一種強(qiáng)光led光源模塊及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及LED【技術(shù)領(lǐng)域】，特指一種強(qiáng)光LED光源模塊的生產(chǎn)工藝，其包括以下步驟：a.制備整體LED晶片，在LED晶片中的一個(gè)大尺寸非電極所在表面鍍上一層高折射率薄膜；b.將鍍好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片單體；c.將LED晶片單體固晶于基片表面，已鍍高折射率薄膜的一面與基片接觸，并焊線(xiàn)連接LED晶片單體；d.在LED晶片單體的剩余五個(gè)表面也鍍上一層高折射率薄膜；e.按需組裝或封裝成完整的LED光源模塊。本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在：其一，LED晶片單體發(fā)光進(jìn)入封裝材料前，由于LED晶片單體周邊均鍍有高折射率薄膜，各面之間呈90°，起到倍增出光面的效果，而且大大降低了全反射率，增大出光效率、增強(qiáng)光線(xiàn)強(qiáng)度的效果。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種強(qiáng)光LED光源模塊及其生產(chǎn)工藝
[0001]【技術(shù)領(lǐng)域】:
本發(fā)明涉及LED【技術(shù)領(lǐng)域】，特指一種強(qiáng)光LED光源模塊的生產(chǎn)工藝及該強(qiáng)光LED光源模塊。
[0002]【背景技術(shù)】:
現(xiàn)有LED光源模塊普遍是在鋁基板或鋁支架上固定LED晶片，LED晶片通過(guò)金屬線(xiàn)與設(shè)置鋁基板或鋁支架上的銅電極連接，再用環(huán)氧樹(shù)脂等材料進(jìn)行封裝制得。由于鋁基板、鋁支架都是無(wú)法透光的，因此，這些LED光源都只能從單面出光，無(wú)法實(shí)現(xiàn)全角度出光。另外，LED晶片本身出光面有限以及受全反射等因素影響，其發(fā)光也無(wú)法完全進(jìn)入封裝材料，再者光線(xiàn)從封裝材料進(jìn)入空氣界面時(shí)也會(huì)受到全反射等影響，因此整個(gè)LED光源的出光效率較低，光強(qiáng)度較弱。
[0003]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有產(chǎn)品的不足之處，提供一種強(qiáng)光LED光源模塊的生產(chǎn)工藝及該強(qiáng)光LED光源模塊。
[0004]本發(fā)明實(shí)現(xiàn)其目的采用的技術(shù)方案是:一種強(qiáng)光LED光源模塊的生產(chǎn)工藝，其包括以下步驟:
a.制備整體LED晶片，在LED晶片中的一個(gè)大尺寸非電極所在表面鍍上一層高折射率
薄膜；
b.將鍍好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片單體；
c.將LED晶片單體固晶于基片表面，已鍍高折射率薄膜的一面與基片接觸，并焊線(xiàn)連接LED晶片單體；
d.在LED晶片單體的剩余五個(gè)表面也鍍上一層高折射率薄膜；
e.按需組裝或封裝成完整的LED光源模塊。
[0005]上述工藝中，所述的高折射率薄膜的厚度為0.1 μ m-1.0 μ m。
[0006]所述的高折射率薄膜為T(mén)iO2或熒光物質(zhì)薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。
[0007]同時(shí)，本發(fā)明還提供一種強(qiáng)光LED光源模塊,包括基板、若干LED晶片單體、電極片、連接LED晶片單體和電極片的金屬線(xiàn)以及封裝料體，于所述LED晶片單體的六個(gè)表面均鍍有一層高折射率薄膜，所述金屬線(xiàn)穿過(guò)高折射率薄膜與LED晶片單體的電極連接。
[0008]上述光源模塊中，所述的高折射率薄膜的厚度為0.1 μ m-1.0 μ m。所述的高折射率薄膜為T(mén)iO2或熒光物質(zhì)薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。
[0009]所述基板由與封裝料體材質(zhì)相同的透光材料成型，這樣能使整體LED光源全角度出光。
[0010]于所述LED光源模塊的封裝料體表面還成型有若干圓錐狀凸點(diǎn)。
[0011]本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:其一，LED晶片單體發(fā)光進(jìn)入封裝材料前，由于LED晶片單體周邊均鍍有高折射率薄膜，各面之間呈90°，增大了 LED晶片單體的出光面，起到倍增出光面的效果，而且大大降低了全反射率，使LED晶片單體的發(fā)光均進(jìn)入封裝料體中，從而起到增大出光效率、增強(qiáng)光線(xiàn)強(qiáng)度的效果；其二，在LED光源的封裝料體表面設(shè)置圓錐凸點(diǎn)，在光線(xiàn)從封裝料體進(jìn)入空氣時(shí)能破壞全反射(即即便在一面被反射，也會(huì)從另一面射出)，進(jìn)一步提高出光率和出光強(qiáng)度；其三，直接以封裝用的透光材料來(lái)成型制作基板，因此，基板具有很好的透光性，當(dāng)LED晶片固定并封裝后，可以實(shí)現(xiàn)全角度出光，產(chǎn)品的視覺(jué)效果極佳。
[0012]【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】:
圖1是本發(fā)明一種實(shí)施例強(qiáng)光LED光源模塊的剖面示意圖；
圖2是圖1中的局部放大圖。
[0013]【具體實(shí)施方式】:
下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
[0014]本發(fā)明所述的一種強(qiáng)光LED光源模塊的生產(chǎn)工藝，其包括以下步驟:
a.制備整體LED晶片，在LED晶片中的一個(gè)大尺寸非電極所在表面鍍上一層高折射率薄膜；
b.將鍍好高折射率薄膜的L ED晶片按需分割呈LED晶片單體；
c.將LED晶片單體固晶于基片表面，已鍍高折射率薄膜的一面與基片接觸，并焊線(xiàn)連接LED晶片單體；
d.在LED晶片單體的剩余五個(gè)表面也鍍上一層高折射率薄膜；
e.按需組裝或封裝成完整的LED光源模塊。
[0015]上述工藝中，所述的高折射率薄膜的厚度為0.1ym-1.0 μ m。所述的高折射率薄膜為T(mén)iO2或熒光物質(zhì)薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。高折射率薄膜可通過(guò)化學(xué)氣相沉積(MOCVD、CVD )、物理真空蒸鍍或者濺鍍以及溶劑成膜等各種鍍膜方式完成。
[0016]結(jié)合圖1、圖2所示，本發(fā)明還提供一種強(qiáng)光LED光源模塊，包括基板1、若干LED晶片單體2、電極片3、連接LED晶片單體2和電極片3的金屬線(xiàn)4以及封裝料體5，于所述LED晶片單體2的六個(gè)表面均鍍有一層高折射率薄膜21，所述金屬線(xiàn)4穿過(guò)高折射率薄膜21與LED晶片單體2的電極連接。
[0017]所述基板I由與封裝料體5材質(zhì)相同的透光材料成型,這樣能使整體LED光源全角度出光。封裝用的透光材料例如可以是環(huán)氧樹(shù)脂、橡膠、塑料等材料，這些材料中可以通過(guò)摻雜熒光粉來(lái)改變基板I和封裝料體的顏色，從而改變出光顏色。
[0018]上述光源模塊中，所述的高折射率薄膜21的厚度為0.1 μ m-1.0ym0所述的高折射率薄膜為T(mén)iO2或熒光物質(zhì)薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。光線(xiàn)從高折射率薄膜21射入封裝料體5時(shí)，只要arcsin (封裝材料折射率/高折射率薄膜折率)^ π /4時(shí)，可降低全反射，倍增出光面，即LED晶片單體的發(fā)光均可被取到封裝料體5中，提高出光率。
[0019]于所述LED光源模塊的封裝料體5表面還成型有若干圓錐狀凸點(diǎn)51，且圓錐狀凸點(diǎn)51的圓錐頂角小于2arcsin(l/封裝材料折射率)，此時(shí)能破壞全反射，獲得最大出光率。
[0020]本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:其一，LED晶片單體發(fā)光進(jìn)入封裝材料前，由于LED晶片單體周邊均鍍有高折射率薄膜，各面之間呈90°，增大了 LED晶片單體的出光面，起到倍增出光面的效果，而且大大降低了全反射率，使LED晶片單體的發(fā)光均進(jìn)入封裝料體中，從而起到增大出光效率、增強(qiáng)光線(xiàn)強(qiáng)度的效果；其二，在LED光源的封裝料體表面設(shè)置圓錐凸點(diǎn)，在光線(xiàn)從封裝料體進(jìn)入空氣時(shí)能破壞全反射(即即便在一面被反射，也會(huì)從另一面射出)，進(jìn)一步提高出光率和出光強(qiáng)度；其三，直接以封裝用的透光材料來(lái)成型制作基板’因此，基板具有很好的透光性，當(dāng)led晶片固定并封裝后，可以實(shí)現(xiàn)全角度出光，產(chǎn)品的視覺(jué)效果極佳。
【權(quán)利要求】
1.一種強(qiáng)光LED光源模塊的生產(chǎn)工藝，其特征在于:其包括以下步驟: a.制備整體LED晶片，在LED晶片中的一個(gè)大尺寸非電極所在表面鍍上一層高折射率薄膜； b.將鍍好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片單體； c.將LED晶片單體固晶于基片表面，已鍍高折射率薄膜的一面與基片接觸，并焊線(xiàn)連接LED晶片單體； d.在LED晶片單體的剩余五個(gè)表面也鍍上一層高折射率薄膜； e.按需組裝或封裝成完整的LED光源模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的強(qiáng)光LED光源模塊的生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述的高折射率薄膜的厚度為0.1 μ m-1.0 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的強(qiáng)光LED光源模塊的生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述的高折射率薄膜為T(mén)iO2或熒光物質(zhì)薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。
4.一種強(qiáng)光LED光源模塊，包括基板、若干LED晶片單體、電極片、連接LED晶片單體和電極片的金屬線(xiàn)以及封裝料體，其特征在于:于所述LED晶片單體的六個(gè)表面均鍍有一層高折射率薄膜，所述金屬線(xiàn)穿過(guò)高折射率薄膜與LED晶片單體的電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求5所述的強(qiáng)光LED光源模塊，其特征在于:所述的高折射率薄膜的厚度為 0.1 μ m-1.0 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的強(qiáng)光LED光源模塊，其特征在于:所述的高折射率薄膜為T(mén)iO2或熒光物質(zhì)薄膜，或者采用其他高折射率材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的強(qiáng)光LED光源模塊，其特征在于:所述基板由與封裝料體材質(zhì)相同的透光材料成型。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的強(qiáng)光LED光源模塊,其特征在于:于所述LED光源模塊的封裝料體表面還成型有若干圓錐狀凸點(diǎn)。
【文檔編號(hào)】H01L33/44GK103872207SQ201410059021
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2014年2月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月21日
【發(fā)明者】鄭香奕 申請(qǐng)人:東莞美盛電器制品有限公司