半導(dǎo)體裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體元件以及與半導(dǎo)體元件電連接的金屬緩沖層而構(gòu)成。在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，以金屬緩沖層和半導(dǎo)體元件相互面接觸這樣的形態(tài)連接了金屬緩沖層和半導(dǎo)體元件。此外，金屬緩沖層成為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子，并且也成為在二次安裝基板與半導(dǎo)體元件之間具有應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。更詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及散熱性優(yōu)異、可靠性高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，控制大電流的半導(dǎo)體被用在組合了汽油引擎和電動機(jī)的混合動力汽車中。此外，這種半導(dǎo)體伴隨著僅利用電動機(jī)行駛的電動汽車的普及也被用在電動機(jī)的高輸出電流控制中。
[0003]進(jìn)而，作為光源進(jìn)行發(fā)光的半導(dǎo)體(LED)由于節(jié)能且長壽命，因此被用在各種用途中。例如，除了在顯示裝置(液晶畫面)背光燈光源、相機(jī)閃光燈用途、車載用途等用途中使用LED之外,還在各種照明用途中使用LED。
[0004]在電動汽車的發(fā)動機(jī)、高亮度LED中，半導(dǎo)體中流動的電流變大。然而，在施加這種大電流的嚴(yán)格的使用條件下有時會發(fā)生半導(dǎo)體的特性劣化，可能使得難以確保高電流控制的半導(dǎo)體封裝體、LED模塊的長壽命、高可靠性。例如，如果增大流經(jīng)半導(dǎo)體的電流，則來自半導(dǎo)體的發(fā)熱增大，由此模塊、系統(tǒng)的內(nèi)部的溫度上升而可能引起劣化。例如電動機(jī)用的高輸出控制半導(dǎo)體中所使用的高效率的GaN、SiC的效率雖為約98%程度，但約2%卻成為熱，在以高輸出進(jìn)行使用的過程中將成為問題。此外，在高亮度白色LED中，所消耗的電力之中被變換為光的只不過僅僅為25%程度，其他的直接成為熱。因此，需要對半導(dǎo)體封裝體采取散熱對策，從而使用了各種散熱器。
[0005]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-129928號公報
[0008]專利文獻(xiàn)2:國際公開(WO)第08/088165號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的課題
[0010]當(dāng)前的半導(dǎo)體芯片的安裝形態(tài)能夠大致分為兩種，存在“引線接合型(W/B型)”和“倒裝片型(F/C型)”。“引線接合型(1作型)”如圖29(幻所示，半導(dǎo)體芯片的電極朝向上偵牝通過與該朝上電極連接的金屬引線來謀求電連接。另一方面，“倒裝片型(F/C型)”如圖29(b)所示，半導(dǎo)體芯片的電極朝向下側(cè)，經(jīng)由與該朝下電極連接的金屬凸塊來謀求電連接。
[0011]本申請
【發(fā)明者】們潛心研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn):在這些安裝形態(tài)中存在以下的課題。首先，“倒裝片型(F/C型)”中金屬凸塊會成為熱阻，在散熱特性方面不一定能說成是優(yōu)選的。具體而言，在半導(dǎo)體芯片中金屬凸塊占有的面積少(即便將占有面積估計得較大，相對于半導(dǎo)體芯片面也僅為約25%程度)，因此金屬凸塊成為限制，散熱性不良。換言之，可以說在金屬凸塊的設(shè)置之處(安裝部分)可產(chǎn)生發(fā)熱。在這種“倒裝片型(F/C型)”中，即使設(shè)為使用的是散熱性高的基板，熱也難以傳遞給基板，在現(xiàn)實中不能實現(xiàn)高的散熱特性(參照圖 29(b))。
[0012]另一方面，“引線接合型(W/B型)”如圖29(a)所示，因為能夠在半導(dǎo)體芯片的正下方設(shè)置散熱孔等，所以在散熱特性方面優(yōu)選，但是在高輸出控制的半導(dǎo)體中，在引線連接時卻無法流動所需的電流，并且在高亮度LED中，LED上側(cè)的電極(凸塊)會遮擋光，從而在光取出方面不優(yōu)選。如果關(guān)于“光的遮擋”來具體說明的話，則由于設(shè)置在LED芯片的上側(cè)面的電極部的存在，能實現(xiàn)光取出的LED區(qū)域受到限制，光取出量被減少。此外，因為引線自身也會遮擋光，所以在這方面也成為使光取出下降的主要原因。
[0013]進(jìn)一步講，設(shè)置于半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體如果其發(fā)熱時的熱膨脹系數(shù)與周圍材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)不同，則可產(chǎn)生起因于該差的應(yīng)力，作為半導(dǎo)體裝置有可能引起不良的現(xiàn)象。也就是說，存在因熱應(yīng)力有可能損壞作為半導(dǎo)體裝置的可靠性的顧慮。
[0014]本發(fā)明正是鑒于上述情形而完成的。S卩，本發(fā)明的主要目的在于提供滿足散熱特性以及電極取出雙方，并且對于熱應(yīng)力也呈現(xiàn)高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
[0015]用于解決課題的手段
[0016]本申請
【發(fā)明者】們并非在現(xiàn)有技術(shù)的外延線上進(jìn)行對應(yīng)的，而是通過在新的方向上進(jìn)行應(yīng)對，由此來嘗試上述目的的實現(xiàn)。其結(jié)果，完成了實現(xiàn)上述目的的半導(dǎo)體裝置的發(fā)明。
[0017]具體而言，在本發(fā)明中提供一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成為具有:半導(dǎo)體元件；和與半導(dǎo)體元件電連接的金屬緩沖層，以金屬緩沖層和半導(dǎo)體元件相互面接觸這樣的形態(tài)連接了金屬緩沖層和半導(dǎo)體元件，而且金屬緩沖層成為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子，并且成為在二次安裝基板與半導(dǎo)體裝置(尤其是半導(dǎo)體元件)之間具有應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件。
[0018]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的特征之一在于，金屬緩沖層以與半導(dǎo)體元件面接觸(尤其是直接接合或者面接合)的形態(tài)被電連接，由此金屬緩沖層成為在二次安裝基板與半導(dǎo)體裝置之間具有應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件，且成為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子(外部連接端子焊盤)。
[0019]在本發(fā)明中，所謂“應(yīng)力緩和作用”實質(zhì)上是指減少在半導(dǎo)體裝置中可產(chǎn)生的應(yīng)力的作用。應(yīng)力緩和作用例如意味著減少由于“半導(dǎo)體元件的線膨脹系數(shù)”和“二次安裝基板的線膨脹系數(shù)”的差而可產(chǎn)生的“應(yīng)力”的作用。
[0020]此外，在本發(fā)明中還提供一種用于制造上述半導(dǎo)體裝置的方法。本發(fā)明的該制造方法包括:(i)準(zhǔn)備半導(dǎo)體元件的工序；和(ii)按照與半導(dǎo)體元件電連接的方式形成金屬緩沖層的工序，在工序(ii)中，按照金屬緩沖層和半導(dǎo)體元件成為相互面接觸的形態(tài)的方式形成了金屬緩沖層，該金屬緩沖層成為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子，并且成為在二次安裝基板與半導(dǎo)體裝置(尤其是半導(dǎo)體元件)之間具有應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件。
[0021]本發(fā)明的制造方法的特征之一在于，按照與半導(dǎo)體元件面接觸(尤其是直接接合或者面接合)的方式直接形成金屬緩沖層，由此作為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子能獲得具有應(yīng)力緩和作用的構(gòu)件。
[0022]發(fā)明效果
[0023]在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，適當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)“散熱特性”、“電連接”以及“對于熱應(yīng)力而言高可靠性(緩沖特性)”(參照圖1)。具體而言，起因于“半導(dǎo)體元件和金屬緩沖層的面接觸”，半導(dǎo)體元件中的金屬層的占有面積大，因此適當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)“高散熱”和“電連接”，并且適當(dāng)?shù)仄鸬健皯?yīng)力緩和作用”。
[0024]如果就“散熱特性”以及“電連接”來說，在本發(fā)明中未進(jìn)行經(jīng)由了凸塊的安裝(即變?yōu)闊o安裝、無凸塊)，來自半導(dǎo)體元件的熱經(jīng)由“與金屬緩沖層的面接觸部”被有效率地散熱。特別是，能夠根據(jù)導(dǎo)熱性高的銅等材質(zhì)來形成金屬緩沖層，并且能夠設(shè)為“厚度大的金屬緩沖層”以及/或者“在寬度方向上尺寸大的金屬緩沖層”，所以能夠經(jīng)由該金屬緩沖層而使半導(dǎo)體元件的熱有效率地散出到外部(另外，根據(jù)需要而在金屬緩沖層的形成中使用的基底由金屬材質(zhì)等至少呈現(xiàn)導(dǎo)熱性的材料構(gòu)成，而且被設(shè)得非常薄，所以熱阻小到可以忽略的程度)。同樣地，“厚度大的金屬緩沖層”以及/或者“在寬度方向上尺寸大的金屬緩沖層”也適用于流經(jīng)電流的情形，特別適于流經(jīng)大電流的情形。而且，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，成為在金屬緩沖層上設(shè)有半導(dǎo)體元件的構(gòu)造、即半導(dǎo)體元件的電極以及與其連接的金屬緩沖層朝向下側(cè)的面朝下構(gòu)造，所以“引線的連接不良、斷線等的不良狀況”被避免。
[0025]如果就“對于熱應(yīng)力而言高可靠性”來說，根據(jù)金屬緩沖層，起到在半導(dǎo)體裝置內(nèi)可產(chǎn)生的應(yīng)力被緩和的效果。尤其是，在半導(dǎo)體裝置被安裝于二次安裝基板來使用之際，與半導(dǎo)體元件和二次安裝基板的熱膨脹系數(shù)的差相伴的不良狀況被避免。在該方面，因為在本發(fā)明中按照構(gòu)成“面接觸的形態(tài)”的方式設(shè)置金屬緩沖層，所以能夠有效地帶來相應(yīng)的緩沖作用。尤其在作為二次安裝基板而使用了 “印刷基板”的情況下，半導(dǎo)體元件和二次安裝基板的熱膨脹系數(shù)的差變大，金屬緩沖層的應(yīng)力緩和效果可以變得明顯。進(jìn)而，這種金屬緩沖層能夠以“直接形成在半導(dǎo)體元件上”的比較簡易的工藝來獲得。尤其是，不會使工藝形態(tài)大幅變更地使形成條件比較簡易地變化，從而能夠在“半導(dǎo)體元件側(cè)”和“二次安裝基板側(cè)”局部地改變金屬緩沖層的特性，能夠更適當(dāng)?shù)乇苊狻芭c熱膨脹系數(shù)的差相伴的不良狀況”。
[0026]在發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下，在本發(fā)明中也可實現(xiàn)適當(dāng)?shù)摹肮馊〕觥薄＞唧w而言，因為是面朝下構(gòu)造，從而不僅能夠效率良好地取出來自半導(dǎo)體元件的上表面?zhèn)鹊墓?，還能夠?qū)⒃诮饘倬彌_層的形成中使用的基底用作反射層，通過該反射層還能夠使來自半導(dǎo)體元件的下表面?zhèn)鹊墓庑柿己玫厝〕?。在這方面，因為在半導(dǎo)體元件的正下方設(shè)有“呈現(xiàn)高反射率的反射層”，所以能夠效率良好地由反射層來反射從半導(dǎo)體元件發(fā)出的朝下的光，其結(jié)果能夠有效利用“朝下發(fā)出的光”。也就是說，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置成為不僅從半導(dǎo)體元件的上表面?zhèn)榷以趶南卤砻鎮(zhèn)热〕龉獾姆矫嬉矁?yōu)選的構(gòu)造。
[0027]進(jìn)而，因為金屬緩沖層構(gòu)成了對半導(dǎo)體元件進(jìn)行支承的支承層，所以本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置成為“無基板構(gòu)造”。因為是該“無基板”所以可實現(xiàn)小型裝置，并且還有助于低成本制造。此外，因為是這種形態(tài)，從而與將陶瓷基板等高散熱基板用作支承體的裝置相比較，還能夠使裝置具有撓性。
[0028]此外，本發(fā)明的裝置成為可以從半導(dǎo)體元件直接實現(xiàn)布線形成的構(gòu)造，并且也成為可以陣列化的構(gòu)造，所以設(shè)計自由度比較高。進(jìn)而，因為是“無安裝、無凸塊”，連接穩(wěn)定性等也是良好的。
[0029]如果特別關(guān)注于本發(fā)明的制造方法，則成為“在半導(dǎo)體元件上直接形成金屬緩沖層”的比較簡易的工藝。而且，通過該簡易的制造工藝而獲得了滿足“散熱特性”、“電連接”和“對于熱應(yīng)力而言高可靠性”的半導(dǎo)體裝置。除此之外，本發(fā)明的制造方法還可起到“可以從半導(dǎo)體芯片等半導(dǎo)體元件直接實現(xiàn)再布線形成”的效果、能夠以晶片尺寸任意配置芯片或者進(jìn)而能夠以載體層為基礎(chǔ)來實現(xiàn)半導(dǎo)體密封(因此，在發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下“發(fā)光面平滑”)等的各種有利效果。
[0030]此外，如果以發(fā)光型半導(dǎo)體元件的情形來特別關(guān)注本發(fā)明的制造方法，則成為“在半導(dǎo)體元件上直接形成金屬層，并且將在該直接的金屬緩沖層形成中使用的電極基底最終作為半導(dǎo)體裝置的反射層來原樣使用”的比較簡易的工藝。而且，通過這種簡易的制造工藝，能獲得滿足“散熱特性”、“電連接”、“光取出”和“熱應(yīng)力緩沖性”的半導(dǎo)體裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1是用于說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的功能及效果的示意性剖視圖。
[0032]圖2是示意性地表征本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成的剖視圖(圖2(A):芯片尺寸或者晶片尺寸的半導(dǎo)體裝置(即，裝置整體的寬度尺寸等于半導(dǎo)體元件的寬度尺寸的半導(dǎo)體裝置)，圖2(B):大致芯片尺寸或者大致晶片尺寸的半導(dǎo)體裝置(即，裝置整體的寬度尺寸大致等于半導(dǎo)體元件的寬度尺寸的半導(dǎo)體裝置)，圖2(C):按照從半導(dǎo)體元件向外側(cè)突出的方式設(shè)置了金屬緩沖層的半導(dǎo)體裝置)。
[0033]圖3是表示與二次安裝基板的關(guān)系的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的示意性剖視圖。
[0034]圖4是用于說明本發(fā)明中的“面接觸”的示意圖。
[0035]圖5是用于說明將金屬緩沖層的材質(zhì)作為比半導(dǎo)體元件以及二次安裝基板軟的材質(zhì)的形態(tài)的示意性剖視圖。
[0036]圖6是用于說明金屬緩沖層的材質(zhì)(例如結(jié)晶構(gòu)造)局部性不同的形態(tài)的示意性首1J視圖。
[0037]圖7是用于說明半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑小于二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑的形態(tài)的示意性剖視圖。
[0038]圖8是用于說明金屬緩沖層的材質(zhì)(例如結(jié)晶構(gòu)造)沿著厚度方向逐漸變化的形態(tài)的示意性剖視圖。
[0039]圖9是用于說明金屬緩沖層通過在其母材中包含至少一種以上的粒子而構(gòu)成的形態(tài)的示意性剖視圖。
[0040]圖10是用于說明本發(fā)明中的“直接地設(shè)置于半導(dǎo)體元件的金屬緩沖層”的形態(tài)(按照向外側(cè)突出的方式朝著寬度方向延伸存在的形態(tài))的示意性剖視圖。
[0041]圖11是用于說明本發(fā)明中的“絕緣部”的示意性剖視圖。
[0042]圖12是在本發(fā)明中用于說明“設(shè)有熒光體層的形態(tài)”的示意性剖視圖。
[0043]圖13是本發(fā)明中用于說明“設(shè)有透鏡構(gòu)件的形態(tài)”的示意性剖視圖。
[0044]圖14是在本發(fā)明中用于說明“多芯片的形態(tài)”的示意性剖視圖。
[0045]圖15是在本發(fā)明中用于說明“金屬緩沖層/反射層的彎曲形態(tài)”的示意性剖視圖。
[0046]圖16是示意性地表征了本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的反射器構(gòu)造的形態(tài)/構(gòu)成的剖視圖。
[0047]圖17是示意性地表示了本發(fā)明的制造方法的工序剖視圖。
[0048]圖18是示意性地表示了 “工藝形態(tài)I”中的本發(fā)明的制造方法的工序剖視圖。
[0049]圖19是示意性地表示了利用“鍍覆后通過蝕刻進(jìn)行圖案化的手法”來形成子緩沖層圖案的形態(tài)的工序剖視圖。
[0050]圖20是示意性地表示了利用“抗蝕劑圖案形成后進(jìn)行圖案鍍覆的手法”來形成子緩沖層圖案的形態(tài)的工序剖視圖。
[0051]圖21A是示意性地表示了絕緣層原料為感光性材料的情況下的絕緣層圖案的形成形態(tài)的工序剖視圖。
[0052]圖21B是示意性地表示了絕緣層原料為感光性材料以外的情況下的絕緣層圖案的形成形態(tài)的工序剖視圖。
[0053]圖22是示意性地表示了 “工藝形態(tài)2”中的本發(fā)明的制造方法的工序剖視圖。
[0054]圖23是示意性地表示了 “工藝形態(tài)3”中的本發(fā)明的制造方法的工序剖視圖。
[0055]圖24是示意性地表示了 “工藝形態(tài)4”中的本發(fā)明的制造方法的工序剖視圖。
[0056]圖25是用于說明絕緣層的形成及其圖案化處理等的變更形態(tài)的示意性剖視圖。
[0057]圖26是示意性地表示了 “工藝形態(tài)5”中的本發(fā)明的制造方法的工序剖視圖。
[0058]圖27是用于說明第I絕緣部的局部區(qū)域70A的位置的示意圖(從半導(dǎo)體元件的下側(cè)主面觀看到的圖)。
[0059]圖28是用于說明“關(guān)于第I絕緣部的局部區(qū)域70A的位置的變更形態(tài)”的示意性首1J視圖。
[0060]圖29是示意性表示了現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體芯片的安裝形態(tài)的剖視圖。

【具體實施方式】
[0061]以下，詳細(xì)說明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。此外，附圖所示的各種要素只不過是為了理解本發(fā)明而示意性地表示的，應(yīng)注意尺寸比、外觀等可與實物有所不同。
[0062][本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置]
[0063]在圖2㈧?(C)中示意性地表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的構(gòu)成。如圖示那樣，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100具有金屬緩沖層10、金屬緩沖層基底30以及半導(dǎo)體元件50而成。半導(dǎo)體元件50具有被設(shè)置在金屬緩沖層10上的形態(tài)，且與金屬緩沖層上的基底30的至少一部分相接而設(shè)置。金屬緩沖層10被用作在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子(例如半導(dǎo)體元件的電極構(gòu)件)，并且被用作在二次安裝基板與半導(dǎo)體裝置之間呈現(xiàn)應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件(參照圖3)。
[0064]在本發(fā)明中，所謂“半導(dǎo)體元件”實質(zhì)上意味著控制電流的元件或者發(fā)出光的元件，例如電流控制元件(S1、IGBT、SiC、GaN)或者發(fā)光二極管(LED)以及包含它們的電子部件。而且，在本說明書中，“半導(dǎo)體元件”不僅是“半導(dǎo)體的裸芯片(即半導(dǎo)體芯片)”，還可以用作表征也包含“半導(dǎo)體芯片被模制后的分立類型”的形態(tài)的元件。另外，作為半導(dǎo)體芯片，不僅是電流控制元件，還可以使用LED芯片及半導(dǎo)體激光芯片等。
[0065]此外，在本發(fā)明中，所謂“二次安裝基板”，實質(zhì)上意味著當(dāng)將本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置視作一次基板構(gòu)件之際安裝該裝置的另一基板。作為這種二次安裝基板，能夠列舉例如印刷基板(印刷布線板)或陶瓷基板等。
[0066]在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100中，如圖1?3所示，半導(dǎo)體元件50和金屬緩沖層10相互面接觸(尤其是直接接合或者面接合)，由此半導(dǎo)體元件50和金屬緩沖層10相互被電連接。在此提及的“面接觸”，實質(zhì)上意味著各要素的主面彼此相互接觸這樣的形態(tài)，尤其是各要素的主面彼此在相互重合的范圍內(nèi)完全接觸這樣的形態(tài)。具體而言，是指“半導(dǎo)體元件的主面(下側(cè)的主面區(qū)域)”和“金屬緩沖層的主面(上側(cè)的主面區(qū)域)”在相互重合的范圍內(nèi)接觸這樣的形態(tài)(更具體而言為它們被設(shè)置成隔著“半導(dǎo)體元件的電極”而重合的形態(tài))。換言之，本說明書中所用的“面接觸”，是指半導(dǎo)體元件以及金屬緩沖層的主面區(qū)域之中相互重疊的區(qū)域彼此完全接觸這樣的形態(tài)(相當(dāng)于圖4中的“主面區(qū)域A”和“主面區(qū)域B”完全接觸這樣的形態(tài))。
[0067]位于半導(dǎo)體元件50與金屬緩沖層10之間的基底30 (更具體而言為成為用于設(shè)置“金屬緩沖層”的基底的層)是薄到能夠忽略熱阻或電阻的層。因此，在本發(fā)明中，能夠視作半導(dǎo)體元件50和金屬緩沖層10直接(直接性)相互面接觸。
[0068]基底30非常薄，相對于此，金屬緩沖層10被設(shè)得較厚。例如，金屬緩沖層10厚于半導(dǎo)體元件50。這樣厚的金屬緩沖層10實質(zhì)上能夠作為支承半導(dǎo)體元件50的支承層來適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能。也就是說，位于半導(dǎo)體元件50的下側(cè)的金屬緩沖層10相對地較厚，且具有在與半導(dǎo)體元件50重合的范圍內(nèi)與半導(dǎo)體元件50完全面接觸這樣的形態(tài)，所以作為支撐半導(dǎo)體元件50的基座來發(fā)揮功能。在圖2所示的形態(tài)中，雖然例示性地設(shè)有兩個金屬緩沖層1a和金屬緩沖層10b，但是相應(yīng)的金屬緩沖層1a以及金屬緩沖層1b分別成為在與半導(dǎo)體元件50重合的范圍內(nèi)與半導(dǎo)體元件50面接觸這樣的形態(tài)，因此它們作為支承半導(dǎo)體元件50的支承層來適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮功能。另外，這樣的較厚的金屬緩沖層(1aUOb)也適于流動電流的情形，尤其是即便在使用了功率半導(dǎo)體的情況下也能適當(dāng)?shù)貞?yīng)對。
[0069]金屬緩沖層10并不限定于一個，也可以設(shè)有多個。在這方面，因為金屬緩沖層10可與半導(dǎo)體元件50的電極連接，所以也可以設(shè)置與該電極個數(shù)相應(yīng)的數(shù)目的金屬緩沖層10。雖然終究只是一個例示，但是在半導(dǎo)體元件為MOS型半導(dǎo)體元件(例如GaN系半導(dǎo)體元件)的情況下，也可以按照與其源電極、漏電極以及柵電極分別電連接的方式單獨地設(shè)置金屬緩沖層10。
[0070]本發(fā)明中的金屬緩沖層10以與半導(dǎo)體元件50進(jìn)行“面接觸”這樣的形態(tài)被設(shè)置成厚壁，所以能夠使半導(dǎo)體元件的熱經(jīng)由該金屬緩沖層而效率良好地向外部散出。優(yōu)選這種厚壁的金屬緩沖層10能夠在橫向上寬幅地設(shè)置，從而能夠使半導(dǎo)體元件的熱經(jīng)由該金屬緩沖層而效率更良好地散出。也就是說，金屬緩沖層10不僅作為半導(dǎo)體裝置的支承層來發(fā)揮功能，還作為散熱器來發(fā)揮功能，因此對于半導(dǎo)體裝置的高散熱特性而特別有效地做出貢獻(xiàn)。在此，一般而言如果半導(dǎo)體元件變?yōu)楦邷?，則效率會下降，但是在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，因為在散熱特性方面優(yōu)異，所以可實現(xiàn)效率高且性能更高的裝置。在本發(fā)明中，半導(dǎo)體元件50也可以是功率半導(dǎo)體，即便是這種發(fā)熱量多的功率半導(dǎo)體，半導(dǎo)體裝置100也可具有優(yōu)異的散熱特性，所以能夠適當(dāng)?shù)厥褂?。此外，正因為是這種優(yōu)異的散熱特性，因此也可起到半導(dǎo)體元件的工作壽命提高的效果、密封樹脂的熱所引起的變性/變色等也能有效地防止的效果等。此外，由于金屬緩沖層10和半導(dǎo)體元件50呈“面接觸”，因此與經(jīng)由引線、凸塊被電連接的情況相比較，在電阻方面優(yōu)異。因而，也可起到能流經(jīng)更大電流的效果等。因為能夠在金屬緩沖層以及半導(dǎo)體元件中流經(jīng)大電流，所以既能使半導(dǎo)體元件小型化又能實現(xiàn)更高性能的半導(dǎo)體裝置。
[0071]金屬緩沖層10的材質(zhì)(母材的材質(zhì))并未特別限制，作為常規(guī)的半導(dǎo)體電極的材質(zhì)也可以為一般的材質(zhì)。例如，能夠?qū)挠摄~(Cu)、銀(Ag)、鈀(Pd)、鉬(Pt)以及鎳(Ni)所組成的群之中選擇的至少一種金屬材料作為金屬緩沖層10的主要材質(zhì)來使用。然而，如果特別重視“散熱特性”，則金屬緩沖層10的材質(zhì)優(yōu)選導(dǎo)熱性高且對散熱特性有效地做出貢獻(xiàn)的材質(zhì)，因此特別優(yōu)選銅(Cu)。
[0072]在本發(fā)明中，金屬緩沖層10呈現(xiàn)“緩沖作用”，即在半導(dǎo)體裝置中呈現(xiàn)應(yīng)力緩和的效果。例如，如圖5所示，金屬緩沖層10也可以包含與“半導(dǎo)體元件材質(zhì)”以及“二次安裝基板材質(zhì)”相比整體上軟的材質(zhì)。此外，如圖6所示，金屬緩沖層10也可以是其具有的材質(zhì)構(gòu)造局部性不同。例如，金屬緩沖層10的材質(zhì)構(gòu)造也可以沿著層厚度的方向而不同。特別是，金屬緩沖層10優(yōu)選其具有的結(jié)晶粒子構(gòu)造局部性不同。如圖示那樣，“半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的結(jié)晶構(gòu)造”和“二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的結(jié)晶構(gòu)造”不同，例如也可以如圖7所示那樣“半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑”小于“二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑”。如果這樣使金屬緩沖層10的結(jié)晶粒子構(gòu)造局部性不同，則能夠由金屬緩沖層10來緩和起因于半導(dǎo)體裝置(特別是半導(dǎo)體元件)的發(fā)熱時的半導(dǎo)體元件的熱膨脹(熱膨脹率/線膨脹系數(shù))和二次安裝基板的熱膨脹(熱膨脹率/線膨脹系數(shù))的差而可產(chǎn)生的“應(yīng)力”。也就是說，通過金屬緩沖層10可以提高半導(dǎo)體裝置的“熱的可靠性”。這樣，在金屬緩沖層10中，如果采用“位于內(nèi)部側(cè)的局部緩沖層區(qū)域的結(jié)晶構(gòu)造”和“位于外部側(cè)的局部緩沖層區(qū)域的結(jié)晶構(gòu)造”相互不同這樣的構(gòu)造，則半導(dǎo)體元件和與之相接的構(gòu)件的熱膨脹差減少，并且母板等二次安裝基板和與之相接的構(gòu)件的熱膨脹差減少，其結(jié)果可起到適當(dāng)?shù)木彌_作用。如果就這種形態(tài)來進(jìn)行一個例示的話，則可以是“半導(dǎo)體元件側(cè)的局部緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑”為5μπι以下(0(除O之夕卜)?5μπι)，“二次安裝基板側(cè)的局部緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑”為10 μ m以上(例如10 μ m?60 μ m)。
[0073]在此，所謂“半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域”，是指在金屬緩沖層中相對地位于半導(dǎo)體元件側(cè)的局部區(qū)域。例如，如果參照圖6來進(jìn)行說明，則所謂“半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域”，是指與金屬緩沖層的厚度方向上的中間點/中央點相比位于上側(cè)的局部區(qū)域。另一方面，所謂“二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域”，是指在金屬緩沖層中相對地位于外側(cè)的局部區(qū)域。同樣地，如果參照圖6來進(jìn)行說明，則“二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域”是指與金屬緩沖層的厚度方向上的中間點相比位于下側(cè)的局部區(qū)域。此外，本發(fā)明所提及的“結(jié)晶粒徑”，是指基于如圖7所述那樣的“沿著金屬緩沖層的厚度方向切斷出的剖面圖像”而算出的結(jié)晶粒徑值。例如，“結(jié)晶粒徑”意味著具有與根據(jù)這種剖面圖像獲得的結(jié)晶粒的面積相同面積的圓的直徑尺寸，“平均結(jié)晶粒徑”意味著將這種結(jié)晶粒徑進(jìn)行數(shù)量平均(例如50個的數(shù)量平均)而算出的值。
[0074]雖然在后述會詳細(xì)地進(jìn)行說明，但是“局部性不同的結(jié)晶構(gòu)造”能夠通過金屬緩沖層10的形成時的濕式鍍覆的鍍覆液組成或電流控制等來獲得。另外，上述的“金屬緩沖層中的結(jié)晶構(gòu)造的局部性差異”不一定要明確地加以區(qū)分，也可以是沿著金屬緩沖層的厚度方向而逐漸變化的形態(tài)。也就是說，如圖8所示，也可以是結(jié)晶構(gòu)造沿著厚度方向從半導(dǎo)體元件側(cè)向二次安裝基板側(cè)、或者相反地從二次安裝基板側(cè)向半導(dǎo)體元件側(cè)逐漸變化這樣的形態(tài)。如果進(jìn)行一個例示的話，則可以是平均結(jié)晶粒徑沿著厚度方向從半導(dǎo)體元件側(cè)向二次安裝基板側(cè)逐漸變大這樣的形態(tài)。
[0075]在本發(fā)明中，金屬緩沖層10可以通過在其母材中包含至少一種以上的粒子15而構(gòu)成，即便如此，金屬緩沖層10也能夠有效地呈現(xiàn)緩沖作用(參照圖9)。也就是說，通過使金屬緩沖層10含有(或者分散)粒子，從而能夠緩和起因于半導(dǎo)體裝置的發(fā)熱時的半導(dǎo)體元件的熱膨脹和二次安裝基板的熱膨脹的差而可產(chǎn)生的“應(yīng)力”。例如，金屬緩沖層10中包含的粒子可以為金屬粒子。在該情況下，優(yōu)選金屬粒子由與母材材質(zhì)不同的材質(zhì)構(gòu)成，例如優(yōu)選主要包含從由銀(Ag)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鎳(Ni)以及銅(Cu)所組成的群之中選擇的至少一種金屬材質(zhì)。此外，金屬緩沖層10中包含的粒子也可以為絕緣性粒子(例如滿足熱膨脹和散熱性的絕緣物粒子)。例如，絕緣性粒子也可以包含與母材材質(zhì)不同的材質(zhì)，主要包含從由陶瓷的氧化物、硅化物以及氮化物所組成的群之中選擇的至少一種金屬材質(zhì)。另外，如果就金屬緩沖層10的母材來說，則例如可以由鍍覆層構(gòu)成，例如銅鍍覆層。在這種包含粒子的形態(tài)下，金屬緩沖層10中的粒子含有率也可局部性不同。例如，金屬緩沖層10的粒子含有率可以沿著層厚度的方向而不同。通過使粒子含有率局部性不同，從而能夠更有效地緩和起因于半導(dǎo)體裝置(特別是半導(dǎo)體元件)的發(fā)熱時的半導(dǎo)體元件的熱膨脹和二次安裝基板的熱膨脹的差而可產(chǎn)生的“應(yīng)力”。如果進(jìn)行一個例示的話，則優(yōu)選在與緩沖層母材相比“粒子材質(zhì)的線膨脹系數(shù)”比較接近“半導(dǎo)體元件的線膨脹系數(shù)”的情況下，“半導(dǎo)體元件側(cè)的局部緩沖層區(qū)域中的粒子含有率a”大于“二次安裝基板側(cè)的局部緩沖層區(qū)域中的粒子含有率b ” (例如，粒子含有率a比粒子含有率b大至少5 %，優(yōu)選大至少10 %，更優(yōu)選大20%)。另外，在此提及的“粒子含有率”表示粒子占金屬緩沖層整個體積的體積比例(百分率)。簡而言之，基于沿著金屬緩沖層的厚度方向而切斷出的剖面圖像，可以將粒子的總剖面積占金屬緩沖層的剖面區(qū)域的比例視作“粒子含有率”。
[0076]與上述的“不同的結(jié)晶構(gòu)造”同樣地，在金屬緩沖層中粒子含有率不一定要局部地明確加以區(qū)分。也就是說，也可以是粒子含有率沿著金屬緩沖層的厚度方向逐漸變化的形態(tài)。如果進(jìn)行一個例示的話，則可以是粒子含有率沿著厚度方向從半導(dǎo)體元件側(cè)向二次安裝基板側(cè)逐漸變小。
[0077]本發(fā)明中的金屬緩沖層10比較厚，因此易于起到應(yīng)力緩和的“緩沖作用”，并且有效地貢獻(xiàn)于支承功能以及散熱器功能等。例如，金屬緩沖層10不僅比基底30厚，還比半導(dǎo)體元件50厚。如果具體地例示，則金屬緩沖層10的厚度優(yōu)選為30?500 μ m程度，更優(yōu)選為35?250 μ m程度，進(jìn)一步優(yōu)選為100?200 μ m程度。
[0078]被設(shè)于金屬緩沖層10的表面區(qū)域的基底30定位于半導(dǎo)體元件50的正下方。因此，在為發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下，基底30作為反射層來發(fā)揮作用，由此能夠使得從半導(dǎo)體元件50發(fā)出的朝下的光有效率地反射。也就是說，能夠使“朝下發(fā)出的光”朝向上方。這意味著，由于半導(dǎo)體元件正下方的基底30的存在，發(fā)光效率得以提高，其結(jié)果半導(dǎo)體裝置變?yōu)楦叩牧炼取Ｓ绕洚?dāng)金屬緩沖層10在橫向上寬幅地設(shè)置的情況下，反射層不僅設(shè)置在半導(dǎo)體元件50的正下方，還在其周圍呈寬范圍地設(shè)置，從而可實現(xiàn)更優(yōu)選的發(fā)光效率。
[0079]金屬緩沖層的基底30的材質(zhì)并未特別限制，例如可以是從由Ag(銀)、Al (鋁)、Al 合金、Au(金)、Cr(鉻)、Ni(鎳)、Pt(鉬)、Sn(錫)、Cu(銅)、W(鎢)以及 Ti (鈦)等所組成的群之中選擇的至少一種金屬材質(zhì)。其中，因為基底30具有作為用于形成金屬緩沖層10的基底層的功能，所以如果特別重視該點，則優(yōu)選包含從由Ti(鈦)、Cu(銅)以及Ni(鎳)等所組成的群之中選擇的金屬而成。另一方面，如果特別重視高反射特性，則基底30優(yōu)選包含從由Ag(銀)以及Al (鋁)等所組成的群之中選擇的金屬而成。這種基底30并不限于由單一層構(gòu)成的形態(tài)，也可以是由多個層構(gòu)成的形態(tài)。例如，也可以是基底30由Ti薄膜層和Cu薄膜層構(gòu)成的形態(tài)，在該情況下附圖中(例如，如果以圖2所示的上下方向作為基準(zhǔn)的話)Ti薄膜層相當(dāng)于“上側(cè)層”，Cu薄膜層相當(dāng)于“下側(cè)層”。
[0080]雖然是與“半導(dǎo)體元件和金屬緩沖層的直接面接觸”關(guān)聯(lián)的事項，但是基底30可具有非常薄而達(dá)到熱阻/電阻實質(zhì)上能夠忽略的厚度，例如毫微級別的厚度。雖然只是例示，但基底30的厚度可非常薄而達(dá)到100?500nm程度(根據(jù)反射層材質(zhì)的種類而可為10nm?300nm程度)，因此基底30構(gòu)成薄膜層。這樣，因為基底30非常薄，所以在本發(fā)明中，能夠視為半導(dǎo)體元件50和金屬緩沖層10直接面接觸。
[0081]本發(fā)明中的半導(dǎo)體元件50可以為半導(dǎo)體的裸芯片即半導(dǎo)體芯片，或者也可以為半導(dǎo)體芯片被模制后的分立類型。半導(dǎo)體芯片等能夠使用在一般的半導(dǎo)體封裝體中采用的種類，其具體種類等只要根據(jù)作為半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體封裝體的用途來酌情選擇即可。如果就半導(dǎo)體元件50 (例如半導(dǎo)體芯片)的個數(shù)來說，并不限定于“單個”，也可以為“多個”。也就是說，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100不僅是圖2所示那樣的“單芯片”的形態(tài)，以“多芯片”的形態(tài)也可實現(xiàn)。
[0082]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100因為是“半導(dǎo)體元件50和金屬緩沖層10的相互的面接觸”，因此來自半導(dǎo)體元件50的熱被適當(dāng)?shù)厣帷Ｒ簿褪钦f，因為是直接接合/面接合，因此在半導(dǎo)體元件50的主面中金屬緩沖層10所占的面積大，散熱特性優(yōu)異。例如，在半導(dǎo)體元件50的下側(cè)主面中金屬緩沖層10 (在其被設(shè)置多個的情況下是指該所有金屬緩沖層)所占的面積的比例為40%以上，優(yōu)選為50?90%，更優(yōu)選為70?90%。這樣，因為“面接觸”而金屬緩沖層的占有面積大，所以在本發(fā)明中“半導(dǎo)體元件和金屬緩沖層的連接部”的熱阻不會變?yōu)檠b置整體的熱阻的限制，因此散熱性變得良好。此外，金屬緩沖層因為厚度大，所以即便在該點上散熱性也得以提高，可更適當(dāng)?shù)仄鸬綗釠_擊時的緩沖作用。換言之，在本發(fā)明中，不進(jìn)行經(jīng)由了凸塊的半導(dǎo)體元件的安裝等，對于半導(dǎo)體元件而成為直接的緩沖構(gòu)件的構(gòu)成，所以可以說能實現(xiàn)高的散熱特性。
[0083]為了實現(xiàn)更高的散熱特性以及/或者更高的支承功能，金屬緩沖層10優(yōu)選寬度方向尺寸變大。尤其是，如圖10所示，優(yōu)選金屬緩沖層(1aUOb)被設(shè)置成從半導(dǎo)體元件50向外側(cè)突出。換言之，優(yōu)選金屬緩沖層1a以及金屬緩沖層1b不僅朝著半導(dǎo)體元件50的下方區(qū)域還分別朝著其外側(cè)區(qū)域在橫向/寬度方向上延伸存在。在具有這種形態(tài)的金屬緩沖層10中，支撐半導(dǎo)體元件50的支承功能進(jìn)一步提高。此外，這種在橫向/寬度方向上延伸存在的金屬緩沖層10中，尤其是能夠使來自半導(dǎo)體元件50的熱不僅朝著下方散出還朝著橫向散出，因此作為裝置整面觀看時的熱阻被進(jìn)一步減少。此外，通過這種在橫向上寬幅地設(shè)置，從而也可更適當(dāng)?shù)仄鸬綉?yīng)力緩和作用。另外，因為金屬緩沖層過于“突出”會阻礙裝置的小型化，所以突出部分的大小可通過“支承功能/散熱特性”/ “應(yīng)力緩和效果”和“小型化”的兼顧等來酌情決定(雖然終究只是例示，但如果列舉一個例子的話，則在以金屬緩沖層的寬度大小觀看的情況下可以是其一半以上從半導(dǎo)體元件“突出”的形態(tài))。如果以圖2(C)進(jìn)行例示，則在金屬緩沖層中可以是“從半導(dǎo)體元件向外側(cè)突出的部分的寬度大小W/’為“位于半導(dǎo)體元件的下方的部分的寬度大小V’以上。
[0084]在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中優(yōu)選設(shè)有“絕緣部”。具體而言，如圖11(a)?11(c)所示，優(yōu)選在金屬緩沖層10的周圍設(shè)有第I絕緣部70，在半導(dǎo)體元件50的周圍設(shè)有第2絕緣部72。如圖示的形態(tài)可知，在設(shè)有第I絕緣部70的情況下，金屬緩沖層10與第I絕緣部70 一起構(gòu)成了支承層。此外，第I絕緣部70也設(shè)置在金屬緩沖層1a與金屬緩沖層1b之間，其結(jié)果也可還具有對相應(yīng)的金屬緩沖層1a和金屬緩沖層1b之間進(jìn)行絕緣的功能。另一方面，第2絕緣部72如圖示的形態(tài)可知，可作為用于將半導(dǎo)體元件50與外部環(huán)境隔離或者保護(hù)的密封層/密封構(gòu)件、以及支承層來發(fā)揮功能(尤其參照圖11(b))。
[0085]第I絕緣部70以及第2絕緣部72的材質(zhì)只要是提供絕緣性的材質(zhì)，便可以是任何種類的材質(zhì)，例如可以為樹脂。例如，也可以為環(huán)氧系樹脂、硅酮系樹脂。如果特別關(guān)于第2絕緣部72來說，則當(dāng)重視光的取出時，優(yōu)選由透明樹脂構(gòu)成，因此第2絕緣部72優(yōu)選由例如透明環(huán)氧樹脂、透明硅酮樹脂構(gòu)成。此外，鑒于耐光性、耐熱性，例如也可以是有機(jī)無機(jī)的混合材料、無機(jī)材料。例如，第I絕緣部70以及第2絕緣部72的材質(zhì)也可以是無機(jī)玻璃密封材料等。
[0086]第I絕緣部70如圖11 (a)以及11 (b)所示，優(yōu)選在金屬緩沖層1a和金屬緩沖層1b之間的區(qū)域、或這些金屬緩沖層的周圍被設(shè)置為與該金屬緩沖層相接，厚度可以是與金屬緩沖層的厚度相同的程度。作為某一個適當(dāng)形態(tài)，如圖11(a)以及11(b)所示，第I絕緣部70可以其上表面與基底30的上表面成齊平狀態(tài)這樣的形態(tài)來設(shè)置。第2絕緣部72同樣如圖11(a)以及11(b)所示，優(yōu)選被設(shè)置為按照包圍半導(dǎo)體元件50的周圍的方式與半導(dǎo)體元件50相接，厚度可以是與半導(dǎo)體元件50相同的程度。
[0087]在為發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下，也可另行設(shè)置后述的熒光體層80等。在該情況下，第2絕緣部72也可以其上表面與半導(dǎo)體元件30的上表面成齊平狀態(tài)這樣的形態(tài)來設(shè)置(參照圖11(a))。另外，在第2絕緣部72還作為熒光體層來發(fā)揮功能的情況下(即，第2絕緣部72包含例如樹脂成分以及/或者無機(jī)材料成分和熒光體成分而成的情況下)，也可按照第2絕緣部72將半導(dǎo)體元件30包入的方式形成得較厚(參照圖11 (b))。
[0088]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置在“微細(xì)絕緣膜”這一點上也可具有特征。具體而言，設(shè)置在金屬緩沖層1a與金屬緩沖層1b之間的“局部的第I絕緣部70A”如圖11 (c)所示那樣，由“窄幅部分70A1”和“寬幅部分70A2”這兩個區(qū)域部分構(gòu)成。由此，既能防止金屬緩沖層1a與金屬緩沖層1b之間的短路，又能使金屬緩沖層具有較大的厚度，進(jìn)而不僅有助于大電流/高散熱性的實現(xiàn)還可有助于更優(yōu)選的應(yīng)力緩和效果的實現(xiàn)。也就是說，在本發(fā)明中，因為“面接觸”而金屬緩沖層的占有面積大，所以相應(yīng)的金屬緩沖層1a和金屬緩沖層1b之間的距離變窄，可以說成易于引起短路的構(gòu)造，但是為了適當(dāng)?shù)乇苊庠撉樾味O(shè)有“寬幅部分70A2”。換言之，可以說通過第I絕緣部70A中的“寬幅部分70A2”來拉寬金屬緩沖層1a和金屬緩沖層1b之間的距離，以防止短路。雖然終究只是一例，但是也可以“窄幅部分70A1”的寬度大小α (參照圖11(c))為20 μ m?70 μ m程度，寬幅部分70Α2的寬度大小β (參照圖11(c))為100 μ m以上(另外，寬幅部分的寬度大小的上限值并不特別限制，但是也可以為500 μ m程度)。
[0089]在半導(dǎo)體元件為發(fā)光型的情況下，也可以根據(jù)需要來設(shè)置適當(dāng)?shù)臒晒怏w層。例如，如圖12(a)以及12(b)所示，也可以在第2絕緣部72之上設(shè)置熒光體層80。更具體而言，如圖示那樣，也可以按照覆蓋半導(dǎo)體元件50的上側(cè)主面的方式將熒光體層80設(shè)置于第2絕緣部72上。熒光體層80的材質(zhì)只要是接受來自半導(dǎo)體元件50的光并發(fā)出所期望的顏色的光的材質(zhì)，則并沒有特別限制。也就是說，只要通過與來自半導(dǎo)體元件50的光/電磁波的兼顧來決定熒光體層80的熒光體種類即可。例如在將半導(dǎo)體裝置作為照明等白色LED封裝體來使用的情況下，只要熒光體層80包含通過從半導(dǎo)體元件50發(fā)出的藍(lán)色發(fā)光而顯色為黃色系的熒光體，則能夠獲得明亮的白色。此外，在從半導(dǎo)體元件50發(fā)出的電磁波為紫外線的情況下，也可以使用通過該紫外線而直接發(fā)出白色的熒光體。另外，在第2絕緣部72例如包含樹脂成分以及/或者無機(jī)材料成分等的絕緣成分和熒光體成分而構(gòu)成的情況下，因為第2絕緣部72不僅具備半導(dǎo)體元件的密封功能還兼具熒光層功能，所以不特別需要另行設(shè)置熒光體層80。
[0090]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100在為發(fā)光半導(dǎo)體元件的情況下，既能夠作為“具有光的指向性的裝置”來實現(xiàn)，或者也能夠作為“不具有光的指向性的裝置”來實現(xiàn)。作為具有指向性的裝置，例如優(yōu)選如圖13(a)以及(b)所示那樣具有透鏡構(gòu)件90。如圖示那樣，并不限于透鏡形狀部為“單一”的形態(tài)(圖13(a)的形態(tài))，也可以為“多個”(圖13(b)的形態(tài))。另外，第2絕緣部72、熒光體層80也可以為具有透鏡形狀的形態(tài)。
[0091]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100不僅作為圖1?3等所示那樣的半導(dǎo)體元件50為單一的“單芯片”的形態(tài)，還能如例如圖14(a)以及(b)所示那樣作為具備多個半導(dǎo)體元件50的“多芯片”的形態(tài)來實現(xiàn)。也就是說，能夠通過陣列化來實現(xiàn)“多芯片”的形態(tài)的半導(dǎo)體裝置100。
[0092]進(jìn)而，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100中，也可以具有以下那樣的形態(tài)。
[0093](緩沖電極構(gòu)件/基底電極構(gòu)件的彎曲形態(tài))
[0094]在圖15(a)?(d)中示出“金屬緩沖層/基底的彎曲形態(tài)”。如圖示那樣，在該形態(tài)中具有金屬緩沖層10(特別是其上表面)以及反射層30(基底)已彎曲的形態(tài)。在圖15(a)中，金屬緩沖層10及其基底30按照中央部分Al (半導(dǎo)體元件區(qū)域)略微隆起的方式彎曲。在圖15(b)中，金屬緩沖層10及其基底30按照大部分凹陷而中央部分A2(半導(dǎo)體元件區(qū)域)略微隆起的方式彎曲。如果以另一觀點出發(fā)，則可以說圖15(b)的形態(tài)是位于更外側(cè)的金屬緩沖層10的厚度變大的形態(tài)。在圖15(c)中，金屬緩沖層10及其基底30按照中央部分A3 (半導(dǎo)體元件區(qū)域及其附近區(qū)域)略微凹進(jìn)的方式彎曲。該形態(tài)也同樣地，可以說成是位于更外側(cè)的金屬緩沖層的厚度變大的形態(tài)。而且，在圖15(d)中，具有從圖15(c)的形態(tài)之中去除P部分的絕緣層這樣的形態(tài)。即便是這種圖15(a)?(d)所示的形態(tài)，也可適當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)“散熱特性”、“電連接”和“應(yīng)力緩和”。
[0095](反射器構(gòu)造的形態(tài))
[0096]在圖16中示出具有反射器構(gòu)造的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100的形態(tài)。反射器形態(tài)可相當(dāng)于上述金屬緩沖層/基底的彎曲形態(tài)的變更形態(tài)，金屬緩沖層10(特別是其一部分)以及基底30按照大幅凹陷的方式彎曲，在其凹陷的區(qū)域被定位了半導(dǎo)體元件50。即便是該反射器形態(tài)，也可適當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)“散熱特性”、“電連接”和“應(yīng)力緩和”。值得一提的是，因為是“反射器”，因此通過半導(dǎo)體元件50的周圍的基底30(特別是因為成為了基底30還存在于比發(fā)光半導(dǎo)體的發(fā)光面高的水平的形態(tài))，能夠有效率地反射來自半導(dǎo)體元件50的光，在該點上“光取出特性”可得以提高。進(jìn)而，在反射器構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置中，還可起到“進(jìn)一步的高密度(小型裝置)”、“進(jìn)一步的高熱傳導(dǎo)”以及“更簡易的制造工藝”等的效果。
[0097][本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法]
[0098]下面，關(guān)于本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。在圖17(a)?(d)中示意性地表示與本發(fā)明的制造方法關(guān)聯(lián)的工藝。本發(fā)明的制造方法，首先作為工序(i)，如圖17(a)所示那樣準(zhǔn)備半導(dǎo)體元件50。所準(zhǔn)備的半導(dǎo)體元件50優(yōu)選成為對于在下一二序中進(jìn)行的緩沖層形成/及其基底形成而言期望的元件。例如，在工序(i)中，作為半導(dǎo)體元件50而準(zhǔn)備“在半導(dǎo)體元件的至少主面?zhèn)仍O(shè)有絕緣層的半導(dǎo)體元件”。雖然終究只是一例，但是可將半導(dǎo)體元件50如圖17(a)所示那樣作為被埋設(shè)于絕緣層的形態(tài)來準(zhǔn)備。然后，作為工序(ii)，在半導(dǎo)體元件50上形成金屬緩沖層10 (若更具體來說，則對于半導(dǎo)體元件50實施直接金屬化(例如實施Cu直接金屬化)。在該工序(ii)中，首先如圖17(b)所示，將用于形成金屬緩沖層的基底30形成在半導(dǎo)體元件50上(特別是形成為覆蓋半導(dǎo)體元件的主面的一部分)，而后如圖17(c)所示，按照隔著該基底30而與半導(dǎo)體元件50面接觸的方式形成金屬緩沖層10。通過經(jīng)以上的工序(i)以及工序(ii)而能夠獲得本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置100 (參照圖17(d))。
[0099]在半導(dǎo)體元件為發(fā)光型的情況下，如圖17(d)所示，能夠?qū)⒃诰彌_層形成中使用的基底30作為半導(dǎo)體裝置100的反射層來利用。
[0100]在本發(fā)明的制造方法中，成為“在半導(dǎo)體元件上直接形成緩沖構(gòu)件”這樣的比較簡易的工藝，通過這種簡易的制造工藝能夠獲得滿足“散熱特性”、“電連接”和“應(yīng)力緩和”的半導(dǎo)體裝置。如果嘗試特別關(guān)注于制造工藝的話，則可以說通過設(shè)置基底30而能夠使得半導(dǎo)體元件緩沖電極構(gòu)件10更厚且密接力更良好地形成。
[0101]優(yōu)選緩沖層基底30的形成利用干式鍍覆法來進(jìn)行，金屬緩沖層10的形成利用濕式鍍覆法來進(jìn)行。因此，優(yōu)選將緩沖層基底30作為干式鍍覆層，將金屬緩沖層10作為濕式鍍覆層。在利用干式鍍覆法來形成緩沖層基底、利用濕式鍍覆法來形成金屬緩沖層的情況下，并且在半導(dǎo)體元件為發(fā)光型的情況下(即，將緩沖層基底作為反射層來使用的情況下)，本發(fā)明優(yōu)選包含以下的形態(tài)。
[0102]相對于半導(dǎo)體元件而直接地形成干式鍍覆的基底層，以及在該基底層上形成寬幅的濕式鍍覆的金屬緩沖層。干式鍍覆的基底層作為被定位于半導(dǎo)體元件正下方的反射層來使用，濕式鍍覆的金屬緩沖層(以及干式鍍覆的反射層)作為發(fā)光元件的支承層來使用。
[0103]干式鍍覆法包含真空鍍覆法(PVD法)和化學(xué)氣相鍍覆法(CVD法)，真空鍍覆法(PVD法)還包含真空蒸鍍、濺射以及離子鍍等而成。另一方面，濕式鍍覆法包含電鍍法、化學(xué)鍍覆法以及熔融鍍法等而成。作為某適當(dāng)?shù)囊恍螒B(tài)，在本發(fā)明的制造方法中，可以利用濺射來形成基底30，利用電鍍法(例如電解鍍覆)來形成金屬緩沖層10。
[0104]采用電鍍法的金屬緩沖層10的形成可以通過隨時間改變鍍覆液組成來進(jìn)行。從而，在“與半導(dǎo)體元件側(cè)相接的局部緩沖區(qū)域”和“位于外部側(cè)的局部緩沖區(qū)域”中能夠相互改變結(jié)晶構(gòu)造。例如作為用于形成金屬緩沖層10的電鍍法，可以進(jìn)行所謂的“硫酸銅鍍覆(使用包含硫酸銅、硫酸、氯鍍覆、添加劑而成的鍍覆液的鍍覆)”，通過使用該鍍覆液的添加劑(如果進(jìn)行一個例示的話，則為“包含不飽和脂肪族化合物而成的添加劑”)，并且通過使?jié)舛劝l(fā)生變化，從而能夠使“與半導(dǎo)體元件側(cè)相接的局部緩沖區(qū)域”和“位于外部側(cè)的局部緩沖區(qū)域”的結(jié)晶構(gòu)造相互改變。此外，通過使鍍覆處理時的電流值發(fā)生變化，從而也能夠使得“與半導(dǎo)體元件側(cè)相接的局部緩沖區(qū)域”和“位于外部側(cè)的局部緩沖區(qū)域”的結(jié)晶構(gòu)造相互改變。進(jìn)而，在電鍍法中也可進(jìn)行使電流的極性反轉(zhuǎn)的脈沖控制，由此也能夠局部性地改變結(jié)晶構(gòu)造。在該情況下，如果相對于正極的脈沖而減小負(fù)極的脈沖的比例，則能夠減小緩沖區(qū)域的結(jié)晶粒徑(平均緩沖粒徑)，另一方面，如果相對于正極的脈沖而增大負(fù)極的脈沖的比例，則能夠增大緩沖區(qū)域的結(jié)晶粒徑(平均緩沖粒徑)。例如，如果以反復(fù)執(zhí)行“在正I1安培下施加T1Hisec以及在負(fù)I2安培下施加T2mSec”的情況為例，則“I2XT2”相對于“IiXT/’之比(即(I2XT2V(I1XT1)的值)越小，則越能減小緩沖區(qū)域的結(jié)晶粒徑(平均緩沖粒徑)，另一方面該比((I2XT2V(I1XT1)的值)越大，則越能增大緩沖區(qū)域的結(jié)晶粒徑(平均緩沖粒徑)。因此，在鍍覆處理的前半段，相對于正極的脈沖而相對地較小負(fù)極的脈沖的比例，由此能夠減小半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑，另一方面，在鍍覆處理的后半段，相對于正極的脈沖而相對地增大負(fù)極的脈沖的比例，由此能夠增大二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑。
[0105]在使金屬緩沖層10含有粒子的情況下，只要預(yù)先使粒子分散于鍍覆液中即可。也就是說，以在鍍覆液中分散有金屬粒子的狀態(tài)來進(jìn)行析出處理，從而能夠獲得“含有粒子的金屬緩沖層”。例如，也可一面使分散有粒子的鍍覆液向鍍覆面射流，一面進(jìn)行鍍覆處理。作為分散于鍍覆液中的粒子，可以是包含與緩沖層的母材(即鍍覆層材質(zhì))不同的材質(zhì)的粒子(例如銀粒子、鈀粒子、鉬粒子、鎳粒子以及銅粒子)，或者也可以是絕緣性粒子(陶瓷氧化物粒子、硅化物粒子、氮化物粒子)。如果增多鍍覆液中含有的粒子，則能夠增大緩沖層區(qū)域中的粒子含有率，另一方面，如果減少鍍覆液中含有的粒子，則能夠減小緩沖層區(qū)域中的粒子含有率。也就是說，在形成半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域之際，只要預(yù)先使鍍覆液中含有相對多的粒子，則能夠增大相應(yīng)的局部區(qū)域中的粒子含有率，另一方面，在形成二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域之際，只要預(yù)先使鍍覆液含有相對少的粒子，則能夠減小相應(yīng)的局部區(qū)域中的粒子含有率。另外，在某適當(dāng)?shù)男螒B(tài)下，因為鍍覆液中的粒子隨時間被不斷取入到鍍覆層(所形成的緩沖層)，所以可按照鍍覆含有率逐漸變小的方式形成局部緩沖層區(qū)域。
[0106]在此，成為鍍覆層的基底的部分30并不限于作為單一層來形成，也可以作為多個層來形成。例如，作為基底30，可以通過濺射來形成Ti薄膜層和Cu薄膜層(更具體而言可以在形成了 Ti薄膜層之后再形成Cu薄膜層)。在該情況下，優(yōu)選通過Cu電解鍍覆而在該2層構(gòu)造的濺射層上形成金屬緩沖層10。
[0107]本發(fā)明的制造方法能夠以各種工藝形態(tài)來實施。以下對此進(jìn)行說明。
[0108](工藝形態(tài)I)
[0109]在圖18(a)?(g)中示意性地表示“工藝形態(tài)I”的工序剖視圖。該形態(tài)是以半導(dǎo)體晶片作為基礎(chǔ)來實施半導(dǎo)體裝置的制造的工藝。首先，如圖18(a)以及(b)所示，在半導(dǎo)體晶片50’的主面上形成密封層72’。密封層72’能夠通過旋涂法或刮刀法等將密封原料涂敷在半導(dǎo)體晶片的主面上之后實施熱處理來設(shè)置，或者也能夠通過在半導(dǎo)體晶片上貼合密封薄膜等來設(shè)置。然后，如圖18(c)所示，通過例如濺射等干式鍍覆法來形成緩沖層基底30。然后，如圖18(d)所示，隔著緩沖層基底30而在半導(dǎo)體晶片50’上直接形成子緩沖層圖案10’。該子緩沖層圖案10’的形成如圖19所示能夠通過“鍍覆后通過蝕刻進(jìn)行圖案化的手法”來進(jìn)行。具體而言，如圖示那樣，通過電鍍(例如電解Cu鍍覆)而在緩沖層基底的整個面上形成金屬層(例如銅層)。
[0110]該金屬層的形成，如上所述，既可以通過隨時間改變鍍覆液組成來進(jìn)行，或者也可以使粒子分散于鍍覆液中的狀態(tài)來進(jìn)行。例如，可使電解銅鍍覆液隨時間連續(xù)地變化。此夕卜，通過使例如鎢粒子分散于電解銅鍍覆液中，一面向鍍覆面射流鍍覆液一面進(jìn)行鍍覆處理，從而能夠在金屬層中埋入鎢粒子。同樣地，通過取代金屬粒子而使氧化鋁粒子等陶瓷粒子分散于電解銅鍍覆液中，從而也能夠在金屬層中埋入陶瓷粒子。
[0111]在基底之上形成了金屬層之后，通過液狀抗蝕劑旋涂/干膜抗蝕劑層壓等來形成抗蝕劑。然后進(jìn)行掩模曝光/顯影，接下來實施抗蝕劑顯影、金屬層的蝕刻處理以及抗蝕劑剝離，最終將金屬圖案作為掩模來對基底進(jìn)行蝕刻處理。作為另一手法，如圖20所示，也可通過“抗蝕劑圖案形成后進(jìn)行圖案鍍覆的手法”來形成子緩沖層圖案10’。具體而言，如圖示所示，通過液狀抗蝕劑旋涂/干膜抗蝕劑層壓等形成了抗蝕劑之后，實施掩模曝光/抗蝕劑顯影，接著進(jìn)行圖案鍍覆(例如電解Cu圖案鍍覆)。接下來，將抗蝕劑剝離，最終將金屬圖案作為掩模來對基底進(jìn)行蝕刻。
[0112]在形成子緩沖層圖案10’之后，如圖18(e)所示形成絕緣層圖案70’。如圖示那樣，優(yōu)選按照相鄰的兩個子緩沖層10’之間的空間被絕緣層70’填滿的方式，橫跨相鄰的兩個子緩沖層10’來形成絕緣層70’。在絕緣層原料由感光性材料構(gòu)成的情況下，如圖21A所示，利用旋涂/刮刀等將絕緣層原料進(jìn)行整面涂敷之后，或者通過粘合絕緣層薄膜等來設(shè)置之后，進(jìn)行掩模曝光/顯影，從而能夠形成絕緣層圖案70’。此時，感光性既可以為負(fù)片型也可以為正片型。另一方面，在絕緣層原料由感光性材料以外的材料構(gòu)成的情況下，如圖21B所示，使用印刷法等直接地進(jìn)行圖案印刷，從而能夠形成絕緣層圖案70’。
[0113]在形成絕緣層圖案70’之后，如圖18(f)所示，按照與子緩沖層圖案10’一體地接合的方式形成第2子緩沖層圖案10”。該第2子緩沖層圖案10”能夠通過與如上述那樣的第I子緩沖層部的形成同樣的電解鍍覆來形成。此外，第2子緩沖層部圖案10”的形成能夠通過上述那樣的“鍍覆后通過蝕刻進(jìn)行圖案化的手法”或者“抗蝕劑圖案形成后進(jìn)行圖案鍍覆的手法”來進(jìn)行。
[0114]這樣，將金屬緩沖層10的形成分為第I子緩沖層10’的形成和第2子緩沖層10”的形成這兩個階段來實施，且在“第I子緩沖層10’的形成”與“第2子緩沖層10”的形成”之間實施絕緣層70’的形成(圖18(d)?(f))。由此，能夠由“窄幅部分”和“寬幅部分”這兩個區(qū)域部分來適當(dāng)?shù)貥?gòu)成設(shè)置在半導(dǎo)體的各個電極部之間的“絕緣部的局部區(qū)域”(參照圖18(f))。另外，如果就分為兩個階段的金屬緩沖層10的形成來說，則可以是最初形成的第I子緩沖層10’的厚度大于其后形成的第2子緩沖層10”的厚度這樣的形態(tài)。
[0115]最終，如圖18(g)所示，按照由第I子緩沖層10’和第2子緩沖層10”構(gòu)成的各緩沖層10 (位于兩端/最外側(cè)的緩沖層部分除外)分別被分割為兩個的方式進(jìn)行切斷操作。由此，最終能夠獲得圖18的最下部所示那樣的半導(dǎo)體裝置100 (在半導(dǎo)體元件為發(fā)光型的情況下，基底30能夠作為反射層來利用)。
[0116]此外，在如本工藝那樣使用半導(dǎo)體晶片來進(jìn)行制造的情況下，由于進(jìn)行圖18(g)所示那樣的切斷，從而各個金屬緩沖層具有朝著橫向延伸存在這樣的形態(tài))。因為本工藝根據(jù)半導(dǎo)體晶片來形成各種要素，所以能夠以半導(dǎo)體的干凈的面(?平坦面)為起點來制作，具有在該點上可實現(xiàn)優(yōu)選工藝的特征。
[0117](工藝形態(tài)2)
[0118]在圖22(a)?(h)中示意性表示“工藝形態(tài)2”的工序剖視圖。該形態(tài)是以半導(dǎo)體芯片為基礎(chǔ)來進(jìn)行半導(dǎo)體裝置的制造的工藝。首先，如圖22(a)所示，在載體薄膜85上相互隔開間隔而配置多個半導(dǎo)體芯片50。然后，如圖22(b)所示，按照覆蓋半導(dǎo)體芯片50的方式在載體薄膜85上形成密封層72’ (特別是在發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下為光透過性密封層)。而且，如果在形成密封層72’之后將載體薄膜85剝離，則如圖22(c)所示，能夠獲得被埋設(shè)在密封層72’內(nèi)的半導(dǎo)體芯片50 (即，能夠準(zhǔn)備“至少主面?zhèn)仍O(shè)有密封層的半導(dǎo)體元件”)。特別是，可獲得以相互成為“齊平”這樣的形態(tài)被埋設(shè)在密封層72’內(nèi)的半導(dǎo)體元件50。
[0119]接下來，如圖22(d)所示，通過例如濺射等干式鍍覆法來形成金屬緩沖層的基底30(另外，因為是上述“齊平”，因此作為濺射層的基底30能夠以一定的厚度均勻且適當(dāng)?shù)匦纬?。然后，如圖22(e)所示，隔著該基底30而在半導(dǎo)體芯片50上直接形成子緩沖層圖案 10，。
[0120]該子緩沖層圖案10’能夠通過在工藝形態(tài)I中如上述那樣的“鍍覆后通過蝕刻進(jìn)行圖案化的手法”或者“抗蝕劑圖案形成后進(jìn)行圖案鍍覆的手法”來形成。在形成子緩沖層圖案10’之后，如圖22(f)所示那樣形成絕緣層圖案70’。如圖示那樣，優(yōu)選按照相鄰的兩個子緩沖層10’之間的空間被絕緣層70’填滿的方式，橫跨相鄰的兩個子緩沖層10’來形成絕緣層70’。該絕緣層圖案70’的形成能夠通過在工藝形態(tài)I中參照圖21A或者圖21B所說明過的那樣的手法來進(jìn)行。在形成絕緣層圖案70’之后，如圖22(g)所示，按照與子緩沖層圖案10’ 一體地接合的方式形成第2子緩沖層圖案10”。該第2子緩沖層圖案10”的形成能夠通過與上述那樣的第I子緩沖層的形成同樣的電解鍍覆來形成。該第2子緩沖層圖案10”的形成也能夠通過上述那樣的“鍍覆后通過蝕刻進(jìn)行圖案化的手法”或者“抗蝕劑圖案形成后進(jìn)行圖案鍍覆的手法”來進(jìn)行。
[0121]另外，關(guān)于子緩沖層圖案10’、10”，如上述那樣，可以局部地改變結(jié)晶構(gòu)造，或者可以含有粒子。在該點上，既可以按照每個子緩沖層圖案來改變結(jié)晶構(gòu)造或粒子含有率，或者也可以將兩個子緩沖層圖案10’、10”作為整體而視作一個構(gòu)件來改變結(jié)晶構(gòu)造或粒子含有率。
[0122]此外，即便是該工藝形態(tài)2，也如上述那樣，將金屬緩沖層的形成分為第I子緩沖層10’的形成和第2子緩沖層10”的形成這兩個階段來實施，且在“第I子緩沖層10’的形成”與“第2子緩沖層10”的形成”之間實施了絕緣層的形成(參照圖22(e)?(g))。由此，能夠由“窄幅部分”和“寬幅部分”這兩個區(qū)域部分來適當(dāng)?shù)貥?gòu)成設(shè)置在各個緩沖層之間的“絕緣部的局部區(qū)域”(參照圖22(g))。另外，在工藝形態(tài)2中，由第I子緩沖層10’和第2子緩沖層10”構(gòu)成的各緩沖層10如圖示那樣，優(yōu)選以從各半導(dǎo)體芯片50向其外側(cè)突出這樣的形態(tài)來形成。
[0123]最終，如圖22(h)所示，執(zhí)行以半導(dǎo)體芯片50為單位被分割的切斷操作。由此，能夠獲得圖22的最下部所示那樣的半導(dǎo)體裝置100 (在為發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下，能夠?qū)㈦姌O構(gòu)件基底30作為發(fā)光裝置的反射層來利用)。
[0124](工藝形態(tài)3)
[0125]在圖23(a)?(g)中示意性地表示“工藝形態(tài)3”的工序剖視圖。該形態(tài)相當(dāng)于上述的工藝形態(tài)2的變更形態(tài)。首先，如圖23(a)所示，在載體薄膜85上相互隔開間隔而配置多個半導(dǎo)體芯片50。然后，在相鄰的半導(dǎo)體芯片50之間形成絕緣膜72’ (例如無機(jī)絕緣膜)。如圖示那樣，優(yōu)選按照與半導(dǎo)體芯片50成齊平的方式形成絕緣膜72’。該絕緣層圖案72’的形成能夠通過在工藝形態(tài)I中參照圖21A或者圖21B所說明過的那樣的手法來進(jìn)行。接下來，在為發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下，如果在半導(dǎo)體芯片50以及絕緣層圖案72’上形成了熒光體層80之后(參照圖23(b))將載體薄膜85剝離，則能夠以圖23(c)所示那樣的形態(tài)來準(zhǔn)備半導(dǎo)體元件50。
[0126]以后，與上述的工藝形態(tài)2同樣地形成金屬緩沖層的基底30、子緩沖層圖案10’、絕緣層70’以及第2子緩沖層圖案10”并實施切斷處理(參照圖23(d)?(g))。由此，最終能夠獲得圖23的最下部所示那樣的半導(dǎo)體裝置100。另外，取代“在相鄰的半導(dǎo)體芯片50之間形成絕緣膜72’ ”，在為發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下、且按照覆蓋半導(dǎo)體芯片50的方式在載體薄膜85上形成包含熒光體成分而成的絕緣層的情況下，能夠獲得具有圖23的最下部右下那樣的形態(tài)的半導(dǎo)體裝置100 (也就是說，能夠獲得在上述[本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置]中說明過的“第2絕緣部包含熒光體成分而成的半導(dǎo)體裝置”)。
[0127](工藝形態(tài)4)
[0128]在圖24(a)?(g)中示意性地表示發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下的“工藝形態(tài)4”的工序剖視圖。該形態(tài)也相當(dāng)于上述的工藝形態(tài)2的變更形態(tài)。首先，在載體薄膜85上形成了熒光體層80之后，在該熒光體層80上相互隔開間隔而配置多個半導(dǎo)體芯片50(參照圖24 (a))。然后，如圖24 (b)所示，按照覆蓋半導(dǎo)體芯片50的方式在熒光體層80上形成絕緣層72’(特別是感光性材料層)。接下來，如圖24(c)所示，對絕緣層72’實施圖案形成處理。如圖示那樣，優(yōu)選進(jìn)行在相鄰的半導(dǎo)體芯片50之間保留絕緣層72’那樣的圖案形成處理。這種圖案處理能夠通過在工藝形態(tài)I中參照圖21A所說明過的那樣的手法來進(jìn)行。
[0129]以后，與上述的工藝形態(tài)2同樣地形成金屬緩沖層的基底30、子緩沖層圖案10’、絕緣層70’以及第2子緩沖層圖案10”，并實施切斷處理(參照圖24(d)?(g))。由此，最終能夠獲得圖24的最下部所示那樣的半導(dǎo)體裝置100。另外，該工藝形態(tài)因為通過向載體薄膜面上的涂敷或者粘附來形成熒光體層，所以能夠以“平面”來適當(dāng)?shù)卦O(shè)置熒光體層(在現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體封裝體中，因為一般在進(jìn)行單片化之后再設(shè)置熒光體層，所以可以說在該點上尤其具有差異點)。此外，在本工藝形態(tài)中，載體薄膜85最終不剝離而作為半導(dǎo)體裝置的要素來使用。在該點上，例如圖13(a)以及(b)所示那樣，載體薄膜85能夠作為透鏡要素來使用。進(jìn)而可以說，在本工藝形態(tài)中，通過對絕緣層72’的形成及其圖案化處理等酌情地下功夫(例如參照圖25)，從而能夠獲得在上述[本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置]中說明過的圖15(c)?(d)所示那樣的半導(dǎo)體裝置。在使用了發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下，能夠?qū)⒔饘倬彌_層的基底30作為反射層來使用。
[0130](工藝形態(tài)5)
[0131]在圖26(a)?(g)中示意性地表示發(fā)光型的半導(dǎo)體元件的情況下的“工藝形態(tài)5”的工序剖視圖。該形態(tài)相當(dāng)于具有反射器構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置100的制造工藝形態(tài)。首先，在載體薄膜85上形成多個子熒光體層80’，在子熒光體層80’的每一個上各配置一個半導(dǎo)體元件芯片50(參照圖26(a))。然后，如圖26(b)所示，通過旋涂/刮刀等將絕緣層原料進(jìn)行整面涂敷之后、或者通過粘合絕緣層薄膜等來設(shè)置之后，進(jìn)行圖案形成處理，從而相對于半導(dǎo)體元件芯片50的每一個而形成使半導(dǎo)體元件芯片50的表面的一部分露出的局部絕緣層72’(參照圖26(c))。接下來，在形成金屬緩沖層的基底30之后，關(guān)于半導(dǎo)體元件芯片的每一個而形成兩個第I子緩沖層10’(參照圖26(d))。另外，因為是“反射器”，所以如圖26(d)所示，按照沿著“由設(shè)置在載體薄膜85上的子熒光體層80’、半導(dǎo)體元件芯片50以及局部絕緣層72’構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置前驅(qū)體100’ ”的輪廓形狀的方式，以基底30以及第I子緩沖層10’彎曲的形態(tài)來形成。
[0132]接下來，如圖26(e)所示，按照橫跨至少兩個第I子緩沖層10’的方式形成了絕緣部70’之后(與絕緣層72’的形成同樣，在絕緣性原料的整面涂敷或者粘貼之后實施圖案化形成處理，從而能夠形成絕緣部70’的圖案)，如圖26(f)所示，按照與第I子緩沖層10’相接的方式形成第2子緩沖層10”。并且，最終如圖26(g)所示，執(zhí)行以半導(dǎo)體芯片50為單位被分割的切斷操作。由此，能夠獲得圖26的最下部所示那樣的“具有反射器構(gòu)造的半導(dǎo)體裝置100”。
[0133]最后，對于本發(fā)明包含下述形態(tài)的內(nèi)容進(jìn)行確認(rèn)性地附記。
[0134]第I形態(tài):一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成為具有:半導(dǎo)體元件；和金屬緩沖層，與半導(dǎo)體元件電連接，以金屬緩沖層和半導(dǎo)體元件相互面接觸這樣的形態(tài)連接了金屬緩沖層和半導(dǎo)體元件，而且金屬緩沖層成為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子，并且也成為在二次安裝基板與半導(dǎo)體元件之間具有應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件。
[0135]第2形態(tài):根據(jù)上述第I形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，金屬緩沖層構(gòu)成了對半導(dǎo)體元件進(jìn)行支承的支承層。
[0136]第3形態(tài):根據(jù)上述第I形態(tài)或者第2形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，按照從半導(dǎo)體元件突出的方式設(shè)置了金屬緩沖層(即，按照不僅在半導(dǎo)體元件的下方區(qū)域也在其外側(cè)區(qū)域朝著橫向延伸存在的方式設(shè)置“金屬緩沖層”以及“反射層(或者基底層)”的半導(dǎo)體裝置)。
[0137]第4形態(tài):根據(jù)上述第I形態(tài)?第3形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，金屬緩沖層的厚度為50 μ m以上。
[0138]第5形態(tài):根據(jù)上述第I形態(tài)?第4形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在金屬緩沖層中，其具有的結(jié)晶粒子構(gòu)造局部性不同，半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑小于二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑。
[0139]第6形態(tài):根據(jù)上述第5形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑為5μπι以下，二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑為10 μ m以上。
[0140]第7形態(tài):根據(jù)上述第I形態(tài)?第6形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，金屬緩沖層通過在其母材中包含至少一種以上的粒子而構(gòu)成。
[0141]第8形態(tài):根據(jù)上述第7形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，金屬緩沖層的母材中包含的粒子為金屬粒子。
[0142]第9形態(tài):根據(jù)上述第7形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，金屬緩沖層的母材中包含的粒子為絕緣性粒子。
[0143]第10形態(tài):根據(jù)上述第7形態(tài)?第9形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在金屬緩沖層中，粒子的含有率局部性不同，半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的粒子含有率大于二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的粒子含有率。
[0144]第11形態(tài):根據(jù)上述第7形態(tài)以及從屬于該第7形態(tài)的上述第8形態(tài)?第10形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，金屬緩沖層的母材由鍍覆層構(gòu)成，在該鍍覆層中含有粒子。
[0145]第12形態(tài):根據(jù)上述第I形態(tài)?第11形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，在金屬緩沖層的周圍設(shè)有第I絕緣部，而在半導(dǎo)體元件的周圍設(shè)有第2絕緣部。
[0146]第13形態(tài):根據(jù)從屬于上述第2形態(tài)的第12形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，金屬緩沖層以及第I絕緣部構(gòu)成了支承層。
[0147]第14形態(tài):根據(jù)上述第12形態(tài)或者第13形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，半導(dǎo)體元件具有多個電極，按照與該電極電連接的方式設(shè)置有多個金屬緩沖層，而且在相鄰的金屬緩沖層之間至少設(shè)有第I絕緣部。
[0148]第15形態(tài):根據(jù)上述第14形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，設(shè)置在相鄰的金屬緩沖層之間的第I絕緣部的局部區(qū)域由窄幅部分和寬幅部分這兩個區(qū)域部分構(gòu)成。
[0149]第16形態(tài):根據(jù)上述第I形態(tài)?第15形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，構(gòu)成為還具有設(shè)置在金屬緩沖層上的反射層，隔著反射層的至少一部分而半導(dǎo)體元件和金屬緩沖層按照進(jìn)行面接觸的方式被連接。
[0150]第17形態(tài):一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括:(i)準(zhǔn)備半導(dǎo)體元件的工序；和(ii)按照與半導(dǎo)體元件電連接的方式形成金屬緩沖層的工序，在工序(ii)中，按照金屬緩沖層和半導(dǎo)體元件相互面接觸的方式形成了金屬緩沖層，該金屬緩沖層成為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子，并且成為在二次安裝基板與半導(dǎo)體元件之間具有應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件。
[0151]第18形態(tài):根據(jù)上述第17形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在工序
(ii)中，將用于形成金屬緩沖層的基底形成在半導(dǎo)體元件上之后，以隔著該基底而與半導(dǎo)體元件進(jìn)行面接觸這樣的形態(tài)來形成金屬緩沖層。
[0152]第19形態(tài):根據(jù)上述第18形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，以干式鍍覆法形成基底，以濕式鍍覆法形成金屬緩沖層。
[0153]第20形態(tài):根據(jù)上述第17形態(tài)?第19形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，將工序(i)的半導(dǎo)體元件作為在該半導(dǎo)體元件的至少主面?zhèn)仍O(shè)有絕緣層的半導(dǎo)體元件來準(zhǔn)備。
[0154]第21形態(tài):根據(jù)上述第20形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，半導(dǎo)體元件具有半導(dǎo)體元件芯片的形態(tài)，在工序(i)中，將半導(dǎo)體元件芯片配置于載體薄膜之后，按照覆蓋該半導(dǎo)體元件芯片的方式在載體薄膜上形成絕緣層，然后剝離載體薄膜，由此來準(zhǔn)備以與絕緣層齊平的形態(tài)被埋設(shè)于絕緣層內(nèi)的半導(dǎo)體元件芯片。
[0155]第22形態(tài):根據(jù)上述第17形態(tài)?第20形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，工序(i)的半導(dǎo)體元件具有半導(dǎo)體元件芯片的形態(tài)，在工序(ii)中，按照金屬緩沖層的一部分從半導(dǎo)體元件芯片向外側(cè)突出的方式形成金屬緩沖層。
[0156]第23形態(tài):根據(jù)上述第17形態(tài)?第20形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，工序(i)的半導(dǎo)體元件具有半導(dǎo)體元件晶片的形態(tài)，在工序(ii)中，在半導(dǎo)體元件晶片上形成多個金屬緩沖層，最終進(jìn)行多個金屬緩沖層的至少一個被分割為兩個的切斷操作。
[0157]第24形態(tài):根據(jù)上述第17形態(tài)?第23形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括在金屬緩沖層的周圍形成絕緣部的工序，金屬緩沖層的形成被分為第I子緩沖層的形成和第2子緩沖層的形成這兩個階段來實施，在第I子緩沖層的形成與第2子緩沖層的形成之間實施絕緣部的形成。
[0158]第25形態(tài):根據(jù)上述第24形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在工序
(ii)中形成多個金屬緩沖層，在形成絕緣部時，按照相鄰的兩個金屬緩沖層之間的空間被絕緣部填滿的方式，橫跨相鄰的兩個金屬緩沖層來形成絕緣部。
[0159]第26形態(tài):根據(jù)上述第18形態(tài)或者從屬于該18形態(tài)的上述第19形態(tài)?第25形態(tài)的任一形態(tài)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，將基底最終作為半導(dǎo)體裝置中的反射層來使用。
[0160]以上，關(guān)于本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了說明，但只是例示了典型例。因此，本發(fā)明并不限定于此，可考慮各種形態(tài)。
[0161]例如，在上述的形態(tài)中，設(shè)置在相鄰的金屬緩沖層之間的“第I絕緣部的局部區(qū)域70A”雖然被定位于半導(dǎo)體元件的中央部下方(例如參照圖11)，但本發(fā)明并不限定于該形態(tài)。如果鑒于一個實際形態(tài)，則如圖27所示，各個金屬緩沖層的大小可根據(jù)所連接的半導(dǎo)體元件電極的大小而不同，所以第I絕緣部的局部區(qū)域70A可如圖27的剖視圖(A-A’剖視圖)以及圖28的示意性剖視圖所示那樣成為偏離半導(dǎo)體元件的中央部下方的位置。
[0162]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0163]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置被用于需要散熱性的半導(dǎo)體裝置中，除了能夠適當(dāng)?shù)赜糜诮M合了汽油引擎和電動機(jī)的混合動力車、電動汽車的發(fā)動機(jī)的大電流控制的模塊、以及各種照明用途之外，還能夠適當(dāng)?shù)赜糜陲@示裝置(特別是液晶畫面)的背光燈光源、相機(jī)閃光燈用途、車載用途等的廣泛用途。
[0164]關(guān)聯(lián)申請的相互參考
[0165]本申請主張基于日本專利申請第2012-195161號(申請日:2012年9月5日、發(fā)明名稱“半導(dǎo)體裝置及其制造方法”)的巴黎公約上的優(yōu)先權(quán)。假設(shè)在該申請中公開的內(nèi)容全部通過援弓I而包含在本說明書中。
[0166]符號說明
[0167]10 金屬緩沖層
[0168]10’子緩沖層圖案(第I子緩沖層圖案)
[0169]10”第2子緩沖層圖案(第2子緩沖層圖案)
[0170]1a 金屬緩沖層
[0171]1b 金屬緩沖層
[0172]15 金屬緩沖層中含有的粒子
[0173]30 金屬緩沖層的基底
[0174]50 半導(dǎo)體元件
[0175]50’半導(dǎo)體晶片
[0176]70 第I絕緣部
[0177]70A 設(shè)置在相鄰的金屬緩沖層之間的區(qū)域內(nèi)的局部的第I絕緣部
[0178]70A1局部第I絕緣部的窄幅部分
[0179]70A2局部第I絕緣部的寬幅部分
[0180]70’絕緣層圖案(例如樹脂層圖案或者無機(jī)材料層圖案)
[0181]72 第2絕緣部(絕緣層)
[0182]72’密封層(例如密封樹脂層或者密封無機(jī)材料層)
[0183]80 熒光體層
[0184]85 載體薄膜
[0185]90 透鏡構(gòu)件
[0186]100 半導(dǎo)體裝置
[0187]100’半導(dǎo)體裝置前驅(qū)體
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置，構(gòu)成為具有: 半導(dǎo)體元件；和 金屬緩沖層，與所述半導(dǎo)體元件電連接， 以所述金屬緩沖層和所述半導(dǎo)體元件相互面接觸這樣的形態(tài)連接了該金屬緩沖層和該半導(dǎo)體元件，而且 所述金屬緩沖層成為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子，并且成為在該二次安裝基板與所述半導(dǎo)體元件之間具有應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬緩沖層構(gòu)成了對所述半導(dǎo)體元件進(jìn)行支承的支承層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 按照從所述半導(dǎo)體元件突出的方式設(shè)置了所述金屬緩沖層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬緩沖層的厚度為50 μ m以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 在所述金屬緩沖層中，其具有的結(jié)晶粒子構(gòu)造局部性不同，半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑小于二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的平均結(jié)晶粒徑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述半導(dǎo)體元件側(cè)的所述緩沖層區(qū)域中的所述平均結(jié)晶粒徑為5μπι以下，所述二次安裝基板側(cè)的所述緩沖層區(qū)域中的所述平均結(jié)晶粒徑為10 μ m以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬緩沖層通過在其母材中包含至少一種以上的粒子而構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述母材中包含的所述粒子為金屬粒子。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述母材中包含的所述粒子為絕緣性粒子。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 在所述金屬緩沖層中，所述粒子的含有率局部性不同，半導(dǎo)體元件側(cè)的緩沖層區(qū)域中的粒子含有率大于二次安裝基板側(cè)的緩沖層區(qū)域中的粒子含有率。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬緩沖層通過在其母材中包含至少一種以上的粒子而構(gòu)成，而且 所述金屬緩沖層的所述母材由鍍覆層構(gòu)成，在該鍍覆層中含有所述粒子。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 在所述金屬緩沖層的周圍設(shè)有第I絕緣部，在所述半導(dǎo)體元件的周圍設(shè)有第2絕緣部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述金屬緩沖層以及所述第I絕緣部構(gòu)成了所述支承層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述半導(dǎo)體元件具有多個電極，按照與該電極電連接的方式設(shè)置有多個所述金屬緩沖層，而且 在相鄰的所述金屬緩沖層之間至少設(shè)有所述第I絕緣部。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 設(shè)置在所述相鄰的所述金屬緩沖層之間的所述第1絕緣部的局部區(qū)域由窄幅部分和寬幅部分這兩個區(qū)域部分構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中， 所述半導(dǎo)體裝置構(gòu)成為還具有設(shè)置在所述金屬緩沖層上的反射層， 隔著所述反射層的至少一部分而所述半導(dǎo)體元件和所述金屬緩沖層按照進(jìn)行所述面接觸的方式被連接。
17.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括: (I)準(zhǔn)備半導(dǎo)體元件的工序；和 (II)按照與所述半導(dǎo)體元件電連接的方式形成金屬緩沖層的工序， 在所述工序(11)中，按照所述金屬緩沖層和所述半導(dǎo)體元件相互面接觸的方式形成了所述金屬緩沖層，該金屬緩沖層成為在向二次安裝基板的安裝中使用的外部連接端子，并且成為在該二次安裝基板與所述半導(dǎo)體元件之間具有應(yīng)力緩和作用的緩沖構(gòu)件。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在所述工序(11)中，將用于形成所述金屬緩沖層的基底形成在所述半導(dǎo)體元件上之后，以隔著該基底而與所述半導(dǎo)體元件進(jìn)行所述面接觸這樣的形態(tài)來形成所述金屬緩沖層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 以干式鍍覆法形成所述基底，以濕式鍍覆法形成所述金屬緩沖層。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 將所述工序(1)的所述半導(dǎo)體元件作為在該半導(dǎo)體元件的至少主面?zhèn)仍O(shè)有絕緣層的半導(dǎo)體元件來準(zhǔn)備。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述半導(dǎo)體元件具有半導(dǎo)體元件芯片的形態(tài)， 在所述工序(1)中，將所述半導(dǎo)體元件芯片配置于載體薄膜之后，按照覆蓋該半導(dǎo)體元件芯片的方式在該載體薄膜上形成所述絕緣層，然后剝離該載體薄膜，由此來準(zhǔn)備以與該絕緣層齊平的形態(tài)被埋設(shè)于該絕緣層內(nèi)的所述半導(dǎo)體元件芯片。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述工序(1)的所述半導(dǎo)體元件具有半導(dǎo)體元件芯片的形態(tài)， 在所述工序(11)中，按照所述金屬緩沖層的一部分從所述半導(dǎo)體元件芯片向外側(cè)突出的方式形成該金屬緩沖層。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 所述工序(1)的所述半導(dǎo)體元件具有半導(dǎo)體元件晶片的形態(tài)， 在所述工序(11)中，在所述半導(dǎo)體元件晶片上形成多個所述金屬緩沖層， 最終進(jìn)行所述多個所述金屬緩沖層的至少一個被分割為兩個的切斷操作。
24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 還包括在所述金屬緩沖層的周圍形成絕緣部的工序， 所述金屬緩沖層的形成被分為第1子緩沖層的形成和第2子緩沖層的形成這兩個階段來實施，在該第1子緩沖層的形成與該第2子緩沖層的形成之間實施所述絕緣部的形成。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在所述工序(ii)中形成了多個所述金屬緩沖層， 在形成所述絕緣部時，按照相鄰的兩個所述金屬緩沖層之間的空間被該絕緣部填滿的方式，橫跨該相鄰的兩個該金屬緩沖層來形成所述絕緣部。
26.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中， 在所述工序(ii)中，將用于形成所述金屬緩沖層的基底形成在所述半導(dǎo)體元件上之后，以隔著該基底而與所述半導(dǎo)體元件進(jìn)行所述面接觸這樣的形態(tài)來形成所述金屬緩沖層，而且 將所述基底最終作為所述半導(dǎo)體裝置中的反射層來使用。
【文檔編號】H01L23/12GK104335343SQ201380026349
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月5日
【發(fā)明者】川北晃司, 澤田享, 中谷誠一, 山下嘉久 申請人:松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社