第二中間層上形成第二上層； 使用第二顯影工藝在所述第二上層上形成第二光刻膠圖案；以及 通過將所述光刻膠圖案用作掩膜刻蝕所述第二上層、所述第二中間層和所述第二下 層， 其中所述第二上層覆蓋所述第二中間層的端部。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一中間層包括鋁、鎳和鑭。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第一下層和所述第一上層包括鑰。
14. 一種有機發(fā)光顯不器，包括： 基板； 位于所述基板上的柵極線； 位于所述基板上并與所述柵極線相交的數(shù)據(jù)線和驅(qū)動電壓線； 第一薄膜晶體管，包括連接至所述柵極線的第一柵電極和連接至所述數(shù)據(jù)線的第一源 電極； 第二薄膜晶體管，包括連接至所述第一薄膜晶體管的第一漏電極的第二柵電極和連接 至所述驅(qū)動電壓線的第二源電極； 第一電極，連接至所述第二薄膜晶體管的第二漏電極； 位于所述第一電極上的有機發(fā)射層；以及 位于所述有機發(fā)射層上的第二電極， 其中所述柵極線和所述驅(qū)動電壓線中的至少之一包括下層、中間層和上層。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述中間層包括鋁、鎳和鑭。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述下層和所述上層包括鑰。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述數(shù)據(jù)線通過沉積所述下層、所 述中間層和所述上層來形成。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光顯示器，其中所述中間層包括鋁。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光顯示器，其中： 所述上層包括鑰，并且 所述下層包括鋁、鎳和鑭。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光顯示器，其中： 所述上層包括鋁、鎳和鑭；并且 所述下層包括鑰。
【文檔編號】H01L27/32GK104143563SQ201410195634
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2014年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月10日
【發(fā)明者】尹秀娟, 孫東珍 申請人:三星顯示有限公司