提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，屬于電子材料工藝【技術(shù)領(lǐng)域】。該方法包括如下步驟:配制一定濃度的TiCl4水溶液，攪拌均勻，向溶液中滴加一定量的正硅酸乙酯，將化成后的鋁電極箔，重復(fù)浸漬上述溶液，二次水清洗、烘干等步驟多次，最后經(jīng)高溫處理，即得到耐壓值及比容值均有所提高的鋁電極箔。本發(fā)明的處理對象是化成箔，工藝簡潔，便于生產(chǎn)應(yīng)用。
【專利說明】提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，屬于電子材料工藝【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]對于鋁電解電容器的核心構(gòu)件一陽極鋁電極箔，研究者的目光主要聚焦在如何提高其比容上，針對提高鋁腐蝕箔表面技術(shù)已達瓶頸的現(xiàn)狀及氧化層厚度在一定化成電壓下基本恒定的事實，如何通過改進電極箔的鋁氧介質(zhì)膜以達到提高鋁陽極箔比容的目的已然成為研究熱點。而與提高鋁氧介質(zhì)層的介電常數(shù)相比，通過增加介質(zhì)層單位厚度的耐電壓強度來達到提高鋁陽極箔比容的方法，為該研究方向提供了一種全新的技術(shù)思路和途徑。
[0003]陽極鋁箔的氧化膜除了要具有高的介電常數(shù)，其耐電壓也是衡量氧化膜質(zhì)量及可靠性的一個重要參數(shù)。氧化膜的致密、完整程度、氧化膜內(nèi)雜質(zhì)和缺陷的含量分布，以及氧化物自身的介電性能都對氧化膜的耐壓產(chǎn)生影響。因此要想通過增加介質(zhì)層單位厚度的耐電壓強度來達到提高鋁陽極箔比容的目的，就要向膜內(nèi)引入介電性能好或者形成常數(shù)小的物質(zhì)。SiO2的形成常數(shù)較小，介電性能良好，TiO2的介電常數(shù)較高，因此將高介電性能的二氧化硅引入到高介電常數(shù)的復(fù)合膜中，不僅改善復(fù)合膜的介電性能，增加氧化鋁膜耐電壓強度，而且實現(xiàn)陽極箔比容的增大，然而目前此方面的報導(dǎo)較少。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法。
[0005]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，采用下述技術(shù)方案:
[0006]a.取一定體積TiCl4逐滴滴加到溫度在O?10°C范圍內(nèi)二次水中，攪拌均勻，配制成TiCl4水溶液；
[0007]b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TE0S)，配制成一定濃度的TEOS浸潰液，該過程中保持溶液溫度在O?10°C范圍內(nèi)；
[0008]c.取化成后的鋁電極箔，完全浸入到上述浸潰溶液中，浸潰，取出，去離子水沖洗后，在烘箱中烘烤；
[0009]d.重復(fù)上述浸潰步驟c ；
[0010]e.將浸潰好的鋁箔片置于馬弗爐中煅燒取出，冷卻至室溫，即得到耐壓值提高的鋁電極箔。
[0011]所述的TiCl4水溶液濃度為0.001?0.lmol/L。
[0012]所述的TEOS浸潰液濃度為0.0001?0.01mol/L。
[0013]所述化成后的鋁電極箔浸潰時間為30s?30min。
[0014]所述的烘烤溫度為65?115°C。
[0015]所述的烘烤時間為30s?20min。[0016]所述重復(fù)浸潰次數(shù)3?10次。
[0017]所述浸潰好的鋁箔片煅燒溫度為300?600°C。
[0018]所述浸潰好的鋁箔片煅燒時間為30s?30min。
[0019]本發(fā)明獲得的有益效果:使化成箔多次浸潰含有正硅酸乙酯的TiCl4水溶液，經(jīng)熱處理后達到耐壓值及比容值均有所提高，為鋁電解電容器的生產(chǎn)節(jié)約材料，縮小產(chǎn)品體積，且工藝簡潔，便于生產(chǎn)應(yīng)用。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步闡述，但本發(fā)明并不限于以下實施例。所述方法如無特別說明均為常規(guī)方法。
[0021]實施例1:
[0022]a.取一定體積TiCl4逐滴滴加到溫度在O?10°C范圍內(nèi)二次水中配制成濃度為
0.02mol/L的溶液，攪拌均勻；
[0023]b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TE0S)，使TEOS的濃度在0.004mol/L，該過程中保持溶液溫度在O?10°C范圍內(nèi)；
[0024]c.取化成后的鋁電極箔，完全浸入到上述浸潰溶液中，浸潰90s，取出，去離子水沖洗，后在100 C供箱中供3min ；
[0025]d.重復(fù)步驟c，3次；
[0026]e.將浸潰好的鋁箔片置于馬弗爐中，在550°C中煅燒5min，取出，冷卻至室溫，SP得到耐壓值及比容值均有所提高的鋁電極箔。
[0027]實施例2:
[0028]a.取一定體積TiCl4逐滴滴加到溫度在O?10°C范圍內(nèi)二次水中配制成濃度為
0.008mol/L的溶液，攪拌均勻；
[0029]b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TE0S)，使TEOS的濃度在0.001mol/L，該過程中保持溶液溫度在O?10°C范圍內(nèi)；
[0030]c.取化成后的鋁電極箔，完全浸入到上述浸潰溶液中，浸潰5min，取出，去離子水沖洗，后在90 C供箱中供5min ；
[0031]d.重復(fù)步驟c，5次；
[0032]e.將浸潰好的鋁箔片置于馬弗爐中，在500°C中煅燒8min，取出，冷卻至室溫，SP得到耐壓值及比容值均有所提高的鋁電極箔。
[0033]實施例3:
[0034]a.取一定體積TiCl4逐滴滴加到溫度在O?10°C范圍內(nèi)二次水中配制成濃度為
0.004mol/L的溶液，攪拌均勻；
[0035]b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TE0S)，使TEOS的濃度在0.001mol/L，該過程中保持溶液溫度在O?10°C范圍內(nèi)；
[0036]c.取化成后的鋁電極箔，完全浸入到上述浸潰溶液中，浸潰8min，取出，去離子水沖洗，后在80 C供箱中供8min ；
[0037]d.重復(fù)步驟c，6次；
[0038]e.將浸潰好的鋁箔片置于馬弗爐中，在450°C中煅燒lOmin，取出，冷卻至室溫，即得到耐壓值及比容值均有所提高的鋁電極箔。
[0039]實施例4:
[0040]a.取一定體積TiCl4逐滴滴加到溫度在O~10°C范圍內(nèi)二次水中配制成濃度為
0.002mol/L的溶液，攪拌均勻；
[0041]b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯(TE0S)，使TEOS的濃度在0.0005mol/L，該過程中保持溶液溫度在O~10°C范圍內(nèi)；
[0042]c.取化成后的鋁電極箔，完全浸入到上述浸潰溶液中，浸潰15min，取出，去離子水沖洗，后在80 C供箱中供IOmin ；
[0043]d.重復(fù)步驟c，7次；
[0044]e.將浸潰好的鋁箔片置于馬弗爐中，在300°C中煅燒15min，取出，冷卻至室溫，即得到耐壓值及比容值均有所提高的電極箔。
[0045]表1鋁化成箔處理前后耐壓值及比容值變化
[0046]
【權(quán)利要求】
1.一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于包括以下步驟: a.取一定體積TiCl4逐滴滴加到溫度在(TlO°C范圍內(nèi)二次水中，攪拌均勻，配制成TiCl4水溶液； b.向上述溶液中滴加正硅酸乙酯，配制成一定濃度的正硅酸乙酯浸潰液，該過程中保持溶液溫度在(TlO °C范圍內(nèi)； c.取化成后的鋁電極箔，完全浸入到上述浸潰溶液中，浸潰，取出，去離子水沖洗，后在烘箱中烘烤； d.重復(fù)上述浸潰步驟c； e.將浸潰好的鋁箔片置于馬弗爐中煅燒取出，冷卻至室溫，即得到耐壓值提高的鋁電極箔。
2.如權(quán)利要求1所述的一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于:TiCl4 水溶液濃度為 0.ΟΟ1-0.1moI/L.
3.如權(quán)利要求1所述的一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于:正硅酸乙酯浸潰液濃度為0.0001-0.01 mol/L。
4.如權(quán)利要求1所述的一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于:化成后的鋁電極箔浸潰時間為30iT30min。
5.如權(quán)利要求1所述的一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于:烘烤溫度為65~115°C。
6.如權(quán)利要求1所述的一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于:烘烤時間為30s~20min。
7.如權(quán)利要求1所述的一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于:重復(fù)浸潰次數(shù)3~10次。
8.如權(quán)利要求1所述的一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于:浸潰好的鋁箔片煅燒溫度為300-600°C。
9.如權(quán)利要求1所述的一種提高鋁電解電容器用陽極箔比容的方法，其特征在于:浸潰好的鋁箔片煅燒時間為30s-30min。
【文檔編號】H01G9/045GK103871747SQ201410080534
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月6日
【發(fā)明者】宋衛(wèi)國, 黃佩佩, 張椿年, 馬坤松, 曹安民, 吳昊, 喬正山, 張淮浩, 王赪胤 申請人:揚州宏遠(yuǎn)電子有限公司