處理模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種處理模塊，該處理模塊具有至少一個(gè)位于該處理模塊內(nèi)的可抽真空的處理室，以及至少一個(gè)水平穿過該處理模塊、能夠沿至少一個(gè)基片運(yùn)輸方向移動(dòng)的承載裝置，該承載裝置用于分別容納至少一個(gè)需要在該處理室內(nèi)進(jìn)行加工的面狀基片。本發(fā)明的目的在于，提出上述類型的處理模塊，該處理模塊使得能夠在大的生產(chǎn)速度下，以盡可能低的設(shè)備成本實(shí)現(xiàn)所有基片的均勻且高質(zhì)量的加工。該目的通過上述類型的處理模塊得以實(shí)現(xiàn)，其中該至少一個(gè)處理室能夠被承載裝置相對(duì)于該處理模塊以物理方式封閉，所述承載裝置的位置能夠在至少一個(gè)橫向于基片運(yùn)輸方向的關(guān)閉方向上進(jìn)行改變，其中該至少一個(gè)承載裝置構(gòu)成該至少一個(gè)處理室的底部。
【專利說明】處理模塊
[0001] 本發(fā)明涉及一種處理模塊，該處理模塊具有至少一個(gè)位于該處理模塊內(nèi)的、能夠 被抽真空的處理室、以及至少一個(gè)水平穿過該處理模塊、能夠在至少一個(gè)基片運(yùn)輸方向上 移動(dòng)的承載裝置，該承載裝置用于分別容納至少一個(gè)需要在該處理室內(nèi)進(jìn)行加工的面狀基 片。
[0002] 在大規(guī)模生產(chǎn)平面型產(chǎn)品（例如太陽能電池）時(shí)，大型的連續(xù)式設(shè)備被證明是有 效的。這種連續(xù)式設(shè)備例如有用于基片熱處理的連續(xù)式滾式爐、以及連續(xù)式涂覆設(shè)備，例如 在檔W0 2011/080659 A1中所公知的。在一這類設(shè)備中，多個(gè)基片（例如方形的太陽能電 池晶片）被置于承載裝置上，并隨后經(jīng)過具有多個(gè)處理模塊的模塊化結(jié)構(gòu)的設(shè)備，在這些 處理模塊中分別完成相應(yīng)的基片處理。構(gòu)造成本低廉的連續(xù)式設(shè)備的問題在于，滿足所生 產(chǎn)產(chǎn)品頻繁變化的要求。例如在基片的電漿處理過程中對(duì)氣體純度的更高要求就屬于這類 問題。
[0003] 電漿處理設(shè)備的高純度能夠在例如超高真空設(shè)備和高真空設(shè)備中實(shí)現(xiàn)。然而 在低廉產(chǎn)品的生產(chǎn)中由于成本原因而排除了這種昂貴的設(shè)備。平行板反應(yīng)器在文獻(xiàn) W02011/095846 A1中也是公知的，該平行板反應(yīng)器滿足了電漿輔助CVD沉積的高要求，而 電漿輔助CVD沉積的設(shè)備成本卻相對(duì)低廉。即便如此，仍然希望提高產(chǎn)品的質(zhì)量并降低生 產(chǎn)成本。
[0004] 因此本發(fā)明的目的在于，提出一種上述類型的處理模塊，該處理模塊使得在大的 生產(chǎn)速度下，能夠以盡可能低的設(shè)備成本均勻且高質(zhì)量地加工所有的基片。
[0005] 這個(gè)目的通過上述類型的處理模塊得以實(shí)現(xiàn)，其中該至少一個(gè)處理室能夠利用該 承載裝置相對(duì)該處理模塊以物理方式閉合，所述承載裝置的位置能夠在至少一個(gè)橫向于基 片運(yùn)輸方向的關(guān)閉方向上進(jìn)行改變，其中該至少一個(gè)承載裝置形成該至少一個(gè)處理室的底 部。
[0006] 該處理模塊是根據(jù)腔室嵌套腔室的原理（Kammer-in-Kammer-Prinzip)構(gòu)建的。 其中，該處理模塊設(shè)有外腔室，在該外腔室內(nèi)，該處理室被構(gòu)建為內(nèi)腔室。該處理室在此能 夠固定在該處理模塊的腔室蓋上和/或借助特殊的承載元件從底部承載。在一些情況下， 該處理室也能夠固定在該處理模塊的中間蓋板或隔板和/或側(cè)壁上。固定變型的方式方法 主要受該處理室和/或該處理模塊的技術(shù)要求和工藝要求的影響來確定。
[0007] 與單個(gè)腔室相比，通過這種構(gòu)造實(shí)現(xiàn)該處理區(qū)域與外界氣體環(huán)境或與例如在處理 模塊內(nèi)部的基片運(yùn)輸中所需的輔助裝置間的更好的分離。通過這種方式，還能夠降低處理 室內(nèi)的雜質(zhì)氣體的濃度，并改善處理室的溫度調(diào)節(jié)的精度。由于電漿加工處理（例如電漿 輔助的化學(xué)氣相沉積）是依賴于溫度的，因此溫度調(diào)節(jié)精度的提高也導(dǎo)致基片處理均勻性 方面的質(zhì)量提高。另一優(yōu)點(diǎn)在于，能夠?qū)⒂糜诨幚淼闹苯拥奶幚韰^(qū)域限定為，使得在電 漿啟動(dòng)時(shí)能夠更確定且更短地來完成主要依賴于氣體交換的瞬態(tài)過程。
[0008] 在根據(jù)本發(fā)明的處理模塊中，特別簡(jiǎn)單并且相應(yīng)節(jié)約成本地實(shí)現(xiàn)該處理室的方式 為，使得承載裝置構(gòu)成該處理室的底部。其中，原本存在的承載裝置同時(shí)構(gòu)成該處理室的底 部和關(guān)閉裝置。其中只有承載裝置的至少設(shè)置有一個(gè)基片的側(cè)面在該處理室內(nèi)。該承載裝 置的其它的組件位于該處理室的外部。因此能夠使該處理室的內(nèi)部體積最小化，從而減小 抽氣時(shí)間、清洗時(shí)間、以及通氣時(shí)間，由此能夠節(jié)省成本。
[0009] 在此，該處理模塊內(nèi)還能夠布置多個(gè)處理室。例如，正如將在下文進(jìn)一步闡述的， 能夠存在兩個(gè)處理室，這兩個(gè)處理室的底部由兩個(gè)承載裝置形成。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明，該承載裝置能夠在該處理模塊內(nèi)水平移動(dòng)。該處理模塊在此能夠構(gòu) 建為例如連續(xù)式設(shè)備的模塊。在這種情況下只存在一個(gè)基片運(yùn)輸方向，即穿過該連續(xù)式設(shè) 備的連續(xù)運(yùn)行方向。在另一設(shè)計(jì)中，該處理模塊還能夠是末端模塊，該末端模塊僅具有用于 運(yùn)入或運(yùn)出至少一個(gè)承載裝置的開口。在這種情況下，存在兩種基片運(yùn)輸方向，進(jìn)入方向和 與其反向的退出方向。
[0011] 根據(jù)所采用的運(yùn)輸系統(tǒng)，該基片運(yùn)輸方向可以是一維移動(dòng)方向或也可以是彎曲的 移動(dòng)方向。該承載裝置在基片運(yùn)輸方向上的移動(dòng)尚不還不能導(dǎo)致該處理室的關(guān)閉。為了關(guān) 閉該處理室，該承載裝置沿關(guān)閉方向朝該處理室的不移動(dòng)部分的方向移動(dòng)。通常該關(guān)閉方 向?yàn)橄蛏系膱?jiān)直移動(dòng)，但該關(guān)閉方向也可以是與堅(jiān)直方向成一角度的移動(dòng)。在任何情況下， 該關(guān)閉方向不與該基片運(yùn)輸方向一致，而是橫向于基片運(yùn)輸方向，即與之成大角度的方向。 通過承載裝置朝向該關(guān)閉方向的移動(dòng)，能夠使該處理室關(guān)閉。通過承載裝置與關(guān)閉方向相 反的移動(dòng)，能夠使該處理室對(duì)應(yīng)地再次打開或使該承載裝置與該處理室之間的距離增大。 處理室內(nèi)的處理通常在處理室關(guān)閉的條件下進(jìn)行，然而也能夠設(shè)定為在處理室打開的條件 下處理。
[0012] 在根據(jù)本發(fā)明之處理模塊的優(yōu)選的設(shè)計(jì)中，該至少一個(gè)承載裝置是導(dǎo)電的或具有 至少一個(gè)導(dǎo)電的表面。因此，該承載裝置能夠形成電極，該電極與該電漿耦合，并且影響載 流子從電漿中沿承載裝置的方向進(jìn)行的移動(dòng)。為了形成包含該電漿與該承載裝置的電路， 該承載裝置必須是導(dǎo)電的。
[0013] 該承載裝置的表面必須在該處理室內(nèi)，并且由與適用于該處理的材料制成。也就 是說，該承載裝置不允許被處理室內(nèi)進(jìn)行的處理損壞，并且不允許從該承載裝置向該處理 室內(nèi)釋放雜質(zhì)。例如，當(dāng)在處理室內(nèi)交替地進(jìn)行氮化硅的CVD-沉積和采用含氯和/或含氟 清潔氣體的腔室清潔時(shí)，可以考慮將鋁作為與適用于該處理的材料。在鋁和氮化硅之間存 在良好的粘附，因此不用擔(dān)心剝落脫落所導(dǎo)致的過早的顆粒形成。此外，鋁在不同的刻蝕氣 體中是穩(wěn)定的，因此在清潔處理中不會(huì)出現(xiàn)承載裝置的不明確的腐蝕。在其它處理中，為達(dá) 到處理兼容性而需要其它的材料性質(zhì)。例如，對(duì)于氧氣電漿處理工藝要求可氧化性，或?qū)τ?高溫處理工藝要求熱穩(wěn)定性。
[0014] 對(duì)應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的優(yōu)選結(jié)構(gòu)中，用于氣態(tài)、液態(tài)、和/或電介質(zhì) 的該處理室的連接部設(shè)置于該處理模塊的頂部和/或至少一個(gè)側(cè)壁上。該處理室內(nèi)的處理 通常需要特定的氣體環(huán)境。為了創(chuàng)造這種特定的氣體環(huán)境必須導(dǎo)入特定的氣體。其它氣體， 例如化學(xué)氣相反應(yīng)的反應(yīng)產(chǎn)物必須從處理室中被抽出。此外,偶爾向處理室內(nèi)引入流體介 質(zhì)，例如冷卻水。此外為了生成電漿，還必須向該處理室內(nèi)引入電能。用于各個(gè)介質(zhì)的不同 連接部?jī)?yōu)選地實(shí)現(xiàn)于該處理室的不移動(dòng)的部分中，即該處理室的頂部或至少一個(gè)側(cè)壁內(nèi)。 不移動(dòng)的連接部通常比移動(dòng)的連接部更簡(jiǎn)單且更可靠。該連接部可布置于該處理室的壁內(nèi) 或分布式布置于多個(gè)壁上。
[0015] 基片的處理主要在處理室內(nèi)進(jìn)行。因此，僅僅是該能夠被抽真空的處理室設(shè)有泵 接頭。在這種情況下，在該處理模塊中，該處理室周圍的外部空間利用該處理室的泵接頭或 者利用該處理模塊的相鄰模塊的泵接頭進(jìn)行清潔。在該處理模塊的更有利的擴(kuò)展結(jié)構(gòu)中， 該處理模塊具有自身的泵接頭，使得該處理模塊能夠相對(duì)于處理室獨(dú)立地抽氣，例如以便 減少雜質(zhì)。此外有利的是，該處理模塊也具有自身的氣體入口。
[0016] 在根據(jù)本發(fā)明之的處理模塊的優(yōu)選實(shí)施例中，該處理模塊至少具有一個(gè)溫度控制 元件，用于控制該處理室的頂部和/或至少一個(gè)側(cè)壁的溫度，其中該溫度控制元件為加熱 裝置和/或冷卻裝置。若不僅是基片而是整個(gè)處理室的溫度需要進(jìn)行控制，則在處理過程 中能夠特別可靠地調(diào)節(jié)溫度。根據(jù)所采用的處理溫度，可采用不同的溫度控制元件。在需 要高的溫度時(shí)，該溫度控制模塊通常被構(gòu)建為加熱裝置。例如該加熱裝置可以是電阻加熱 器或加 熱燈。然而例如在處理溫度低時(shí)也可能需要的是，冷卻該處理室或在冷卻和加熱之 間調(diào)節(jié)溫度。對(duì)于這種目的，可以采用由冷卻裝置和加熱裝置的組合所構(gòu)成的、或具有可調(diào) 節(jié)的溫度的溫度控制元件。例如可利用受溫度調(diào)節(jié)的液體來實(shí)現(xiàn)溫度調(diào)節(jié)。
[0017] 在另一根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的實(shí)施方案中，該至少一個(gè)處理室具有至少一個(gè)用 于該承載裝置的HF適用的連接部或觸點(diǎn)。當(dāng)采用承載裝置作為該HF電漿的電極時(shí)，該承 載裝置必須安裝到HF電路中。對(duì)于HF電流的導(dǎo)電體存在不同于直流電流導(dǎo)體的要求。因 此，為了實(shí)現(xiàn)該承載裝置的電連接，設(shè)有用于該承載裝置的連接部或觸點(diǎn)。對(duì)于觸點(diǎn)，該電 連接僅通過對(duì)承載裝置的擠觸壓形成；對(duì)于連接部，該電連接借助一個(gè)機(jī)構(gòu)形成。這種連接 部或觸點(diǎn)優(yōu)選的是該處理室的部件。在可選的設(shè)計(jì)中，該連接部或觸點(diǎn)也可以至少部分地 為該承載裝置和/或該處理模塊的部件。
[0018] 該HF適用的連接部或連接通常為接地連接部。也就是說，該承載裝置利用該連接 部或觸點(diǎn)與大地連接，使得HF電流能流向大地。可選地，該連接部或觸點(diǎn)也可以是與大地 隔絕的，使得該承載裝置具有與接地電勢(shì)不同的電勢(shì)，或被施以交流電壓。施加交流電壓能 夠?qū)崿F(xiàn)不同的目的。在一個(gè)例子中，為了在處理室內(nèi)生成電漿，可偶聯(lián)HF功率。在另一實(shí) 施例中，該承載裝置能夠被施以電壓，以去除由其它方式生成的電漿的離子。然而向承載裝 置施加不同于接地電勢(shì)的電勢(shì)是非常費(fèi)力的，因?yàn)楸仨氃跇?gòu)造上利用合適的隔離器來避免 在處理室外以及在處理室的邊緣區(qū)域上的電漿點(diǎn)燃。該HF觸點(diǎn)既可以構(gòu)建為實(shí)體、機(jī)械的 觸點(diǎn)，也可以構(gòu)建為電容式觸點(diǎn)。例如，電容式觸點(diǎn)可以由平行于承載裝置布置的電極板形 成。
[0019] 根據(jù)一優(yōu)選的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，根據(jù)本發(fā)明的處理模塊具有用于將該承載裝置運(yùn)入該處 理室和/或?qū)⒃摮休d裝置運(yùn)出該處理室的運(yùn)輸系統(tǒng)，其中該運(yùn)入和/或運(yùn)出發(fā)生在平行于 該處理室的水平延伸的運(yùn)輸平面上。特別是在機(jī)械方面來講較大型的承載裝置的加工中可 以采用根據(jù)本發(fā)明的處理模塊。如應(yīng)用于小且輕的基片的機(jī)械臂的運(yùn)輸裝置不適用于移動(dòng) 大且重的基片和承載裝置。相反在承載裝置的運(yùn)輸上運(yùn)輸系統(tǒng)是有利的，該運(yùn)輸系統(tǒng)還在 處理模塊內(nèi)確保對(duì)該承載裝置的支撐。其中，所采用的運(yùn)輸系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)加載有基片的承載裝 置的直到該處理室的水平移動(dòng)，以及在加工后離開該處理室。在連續(xù)式設(shè)備中，該承載裝置 的移動(dòng)方向?yàn)樵撨B續(xù)運(yùn)行方向；在其它設(shè)備中，離開的運(yùn)輸方向可與進(jìn)入的運(yùn)輸方向相反。
[0020] 在根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的特別合適的設(shè)計(jì)中，該運(yùn)輸系統(tǒng)具有多個(gè)運(yùn)輸輥和/ 或線性馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。利用運(yùn)輸輥與線性馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)對(duì)承載裝置的有規(guī)律的或連續(xù)的支 撐，以避免出現(xiàn)該承載裝置的下垂（Durchhangcn )或變形。因此，能夠緊湊地構(gòu)建該處理 模塊，并且無需為下垂的運(yùn)輸裝置提供空間。然而該運(yùn)輸系統(tǒng)并非必須具有運(yùn)輸輥或線性 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器，其它的運(yùn)輸系統(tǒng)的設(shè)計(jì)也是可能的，例如被支撐的運(yùn)輸臂。
[0021] 特別有利的是，根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的運(yùn)輸系統(tǒng)的所有驅(qū)動(dòng)部件均位于該處理 室的外部。在這一設(shè)計(jì)中，能夠構(gòu)建特別平整的處理室，并且該運(yùn)輸系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)部件不會(huì)受 到處理室內(nèi)的處理的負(fù)荷。
[0022] 在根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的優(yōu)選的設(shè)計(jì)中，該處理模塊具有用于提升位于處理平 面中的承載裝置以及降低位于運(yùn)輸平面中的承載裝置的升降系統(tǒng)，其中位于處理平面中的 承載裝置設(shè)置為該處理室的底部。在此設(shè)計(jì)中，該承載裝置的運(yùn)輸機(jī)構(gòu)與該處理室的關(guān)閉 機(jī)構(gòu)是分離的。在運(yùn)輸平面中，該承載裝置的簡(jiǎn)單的運(yùn)輸是可能的，其中，因?yàn)樘幚砟K與 承載裝置之間有足夠大的距離，所以無需進(jìn)行機(jī)械調(diào)節(jié)。處理室的關(guān)閉借助升降系統(tǒng)來實(shí) 現(xiàn)，該升降系統(tǒng)將該承載裝置壓向該處理室的不移動(dòng)的部分，從而使該承載裝置形成該關(guān) 閉的處理室的底部。該升降系統(tǒng)主要進(jìn)行垂直的升降移動(dòng)，在該升降移動(dòng)中，該承載裝置被 壓向密封面。通過這種方式實(shí)現(xiàn)該處理室的良好的密封。首先，該處理室的運(yùn)行狀態(tài)為關(guān) 閉狀態(tài)，此時(shí)該承載裝置位于該處理平面中。然而該升降系統(tǒng)也允許將該承載裝置下降至 位于處理平面下方的平面。在這個(gè)平面內(nèi)也能夠進(jìn)行處理，例如清潔處理。作為替代，該處 理模塊卻也能夠不采用升降系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)，其中該處理室的關(guān)閉利用另一機(jī)構(gòu)（例如一合適 的平面）實(shí)現(xiàn)。
[0023] 在這種根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的優(yōu)選的改進(jìn)中，該升降系統(tǒng)具有至少一個(gè)加熱板 或輻射加熱器。該基片應(yīng)該在處理室中具有給定的溫度。該升降系統(tǒng)布置為在空間上靠近 該承載裝置上放置的基片并從而適合基片加熱的位置。在基片附近布置的加熱板或輻射加 熱器適于基片溫度的調(diào)節(jié)或保持恒定，該加熱板或輻射加熱器為基片提供保持基片溫度恒 定所需的熱量。優(yōu)選的是，該基片已被預(yù)調(diào)溫并以升高的溫度被運(yùn)輸，因此該加熱板或輻射 加熱器只需補(bǔ)充從基片散發(fā)或輻射的熱量。
[0024] 在抽真空的處理模塊中，該加熱板與該承載裝置之間的良好的熱接觸能夠通過例 如接觸稱合（StoPankopplung)實(shí)現(xiàn)，其中熱傳遞借助氣體微粒完成。在該碰撞連接中，通 過布置加熱板和承載裝置或者還借助加熱板和/或承載裝置的特定的輪廓或表面粗糙度， 在加熱板與承載裝置之間形成一間隙，其中該加熱板與該承載裝置之間的平均距離約為在 該間隙中的氣體微粒的平均自由程。在這樣的間隙中，該氣體微粒在進(jìn)行其熱運(yùn)動(dòng)時(shí)，很少 相互接觸，而主要與該承載裝置和該加熱板接觸，從而使得利用氣體的有效熱傳遞成為可 能。在一個(gè)實(shí)施例中，加熱板與承載裝置之間的平均距離或間隙寬度設(shè)為約50μπι，其中間 隙中的與氣體類型相關(guān)的壓力最佳可為2…20mbar。例如在處理模塊中原本存在的氣體， 如氦氣或氫氣，可用作接觸耦合的氣體。為使所用氣體最少化，用密封件限制該間隙。這種 良好的熱傳遞對(duì)于承載裝置的精確溫度控制是有利的，因此對(duì)基片的精確溫度控制也是有 利的。其中，該加熱板不僅能夠用作熱量來源。該加熱板還能夠至少部分地用作冷卻板，其 中載有基片的承載裝置中被額外引入的熱量能夠被散發(fā)出去。
[0025] 在介于至少一個(gè)基片與該承載裝置之間的處理室內(nèi)，也能夠采用類似的進(jìn)行方 式，以在那里實(shí)現(xiàn)改善的熱偶合。因此，例如，該承載裝置的上側(cè)可設(shè)置特定的粗糙度。
[0026] 在根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的的特別有利的設(shè)計(jì)中，該加熱板或該輻射加熱器是可 升降的。該可升降的加熱板或輻射加熱器可與該承載裝置的升降運(yùn)動(dòng)聯(lián)接，從而使得即使 在該承載裝置提升時(shí)也可以進(jìn)行保持不變的加熱。
[0027] 在另一實(shí)施變型中，該升降系統(tǒng)具有導(dǎo)熱性很小的絕熱塊，其中該絕熱塊上設(shè)有 該承載裝置的支撐部。利用該絕熱塊的很小的導(dǎo)熱性實(shí)現(xiàn)承載裝置與升降系統(tǒng)間的少量熱 傳遞，該升降系統(tǒng)可保持該承載裝置的對(duì)機(jī)械強(qiáng)度來說有利的低溫。即使缺少加熱板的支 持，例如利用采用輻射加熱器也可確保該承載裝置的均勻的溫度。
[0028] 在根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的一種優(yōu)選設(shè)計(jì)中，該升降系統(tǒng)具有從側(cè)面容納該承載 裝置的升降框架。該基片有規(guī)律地位于該承載裝置的中心處，且該承載裝置的邊緣區(qū)域被 用作密封區(qū)域，以密封該處理室。因此在該承載裝置的邊緣區(qū)域處對(duì)恒定溫度的要求很小， 從而能夠在該承載裝置的邊緣區(qū)域特別合適地施加用于密封該處理室的機(jī)械力。利用從側(cè) 面容納該承載裝置的升降框架，能夠向該密封面直接傳遞壓力，并且通過該升降框架的導(dǎo) 熱而幾乎不影響該基片溫度。
[0029] 在本發(fā)明的一個(gè)有利的改進(jìn)中，具有平面型的支撐面的絕熱壓力件形成該升降框 架的支撐部。通過絕熱體傳遞微小的熱量，從而使得該承載裝置的溫度因絕熱的升降框架 而受到很小的影響。通過將該升降框架構(gòu)造為具有平面型的支撐面的壓力件，提升力和關(guān) 閉力被均勻地并且大面積地傳遞到該承載裝置上，從而使得該承載裝置自身可以相對(duì)輕且 廉價(jià)地構(gòu)造。
[0030] 如上文已經(jīng)闡述的，如果根據(jù)本發(fā)明的處理室至少具有一個(gè)密封件，則是有利的， 其中設(shè)定成，為密封該處理室，該承載裝置被壓向該密封件。在另一些實(shí)施方案中，該密封 件也能夠被設(shè)置在該承載裝置上。利用該密封件實(shí)現(xiàn)處理室的內(nèi)部與外部的處理模塊間的 良好的分離，從而使處理室的內(nèi)部達(dá)到高度的清潔度，其中來自處理室的氣體（例如為有 毒的）不會(huì)在處理室關(guān)閉時(shí)泄露到該處理模塊內(nèi)的包圍該處理室的區(qū)域。根據(jù)在處理室內(nèi) 進(jìn)行的處理以及該處理模塊的結(jié)構(gòu)，該處理室的關(guān)閉卻也可以不設(shè)密封件。其中，該處理室 內(nèi)的高清潔度可利用例如從內(nèi)向外的氣體流動(dòng)來實(shí)現(xiàn)，其中，該氣體的流速大于外來氣體 從外向內(nèi)的擴(kuò)散速度。
[0031] 在另一有利的結(jié)構(gòu)中，根據(jù)本發(fā)明的處理模塊至少具有一個(gè)支撐輥?zhàn)鳛閷?duì)該承載 裝置的支撐部。由于該承載裝置的根據(jù)本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)的大的力學(xué)尺度，該承載裝置可能容 易發(fā)生機(jī)械彎曲。出現(xiàn)的力能夠被支撐件分?jǐn)?，其中彎曲隨分?jǐn)偟牧Τ杀壤販p小。有利 的是將該支撐件構(gòu)造為支撐輥，該支撐輥可被以具有小摩擦和小磨損的方式進(jìn)行操作。然 而該承載裝置的平面性并非只能通過支撐得到保障，還存在其它可能性。例如，該承載裝置 可為凸形的突起部，并利用施加于抽真空的處理室的外界壓力而被壓平。
[0032] 當(dāng)可以用氣體填充該處理模塊的至少一個(gè)包圍該處理室的區(qū)域或與該處理室鄰 接的區(qū)域時(shí)，是特別有利的。通過向該處理模塊填充氣體能夠在該處理模塊內(nèi)創(chuàng)建所希望 的氣體環(huán)境。其中，該氣體既可以是惰性氣體也可以是具有氧化性或還原性作用的氣體。該 氣體在處理模塊內(nèi)可以是靜止的或流動(dòng)的。其中該處理模塊可為真空室。但該處理模塊也 可以是氣體環(huán)境壓驅(qū)動(dòng)的真空室。該處理模塊還可以是不能被抽真空的、由氣體環(huán)境壓驅(qū) 動(dòng)的腔室。這類不能被抽真空的腔室能夠特別廉價(jià)地生產(chǎn)。
[0033] 在一種改進(jìn)中，根據(jù)本發(fā)明的處理模塊具有至少一個(gè)能夠被抽真空的、包圍該處 理室的隔離室，其中該隔離室具有至少一個(gè)隔離室門。在本發(fā)明的這一設(shè)計(jì)中，三個(gè)腔室相 互嵌套。內(nèi)部設(shè)有處理室，該處理室被該隔離室包圍，且該隔離室被該處理模塊包圍。與 雙重嵌套相比，通過這種三重嵌套能夠使處理室與環(huán)境之間具有更好的熱隔絕以及化學(xué)隔 絕。例如當(dāng)由于處理有劇毒的物質(zhì)而存在更高的安全要求時(shí)或者當(dāng)對(duì)溫度一致性的要求特 別高時(shí)，這種昂貴的且高度發(fā)展的腔室則是有意義的。該隔離室也能夠被設(shè)置為用于將打 開操作的處理室與該處理模塊分離。例如在進(jìn)行清洗處理時(shí)，該處理室的打開操作狀態(tài)是 有意義的，該清洗處理還應(yīng)該清洗該承載裝置的邊緣。
[0034] 根據(jù)另一構(gòu)造，，根據(jù)本發(fā)明的處理模塊具有至少一個(gè)可抽真空的、鄰接該處理室 的隔離空間。利用該隔離空間能夠有針對(duì)性地滿足所提出的要求。例如能夠利用與該處理 室的頂部鄰接的隔離空間來實(shí)現(xiàn)該處理室的頂部的良好的熱隔離和/或?qū)崿F(xiàn)該處理室內(nèi) 溫度的均勻水平分布。在這種情況下，不同于采用隔離室的情況，在該處理室的側(cè)壁上不存 在熱隔絕。在另一實(shí)施例中，真空被設(shè)置為用于位于隔離空間中的HF分配器的電隔離器。 該隔離室的任務(wù)還在于，在處理室與處理模塊之間附加地建立化學(xué)方面的限制。在這種情 況下，該隔離空間為附加的、密封該處理室的空間，例如這種隔離空間能夠被構(gòu)造成介于兩 個(gè)密封件之間的差異性泵送的中間空間。
[0035] 在根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的優(yōu)選的設(shè)計(jì)中，該處理室由鋁或鋁合金制成，或內(nèi)部 由鋁或鋁合金包覆。鋁具有一系列有利的性質(zhì)。例如，鋁具有很小的密度，從而使得由鋁制 成的承載裝置的重量輕。此外，鋁具有良好的導(dǎo)電及導(dǎo)熱性能。鋁的表面形成化學(xué)上穩(wěn)定 的且在機(jī)械方面來講較薄的氧化鋁層。實(shí)踐證明，鋁在清洗處理中是穩(wěn)定的，其中可采用蝕 刻氣體例如NF3、SF6、或含氯蝕刻氣體、或氟氯烴。此外，鋁與半導(dǎo)體，例如硅的接觸與例如 銅對(duì)半導(dǎo)體的污染相比是更沒有問題的。在使用鋁合金時(shí)，除了鋁的有利性質(zhì)外還利用了 有利的合金性質(zhì)。
[0036] 根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的另一種設(shè)計(jì)，設(shè)置有至少兩個(gè)堅(jiān)直疊置的處理室。通過 在同一處理模塊內(nèi)設(shè)置兩個(gè)處理室能使生產(chǎn)能力達(dá)到近兩倍。然而由于兩個(gè)處理室共用相 同的處理模塊，設(shè)備成本以及運(yùn)行成本相對(duì)于生產(chǎn)率的提高幅度來說是較小的。因此，例如 能夠存在共同的泵裝置，或也能夠共同使用用于向多個(gè)處理室分配介質(zhì)的裝置。
[0037] 在一個(gè)變型中，這種根據(jù)本發(fā)明的特殊的處理模塊具有用于將該承載裝置至少在 兩個(gè)運(yùn)輸平面上堅(jiān)直運(yùn)輸?shù)纳灯?。該升降器能夠在彼此疊置的處理室與運(yùn)輸平面之間移 動(dòng)承載裝置，從而在處理模塊內(nèi)實(shí)現(xiàn)特殊的生產(chǎn)過程。其中，能夠驅(qū)動(dòng)具有相同處理的兩個(gè) 或多個(gè)處理室，在此過程中，借助升降器來確保使用所有處理室的邏輯順序。然而該處理室 也能夠進(jìn)行不同的依次形成的處理，其中可以采用該升降器來實(shí)現(xiàn)所希望的處理順序。
[0038] 在根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，該處理室為電楽室，該電楽室 具有用作第一 HF電極的氣體噴頭，其中該氣體噴頭與該承載裝置形成平行板裝置。平行板 反應(yīng)器為被認(rèn)可的機(jī)器，在平行板反應(yīng)器中達(dá)到高質(zhì)量的處理結(jié)果。這種類型的平行板反 應(yīng)器優(yōu)選利用介于10kHz與約100MHz之間的激發(fā)頻率或混合的激發(fā)頻率來驅(qū)動(dòng)。根據(jù)具 體的HF電極的尺寸，可設(shè)置多個(gè)用于供應(yīng)HF功率或氣體的連接部。由此，例如特別是在高 的激發(fā)頻率下，實(shí)現(xiàn)電流在電極上的均勻的分布。其中，激發(fā)頻率既可以是按時(shí)間脈沖式觸 發(fā)的，也可以是連續(xù)提供的。但利用脈沖觸發(fā)的直流電壓的電漿觸發(fā)也可以是有利的。在 大多數(shù)情況下，通過使用電漿，通常也可以在較低溫度下加工，而實(shí)現(xiàn)高的處理速度。該處 理室并非必須是平行板裝置，在處理室內(nèi)還可以采用例如線性微波電漿源的陣列布置。該 處理室還可以構(gòu)造為用于無需電漿的處理?？赡艿臒o需電漿的處理例如為催化沉積、"低壓 CVD (LPCVD) "處理、"原子層沉積（ALD) "處理、以及熱處理。
[0039] 對(duì)應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的可選的構(gòu)造，該處理室為電漿室，該電漿室具有 多個(gè)電漿源的布置。存在很多在電漿室內(nèi)生成電漿的可能性，該可能性具有特定的優(yōu)點(diǎn)及 缺點(diǎn)。在一些類型的電漿室中，在處理室內(nèi)只設(shè)置有一個(gè)電漿源，例如被構(gòu)造為平行板裝 置。在其它類型的處理室中，也可以使用多個(gè)電漿源來生成局部作用的電漿區(qū)域或大面積 作用的電漿。該電漿源例如可以為微波電漿，該微波電漿以高載流子密度以及高沉積率為 特征。
[0040] 根據(jù)一種設(shè)計(jì)，根據(jù)本發(fā)明的處理模塊至少具有設(shè)置于處理室內(nèi)或處理室處的磁 場(chǎng)裝置，其中該磁場(chǎng)裝置被構(gòu)造為固定的或可移動(dòng)的。利用額外的磁體裝置，該磁體裝置的 磁場(chǎng)被限定地穿過處理室的壁部和/或穿過該承載裝置而作用，能夠?qū)﹄姖{形成造成有利 影響，并從而達(dá)到對(duì)例如加工均勻性、加工質(zhì)量、和/或加工速度的有利影響。該磁體裝置 既可以固定地布置，又可以以限定的方式沿著該處理室的邊界壁和/或承載裝置移動(dòng)。在 另一實(shí)施變型中，還可以在處理室內(nèi)部設(shè)置限定的磁體裝置。磁體裝置既可以是永磁體系 統(tǒng)，也可以是具有或不具有極靴裝置的電線圈系統(tǒng)。
[0041] 在另一優(yōu)選的實(shí)施例中，根據(jù)本發(fā)明的處理模塊具有至少一個(gè)模塊接口，該模塊 接口具有用于將該處理模塊接入基片加工設(shè)備的模塊門。在一生產(chǎn)環(huán)境中，基片加工設(shè)備 除了處理模塊外通常還具有其它部件，例如鎖定模塊、其它處理模塊和測(cè)量模塊。因此需要 模塊接口來將該基片加工設(shè)備與該處理模塊相連。該模塊接口應(yīng)盡可能為標(biāo)準(zhǔn)化的接口， 該標(biāo)準(zhǔn)化的接口允許基片加工設(shè)備的、由不同部件構(gòu)成的靈活的結(jié)構(gòu)。該模塊接口優(yōu)選還 具有模塊門，該模塊門能夠被打開和關(guān)閉。利用關(guān)閉的模塊門將該處理模塊及其中包含的 氣體環(huán)境與其余的基片加工設(shè)備分離，從而使基片加工設(shè)備中的雜質(zhì)遠(yuǎn)離該處理模塊。在 模塊門打開的狀態(tài)下，能夠利用模塊門進(jìn)行該承載裝置在基片加工設(shè)備與處理模塊間的運(yùn) 輸。
[0042] 以下將根據(jù)附圖詳細(xì)解釋本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式及其構(gòu)造、功能和優(yōu)點(diǎn)，其中：
[0043] 圖1以沿基片運(yùn)輸方向的堅(jiān)向剖視圖示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的 一種實(shí)施方式；
[0044] 圖2以橫向于基片運(yùn)輸方向的堅(jiān)向剖視圖示意性地示出了圖1的處理模塊；
[0045] 圖3示意性示出根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的另一實(shí)施方式，該處理模塊具有兩個(gè)彼 此堅(jiān)直疊置的處理室；
[0046] 圖4示意性示出根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的下一個(gè)實(shí)施方式，該處理模塊具有封閉 于隔離室中的處理室；
[0047] 圖5示意性示出圖4的處理模塊的加載順序；
[0048] 圖6示意性示出根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的另一實(shí)施例，該處理模塊具有兩個(gè)堅(jiān)直 疊置的、具有側(cè)面的介質(zhì)連接部的處理室；
[0049] 圖7以在基片運(yùn)輸方向上的堅(jiān)向剖視圖示意性地示出了具有兩個(gè)由隔離室包圍 的處理室和升降系統(tǒng)的圖6的處理模塊；以及
[0050] 圖8示意性示出根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的另一種結(jié)構(gòu)，該處理模塊在處理室上方 和下方具有隔離室。
[0051] 圖1以沿基片運(yùn)輸方向的堅(jiān)向剖視圖示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的處理模塊的 一種實(shí)施方式。處理室2位于該處理模塊1內(nèi)。承載裝置3用作該處理室2的底部，基片4 平放在該承載裝置3上。在圖1中示例性地示出的處理室2為平行板反應(yīng)器，用于在基片 4上涂覆電漿輔助沉積層。
[0052] 該層沉積的氣態(tài)原料在處理室2中通過氣體連接組件5被引導(dǎo)至氣體噴淋器31 中。該氣體噴淋器31用作該平行板反應(yīng)器中的第一 HF電極。帶有基片4的承載裝置3為 該平行板反應(yīng)器的第二電極，該第二電極與該氣體噴淋器31平行地取向。
[0053] 由此，HF電功率能夠從該氣體噴淋器31經(jīng)由該承載裝置3流動(dòng)，則需要該承載裝 置3與該HF電路之間的電連接。在圖1所示的實(shí)施例中，這種電連接利用一 HF所適用的 觸點(diǎn)6形成，該觸點(diǎn)6在所示的實(shí)施例中為接地觸點(diǎn)。除HF適用的觸點(diǎn)6外，布置有密封 件7,在承載裝置3被提升時(shí)，該密封件7將處理室2相對(duì)于處理模塊1密封。
[0054] 在圖1中，該承載裝置3位于運(yùn)輸平面內(nèi)，且能夠利用運(yùn)輸系統(tǒng)8在基片運(yùn)輸方向 上移動(dòng)。在所示實(shí)施例中，該運(yùn)輸系統(tǒng)8為輥運(yùn)輸系統(tǒng)，該輥運(yùn)輸系統(tǒng)具有運(yùn)輸輥9。該運(yùn) 輸系統(tǒng)8在此僅用于將該承載裝置3運(yùn)入該運(yùn)輸模塊1中以及從該運(yùn)輸模塊1中運(yùn)出，而 并不用于關(guān)閉該處理室2。
[0055] 采用升降系統(tǒng)10將該處理室2與該承載裝置3關(guān)閉。為此，該承載裝置3布置于 該處理室2的下方中心處。接下來，該承載裝置3被該升降系統(tǒng)10提升，其中該承載裝置 3放置于升降框架12上。在升降框架12內(nèi)，布置有加熱板11，該加熱板11加熱該承載裝 置3以及平放于其上的基片4,并從而將溫度控制為希望的處理溫度。
[0056] 為了在處理模塊1中支撐處理室12,支撐部14用于該處理室2。該處理模塊1被 設(shè)置為基片加工設(shè)備的模塊，該模塊利用模塊接口與基片加工設(shè)備連接。在每個(gè)模塊接口 上設(shè)有可關(guān)閉的模塊門13,以將處理模塊1與該基片加工設(shè)備分離。在所示的實(shí)施例中存 在兩個(gè)基片門13,從而使得該承載裝置3可以通過一個(gè)模塊門13進(jìn)入該處理模塊1中，并 可以通過另一模塊門13從該處理模塊1中出來。
[0057] 圖2示意性示出了圖1的處理模塊1在橫向于基片運(yùn)輸方向上的堅(jiān)向剖視圖。上 文中已經(jīng)借助圖1描述了處理模塊1的若干組件。在圖2中能夠看出，該運(yùn)輸輥9在本發(fā) 明中為具有用于該承載裝置3的側(cè)向?qū)к壍谋馄捷仭Ｔ摮休d裝置3在圖2中在運(yùn)輸平面中 示出，其中該承載裝置3在中間處被一個(gè)支撐輥16或多個(gè)依次布置的支撐輥16支撐。通 過該支撐輥16來避免該承載裝置3發(fā)生彎曲。在該運(yùn)輸輥9和該支撐輥16之間分別布置 有一加熱板11。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中也可以使用在支撐輥16的區(qū)域中被省略的加熱 板。在圖2中，還能夠很好地識(shí)別出側(cè)面的處理室泵接頭15,該處理室泵接頭在圖1中僅作 為矩形顯示在背景中。利用該處理室泵接頭15將使用過的氣體從處理室2抽空，其中利用 導(dǎo)流板來優(yōu)化在該實(shí)施例中所示的流動(dòng)方向。
[0058] 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)的處理模塊1A，該處理模塊1A具有兩個(gè)堅(jiān)直布置的 處理室2。在涉及圖1和2的上文中已經(jīng)對(duì)該處理室2進(jìn)行了詳細(xì)敘述，在圖3中僅更加示 意性地表示。區(qū)別于圖1中的處理模塊1，該處理模塊1A不被構(gòu)建為連續(xù)式模塊，而被構(gòu)建 為端部模塊。在端部模塊中，通過同一模塊門13既實(shí)現(xiàn)了該承載裝置3的提升運(yùn)輸又實(shí)現(xiàn) 了該承載裝置在處理后的下降運(yùn)輸。在上方的處理室2中，示出了在運(yùn)輸過程中的一個(gè)位 置上的該承載裝置3。在圖3下方的處理室2中，該承載裝置3利用該升降系統(tǒng)10被提升 至處理平面，并如此形成該處理室2的底部。該處理模塊1A包圍兩個(gè)處理室2。從處理模 塊1A出來的氣體利用一泵接頭17被抽空。在圖3的圖示的右側(cè)，該處理模塊1具有兩個(gè) 修正開口 18,這兩個(gè)修正開口 18分別通過修正閉合組件19閉合。利用該監(jiān)測(cè)口 18可以實(shí) 現(xiàn)處理模塊1Α內(nèi)的維護(hù)工作，并且該處理室2能夠通過該監(jiān)測(cè)口放入該處理模塊1Α中或 從該處理模塊1Α中取出。
[0059] 圖4示出根據(jù)本發(fā)明的處理模塊1Β的另一變型，其中處理室2可封閉于隔離室20 中。該隔離室20能夠利用隔離室門26被關(guān)閉，從而實(shí)現(xiàn)該處理室2Α與外界氣體環(huán)境的雙 重隔絕。在所示的實(shí)施例中，在該隔離室20內(nèi)部示出有處理室-溫度控制元件21以及熱 反射器22。其中，該處理室-溫度控制元件21在本文中為加熱棒，該加熱棒將其溫度部分 地利用熱傳遞以及部分地利用輻射傳遞給該處理室2Α。在其它未示出的實(shí)施例中，還能夠 采用其他處理室-溫度控制元件，例如管，調(diào)溫的液體流過該管。在該承載裝置3的下方示 出了輻射加熱器23,該輻射加熱器利用絕熱塊25與該承載裝置3在空間上隔開，并將其熱 量利用熱輻射傳遞給該承載裝置3。該升降框架12Α具有冷卻元件24,該冷卻元件在本文 中由能夠使冷卻液流通的通道形成。利用該冷卻組件24能夠避免升降框架12Α過熱。
[0060] 圖5為圖4中已經(jīng)描述的處理模塊1Β的加載順序的示意圖。在圖5Α中，兩個(gè)隔 離室門26均為打開的，并且該承載裝置3從左至右移入該隔離室20。在圖5Β中，該承載 裝置3位于該處理室2Β的下方中心處。現(xiàn)在該隔離室門26為關(guān)閉的，并且在該隔離室20 內(nèi)能夠設(shè)置與處理模塊1Β不同的壓力。然而該處理室2Α仍然是打開的，并且該處理室2Α 內(nèi)以及該隔離室20內(nèi)的壓力大小因此是相同的。在圖5C中，該處理室20為關(guān)閉的，并且 該處理室20內(nèi)的壓力能夠被設(shè)置為與該隔離室20內(nèi)不同的壓力，該隔離室20內(nèi)的壓力還 可以與處理模塊1Β中不同。卸載順序雖未顯示，但能夠由本領(lǐng)域技術(shù)人員基于其專業(yè)知識(shí) 在無需進(jìn)一步指導(dǎo)的情況下實(shí)現(xiàn)。
[0061] 圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的另一處理模塊1C，該處理模塊具有兩個(gè)位于隔 離室20中且堅(jiān)向疊置的處理室2Β。在本文所示的處理模塊1C的構(gòu)造中，HF-輸入管道27 從處理模塊1C的一個(gè)側(cè)壁引出，并連接在噴頭31的中部。氣體連接組件5也從該處理模塊 1C的側(cè)面引出，此時(shí)通過噴頭31的構(gòu)造確保了沿基片4方向從噴頭31均勻地流出氣流。
[0062] 圖7以沿基片運(yùn)輸方向的堅(jiān)向剖視圖示意性地示出了圖6的處理模塊1C。上方的 處理室2Β顯示為打開狀態(tài)，其中該升降系統(tǒng)10下降。然而下方的處理室2Β是關(guān)閉的，其 中該升降系統(tǒng)10移出，且該承載裝置3保持在處理平面中。
[0063] 圖8示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)處理模塊1D，該處理模塊具有上方的隔離空 間28和下方的隔離空間29。在此構(gòu)造中，不是整個(gè)處理室2C被隔離室包圍，而是只在處理 室2C的上側(cè)以及在承載裝置3的下方設(shè)有隔離空間28、29。利用隔離空間28和29實(shí)現(xiàn)該 處理室2C的良好熱隔離。上方的隔離空間28能夠有利地包含HF分配器，用于將HF能量 分配在HF電極的不同饋電點(diǎn)上。根據(jù)所設(shè)的壓力以及所選氣體，可以由此可靠地阻止HF 分配器上的電漿點(diǎn)火。
[0064] 該隔離空間28、29具有獨(dú)立的泵接頭17AU7B。因此，這些隔離空間能夠獨(dú)立于處 理模塊1D而被抽真空。
[0065] 除了所示出的處理模塊1、1Α、1Β、1C、1D的實(shí)施例外，還能夠?qū)崿F(xiàn)其它未示出的根 據(jù)本發(fā)明的處理模塊，其中所示的單獨(dú)的元件能夠以另一方式布置或組合，和/或在其中 可以用等同元件進(jìn)行替代。
【權(quán)利要求】
1. 處理模塊（1，1A，IB, 1C，ID)，該處理模塊具有至少一個(gè)位于所述處理模塊（1，1A， 1B，1C，1D)內(nèi)的可抽真空的處理室（2, 2A，2B)，以及至少一個(gè)水平穿過所述處理模塊（1， 1A，1B，1C，1D)的、能夠在至少一個(gè)基片運(yùn)輸方向上移動(dòng)的承載裝置（3)，該承載裝置用于 分別容納至少一個(gè)將要在所述處理室（2, 2A，2B)內(nèi)進(jìn)行處理的面狀基片（4)， 其特征在于， 所述至少一個(gè)處理室（2, 2A，2B)能夠通過所述承載裝置（3)而相對(duì)所述處理模塊（1， 1A，1B，1C，1D)以物理方式關(guān)閉，所述承載裝置的位置能夠在至少一個(gè)橫向于所述基片運(yùn)輸 方向的關(guān)閉方向上改變，其中所述至少一個(gè)承載裝置（3)構(gòu)成所述至少一個(gè)處理室（2,2A， 2B)的底部。
2. 如權(quán)利要求1所述的處理模塊，其特征在于，所述至少一個(gè)承載裝置（3)是導(dǎo)電的或 者具有至少一個(gè)導(dǎo)電的表面。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的處理模塊，其特征在于，用于氣態(tài)介質(zhì)、液態(tài)介質(zhì)、和/或電 介質(zhì)的所述處理室（2,2A，2B)的連接部布置于所述處理室（2,2A，2B)的頂部和/或至少一 個(gè)側(cè)壁中。
4. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B， 1C，1D)和/或所述處理室（2,2A，2B)具有至少一個(gè)泵接頭（17，17A，17B)。
5. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B， 1C，ID)具有至少一個(gè)溫度控制元件（21)，用于控制所述處理室（2, 2A，2B)的頂部和/或至 少一個(gè)側(cè)壁的溫度，其中所述溫度控制元件（21)為加熱裝置（30)和/或冷卻裝置。
6. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理室（2, 2A，2B)具 有至少一個(gè)用于所述承載裝置（3)的HF適用的連接部或觸點(diǎn)（6)。
7. 如權(quán)利要求6所述的處理模塊，其特征在于，所述HF適用的連接部或觸點(diǎn)（6)為接 地連接部。
8. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B， 1C，ID)具有運(yùn)輸系統(tǒng)（8)，用于將所述承載裝置（3)運(yùn)往所述處理室（2, 2A，2B)和/或?qū)?所述承載裝置（3)從所述處理室（2, 2A，2B)運(yùn)離，其中所述運(yùn)往和/或運(yùn)離過程設(shè)置在平 行于所述處理室（2, 2A，2B)的水平延伸部的運(yùn)輸平面中。
9. 如權(quán)利要求8所述的處理模塊，其特征在于，所述運(yùn)輸系統(tǒng)（8)具有運(yùn)輸輥（9)、線 性馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、和/或運(yùn)輸臂。
10. 如權(quán)利要求8或9所述的處理模塊，其特征在于，所述運(yùn)輸系統(tǒng)（8)的所有驅(qū)動(dòng)部 件均位于所述處理室（2,2A，2B)的外部。
11. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B， 1C，ID)具有升降系統(tǒng)（10)，該升降系統(tǒng)用于將所述承載裝置（3)提升到處理平面中以及用 于將所述承載裝置（3)下降到所述運(yùn)輸平面中，其中位于該處理平面中的承載裝置（3)被 設(shè)為所述處理室（2,2A，2B)的底部。
12. 如權(quán)利要求11所述的處理模塊，其特征在于，所述升降系統(tǒng)（10)具有至少一個(gè)加 熱板（11)或輻射加熱器（23)。
13. 如權(quán)利要求12所述的處理模塊，其特征在于，所述加熱板（11)或所述輻射加熱器 (23)能夠上升和下降。
14. 如權(quán)利要求12或13所述的處理模塊，其特征在于，在所述加熱板（11)與所述承載 裝置（3)之間設(shè)置很小的距離，從而使得在所述加熱板（11)與所述承載裝置⑶之間能夠 借助氣體微粒實(shí)現(xiàn)熱傳遞。
15. 如權(quán)利要求11至14中的至少一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述升降系統(tǒng) (10)具有絕熱塊（25)，其中在所述絕熱塊（25)上設(shè)有所述承載裝置（3)的支撐部。
16. 如權(quán)利要求11至15中的至少一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述升降系統(tǒng) (10)具有側(cè)面容納所述承載裝置（3)的升降框架（12)。
17. 如權(quán)利要求16所述的處理模塊，其特征在于，設(shè)有絕熱的壓力件，該壓力件具有作 為所述升降框架（12)的支撐部的平面支撐面。
18. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理室（2, 2A，2B)具 有至少一個(gè)密封件，其中設(shè)置為，朝向所述密封件壓緊所述承載裝置（3)，以關(guān)閉所述處理 室（2,2A，2B)。
19. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B， 1C，ID)具有至少一個(gè)用于支撐所述承載裝置（3)的支撐輥（16)。
20. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，能夠用氣體填充所述處理 模塊（1，1A，1B，1C，1D)。
21. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B， 1C，ID)具有至少一個(gè)能夠被抽真空的、包圍所述處理室（2, 2A，2B)的隔離室（20, 20A)，其 中所述隔離室（20, 20A)具有至少一個(gè)隔離室門（26)。
22. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B， 1C，ID)具有至少一個(gè)能夠被抽真空的、與所述處理室（2, 2A，2B)鄰接的隔離空間（28, 29)。
23. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理室（2, 2A，2B)由 鋁或鋁合金制成或者內(nèi)部用鋁或鋁合金包覆。
24. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，在所述處理模塊（1，1A， 1B，1C，1D)內(nèi)設(shè)有至少兩個(gè)堅(jiān)向疊置的處理室（2,2A，2B)。
25. 如權(quán)利要求24所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B，1C，ID)具有 升降器，該升降器用于在至少兩個(gè)運(yùn)輸平面中堅(jiān)向地運(yùn)輸所述承載裝置（3)。
26. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理室（2, 2A，2B)為 電漿室，該電漿室具有用作第一 HF電極的氣體噴淋器，其中該氣體噴淋器與所述承載裝置 (3)構(gòu)成平行板結(jié)構(gòu)。
27. 如權(quán)利要求1至25中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理室（2, 2A，2B) 為電漿室，該電漿室具有多電漿源的結(jié)構(gòu)。
28. 如權(quán)利要求26或27所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B，1C， ID)具有至少一個(gè)布置于所述處理室（2,2A，2B)處或之內(nèi)的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)，其中所述磁場(chǎng)結(jié)構(gòu) 構(gòu)造為固定的或可移動(dòng)的。
29. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的處理模塊，其特征在于，所述處理模塊（1，1A，1B， 1C，ID)具有至少一個(gè)模塊接口，該模塊接口具有模塊門（13)，該模塊門用于將所述處理模 塊（1，1A，1B，1C，1D)接入基片加工裝置中。
【文檔編號(hào)】H01L21/677GK104106130SQ201380007950
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月6日
【發(fā)明者】J·邁, D·米勒, S·拉舍克, A·海因策 申請(qǐng)人:德國(guó)羅特·勞股份有限公司