光電子半導(dǎo)體芯片和具有這樣的半導(dǎo)體芯片的前照燈的制作方法
【專(zhuān)利摘要】在至少一個(gè)實(shí)施方式中，光電子半導(dǎo)體芯片(1)包括半導(dǎo)體層序列（2)，所述半導(dǎo)體層序列具有用于產(chǎn)生具有小于500nm的主波長(zhǎng)的初級(jí)輻射的有源層（20)。半導(dǎo)體芯片（1)包含用于產(chǎn)生第一次級(jí)輻射的第一轉(zhuǎn)換元件（31)和用于產(chǎn)生第二次級(jí)輻射的第二轉(zhuǎn)換元件（32)。半導(dǎo)體層序列（2)被劃分為能夠彼此不相關(guān)地電操控的并且在橫向上相鄰地設(shè)置的區(qū)段（21，22)。轉(zhuǎn)換元件(31，32)安置在區(qū)段(21，22)的輻射主側(cè)(25)上。第一次級(jí)輻射是彩色光并且第二次級(jí)輻射是白光。
【專(zhuān)利說(shuō)明】光電子半導(dǎo)體芯片和具有這樣的半導(dǎo)體芯片的前照燈

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]提出一種光電子半導(dǎo)體芯片。除此之外提出一種具有這樣的光電子半導(dǎo)體芯片的 前照燈。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0002]待實(shí)現(xiàn)的目的在于，提出一種光電子半導(dǎo)體芯片，其中在俯視圖中觀察能夠?qū)崿F(xiàn) 并排的多種色彩印象。
[0003] 此外，該目的通過(guò)具有獨(dú)立權(quán)利要求的特征的光電子半導(dǎo)體芯片和前照燈實(shí)現(xiàn)。 優(yōu)選的改進(jìn)方案在從屬權(quán)利要求中給出。
[0004] 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，光電子半導(dǎo)體芯片包括半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體層序列包 含用于產(chǎn)生初級(jí)輻射的有源層。初級(jí)輻射優(yōu)選是紫外光或者藍(lán)光。特別地，初級(jí)輻射的主 波長(zhǎng)為小于5〇〇nm的波長(zhǎng)。主波長(zhǎng)，英語(yǔ)是peak wavelength，是由有源層產(chǎn)生最大的光譜 能量密度的波長(zhǎng)。
[0005] 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體芯片包括一個(gè)或多個(gè)第一轉(zhuǎn)換元件。至少一個(gè)第 一轉(zhuǎn)換元件設(shè)立為用于產(chǎn)生第一次級(jí)輻射。為此，第一轉(zhuǎn)換元件將到達(dá)第一轉(zhuǎn)換元件中的 初級(jí)輻射的一部分或者全部初級(jí)輻射轉(zhuǎn)換為第一次級(jí)輻射。第一次級(jí)輻射與初級(jí)輻射相比 優(yōu)選具有更大的波長(zhǎng)?？韶甑氖牵跫?jí)福射不能夠穿過(guò)或者不能以顯著的程度穿過(guò)第一.轉(zhuǎn) 換元件。
[0006]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體芯片包含一個(gè)或多個(gè)第二轉(zhuǎn)換元件。至少一個(gè)第 二轉(zhuǎn)換元件設(shè)立為用于通過(guò)部分地或者完全地轉(zhuǎn)換到達(dá)至第二轉(zhuǎn)換元件的初級(jí)輻射的波 長(zhǎng)來(lái)廣生第一次級(jí)福射。特別地，初級(jí)輻射的一部分穿過(guò)第二轉(zhuǎn)換元件，使得第二次級(jí)福射 具有初級(jí)輻射的一定份額并且它是混合輻射。第二次級(jí)輻射尤其優(yōu)選是白光。術(shù)語(yǔ)白光能 夠意味著：第二次級(jí)輻射在CIE標(biāo)準(zhǔn)色圖中的色坐標(biāo)偏離黑體曲線至多〇.丨單位或者至多 0.05單位。
[0007]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體層序列被分為至少兩個(gè)或多于兩個(gè)能夠彼此不相 關(guān)地電操控的區(qū)段。在半導(dǎo)體芯片的輻射主側(cè)的俯視圖中觀察，區(qū)段在橫向上并排并且相 鄰地設(shè)置。在相鄰的區(qū)段之間能夠完全地或僅部分地去除半導(dǎo)體層序列。因此可行的是， 各個(gè)區(qū)段島狀地從半導(dǎo)體層序列中制造出來(lái)或者區(qū)段通過(guò)半導(dǎo)體層序列的子區(qū)域相互間 均彼此連接。
[0008]因此，所有的區(qū)段從同一^t'外延生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層序列中產(chǎn)生。半導(dǎo)體層序列在制 造公差的范圍中相同地延伸并且以未改變的層結(jié)構(gòu)和未改變的組分延伸超出所有的區(qū)段。 已制成的區(qū)段的相對(duì)于彼此在半導(dǎo)體層序列的平面中的空間位置與尚未分段的且尚未結(jié) 構(gòu)化的半導(dǎo)體層序列相比優(yōu)選不改變。
[0009]根據(jù)半導(dǎo)體芯片的至少一個(gè)實(shí)施方式，轉(zhuǎn)換元件分別施加到區(qū)段的輻射主側(cè)上。 因此優(yōu)選轉(zhuǎn)換元件中的恰好一個(gè)-對(duì)應(yīng)地與所述區(qū)段中的每一個(gè)相關(guān)聯(lián)。此外轉(zhuǎn)換元件 優(yōu)選安置在區(qū)段上，使得轉(zhuǎn)換元件在輻射主側(cè)的俯視圖中觀察不重疊。
[0010]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，轉(zhuǎn)換元件間接地或者直接地接觸區(qū)段的輻射主側(cè)。也就 是說(shuō)，轉(zhuǎn)換元件_能夠觸碰半導(dǎo)體芯片層序列。特別地，在間接接觸的情況下，在區(qū)段的半導(dǎo) 體材料和轉(zhuǎn)換元件之間存在至多一種連接劑，以便將轉(zhuǎn)換元件固定在區(qū)段上。連接劑例如 是具有硅樹(shù)脂的粘結(jié)劑。
[0011]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，第一次級(jí)輻射是彩色光、特別是黃光和/或橙光。第一次 級(jí)福射的色坐標(biāo)以至多0· 07單位或者至多〇· 05單位的公差位于CIE標(biāo)準(zhǔn)色圖的光譜色線 上。第一次級(jí)輻射的色調(diào)特別是在575nm和595nm之間，其中包括邊界值。
[0012]在至少一個(gè)實(shí)施方式中，光電子半導(dǎo)體芯片包括具有至少一個(gè)用于產(chǎn)生具有小于 500m^的主波長(zhǎng)的初級(jí)輻射的有源層的半導(dǎo)體層序列。半導(dǎo)體芯片此外包含至少一個(gè)用于 產(chǎn)生第=次級(jí)輻射的第一轉(zhuǎn)換元件和至少一個(gè)用于產(chǎn)生第二次級(jí)輻射的第二轉(zhuǎn)換元件，其 中f級(jí)輻射通過(guò)初級(jí)輻射的部分的或者完全的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換來(lái)產(chǎn)生。半導(dǎo)體層序列能夠被劃分 為能夠彼此不相關(guān)地被電操控的并且在橫向上相鄰地設(shè)置的區(qū)段。轉(zhuǎn)換元件安置在區(qū)段的 輻射主側(cè)上并且能夠直接接觸半導(dǎo)體層序列。第一次級(jí)輻射是彩色光、特別是黃光并且第 二次級(jí)輻射是白光。
[00^3]由于半導(dǎo)體層序列是分段的，發(fā)射第一或者第二次級(jí)輻射的區(qū)域之間的間距僅是 非常小的。此外通過(guò)分段能夠?qū)崿F(xiàn)：在發(fā)射次級(jí)輻射的區(qū)域之間的相對(duì)清晰的、彩色的界限 是可行的。
[0014]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，在半導(dǎo)體層序列的俯視圖中觀察，第一和第二轉(zhuǎn)換元件 的面積比為至少0· 25或者至少〇· 5或者至少〇· 75或者至少丨。替選地或者附加地，所述 面積比為至多4或者至多3或者至多2· 5。特別地，第一和第二轉(zhuǎn)換元件的面積比為至少 1. 25和/或至多2· 25,使得至少-個(gè)第-轉(zhuǎn)換元件與至少-個(gè)第二轉(zhuǎn)換元件雛占據(jù)更大 的面積。 匕〇15]、根據(jù)至少-個(gè)實(shí)施方式，第一和第二轉(zhuǎn)換元件的醜比設(shè)置為，使得第一次級(jí)輻 射的光通里和第一次級(jí)輻射的光通量的商為至少〇_ 2S或者至少〇· 5或者至少〇· 75。替選 地或者附她k，臟商為至多4或者至多2或者至多L 25。換句職，醜次娜射對(duì)于人 眼顯得是近似相同亮的。光通量以流明來(lái)說(shuō)明。 m ^據(jù)至少：個(gè)實(shí)施方式，第一和第二轉(zhuǎn)換元件相互不觸碰。也就是說(shuō)，第一轉(zhuǎn)換元 二轉(zhuǎn)換兀件間'。如果存在多個(gè)第-轉(zhuǎn)換元件，那么可行的是，第-轉(zhuǎn)換元件 ^、碰。相應(yīng)地會(huì)匕夠適用于第二轉(zhuǎn)換元件。換句話說(shuō)，轉(zhuǎn)換元件能夠成對(duì)地彼此間 升。 =〇17]根據(jù)至少-個(gè)實(shí)施方式，相鄰的轉(zhuǎn)換元件之間的平均間距為至多丨5〇_或者至 $110匕m或者至多75μ m或者至多4。μ m。魏地或者附加地，所述平均間距為半導(dǎo)體芯 片和/或半導(dǎo)體層序列的平均職長(zhǎng)的至多抓或者至多薦棘至多5%。 H 至少一個(gè)實(shí)施方式，區(qū)段之間的平均間距與相應(yīng)所勵(lì)轉(zhuǎn)換元件之間的平均 細(xì)地，隨之間辭均'與所勵(lì)轉(zhuǎn)換潘之_平_距雛更小。區(qū)段 '相應(yīng)所屬的轉(zhuǎn)換元件之間的平均間距例如彼此相差至少5%或者10% 或者25%或者50%。 夂η ιυ/。 少-個(gè)頭施方式，在至少兩個(gè)轉(zhuǎn)S元件之間存財(cái)1學(xué)的賺部。光學(xué)的屏 蔽部?jī)?yōu)選對(duì)于初級(jí)福射以及對(duì)于第一和第二次級(jí)福射而言是福射不可穿透的。福射不可穿 透能夠意味著：初級(jí)輻射的透射率以及次級(jí)輻射的透射率為至多20%或者至多1〇%或者 至多3%或者至多1%。至少一個(gè)屏蔽部?jī)?yōu)選將第一轉(zhuǎn)換元件在光學(xué)上與第二轉(zhuǎn)換元件分 開(kāi)二如果例如存在多個(gè)第一轉(zhuǎn)換元件，那么光學(xué)的屏蔽部也能夠分別設(shè)置在相鄰的第一轉(zhuǎn) 換元件之間，相應(yīng)的內(nèi)容適用于多個(gè)第二轉(zhuǎn)換元件的情況。
[0020^根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，從半導(dǎo)體層序列起觀察，光學(xué)的屏蔽部至少伸展到直至 轉(zhuǎn)換元件的背離半導(dǎo)體層序列的一側(cè)。換句話說(shuō)，因此可行的是，在相鄰的轉(zhuǎn)換元件之間不 存在直^的、不通過(guò)光學(xué)的屏蔽部中斷的視線。特別地，可行的是，至少一個(gè)光學(xué)的屏蔽部 沿著遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層序列的方向突出于轉(zhuǎn)換元件。
[0021]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，在俯視圖中觀察，區(qū)段具有矩形的或者正方形的基本形 狀。同樣可行的是，區(qū)段具有三角形的、菱形的、梯形的或者六邊形的基本形狀。特別地，區(qū) 段能夠構(gòu)成為規(guī)則的六邊形或者等邊三角形或者直角三角形。所屬的轉(zhuǎn)換元件能夠分別具 有與區(qū)段相同的基本形狀。
[0022]-根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，在俯視圖中觀察，區(qū)段具有不同的面積。這同樣能夠適用 于轉(zhuǎn)換兀件。在該情況下，特別是對(duì)于恰好一個(gè)第一轉(zhuǎn)換元件設(shè)有恰好一個(gè)區(qū)段并且對(duì)于 恰好一個(gè)第二轉(zhuǎn)換元件設(shè)有恰好一個(gè)區(qū)段。
[0023]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，半導(dǎo)體芯片包括多個(gè)第一轉(zhuǎn)換元件。因此優(yōu)選第一轉(zhuǎn)換 元件中的每一個(gè)設(shè)置在多個(gè)所述區(qū)段的下游?？尚械氖牵诟┮晥D中觀察，下述區(qū)段以與第 了，換元件相同地成形，其中第一轉(zhuǎn)換元件中的每一個(gè)設(shè)置在所述區(qū)段的下游。相應(yīng)的內(nèi) 容能夠適用于第二轉(zhuǎn)換元件。特別地，第一轉(zhuǎn)換元件和第二轉(zhuǎn)換元件以及所屬的區(qū)段分別 相同地成形。
[0024]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，在輻射主側(cè)的俯視圖中觀察，多個(gè)第一轉(zhuǎn)換元件圍繞至 少一個(gè)第二轉(zhuǎn)換元件設(shè)置。第一轉(zhuǎn)換元件在此能夠框狀地或者圓狀地包圍第二轉(zhuǎn)換元件。 不一定需要第一轉(zhuǎn)換元件構(gòu)成圍繞一個(gè)或者多個(gè)第二轉(zhuǎn)換元件閉合的線。多個(gè)第二轉(zhuǎn)換元 件能夠以類(lèi)似的方式圍繞一個(gè)或多個(gè)第一轉(zhuǎn)換元件設(shè)置。
[0025]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，轉(zhuǎn)換元件中的一個(gè)與區(qū)段中的多個(gè)相關(guān)聯(lián)。同樣轉(zhuǎn)換元 件中的多個(gè)能夠與區(qū)段中的一個(gè)相關(guān)聯(lián)。
[0026]除此之外提出一種前照燈。前照燈包括至少一個(gè)如結(jié)合上述實(shí)施方式中的一個(gè)或 多個(gè)所提出的光電子半導(dǎo)體芯片。前照燈的特征因此也對(duì)于半導(dǎo)體芯片公開(kāi)并且反之亦 然。
[0027]在至少一個(gè)實(shí)施方式中，前照燈包括至少一個(gè)光學(xué)裝置，所述光學(xué)裝置設(shè)置在至 少一個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片的下游。設(shè)置在下游能夠意味著：由半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的輻射的至 少70 %或者至少85 %或者至少95 %到達(dá)光學(xué)裝置和/或進(jìn)入光學(xué)裝置。換句話說(shuō)，由半導(dǎo) 體芯片產(chǎn)生的輻射完全的或者基本上完全地達(dá)到或者進(jìn)入光學(xué)裝置。
[0028]根據(jù)前照燈的至少一個(gè)實(shí)施方式，光學(xué)裝置包括一個(gè)或多個(gè)光導(dǎo)體或者光學(xué)裝置 是光導(dǎo)體。經(jīng)由至少一個(gè)這樣的光導(dǎo)體，可行的是，將由半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的輻射導(dǎo)向前照燈 的光出射面。
[0029]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，光導(dǎo)體設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的所有的區(qū)段共同的下游。也 就是說(shuō)，光導(dǎo)體不僅能夠覆蓋第一轉(zhuǎn)換元件而且能夠覆蓋第二轉(zhuǎn)換元件并且設(shè)立為，接收 并引導(dǎo)第一以及第二次級(jí)輻射。這特別是通過(guò)區(qū)段和轉(zhuǎn)換元件之間的小的間距來(lái)實(shí)現(xiàn)。由 此能夠?qū)崿F(xiàn)：第一和第二次級(jí)輻射能夠在前照燈的同一個(gè)光出射面上耦合輸出。替選于此， 可行的是，多個(gè)光導(dǎo)體與半導(dǎo)體芯片中的一個(gè)相關(guān)聯(lián)，其中光導(dǎo)體的至少一個(gè)能夠在區(qū)段 中的多個(gè)之上延伸。
[0030]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，前照燈包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片和/或多個(gè)光導(dǎo)體。因此優(yōu) 選光導(dǎo)體中的恰好一個(gè)與半導(dǎo)體芯片中的每一個(gè)相關(guān)聯(lián)。
[0031]根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，前照燈設(shè)為用于機(jī)動(dòng)車(chē)、如汽車(chē)。至少一個(gè)半導(dǎo)體芯片因 此設(shè)立為用于閃光器和用于日間行車(chē)燈的光源。第一和第二次級(jí)輻射因此具有為了該目的 而預(yù)先規(guī)定的色坐標(biāo)和強(qiáng)度。替選地或者附加地，其是所謂的Po光，英語(yǔ)是 po light，例如 用于比方說(shuō)警察的緊急任務(wù)車(chē)輛。可行的是，前照燈包括附加的發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光 二極管芯片位于光學(xué)裝置外部或者光學(xué)裝置不設(shè)置在所述發(fā)光二極管芯片的下游。經(jīng)由這 些附加的發(fā)光二極管芯片能夠補(bǔ)償光學(xué)裝置的影響。
[0032]術(shù)語(yǔ)前照燈在此不強(qiáng)制性地排除：前照燈僅包括日間行車(chē)燈和閃光器和/或剎車(chē) 燈并且通過(guò)單獨(dú)的構(gòu)件來(lái)實(shí)現(xiàn)設(shè)為用于夜間行車(chē)的光源。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0033]接下來(lái)根據(jù)實(shí)施例參考附圖詳細(xì)闡述在此所描述的光電子半導(dǎo)體芯片以及在此 所￥述的前照燈。相同的附圖標(biāo)記在此在各個(gè)附圖中指明相同的元件。然而在此是不按比 例示出，更確切地說(shuō)為了更好的理解各個(gè)元件能夠夸張大地示出。
[0034] 附圖示出：
[0035]圖1至9示出在此所描述的光電子半導(dǎo)體芯片的實(shí)施例的示意圖，
[0036]圖10示出在此所描述的前照燈的實(shí)施例的示意圖，以及 [0037] 圖11示出第一次級(jí)輻射的CIE標(biāo)準(zhǔn)色圖中的部分。

【具體實(shí)施方式】
[0038] 在圖1中在示意性的俯視圖中示出光電子半導(dǎo)體芯片1的一個(gè)實(shí)施例。半導(dǎo)體芯 片1包括半導(dǎo)體層序列2,所述半導(dǎo)體層序列被劃分為兩個(gè)區(qū)段21、22。區(qū)段21、22在橫向 上間隔開(kāi)地設(shè)置并且能夠彼此不相關(guān)地被電操控。半導(dǎo)體芯片1包括四個(gè)電接觸部位7以 用于電操控。接觸部位 7沿著半導(dǎo)體芯片1的邊棱設(shè)置。接觸部位7例如能夠是焊接接觸 部、焊盤(pán)或者插頭接觸部。
[0039]不同于所示出的，接觸部位7也能夠位于載體6的背離半導(dǎo)體層序列2的背側(cè)上。 在接觸部位7上能夠安置有焊線。 ' °
[0040]在區(qū)段21、22上安置有第一轉(zhuǎn)換元件31和第二轉(zhuǎn)換元件％。第一轉(zhuǎn)換元件 31通 過(guò)陰影線來(lái)表示，在所有其它的繪圖中也是如此。轉(zhuǎn)換元件31、32 一一對(duì)應(yīng)地與區(qū)段21、22 相關(guān)聯(lián)。轉(zhuǎn)換元件31、32在橫向上也彼此間隔開(kāi)。 '
[0041]在半導(dǎo)體芯片1運(yùn)行時(shí)，在半導(dǎo)體層序列2中優(yōu)選產(chǎn)生藍(lán)光。該藍(lán)光是初級(jí)輻射。 通過(guò)第一轉(zhuǎn)換元件31從該初級(jí)輻射中產(chǎn)生第一次級(jí)輻射，其中所述第一次級(jí)輻射是彩色 光，優(yōu)選是黃光。經(jīng)由第二轉(zhuǎn)換元件32從初級(jí)輻射中的一部分中產(chǎn)生第二次級(jí)輻射。第二 次級(jí)輻射、特別是連同初級(jí)輻射的殘余部分一起是白光。轉(zhuǎn)換元件 31、32的面積比在俯視 圖中觀察例如為大約2:1。
[0042]半導(dǎo)體芯片1的邊棱長(zhǎng)L例如在400μηι和25〇Ομηι之間，其中包括邊界值、特別 是大約1000 μ m。在圖1中半導(dǎo)體芯片1具有恰好兩個(gè)轉(zhuǎn)換元件31、32。不同于視圖，可行 的是，也存在多于兩個(gè)轉(zhuǎn)換元件31、32,相應(yīng)的內(nèi)容以類(lèi)似的方式適用于圖2至7和10。如 在所有其它的實(shí)施例中一樣，優(yōu)選轉(zhuǎn)換元件31、32中的恰好一個(gè)也設(shè)置在區(qū)段21、22中的 每一個(gè)的下游。轉(zhuǎn)換元件31、 32的材料組分沿著橫向方向優(yōu)選不改變。
[0043]可選地，在轉(zhuǎn)換元件31、32之間存在光學(xué)的屏蔽部4。第一次級(jí)輻射不穿過(guò)光學(xué)的 屏蔽部4進(jìn)入第二轉(zhuǎn)換元件32并且在第二次級(jí)輻射方面相反。因此，光學(xué)的屏蔽部4對(duì)于 第一和第二次級(jí)輻射以及對(duì)于初級(jí)輻射是不可穿透的。
[0044]光學(xué)的屏蔽部4例如通過(guò)具有基體材料和嵌入在其中的顆粒的澆注件形成?；w 材料能夠是硅樹(shù)脂或者硅樹(shù)脂-環(huán)氧樹(shù)脂-混合材料。屏蔽部4中的顆粒例如是反射性的 顆粒、例如由二氧化鈦構(gòu)成的顆粒，或者是吸收性的顆粒、例如由碳黑構(gòu)成的顆粒。此外可 選地，可行的是，如在所有其它的實(shí)施例中，在屏蔽部4的背離半導(dǎo)體層序列2的一側(cè)上施 加有反射性的或者吸收性的、在此未不出的層。替選地或者附加地，這樣的優(yōu)選反射性的層 也能夠施加在區(qū)段21、22和/或轉(zhuǎn)換元件31、 32的側(cè)面上。
[0045]在圖2中示出半導(dǎo)體芯片1的示意性的剖視圖。被劃分為區(qū)段21、22的半導(dǎo)體層 序列2安置在載體6的載體上側(cè)60上。載體6優(yōu)選與半導(dǎo)體層序列2的生長(zhǎng)襯底不同。然 而載體6也能夠是生長(zhǎng)襯底如藍(lán)寶石或者 SiC。半導(dǎo)體層序列2包括作為虛線示出的至少 一個(gè)有源層20。為了劃分為區(qū)段21、22,半導(dǎo)體層序列 2沿著垂直于載體上側(cè)6〇的方向被 完全地分開(kāi)。區(qū)段21、22彼此間的相對(duì)位置與用于半導(dǎo)體層序列 2的生長(zhǎng)襯底上的相對(duì)位 置相比不改變。
[0046]轉(zhuǎn)換元件31、32直接安置在半導(dǎo)體層序列2上，例如經(jīng)由印制法。替選于此，可行 的是，轉(zhuǎn)換兀件31、32單獨(dú)地制造并且構(gòu)成為陶瓷小板或者娃樹(shù)脂小板，其中在這些小板 中然后能夠引入一種或多種轉(zhuǎn)換劑。在轉(zhuǎn)換元件31、32和半導(dǎo)體層序列2之間因此存在連 接劑、特別是基于娃樹(shù)脂的粘結(jié)劑。連接劑在附圖中未示出。
[0047]轉(zhuǎn)換元件31、32在制造公差的范圍中與區(qū)段2丨、22 一致。相鄰的轉(zhuǎn)換元件31、32 之間的間距C沿著平行于載體上側(cè)60的方向相應(yīng)于區(qū)段21、22之間的間距D。
[0048]光學(xué)的屏蔽部4伸展直至轉(zhuǎn)換元件31、32的背離載體6的一側(cè)并且基本上完全地 填滿區(qū)段21、22之間以及轉(zhuǎn)換元件31、32之間的空隙。在背離載體 6的一側(cè)上，屏蔽部4 例如凹形地成形。
[0049]在根據(jù)圖3的半導(dǎo)體芯片！的剖視圖中，半導(dǎo)體層序列2沿著垂直于載體6的方 向不完全分開(kāi)。各個(gè)區(qū)段21、22單片地通過(guò)半導(dǎo)體層序列2的材料彼此連接。至少一個(gè)有 源層20不連續(xù)地在區(qū)段21、22之上延伸。為了簡(jiǎn)化視圖，如在所有其它的實(shí)施例中那樣， 未示出用于給各個(gè)區(qū)段21、22通電的電導(dǎo)線和電連接裝置。
[0050]根據(jù)圖3,區(qū)段21、22與所屬的轉(zhuǎn)換元件31、32相比具有更大的基面。區(qū)段21、 22 之間的間距D與轉(zhuǎn)換元件Μ、"之間的間距C相比更小。光學(xué)的屏蔽部4沿著遠(yuǎn)離載體6 的方向突出于轉(zhuǎn)換元件31、32。
[0051]不同于在圖3中的視圖，區(qū)段21、22之間的間距D與轉(zhuǎn)換元件 31、32之間的間距 C相比也能夠更大。轉(zhuǎn)換元件31、32因此在橫向上突出于區(qū)段21、22。
[0052]此外不同于圖3,屏蔽部4也能夠僅存在于或者基本上僅存在于轉(zhuǎn)換元件31、 32之 間。區(qū)段21、22之間的區(qū)域因此或者被抽真空或者以氣體填充或者設(shè)有另一未示出的填充 部，所述填充部能夠由不同于屏蔽部4的材料成形。這樣的填充部也能夠僅部分地填充區(qū) 段21、22之間的區(qū)域，這在屏蔽部4在轉(zhuǎn)換元件31、32之間和/或在區(qū)段21、22之間的情 況中同樣如此。因此屏蔽部4和/或填充部例如是覆層，所述覆層施加在區(qū)段21、22和/ 或轉(zhuǎn)換元件31、32的側(cè)面上并且在相鄰的填充部和/或屏蔽部4之間存在縫隙。
[0053] 如在所有其它的實(shí)施例中也可行的是，在轉(zhuǎn)換元件31、32和/或光學(xué)的屏蔽部4 的背離載體6的側(cè)上存在未示出的保護(hù)層或者未示出的澆注件。
[0054] 在圖4至9中示出光電子半導(dǎo)體芯片1的另一實(shí)施例的示意圖。根據(jù)圖4和5,半 導(dǎo)體芯片1分別具有三個(gè)接觸部位7。接觸部位7中的一個(gè)成形為用于區(qū)段21、22的共同 的電極。相應(yīng)地，在所有其它的實(shí)施例中也能夠是這種情況。
[0055] 轉(zhuǎn)換元件31、32的面積比根據(jù)圖4為大約2:1并且根據(jù)圖5為大約1:2。轉(zhuǎn)換元 件31、32以及區(qū)段21、22在俯視圖中觀察分別成形為具有不同的面積的矩形。轉(zhuǎn)換元件 31、32的縱向方向垂直于接觸部位7的縱向方向取向。不同與此，在圖6中轉(zhuǎn)換元件31、32 以及接觸部位7的縱向方向彼此平行地伸展。
[0056] 根據(jù)圖7,在俯視圖中觀察，轉(zhuǎn)換元件31、32成形為具有不同的面積的直角三角 形。與在光學(xué)的屏蔽部4平行于半導(dǎo)體芯片1的邊棱取向的圖4至6中不同，光學(xué)的屏蔽 部4對(duì)角線地在半導(dǎo)體芯片1之上伸展。
[0057] 在根據(jù)圖8的實(shí)施例中，中央的第二轉(zhuǎn)換元件32安置在區(qū)段22上?？蛇x存在的 屏蔽部4框狀地圍繞第二轉(zhuǎn)換元件32。四個(gè)沿著半導(dǎo)體芯片1的邊棱安置的、縱向延伸的 第一轉(zhuǎn)換元件31圍繞第二轉(zhuǎn)換元件32安置，所述第一轉(zhuǎn)換元件基本上在四周?chē)@第二轉(zhuǎn) 換元件32。接觸部位7安置在半導(dǎo)體芯片1的四個(gè)角上。不同于所示出的而可行的是，接 觸部位7僅存在于三個(gè)角上。
[0058] 根據(jù)圖9,區(qū)段21、22分別相同地成形為規(guī)則的六邊形。在區(qū)段21中的兩個(gè)上安 置第一轉(zhuǎn)換元件31。區(qū)段22中的一個(gè)設(shè)有第二轉(zhuǎn)換元件32。
[0059]區(qū)段21連同第一轉(zhuǎn)換元件31優(yōu)選并聯(lián)地電連接，但是也能夠彼此不相關(guān)地單獨(dú) 操控?？尚械氖?，轉(zhuǎn)換元件31、32觸碰。不同于所示出的，這兩個(gè)轉(zhuǎn)換元件31也能夠一件 式地構(gòu)成。不同于所示出的，在根據(jù)圖9的實(shí)施例中存在光學(xué)的屏蔽部4。
[0060]在圖10中示出前照燈10的一個(gè)實(shí)施例的示意剖視圖。前照燈1〇具有光電子半 導(dǎo)體芯片1，特別是如結(jié)合圖1至9所圖解說(shuō)明的光電子半導(dǎo)體芯片。光導(dǎo)體形式的光學(xué)裝 置5設(shè)置在半導(dǎo)體芯片1的下游。光學(xué)裝置 5在所有的區(qū)段21、22之上延伸進(jìn)而也在所有 的轉(zhuǎn)換元件31、3 2之上延伸。光學(xué)裝置5設(shè)立為，不僅吸收和引導(dǎo)第一次級(jí)輻射而且接收 和引導(dǎo)第二次級(jí)輻射。為了簡(jiǎn)化圖10中的視圖，可能存在的其它光學(xué)組件未被示出。
[0061]在圖11B中示出CIE標(biāo)準(zhǔn)色圖（參見(jiàn)圖HA)的部分。第一次級(jí)輻射的色坐標(biāo) 優(yōu)選在包邊的區(qū)域中、g卩在如下四邊形中，所述四邊形通過(guò)四個(gè)具有坐標(biāo)（〇. 545 ;〇. 425)、 (〇· 5耵；0· 39〇)、（〇. 61〇 ;〇. 39〇)和（〇· 56〇 ;〇. 440)的色坐標(biāo)來(lái)展開(kāi)。
[0062]在此描述的本發(fā)明不通過(guò)根據(jù)實(shí)施例的描述而受到限制。更確切地說(shuō)，本發(fā)明包 括各個(gè)新的特征以及特征的各個(gè)組合，這尤其是包含權(quán)利要求中的特征的各個(gè)組合，即使 該特征或者該組合本身未明確地在權(quán)利要求或者實(shí)施例中給出時(shí)也是如此。
[0063]本申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)102012102301· 8的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)參引并入 本文。
【權(quán)利要求】
1. 一種光電子半導(dǎo)體芯片（1)，具有： _半導(dǎo)體層序列（2)，所述半導(dǎo)體層序列具有用于廣生具有小于500nm的主波長(zhǎng)的初級(jí) 輻射的至少一個(gè)有源層（20); -至少一個(gè)第一轉(zhuǎn)換元件（31)，所述第一轉(zhuǎn)換元件用于通過(guò)所述初級(jí)輻射的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換 產(chǎn)生第一次級(jí)輻射； -至少一個(gè)第二轉(zhuǎn)換元件C32)，所述第二轉(zhuǎn)換元件用于通過(guò)所述初級(jí)輻射的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換 產(chǎn)生第二次級(jí)輻射， 其中 -所述半導(dǎo)體層序列（2)被劃分為能夠彼此不相關(guān)地電操控的并且在橫向上相鄰地設(shè) 置的區(qū)段（21，22)， -所述轉(zhuǎn)換元件（31，32)安置在所述區(qū)段（21，22)的輻射主側(cè)（25)上，以及 -所述第一次級(jí)輻射是彩色光并且所述第二次級(jí)輻射是白光。
2. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體芯片（D， 其中在所述半導(dǎo)體層序列（20)的俯視圖中觀察，所述第一轉(zhuǎn)換元件和所述第二轉(zhuǎn)換 元件（31，32)的面積比在0.25和4之間，其中包括邊界值， 其中所述第一次級(jí)輻射是黃光和/或橙光，并且 其中所述區(qū)段（21，22)之間的所述平均間距（D)與所述轉(zhuǎn)換元件（31，32)之間的所述 平均間距（C)不同。
3. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體芯片（1)， 其中所述區(qū)段（21，22)之間的平均間距（D)與所屬的所述轉(zhuǎn)換元件（31，32)之間的平 均間距（C)相比更小。
4. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電子半導(dǎo)體芯片（1)， 其中所述轉(zhuǎn)換元件（31,32)相互不觸碰，并且相鄰的轉(zhuǎn)換元件（31，32)之間的平均間 距（C)為至多150 μ m。
5. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體芯片（1)， 其中所述區(qū)段（21，22)之間的所述平均間距（D)與所述轉(zhuǎn)換元件（31，32)之間的所述 平均間距（C)相比更小。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電子半導(dǎo)體芯片（1)， 其中至少在所述轉(zhuǎn)換元件（31，32)之間存在光學(xué)的屏蔽部（4)，所述屏蔽部對(duì)于所述 初級(jí)輻射以及對(duì)于所述第一次級(jí)輻射和所述第二次級(jí)輻射是輻射不可穿透的。
7. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光電子半導(dǎo)體芯片（1)， 其中所述屏蔽部（4)沿著遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體層序列（20)的方向至少伸展直至所述轉(zhuǎn)換 元件（31，32)的背離所述半導(dǎo)體層序列（20)的側(cè)面。
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電子半導(dǎo)體芯片（1)， 其中所述區(qū)段（21,22)在俯視圖中觀察是具有不同的面積的矩形或者三角形。
9. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電子半導(dǎo)體芯片（1)， 包括多個(gè)第一轉(zhuǎn)換元件（31)并且其中所述第一轉(zhuǎn)換元件（31)中的每一個(gè)設(shè)置在多個(gè) 所述區(qū)段（21)的下游，其中所述區(qū)段（21)在俯視圖中觀察相同地成形。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電子半導(dǎo)體芯片（1)， 其中在俯視圖中觀察，多個(gè)所述第一轉(zhuǎn)換元件（31)圍繞至少一個(gè)所述第二轉(zhuǎn)換元件 (32)設(shè)置。
11. 一種前照燈（10)，具有至少一個(gè)根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的光電子半導(dǎo) 體芯片（1)和至少一個(gè)光學(xué)裝置（ 5)， 其中至少一個(gè)所述光學(xué)裝置（5)設(shè)置在所述半導(dǎo)體芯片（1)的下游。
12. 根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的前照燈（10)， 其中所述光學(xué)裝置（5)包括光導(dǎo)體或者是光導(dǎo)體， 其中所述光導(dǎo)體設(shè)置在所有區(qū)段（21，22)共同的下游。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的前照燈（10)， 所述前照燈設(shè)置用于機(jī)動(dòng)車(chē)， 其中所述半導(dǎo)體芯片（1)是用于閃光器和用于日間行車(chē)燈的光源。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK104221150SQ201380015229
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2013年3月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月19日
【發(fā)明者】米夏埃爾·布蘭德?tīng)? 烏爾里希·弗雷 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司