供體基底的制作方法
【專利摘要】提供了一種供體基底，該供體基底包括：基礎(chǔ)基底；光反射層，位于基礎(chǔ)基底上并且與基礎(chǔ)基底部分地疊置；光熱轉(zhuǎn)換層，位于基礎(chǔ)基底上并且包括組合層，所述組合層包括絕緣材料和第一金屬材料；轉(zhuǎn)印層，位于光熱轉(zhuǎn)換層上。隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的第一金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比增大。
【專利說明】供體基底
[0001]本申請(qǐng)要求于2013年5月28日提交的第10-2013-0060487號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和全部權(quán)益，該韓國專利申請(qǐng)的內(nèi)容通過引用被包含于此。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種供體基底和一種使用該供體基底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。更具體地講，本發(fā)明涉及一種具有包括組合層的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底以及一種使用該供體基底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。

【背景技術(shù)】
[0003]已經(jīng)使用激光熱轉(zhuǎn)印成像方法作為一種在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底上形成有機(jī)/無機(jī)圖案(在下文中，稱為轉(zhuǎn)印圖案)的方法。例如，使用激光熱轉(zhuǎn)印成像方法以形成有機(jī)發(fā)光裝置的圖案。
[0004]使用供體基底執(zhí)行激光熱轉(zhuǎn)印成像方法。供體基底包括光熱轉(zhuǎn)換層，以將從光源發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為熱。隨著光熱轉(zhuǎn)換層的光吸收率增大，即，隨著光反射率減小，轉(zhuǎn)印圖案容易被轉(zhuǎn)印。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種具有改善的光吸收率的供體基
。
[0006]本發(fā)明的一個(gè)或更多示例性實(shí)施例提供了一種使用該供體基底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。
[0007]本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種供體基底，所述供體基底包括:基礎(chǔ)基底；光反射層，位于基礎(chǔ)基底上并且與基礎(chǔ)基底部分地疊置；光熱轉(zhuǎn)換層，位于基礎(chǔ)基底上并且包括組合層，所述組合層包括絕緣材料和第一金屬材料；轉(zhuǎn)印層，位于光熱轉(zhuǎn)換層上。隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的第一金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比增大。
[0008]光熱轉(zhuǎn)換層還可包括位于組合層上且包括組合層中的第一金屬材料的金屬層。光熱轉(zhuǎn)換層還可包括位于基礎(chǔ)基底和組合層之間且包括組合層中的絕緣材料的絕緣層。隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的第一金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比線性增大。
[0009]絕緣材料可包括氧化硅、氮化硅或有機(jī)聚合物。
[0010]組合層的金屬材料可包括鉻、鈦、鋁、鑰、鉭、鎢或它們的合金。
[0011]多個(gè)開口可限定在光反射層中，光反射層可包括第二金屬材料。
[0012]本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種設(shè)置轉(zhuǎn)印圖案的方法，該方法包括下述步驟:在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底上設(shè)置供體基底，以使供體基底的轉(zhuǎn)印層與轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底接觸，所述供體基底包括基礎(chǔ)基底、位于基礎(chǔ)基底上并且與基礎(chǔ)基底部分地疊置的光反射層、位于基礎(chǔ)基底上并且包括組合層的光熱轉(zhuǎn)換層以及位于光熱轉(zhuǎn)換層上的轉(zhuǎn)印層，所述組合層包括絕緣材料和金屬材料；將光照射到供體基底上，以在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底上設(shè)置轉(zhuǎn)印圖案；使供體基底與轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底分離。隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比增大。
[0013]設(shè)置轉(zhuǎn)印圖案的步驟可以設(shè)置有機(jī)發(fā)光器件的圖案，設(shè)置有機(jī)發(fā)光器件的圖案的步驟可以設(shè)置有機(jī)發(fā)光器件的空穴傳輸層或有機(jī)發(fā)光層。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多的示例性實(shí)施例，供體基底包括具有基本上均勻的厚度且包括絕緣材料和金屬材料兩者的光熱轉(zhuǎn)換層。因此，所述光熱轉(zhuǎn)換層的光吸收率比僅包括金屬的光熱轉(zhuǎn)換層光吸收率高。另外，在形成供體基底的示例性實(shí)施例中，可減少或有效地防止在形成光熱轉(zhuǎn)換層時(shí)的沉積室的污染。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]參照下面結(jié)合附圖考慮時(shí)的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其他優(yōu)點(diǎn)將變得容易清楚，其中:
[0016]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的示例性實(shí)施例的平面圖；
[0017]圖2是沿圖1中的線1-Γ截取的剖視圖；
[0018]圖3是示出了圖2中的部分AA的放大圖；
[0019]圖4是示出了光熱轉(zhuǎn)換層形成于其中的沉積室的示例性實(shí)施例的側(cè)面剖視圖；
[0020]圖5是示出了作為沉積速率(埃每秒，A/S)隨時(shí)間(秒，s)的函數(shù)從圖4中示出的沉積源提供的沉積材料的量的示例性實(shí)施例的曲線圖；
[0021]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的示例性實(shí)施例的光的波長(納米，nm)的反射比(百分比，％)的曲線圖；
[0022]圖7是示出了包括僅包含金屬的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光波長(nm)的反射比(%)的曲線圖；
[0023]圖8A至圖SC是示出了制造根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)印圖案的方法的示例性實(shí)施例的剖視圖；
[0024]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的包括轉(zhuǎn)印圖案的有機(jī)發(fā)光顯示基底的示例性實(shí)施例的剖視圖；
[0025]圖10至圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的可選擇的示例性實(shí)施例的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺斑B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉谒隽硪辉驅(qū)由匣蛘咧苯舆B接到所述另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或?qū)?。相反，?dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀被蛘摺爸苯舆B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)?。同樣?biāo)號(hào)始終指示同樣的元件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任意和所有組合。
[0027]將理解的是，盡管這里可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不必受這些術(shù)語的限制。使用這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，可以在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)下，將下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分，
[0028]為了便于描述，在此可以使用空間相對(duì)術(shù)語，諸如“下面的”、“上面的”等，以描述圖中所示的一個(gè)元件或者特征與其他元件或者特征的關(guān)系。將理解的是，空間相對(duì)術(shù)語旨在包括除了圖中描述的方位之外裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其他元件或特征“下面的”元件將隨后被相對(duì)于其他的元件或特征定位在“上面”。因此，示例性的術(shù)語“下面的”可包括上面和下面兩種方位。可將裝置朝向另外的方向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并相應(yīng)地解釋在此使用的空間相對(duì)描述。
[0029]在此使用的術(shù)語僅僅為了描述特定的實(shí)施例，而不意圖限制本公開。除非上下文另外明確地指明，否則在此使用的單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包括”和/或“包含”時(shí)，說明存在所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是并不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其他的特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0030]參照本發(fā)明的理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性圖示的剖視圖，在此描述本發(fā)明的實(shí)施例。這樣，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限于在此示出的區(qū)域的特定形狀，而是將包括例如由制造產(chǎn)生的形狀的偏差。
[0031]考慮到測量問題以及與特定量的測量相關(guān)的誤差(即，測量系統(tǒng)的上下限)，在這里使用的“(大)約”或“近似”包括由本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所確定的針對(duì)特定值的可接受范圍內(nèi)的偏差的所陳述的值和方法。例如，“(大)約”可以指在一個(gè)或更多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)偏差之內(nèi)，或者在所陳述的值的±30%、20%、10%或5%之內(nèi)。
[0032]除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)該理解，除非這里明確限定，否則術(shù)語(諸如在常用詞典中定義的)應(yīng)被解釋為具有與所述術(shù)語在相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義，而不應(yīng)理想化或過于形式地被理解。
[0033]除非在此另有說明或通過上下文另有明確地指出，否則在這里描述的所有方法可按照合適的順序執(zhí)行。除非另有聲明，否則任何的和所有的示例的使用或者示例性的語言(例如，“諸如”)的使用僅意圖更好地說明本發(fā)明，而并不是構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的范圍的限制。在說明書中的語言不應(yīng)被解釋為指示對(duì)在這里使用的本發(fā)明的實(shí)踐必要的任何未要求的要素。
[0034]激光熱轉(zhuǎn)印成像方法提供了通過使用供體基底在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底上的有機(jī)/無機(jī)圖案(在下文中，稱為轉(zhuǎn)印圖案)。供體基底可包括光熱轉(zhuǎn)換層，以將從光源發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為熱。
[0035]光熱轉(zhuǎn)換層包括碳或金屬。然而，當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層包括碳時(shí)，難以實(shí)現(xiàn)光熱轉(zhuǎn)換層的厚度的均勻性。另外，當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層包括碳時(shí)，在碳沉積到供體基底上的同時(shí)，使沉積室受到污染。包括金屬的光熱轉(zhuǎn)換層具有相對(duì)低的光吸收率。因此，存在著對(duì)在減輕或防止供體基底的污染的同時(shí)具有均勻的厚度和相對(duì)高的光吸收率的改善的光熱轉(zhuǎn)換層的需求。
[0036]在下文中，將參照附圖詳細(xì)地解釋本發(fā)明。
[0037]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的示例性實(shí)施例的平面圖，圖2是沿圖1中的線1-1’截取的剖視圖，圖3是示出圖2中的部分AA的放大圖。在下文中，將參照?qǐng)D1至圖3詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的供體基底的示例性實(shí)施例。
[0038]參照?qǐng)D1至圖2，供體基底100包括基礎(chǔ)基底10、光反射層20、光熱轉(zhuǎn)換層30和轉(zhuǎn)印層40。光反射層20、光熱轉(zhuǎn)換層30和轉(zhuǎn)印層40設(shè)置在基礎(chǔ)基底10的一個(gè)(例如，同一)表面上。
[0039]基礎(chǔ)基底10是透明的，以使入射到基礎(chǔ)基底10的面對(duì)所述一個(gè)表面的表面的光透射至光熱轉(zhuǎn)換層30?；A(chǔ)基底10可包括從聚酯、聚壓克力(polyacryl)、聚環(huán)氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯和聚對(duì)苯二甲酸乙二酯及其它們的組合中選擇的至少一種聚合物材料。另夕卜，基礎(chǔ)基底10可包括玻璃或石英。
[0040]光反射層20設(shè)置在基礎(chǔ)基底10的所述一個(gè)表面上。光反射層20與基礎(chǔ)基底10的一部分疊置。光反射層20部分地阻擋入射到此處的光穿過基礎(chǔ)基底10的另一表面。
[0041]光反射層20在平面圖中具有特定的形狀，以有效地將轉(zhuǎn)印層40劃分為透射區(qū)和非透射區(qū)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，例如，多個(gè)開口 20-0P被限定在光反射層20中。在制造供體基底的示例性實(shí)施例中，轉(zhuǎn)印圖案TP (在圖9C中示出)具有取決于開口 20-0P和光反射層20的最終形狀來確定的形狀。為了對(duì)整個(gè)轉(zhuǎn)印層40進(jìn)行轉(zhuǎn)印，光反射層20可被省略。
[0042]光反射層20包括反射入射光的金屬。光反射層20可包括招、招合金、銀和銀合金及它們的組合中的至少一種。
[0043]光熱轉(zhuǎn)換層30吸收入射在此處的光，以將吸收的光能轉(zhuǎn)換為熱能。光熱轉(zhuǎn)換層30可吸收特定波長的入射光，例如，紅外線的波長范圍和/或可見光的波長范圍的入射光。
[0044]光熱轉(zhuǎn)換層30設(shè)置為與限定在光反射層20中的開口 20-0P疊置。光熱轉(zhuǎn)換層30設(shè)置在基礎(chǔ)基底10的整個(gè)表面上，以覆蓋光反射層20。光熱轉(zhuǎn)換層30可具有基本上平面的形狀，諸如包括上平坦表面。在平面圖中，光反射層20在基礎(chǔ)基底10和光熱轉(zhuǎn)換層30之間。
[0045]在下文中，將參照?qǐng)D3詳細(xì)描述光熱轉(zhuǎn)換層30。光熱轉(zhuǎn)換層30可被劃分為多個(gè)區(qū)域，每個(gè)區(qū)域沿著光熱轉(zhuǎn)換層30的厚度方向DR3 (在下文中，稱為第三方向)具有不同比例的金屬。如圖1所不，第三方向DR3基本上垂直于限定轉(zhuǎn)印表面的第一方向DRl和第二方向 DR2。
[0046]光熱轉(zhuǎn)換層30包括絕緣層32、組合層34和金屬層36。組合層34包括絕緣材料和金屬的組合。組合層34中的金屬的比例或濃度隨著沿第三方向DR3與基礎(chǔ)基底10的距離增大而增大。絕緣層32僅包括絕緣材料，金屬層36僅包括金屬。組合層34設(shè)置在絕緣層32上，金屬層36設(shè)置在組合層34上。
[0047]因此，光熱轉(zhuǎn)換層30中的金屬的比例隨著沿第三方向DR3與基礎(chǔ)基底10的距離增大而增大。在可選擇的示例性實(shí)施例中，絕緣層32或金屬層36中的一個(gè)可被省略。
[0048]因?yàn)楣鉄徂D(zhuǎn)換層30中的金屬的比例沿第三方向DR3變化，所以光熱轉(zhuǎn)換層30的折射率沿第三方向DR3變得不同。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，例如，光熱轉(zhuǎn)換層30的折射率沿第三方向DR3線性地變化。組合層34沿第三方向DR3從絕緣材料有效地變?yōu)榻饘?，而沒有在絕緣材料和金屬材料之間的界面。絕緣材料和金屬材料在組合層34中可以以每一厚度水平存在，而且是以變化的量存在。因此，光熱轉(zhuǎn)換層30的光吸收率增大，尤其是在組合層34中的光吸收率增大。
[0049]絕緣材料可包括有機(jī)材料或無機(jī)材料。絕緣材料可包括氧化娃或氮化娃。另外，絕緣材料可包括有機(jī)聚合物。金屬包括鉻、鈦、鋁、鑰、鉭、鎢和它們的合金中的至少一種以及它們的組合。
[0050]再次參照?qǐng)D1和圖2，轉(zhuǎn)印層40設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層30上。轉(zhuǎn)印層40與光反射層20的開口 20-0P疊置。
[0051]轉(zhuǎn)印層40包括在接收熱能時(shí)被轉(zhuǎn)印的有機(jī)材料。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，例如，轉(zhuǎn)印層40可包括用于濾色器的有機(jī)材料或者用于有機(jī)發(fā)光裝置的功能材料作為通過熱能而蒸發(fā)的有機(jī)材料，然而，不限制于此或由此限制。
[0052]圖4是示出了光熱轉(zhuǎn)換層形成(例如，設(shè)置)于其中的沉積室的側(cè)面剖視圖，圖5是示出了作為沉積速率(埃每秒，A/s)隨時(shí)間(秒，S)的函數(shù)從圖4中示出的沉積源提供的沉積材料的量的示例性實(shí)施例的曲線圖。
[0053]在圖5中，第一曲線GPl代表沉積的絕緣材料的沉積量，第二曲線GP2代表沉積的金屬的量。在下文中，將參照?qǐng)D4和圖5描述形成根據(jù)本發(fā)明的供體基底的方法的示例性實(shí)施例。
[0054]參照?qǐng)D4，沉積設(shè)備包括沉積室CB、第一沉積源DSl、第二沉積源DS2和支架SP。將其上具有光反射層20 (參照?qǐng)D3)的基礎(chǔ)基底100’固定到支架SP。可通過光刻工藝形成(例如，設(shè)置)光反射層20。
[0055]沉積室CB將第一沉積源DSl、第二沉積源DS2和支架SP容納于其中。在沉積工藝期間，沉積室CB的內(nèi)部保持在真空狀態(tài)?？蓪⑿纬烧婵諣顟B(tài)的真空泵(未示出)連接到沉積室CB，例如，連接到限定在沉積室CB中的內(nèi)部區(qū)域或空間。
[0056]在沉積室CB的底表面上設(shè)置第一沉積源DSl和第二沉積源DS2。第一沉積源DSl提供絕緣材料Ml，第二沉積源DS2提供金屬M(fèi)2。
[0057]第一沉積源DSl使絕緣材料Ml蒸發(fā)，第二沉積源DS2使金屬M(fèi)2蒸發(fā)。第一沉積源DSl包括容納絕緣材料Ml的容器(未示出)和使絕緣材料Ml蒸發(fā)的加熱源(未示出)，第二沉積源DS2包括容納金屬M(fèi)2的容器(未不出)和使金屬M(fèi)2蒸發(fā)的加熱源(未不出)，以分別提供絕緣材料Ml和金屬M(fèi)2。
[0058]在圖5中,第一圖GPl代表氧化娃的沉積量,第二圖GP2代表招的沉積量。對(duì)于最初的10秒，僅在基礎(chǔ)基底100’上沉積氧化硅。沉積的氧化硅用作絕緣層32 (參照?qǐng)D3)。
[0059]然后，在約120秒期間，在基礎(chǔ)基底100’上基本上同時(shí)沉積氧化硅和鋁。沉積的氧化硅和沉積的鋁的組合用作組合層34 (參照?qǐng)D3)。在這120秒期間的二氧化硅的沉積速度與最初的10秒期間的氧化硅的沉積速度相等。在這120秒內(nèi)，鋁的沉積速度線性地增大。因此，隨著組合層34的形成和厚度的增大，組合層34中的鋁與氧化硅的比例變得越大。
[0060]在120秒之后，在約300秒期間，按與120秒末達(dá)到的最大沉積速度相同的沉積速度，將鋁沉積在基礎(chǔ)基底100’上。在300秒開始時(shí)，停止氧化硅的沉積。沉積的鋁用作金屬層36(參照?qǐng)D3)。通過沉積方法或涂覆方法在金屬層36上層疊轉(zhuǎn)印層40。
[0061]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的示例性實(shí)施例的光的波長(納米，nm)的反射比(百分比，％)的曲線圖，圖7是示出了包括僅含有金屬(例如，不包括絕緣層)的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光波長(nm)的反射比(％)的曲線圖。
[0062]圖6示出了具有根據(jù)參照?qǐng)D5描述的方法的示例性實(shí)施例來制造的光熱轉(zhuǎn)換層30的供體基底光的反射比。如圖6所示，供體基底的光反射比在可見光波長范圍內(nèi)為約12%至 14%。
[0063]在圖7中，第一曲線GPll代表包括含有鎢并且厚度為約50埃的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光反射比，第二曲線GP12代表包括含有鎢并且厚度為約100埃的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光反射比，第三曲線GP3代表包括含有鎢并且厚度為約200埃的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光反射比。第四曲線GP14代表包括含有鎢并且厚度為約300埃的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光反射比，第五曲線GP15代表包括含有鎢并且厚度為約400埃的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光反射比，第六曲線GP16代表包括含有鎢并且厚度為約500埃的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光反射比。
[0064]如第一曲線GPll至第六曲線GP16所表示的，包括由鎢形成的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光反射比在可見光的波長范圍內(nèi)為約30%至約55%。如在圖6和圖7中示出的曲線所表示的，根據(jù)本發(fā)明的供體基底的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例具有小于包括由鎢形成的光熱轉(zhuǎn)換層的供體基底的光反射比的一半的光反射比。
[0065]圖8A至圖SC是示出了根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)印圖案的制造方法的示例性實(shí)施例的剖視圖。在下文中，將參照?qǐng)D8A至圖SC詳細(xì)描述形成轉(zhuǎn)印圖案的方法。
[0066]參照?qǐng)D8A，在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底SUB上設(shè)置供體基底100。作為供體基底100，可采用參照?qǐng)D1至圖3描述的供體基底的一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例。因此，只要光熱轉(zhuǎn)換層30包括組合層34，就可使用圖1至圖3中示出的供體基底中的任意一個(gè)。
[0067]使轉(zhuǎn)印層40與轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底SUB接觸。轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底SUB還可包括絕緣層(未示出)。轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底SUB的絕緣層包括有機(jī)層和/或無機(jī)層。另外，轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底SUB可用作有機(jī)發(fā)光顯不基底的一部分。
[0068]然后，如圖8B所不,將光經(jīng)過基礎(chǔ)基底10照射到供體基底100上。光可為具有預(yù)定波長的紫外光線、可見光線或激光束。如圖8B所示，光被光反射層20的多個(gè)部分反射，并且光透射通過限定在光反射層20中的開口 20-0P。
[0069]參照?qǐng)D8C，當(dāng)在轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底SUB上形成轉(zhuǎn)印圖案TP時(shí)，從轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底SUB去除供體基底100。
[0070]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的包括轉(zhuǎn)印圖案的有機(jī)發(fā)光顯示基底的示例性實(shí)施例的剖視圖。
[0071]有機(jī)發(fā)光顯示基底包括顯示基底SUB、設(shè)置在顯示基底SUB上的薄膜晶體管TFT、絕緣層IL以及有機(jī)發(fā)光器件0LED。薄膜晶體管TFT和有機(jī)發(fā)光器件OLED設(shè)置在布置于有機(jī)發(fā)光顯示基底上的每個(gè)像素中。
[0072]參照?qǐng)D9，薄膜晶體管TFT的控制電極GE設(shè)置在顯示基底SUB上。顯示基底SUB為參照?qǐng)D8A至圖8C描述的轉(zhuǎn)印目標(biāo)基底SUB。
[0073]第一絕緣層ILl設(shè)置在顯示基底SUB上，以覆蓋控制電極GE。半導(dǎo)體層AL設(shè)置在第一絕緣層ILl上。輸入電極SE和輸出電極DE設(shè)置在第一絕緣層ILl上，以與半導(dǎo)體層
AL疊置。
[0074]第二絕緣層IL2設(shè)置在第一絕緣層ILl上，以覆蓋輸入電極SE和輸出電極DE。有機(jī)發(fā)光器件OLED設(shè)置在第二絕緣層IL2上。有機(jī)發(fā)光器件OLED包括順序地堆疊在第二絕緣層IL2上的第一電極AE、空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、有機(jī)發(fā)光層EML、電子注入層EIL和第二電極CE。第一電極AE通過穿透第二絕緣層IL2限定的接觸孔CH連接到輸出電極DE。
[0075]有機(jī)發(fā)光器件OLED的結(jié)構(gòu)不應(yīng)限定為上述的結(jié)構(gòu)。電子注入層EIL可被省略，和/或有機(jī)發(fā)光器件OLED還包括在有機(jī)發(fā)光層EML和電子注入層EIL之間的電子傳輸層。
[0076]像素限定層PXL設(shè)置在第二絕緣層IL2上。開口 PXL-0P限定在像素限定層PXL中。第一電極AE通過開口 PXL-OP暴露?？昭ㄗ⑷雽親IL和電子注入層EIL與開口 PXL-OP疊置。與僅在像素之間設(shè)置的空穴注入層HIL和電子注入層EIL不同的是，空穴傳輸層HTL和有機(jī)發(fā)光層EML還單獨(dú)設(shè)置在每個(gè)像素PXL中?？昭▊鬏攲親TL和有機(jī)發(fā)光層EML按照參照?qǐng)D8A至圖SC描述的方式形成。
[0077]圖10至圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的供體基底的可選擇的示例性實(shí)施例的剖視圖，圖10至圖12中的每一幅是沿圖1中的線1-Γ截取的。在下文中，將參照?qǐng)D10至圖12描述根據(jù)本發(fā)明的供體基底的可選擇的示例性實(shí)施例。然而，將省略對(duì)與參照?qǐng)D1至圖9描述的供體基底和使用該供體基底形成轉(zhuǎn)印圖案的方法中的構(gòu)造相同的構(gòu)造的詳細(xì)描述。
[0078]參照?qǐng)D10，供體基底100-1包括基礎(chǔ)基底10、光反射層20、光熱轉(zhuǎn)換層30和轉(zhuǎn)印層40。光反射層20設(shè)置在基礎(chǔ)基底10的一個(gè)表面上。光反射層20包括限定在其中的多個(gè)開口 20-0P。
[0079]光熱轉(zhuǎn)換層30僅與開口 20-0P疊置。即，光熱轉(zhuǎn)換層30不與光反射層20的限定開口 20-0P的部分疊置。在平面圖中，光反射層20在基礎(chǔ)基底10和光熱轉(zhuǎn)換層30之間。光熱轉(zhuǎn)換層30包括對(duì)應(yīng)于開口 20-0P的多個(gè)光熱轉(zhuǎn)換分離圖案。光熱轉(zhuǎn)換圖案分別在開口 20-0P中的對(duì)應(yīng)的開口中。每個(gè)光熱轉(zhuǎn)換圖案的沿第三方向DR3的厚度基本上等于開口20-0P中的對(duì)應(yīng)的開口的沿第三方向DR3的深度。因此，集合的光反射層20和光熱轉(zhuǎn)換層30可以提供平坦表面。轉(zhuǎn)印層40設(shè)置在由集合的光反射層20和光熱轉(zhuǎn)換層30提供的平坦表面上。
[0080]參照?qǐng)D11，供體基底100-2包括基礎(chǔ)基底10、光反射層20、光熱轉(zhuǎn)換層30和轉(zhuǎn)印層40。光熱轉(zhuǎn)換層30設(shè)置在基礎(chǔ)基底10的一個(gè)表面上。光熱轉(zhuǎn)換層30覆蓋基礎(chǔ)基底10的所述一個(gè)表面的全部。槽部分30-GV限定在光熱轉(zhuǎn)換層30中。光反射層20的多個(gè)部分插入到槽部分30-GV中，以反射入射到此處的光。在平面圖中，光熱轉(zhuǎn)換層30在基礎(chǔ)基底10和光反射層20的那些部分之間。
[0081]光反射層20的沿第三方向DR3的厚度等于槽部分30-GV的沿第三方向DR3的深度。因此，集合的光反射層20和光熱轉(zhuǎn)換層30提供平坦表面。轉(zhuǎn)印層40設(shè)置在由集合的光反射層20和光熱轉(zhuǎn)換層30限定的平坦表面上。
[0082]參照?qǐng)D12，供體基底100-3包括基礎(chǔ)基底10、光反射層20、光熱轉(zhuǎn)換層30、轉(zhuǎn)印層40和平面化層50。光熱轉(zhuǎn)換層30設(shè)置在基礎(chǔ)基底10的一個(gè)表面上。光熱轉(zhuǎn)換層30覆蓋基礎(chǔ)基底10的所述一個(gè)表面的全部，并且是完全平坦的構(gòu)件(例如，沒有突出部分)。
[0083]光反射層20設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層30上。平面化層50設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層30上，以覆蓋光反射層20，并且使由光反射層20的從平面的光熱轉(zhuǎn)換層30突出的部分形成的臺(tái)階差異平面化。平面化層50是包括有機(jī)材料或無機(jī)材料的絕緣層。轉(zhuǎn)印層40設(shè)置在由平面化層50提供的平坦表面上。
[0084]盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是要理解的是，本發(fā)明不限于這些示例性實(shí)施例，而是，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以在所保護(hù)的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種改變和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種供體基底，所述供體基底包括: 基礎(chǔ)基底； 光反射層，位于基礎(chǔ)基底上并且與基礎(chǔ)基底部分地疊置； 光熱轉(zhuǎn)換層，位于基礎(chǔ)基底上并且包括組合層，所述組合層包括絕緣材料和第一金屬材料；以及 轉(zhuǎn)印層，位于光熱轉(zhuǎn)換層上， 其中，隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的第一金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，光反射層包括第二金屬材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的供體基底，其中，多個(gè)開口限定在光反射層中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的供體基底，其中，光熱轉(zhuǎn)換層與光反射層的限定光反射層中的所述多個(gè)開口的部分疊置。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的供體基底，其中，光熱轉(zhuǎn)換層包括多個(gè)光熱轉(zhuǎn)換圖案，光熱轉(zhuǎn)換圖案分別位于限定在光反射層中的所述多個(gè)開口中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，光熱轉(zhuǎn)換層還包括位于組合層上且包括組合層中的第一金屬材料的金屬層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的供體基底，其中，光熱轉(zhuǎn)換層還包括位于基礎(chǔ)基底和組合層之間且包括組合層中的絕緣材料的絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，隨著與基礎(chǔ)基底的距離沿光熱轉(zhuǎn)換層的厚度方向的增大，組合層中的第一金屬材料與組合層中的絕緣材料的含量比線性增大。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的供體基底，其中，光熱轉(zhuǎn)換層位于光反射層和基礎(chǔ)基底之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的供體基底，其中，槽部分限定在光熱轉(zhuǎn)換層中，并且光反射層位于槽部分中， 其中，多個(gè)開口限定在光反射層中， 其中，供體基底還包括位于光熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)印層之間且位于限定在光反射層中的所述多個(gè)開口中的平面化層。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104183782SQ201410186965
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年5月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月28日
【發(fā)明者】李濬九, 金元鍾, 鄭知泳, 崔鎮(zhèn)百, 李娟和, 房賢圣, 宋英宇 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司