變壓器和電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及變壓器和電路。提供了一種變壓器。所述變壓器包括：至少一個第一初級匝；至少一個第二初級匝；以及第一次級匝和第二次級匝。所述第一次級匝和所述第二次級匝被橫向地布置在所述至少一個第一初級匝與所述至少一個第二初級匝之間。所述第一次級匝和所述第二次級匝被一個高于另一個地布置。
【專利說明】變壓器和電路
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求2013年2月22日提交的并且通過引用整體地結(jié)合在本文中的德國專利申請序號10 2013 101 768.1的優(yōu)先權(quán)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本公開一般地涉及變壓器和電路。
【背景技術(shù)】
[0003]為了完全地將包括功率放大器的移動無線電收發(fā)機(jī)與變壓器輸出匹配網(wǎng)絡(luò)一起集成在芯片上，期望功率放大器的變壓器輸出匹配網(wǎng)絡(luò)被高度地平衡，例如以便共模信號被很好地抑制。此外，期望可能布置在芯片上或在相同的芯片封裝中的另外的部件被影響盡可能少。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]提供了變壓器。所述變壓器包括:至少一個第一初級匝(turn);至少一個第二初級匝；以及第一次級匝和第二次級匝。第一次級匝和第二次級匝被橫向地布置在至少一個第一初級匝與至少一個第二初級匝之間。第一次級匝和第二次級匝被一個高于另一個地布置。
[0005]此外，提供了電路。所述電路可以包括:具有第一端和第二端的第一差分分支，所述第一端被耦合到供應(yīng)有第一供應(yīng)電位的供應(yīng)節(jié)點(diǎn)；具有第一端和第二端的第二差分分支，所述第一端被耦合到供應(yīng)節(jié)點(diǎn)；變壓器的初級匝。初級匝被連接在第一差分分支的第二端與第二差分分支的第二端之間。初級匝具有供應(yīng)有第二供應(yīng)電位的中心連接；以及反饋路徑，其借助于電容將中心連接耦合到供應(yīng)節(jié)點(diǎn)并且其至少部分地在初級匝的內(nèi)部中運(yùn)行。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖不再現(xiàn)實(shí)際的尺寸關(guān)系，而是旨在用來圖示各種示例性實(shí)施例的原理。參考以下圖在下面對各種示例進(jìn)行描述。
[0007]圖1示出了(集成)功率放大器電路。
[0008]圖2示出了放大器電路。
[0009]圖3示出了變壓器。
[0010]圖4示出了電路。
[0011]圖5示出了在初級繞組與次級繞組之間具有垂直耦合的變壓器。
[0012]圖6示出了在被以叉指(interdigitated)方式布置的初級繞組與次級繞組之間具有橫向I禹合的變壓器。
[0013]圖7示出了在初級繞組與次級繞組之間具有橫向耦合并且在次級匝之間具有橫向耦合的變壓器。
[0014]圖8示出了在初級繞組與次級繞組之間具有橫向耦合并且在次級匝之間具有垂直耦合的變壓器。
[0015]圖9示出了變壓器。
[0016]圖10示出了變壓器的匝數(shù)的布置。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下具體描述參考示出了細(xì)節(jié)和各種實(shí)施方式的附圖。這些實(shí)施方式被足夠詳細(xì)地描述以使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明。其他實(shí)施方式也是可能的并且能夠從結(jié)構(gòu)、邏輯以及電氣立場修改實(shí)施方式，而不背離實(shí)施方式的主題。各種實(shí)施方式未必是相互排他的，相反地不同的實(shí)施方式能夠與彼此組合，從而產(chǎn)生新的實(shí)施方式。
[0018]為了完全地將包括功率放大器(PA)的移動無線電收發(fā)機(jī)集成在片上系統(tǒng)解決方案(SoC)中，典型地有必要實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量匹配網(wǎng)絡(luò)。特別地，功率放大器的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)在這里是特別非常重要的，因為必須實(shí)現(xiàn)插入損耗的非常低的值以便實(shí)現(xiàn)高功率放大器效率并且因此以便最小化電流消耗。此外，功率放大器輸出級的差分信號典型地旨在被轉(zhuǎn)換成相對于接地不平衡的RF(射頻)輸出信號。電容性地調(diào)諧的變壓器被典型地用于這個目的，其中初級匝被同時地用于饋送供應(yīng)電壓。這在圖1中被圖示。
[0019]圖1示出了(集成)功率放大器電路100。
[0020](集成)功率放大器電路100包括差分功率放大器101和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)/平衡不平衡變換器(balun) 102。
[0021]功率放大器101的差分輸出端103、104被耦合到輸出匹配網(wǎng)絡(luò)/平衡不平衡變換器102的變壓器的初級繞組105。供應(yīng)電壓VDD經(jīng)由初級繞組105的(即變壓器的初級側(cè)的)中心抽頭106從供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)111被饋入。次級繞組107的一個連接形成輸出匹配網(wǎng)絡(luò)/平衡不平衡變換器102的輸出端108。次級繞組107的另一個連接被連接到接地連接109。電容110附加地與初級繞組并且與次級繞組并聯(lián)連接。
[0022]除最低可能的損耗之外，高平衡是需要的以便首先獲得共模信號(典型地偶數(shù)諧波)的非常好的抑制并且其次以便將相同的負(fù)載阻抗提供給差分輸出級101的兩個部分。這個最后是特別重要的以便實(shí)際上確保處于第一位置中的輸出級101的差分/平衡操作并且因此以便盡可能多地抑制共模信號，以最大效率地操作功率放大器101并且以在電流和電壓方面均勻地加載功率放大器的部分級，以便實(shí)現(xiàn)高可靠性。此外，非常高的平衡確保在供應(yīng)電壓節(jié)點(diǎn)111處的阻抗對功率放大器101的性能具有僅很少影響。
[0023]除高平衡之外，期望作為供應(yīng)電壓的饋送和所關(guān)聯(lián)的接地網(wǎng)絡(luò)(例如在實(shí)現(xiàn)功率放大器101和/或輸出匹配網(wǎng)絡(luò)/平衡不平衡變換器102的集成電路中、在收發(fā)機(jī)電路100被集成在其中和分別在其上的芯片封裝和電路板中)的結(jié)果影響其他部件為低的。典型地，變壓器的中心抽頭被連接到具有最低可能的電阻和電感用于供應(yīng)電壓VDD的對應(yīng)墊結(jié)構(gòu)。相同情況適用于功率放大器101的接地鏈路。
[0024]然而，功率放大器典型地在芯片封裝中或在電路板上與其他敏感電路部分具有公共接地阻抗。這在圖2中被圖示。
[0025]圖2示出了放大器電路200。[0026]放大器電路200包括具有一個或多個第一場效應(yīng)晶體管203的第一差分分支201和具有一個或多個場效應(yīng)晶體管204的第二差分分支202。第一差分分支201具有第一連接205，其形成放大器200的正輸入端，并且第二差分分支202具有第二連接206，其形成放大器202的負(fù)輸入端。
[0027]差分分支201、202在節(jié)點(diǎn)A處的一端處被耦合到彼此，所述節(jié)點(diǎn)A經(jīng)由第一電阻器207并且經(jīng)由第二電阻器208被耦合到接地連接209。變壓器的初級繞組210被耦合在差分分支201、202的其他端之間，所述其他端能夠被認(rèn)為是由差分分支201、202所形成的放大器的輸出端，類似于功率放大器101的輸出端103、104。第一電容211與初級繞組210并聯(lián)布置。次級繞組212的連接形成例如放大器電路的輸出端213、214，例如，其中輸出端213、214中的一個被與圖1類似地連接到接地。第二電容215被連接在輸出端213、214之間。
[0028]初級繞組210具有指定為節(jié)點(diǎn)B的中心連接216，借助于所述中心連接216供應(yīng)電壓VDD經(jīng)由第三電阻器217被從電壓源218饋送。電壓源218對于其部分來說被耦合到接地連接209。
[0029]在這個示例中，另外的電路塊219經(jīng)由第四電阻器220和第二電阻器208被同樣地耦合到接地連接209。電阻器207、208、217、220 —般地可以是阻抗(例如具有特定電感)。電路塊219是例如與放大器相同的芯片封裝的一部分，或者被布置在相同的電路板上。
[0030]由于公共接地連接的原因，RF電流的共模分量(在圖2中由虛線圖示)能夠經(jīng)歷通過放大器到電路塊219的串?dāng)_。
[0031]差模分量的流動在圖2中為了說明由點(diǎn)劃線來圖示。
[0032]如在下面所描述的那樣，通過示例的方式，提供了在功率放大器的RF核心中具有共模電流的直接反饋的低損耗、高度平衡的變壓器，借此能夠顯著地降低串?dāng)_。
[0033]圖3示出了變壓器300。
[0034]變壓器包括至少一個第一初級匝301和至少一個第二初級匝302。
[0035]變壓器此外包括第一次級匝303和第二次級匝304。第一次級匝303和第二次級匝304被橫向地布置在至少一個第一初級匝301與至少一個第二初級匝302之間，并且第一次級匝303和第二次級匝304被一個高于另一個地布置。
[0036]換句話說，在變壓器中，初級側(cè)的和次級側(cè)的匝被以這樣的方式來布置，即屬于不同側(cè)的匝橫向地耦合而屬于相同側(cè)的匝垂直地耦合。這具有作為橫向耦合的結(jié)果最小化例如初級和次級側(cè)之間的耦合電容的結(jié)果，作為其結(jié)果平衡被提高了。將次級側(cè)定位在初級繞組的兩個并聯(lián)連接的部分之間在對平衡僅有少影響的情況下提高了初級和次級側(cè)之間的橫向耦合。為了提高效率，次級繞組的N個單獨(dú)的匝(可能同樣在初級繞組在其中N > I的初級側(cè)的情況下的情況下)體現(xiàn)有垂直耦合。這具有提高單獨(dú)的匝部分之間的耦合的結(jié)果，作為其結(jié)果質(zhì)量因數(shù)進(jìn)而被提高了。
[0037]例如，第一次級匝和第二次級匝被串聯(lián)連接。
[0038]變壓器包括例如被橫向地布置在第一初級匝與至少一個第二初級匝之間的至少一個另外的次級匝。
[0039]通過示例的方式，該另外的次級匝被至少部分地布置在第一初級匝的至少一個部分或第二初級匝的至少一個部分之上。
[0040]例如，另外的次級匝、第一次級匝以及第二次級匝被串聯(lián)連接。
[0041]例如，第一次級匝被布置在第一平面中，并且第二次級匝和另外的次級匝被布置在高于第一平面的第二平面中。
[0042]第一次級匝和第二次級匝可以具有不同的寬度。
[0043]第一次級匝和第二次級匝可以被布置在不同的金屬化平面中。
[0044]通過示例的方式，第一次級匝和第二次級匝由不同的金屬化平面形成。
[0045]例如，第一初級匝和第二初級匝被并聯(lián)連接。
[0046]至少一個第一初級匝是例如多個第一初級匝。
[0047]例如，所述多個第一初級匝的初級匝被并聯(lián)連接。
[0048]至少一個第二初級匝是例如多個第二初級匝。
[0049]例如，所述多個第二初級匝的初級匝被并聯(lián)連接。
[0050]至少一個第一初級匝具有例如在第一次級匝水平的第一部分和在第二次級匝水平的第二部分。
[0051]至少一個第二初級匝具有例如在第一次級匝水平的第一部分和在第二次級匝水平的第二部分。
[0052]例如，初級匝和次級匝被布置在管芯或芯片上。
[0053]例如，初級匝和次級匝由帶狀線形成。
[0054]圖4示出了電路400。
[0055]電路400包括具有第一端402和第二端404的第一差分分支401，所述第一端402被耦合到供應(yīng)有第一供應(yīng)電位的供應(yīng)節(jié)點(diǎn)403。
[0056]此外，電路400包括具有第一端406和第二端407的第二差分分支405,所述第一端406被耦合到供應(yīng)節(jié)點(diǎn)403。
[0057]電路400此外包括變壓器的初級匝408。初級匝被連接在第一差分分支401的第二端404與第二差分分支405的第二端407之間，其中初級匝408具有供應(yīng)有第二供應(yīng)電位的中心連接409。
[0058]電路400此外包括反饋路徑410，其借助于電容411 (電容性地)將中心連接409耦合到供應(yīng)節(jié)點(diǎn)403并且其至少部分地在初級匝408的內(nèi)部中運(yùn)行。
[0059]換句話說,從一個或多個初級匝的供應(yīng)連接到供應(yīng)電位(例如到接地)的反饋(或返回耦合)被布置在初級匝的內(nèi)部中(并且因此典型地在最短路徑上)。初級匝的內(nèi)部是例如由初級匝所包封的區(qū)。
[0060]耦合能夠被理解(取決于上下文)為電容耦合或電感耦合或者為電導(dǎo)電連接(例如電連接)。
[0061]通過示例的方式，一個或多個阻塞電容和共模信號反饋被集成到變壓器中(在初級繞組的內(nèi)部中)。用作說明地，RF共模電流因此能夠被局部短路。
[0062]例如，差分分支是放大器分支。
[0063]差分分支中的每一個例如在每種情況下都具有至少一個晶體管。
[0064]例如，(相應(yīng)的)晶體管具有控制輸入端，其形成差分分支的輸入端。
[0065]例如，差分分支的輸入端是差分放大器輸入端。[0066]例如，初級匝被布置在金屬化平面中，并且反饋路徑被至少部分地布置在金屬化平面中。
[0067]初級匝能夠具有第一連接，其被耦合到第一差分分支的第二端，并且可以具有第二連接，其被耦合到第一差分分支的第二端，其中反饋路徑例如在第一連接與第二連接之間直通初級匝的內(nèi)部。
[0068]電路包括例如具有變壓器的多個初級匝的初級繞組，所述初級繞組被連接在第一差分分支的第二端與第二差分分支的第二端之間，其中反饋路徑例如至少部分地在初級繞組的內(nèi)部中運(yùn)行。
[0069]反饋路徑例如在初級匝的兩個對稱分支之間運(yùn)行。
[0070]例如，反饋路徑沿著通過中心連接運(yùn)行的初級匝的對稱軸運(yùn)行。
[0071 ] 反饋路徑可以至少部分地在差分分支之間運(yùn)行。
[0072]第一供應(yīng)電位是例如低供應(yīng)電位(例如VSS)，并且第二供應(yīng)電位是例如高供應(yīng)電位(例如VDD)。
[0073]電容被例如布置在初級匝的內(nèi)部中。
[0074]電容還可以被布置在初級匝外部。
[0075]應(yīng)該考慮到，變壓器300可以被用于電路400，也就是說電路400的初級匝是變壓器300的初級匝。因此，關(guān)于變壓器300被描述的示例和特征對于電路400來說是類似地有效的。
[0076]在下面更詳細(xì)地描述了變壓器300和電路400的示例。
[0077]用于在集成電路中使用的變壓器能夠包括兩個垂直地耦合的電感(“堆疊式變壓器”)或兩個橫向地耦合的電感(“叉指式繞組變壓器”)。
[0078]圖5示出了在初級繞組與次級繞組之間具有垂直耦合的變壓器500。
[0079]變壓器包括具有三個并聯(lián)連接的初級匝的初級繞組501和具有兩個串聯(lián)連接的次級匝的次級繞組502。
[0080]變壓器的兩個繞組501、502被一個直接地高于另一個地布置在兩個不同的金屬層中。以這種方式，實(shí)現(xiàn)非常高的耦合因數(shù)并且因此實(shí)現(xiàn)高效率或低插入損耗是可能的。然而，為了最小化串聯(lián)電阻，所述匝必須具有特定導(dǎo)體寬度。那在初級側(cè)501與次級側(cè)502之間自動地導(dǎo)致高耦合電容503，并且因此如果次級側(cè)502在一端處被接地則導(dǎo)致不平衡的行為，對于平衡不平衡變換器來說情況就是這樣。
[0081]圖6示出了在初級繞組與次級繞組之間具有垂直耦合的變壓器600。
[0082]變壓器包括具有三個并聯(lián)連接的初級匝的初級繞組601和具有兩個串聯(lián)連接的次級匝的次級繞組602。
[0083]在這個示例中，變壓器600的兩個繞組601、602被布置在一個平面中的相同的金屬層(或相同的多個金屬層)中。與變壓器500相比耦合電容603被顯著地降低了，因為金屬化的高度典型地顯著地小于匝的導(dǎo)體寬度。然而，在初級側(cè)601與次級側(cè)602之間的電感耦合在這樣的布置的情況下是相對低的。
[0084]作為初級繞組601和次級匝602的叉指化(如圖6中所示)的結(jié)果,這個缺點(diǎn)再次可以被部分地補(bǔ)償，但作為初級匝與次級匝之間附加需要的交叉的結(jié)果以提高的串聯(lián)電阻為代價。[0085]圖7示出了在初級繞組與次級繞組之間具有橫向耦合并且在次級匝之間具有橫向耦合的變壓器700。
[0086]變壓器700包括具有兩個并聯(lián)連接的初級匝708、709的初級繞組701和具有兩個串聯(lián)連接的次級匝的次級繞組702。
[0087]初級側(cè)701和次級側(cè)702橫向地耦合，其中次級側(cè)702的兩個匝同樣位于一個平面中并且因此橫向地耦合。和變壓器600對比，在這里兩個次級匝被布置在初級匝之間，這與變壓器600相比進(jìn)一步降低電容耦合。
[0088]在變壓器700的情況下，電容703此外被布置在初級匝701內(nèi)，例如以得到變壓器被用于的放大器的供應(yīng)電壓。初級繞組701的內(nèi)初級匝704出于這個目的具有電容703被耦合到的中心連接705。例如，電容703以及將電容703耦合到中心連接705的連接706是反饋路徑710的一部分，所述反饋路徑710在初級匝710的連接707之間直通初級匝701的內(nèi)部并且被耦合到接地連接節(jié)點(diǎn)。通過示例的方式，中心連接705對應(yīng)于放大器電路200的節(jié)點(diǎn)B并且接地連接節(jié)點(diǎn)對應(yīng)于放大器電路200的節(jié)點(diǎn)A。初級繞組的連接707例如對應(yīng)于差分分支201、202到初級繞組210的連接。在這個示例中，供應(yīng)電壓在VDD連接708處被饋送給初級繞組701，所述VDD連接708被布置在外初級匝709上。
[0089]反饋路徑710使得能實(shí)現(xiàn)共模電流的反饋。除芯片面積的節(jié)省之外，共模電流在短(或甚至最短)路徑上的這樣的反饋(通過初級匝701的內(nèi)部)使得能夠經(jīng)由公共接地阻抗降低串?dāng)_，如關(guān)于圖2所解釋的那樣。此外，能夠通過對應(yīng)導(dǎo)體環(huán)路的最小化來大大地抑制用于共模干擾的電感耦合路徑。
[0090]反饋路徑710能夠被視為電路400的反饋路徑的示例。
[0091]圖8示出了在初級繞組與次級繞組之間具有橫向耦合并且在次級匝之間具有垂向耦合的變壓器800。
[0092]變壓器800包括具有兩個并聯(lián)連接的初級匝的初級繞組801和具有兩個串聯(lián)連接的次級匝的次級繞組702。
[0093]在這個示例中，次級電感702的單獨(dú)的匝被設(shè)計以便使得它們之間的耦合因數(shù)變得盡可能高。在所示出的示例中，次級側(cè)702具有以垂直耦合方式一個高于另一個地布置在兩個金屬層中的兩個匝。這個結(jié)構(gòu)的緊湊橫截面導(dǎo)致高耦合因數(shù)并且因此導(dǎo)致低插入損耗。典型地能夠接受兩個次級匝之間的較高電容，因為這些對電路的平衡沒有影響。
[0094]變壓器800能夠被認(rèn)為是變壓器300的示例。
[0095]變壓器800此外與變壓器700類似地包括反饋路徑803和集成(阻塞)電容804。
[0096]以下表在模擬結(jié)果的基礎(chǔ)上示出了與圖5、圖6以及圖8中的示例相對應(yīng)的優(yōu)化的PA輸出變壓器的性能數(shù)據(jù)的比較。在相對于阻尼的最小損耗情況下，能夠用依據(jù)圖8的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)橫向地耦合的變壓器的高平衡。
【權(quán)利要求】
1.一種變壓器，包括: 至少一個第一初級匝； 至少一個第二初級匝；以及 第一次級匝和第二次級匝； 其中所述第一次級匝和所述第二次級匝被橫向地布置在所述至少一個第一初級匝與所述至少一個第二初級匝之間；并且 其中所述第一次級匝和所述第二次級匝被一個高于另一個地布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器， 其中所述第一次級匝和所述第二次級匝被串聯(lián)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器，進(jìn)一步包括: 至少一個另外的次級匝，其被橫向地布置在所述第一初級匝與所述至少一個第二初級匝之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器， 其中所述第一次級匝和所述第二次級匝具有不同的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器， 其中所述第一次級匝和所述第二次級匝被布置在不同的金屬化平面中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器， 其中所述至少一個第一初級匝具有在所述第一次級匝水平的第一部分和在所述第二次級匝水平的第二部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器， 其中所述至少一個第二初級匝具有在所述第一次級匝水平的第一部分和在所述第二次級匝水平的第二部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器， 其中所述初級匝和所述次級匝被布置在管芯或芯片上。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變壓器， 其中所述初級匝和所述次級匝由帶狀線形成。
10.一種電路,包括: 具有第一端和第二端的第一差分分支，所述第一端被耦合到供應(yīng)有第一供應(yīng)電位的供應(yīng)節(jié)點(diǎn)； 具有第一端和第二端的第二差分分支，所述第一端被耦合到所述供應(yīng)節(jié)點(diǎn)； 變壓器的初級匝，所述初級匝被連接在所述第一差分分支的所述第二端與所述第二差分分支的所述第二端之間，其中所述初級匝具有供應(yīng)有第二供應(yīng)電位的中心連接；以及反饋路徑，其借助于電容將所述中心連接耦合到所述供應(yīng)節(jié)點(diǎn)并且其至少部分地在所述初級匝的內(nèi)部中運(yùn)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路， 其中所述差分分支是放大器分支。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路， 其中所述差分分支中的每一個在每種情況下都具有至少一個晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，其中所述初級匝被布置在金屬化平面中，并且所述反饋路徑被至少部分地布置在所述金屬化平面中。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路， 其中所述初級匝具有第一連接，其被耦合到所述第一差分分支的所述第二端，并且具有第二連接，其被耦合到所述第一差分分支的所述第二端，其中所述反饋路徑在所述第一連接與所述第二連接之間直通所述初級匝的內(nèi)部。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，進(jìn)一步包括: 具有所述變壓器的多個初級匝的初級繞組，所述初級繞組被連接在所述第一差分分支的所述第二端與所述第二差分分支的所述第二端之間，其中所述反饋路徑至少部分地在所述初級繞組的內(nèi)部中運(yùn) 行。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路， 其中所述反饋路徑在所述初級匝的兩個對稱分支之間運(yùn)行。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路， 其中所述反饋路徑沿著通過所述中心連接運(yùn)行的所述初級匝的對稱軸運(yùn)行。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路， 其中所述反饋路徑至少部分地在所述差分分支之間運(yùn)行。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路， 其中所述電容被布置在所述初級匝的內(nèi)部中。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路， 其中所述電容被布置在所述初級匝外部。
【文檔編號】H01F27/28GK104008864SQ201410059122
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年2月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月22日
【發(fā)明者】S.洛伊施納, J.莫賴?yán)? P.普范 申請人:英特爾移動通信有限責(zé)任公司