保護(hù)晶圓表面的裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型揭露了一種保護(hù)晶圓表面的裝置，所述裝置在晶圓制造過程中需要長期存放或運(yùn)輸時(shí)在晶圓表面形成保護(hù)膜，所述裝置包括保護(hù)膜形成系統(tǒng)、保護(hù)膜去除系統(tǒng)，所述保護(hù)膜成型系統(tǒng)包括保護(hù)液供給模塊、保護(hù)液成型模塊，所述保護(hù)液供給模塊用于將有機(jī)溶液供給到晶圓表面，晶圓表面的有機(jī)溶劑在所述保護(hù)液成型模塊中液體成型形成保護(hù)膜；所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)將保護(hù)膜從晶圓表面去除。這樣，能防止在教長時(shí)間的存放或運(yùn)輸時(shí)在晶圓表面形成缺陷，提高產(chǎn)品的良率和可靠性。
【專利說明】保護(hù)晶圓表面的裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種保護(hù)晶圓表面的裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體集成電路制造工藝中，在晶圓制造階段，由于工序或其他原因晶圓需要 入庫暫存或遠(yuǎn)途運(yùn)送至其他工廠加工，現(xiàn)有技術(shù)中通常利用晶圓盒或封裝盒密封存放，雖 然對存放的環(huán)境和容器做了嚴(yán)格的控制，但由于科技和成本以及晶圓處于制造階段并未封 裝完全等原因，不可避免的還是會在晶圓表面產(chǎn)生各種缺陷和污染。例如晶圓盒由于使用 時(shí)間的增加，在盒內(nèi)產(chǎn)生的微小顆粒會對晶圓表面造成污染或缺陷，又或者金屬墊長期暴 露在空氣中產(chǎn)生晶體缺陷。這些缺陷或污染嚴(yán)重影響了器件的良率，嚴(yán)重的甚至?xí)鹁?圓報(bào)廢。如能減少或避免這些缺陷和污染對晶圓表面的影響，則能大大提升產(chǎn)品的良率和 可靠性。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 本實(shí)用新型提供一種保護(hù)晶圓表面的裝置，以解決晶圓需要較長時(shí)間的存放或運(yùn) 輸時(shí)會在晶圓表面形成各種缺陷或污染的問題。
[0004] 為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種保護(hù)晶圓表面的裝置，所述裝置在晶圓制 造過程中需要長期存放或運(yùn)輸時(shí)在晶圓表面形成保護(hù)膜，所述裝置包括保護(hù)膜形成系統(tǒng)、 保護(hù)膜去除系統(tǒng)，所述保護(hù)膜成型系統(tǒng)包括保護(hù)液供給模塊、保護(hù)液成型模塊，所述保護(hù)液 供給模塊用于將有機(jī)溶液供給到晶圓表面，晶圓表面的有機(jī)溶劑在所述保護(hù)液成型模塊中 液體成型形成保護(hù)膜；所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)將保護(hù)膜從晶圓表面去除。
[0005] 可選的，所述保護(hù)液供給模塊利用噴嘴將有機(jī)溶液噴涂到晶圓表面。
[0006] 可選的，所述保護(hù)液供給模塊利用旋涂法或浸入法在晶圓表面形成有機(jī)溶液。
[0007] 可選的，所述有機(jī)溶液為水溶性聚亞安酯。
[0008] 可選的，所述形成的保護(hù)膜的厚度為30 μ m?100 μ m。
[0009] 可選的，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用機(jī)械的方式剝離所述保護(hù)膜。
[0010] 可選的，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用加熱氣化的方式去除所述保護(hù)膜。
[0011] 可選的，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用紫外光分解并清洗的方式去除所述保護(hù)膜。
[0012] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的保護(hù)晶圓表面的裝置，在晶圓需要較長時(shí)間 存放或運(yùn)輸時(shí)，在晶圓表面形成液體成型的保護(hù)膜，在存放或運(yùn)輸結(jié)束進(jìn)行后續(xù)的工藝時(shí)， 將保護(hù)膜通過物理或化學(xué)的方式去除。這樣，由于保護(hù)膜的存在，避免直接對晶圓污染或損 傷，能大大提高器件的可靠性，避免報(bào)廢或返工造成的損失。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1為本申請實(shí)施例的保護(hù)晶圓表面的裝置的結(jié)構(gòu)圖；
[0014] 圖2為本申請一實(shí)施例的保護(hù)膜形成系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015] 圖3為本申請一實(shí)施例的保護(hù)膜去除系統(tǒng)的示意圖；
[0016] 圖4為本申請另一實(shí)施例的保護(hù)膜去除系統(tǒng)的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017] 本實(shí)用新型的核心思想在于，提供一種保護(hù)晶圓表面的裝置，所述裝置在晶圓制 造過程中需要長期存放或運(yùn)輸時(shí)，在晶圓表面形成有機(jī)溶液，所述有機(jī)溶液在晶圓表面液 體成型以形成保護(hù)膜保護(hù)膜，所述保護(hù)膜能在長期存放或運(yùn)輸后通過物理或化學(xué)的方式去 除。這樣，由于保護(hù)膜的存在，避免直接對晶圓污染或損傷，能大大提高器件的可靠性，避免 報(bào)廢或返工造成的損失。
[0018] 以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型提出的保護(hù)晶圓表面的裝置作進(jìn)一步 詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。
[0019] 參考附圖1，圖1為本實(shí)施例的保護(hù)晶圓表面的裝置的結(jié)構(gòu)圖。所述裝置在晶圓制 造過程中需要長期存放或運(yùn)輸時(shí)在晶圓表面形成保護(hù)膜，所述裝置包括保護(hù)膜形成系統(tǒng)、 保護(hù)膜去除系統(tǒng)，所述保護(hù)膜成型系統(tǒng)包括保護(hù)液供給模塊、保護(hù)液成型模塊，所述保護(hù)液 供給模塊用于將有機(jī)溶液供給到晶圓表面，晶圓表面的有機(jī)溶劑在所述保護(hù)液成型模塊中 液體成型形成保護(hù)膜；所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)將保護(hù)膜從晶圓表面去除。此外還包括傳動系 統(tǒng)，用于將晶圓傳輸?shù)剿霰Ｗo(hù)膜形成系統(tǒng)或保護(hù)膜去除系統(tǒng)中。
[0020] 具體的，本實(shí)施例中，參照圖2,所述保護(hù)液供給模塊可以利用噴嘴106將有機(jī)溶 液噴涂到晶圓101的表面，其中噴嘴106設(shè)置在晶圓101上方，噴嘴106可在水平方向移動， 通過氣壓裝置102將有機(jī)溶液從存儲裝置103中通過管路105提供給噴嘴106,然后均勻噴 涂到放置于旋轉(zhuǎn)的載物臺107上的晶圓101的表面。其中，所述有機(jī)溶液可選用水溶性聚 亞安酯。較優(yōu)的，所述有機(jī)溶劑液體成型所形成的保護(hù)膜的厚度可以為30 μ m?100 μ m，這 樣可以保證晶圓表面不會形成污染或缺陷。當(dāng)然，所述保護(hù)液供給模塊還可以利用旋涂法 或浸入法在晶圓表面形成有機(jī)溶液。
[0021] 在利用本實(shí)用新型的保護(hù)晶圓表面的裝置在晶圓表面形成保護(hù)膜后，即可利用正 常的運(yùn)輸或存放方式進(jìn)行運(yùn)輸或存放，晶圓盒內(nèi)的微小顆粒污或空氣中的有害氣體無法直 接接觸到晶圓表面，避免了晶圓表面各類缺陷的形成。在存放或運(yùn)輸結(jié)束后，只需利用保護(hù) 膜去除系統(tǒng)將保護(hù)膜從晶圓表面去除即可。所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)可以選擇不同的方式去除 晶圓表面的保護(hù)膜，具體的，參照圖3,將晶圓101置于保護(hù)膜去除系統(tǒng)的載物臺107上，然 后通過機(jī)械的方式將保護(hù)膜108從晶圓101表面剝離，或者如圖4所示，利用加熱氣化的方 式去除晶圓101表面的保護(hù)膜108,又或者利用紫外光分解并清洗的方式去除晶圓表面的 保護(hù)膜，具體的，利用傳動系統(tǒng)將待去除保護(hù)膜108的晶圓101置于載物臺107上，然后利 用加熱裝置或紫外光發(fā)射裝置109使晶圓表面的保護(hù)膜108氣化或分解，然后清洗晶圓101 表面，去除殘余物。
[0022] 綜上所述，本實(shí)用新型提供了一種保護(hù)晶圓表面的裝置，所述保護(hù)晶圓表面的裝 置在晶圓表面形成保護(hù)膜，這樣，保護(hù)膜在較長時(shí)間存放或運(yùn)輸期間可以保護(hù)晶圓表面，避 免在晶圓表面形成缺陷，大大提高產(chǎn)品的可靠性和良率。
[0023] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實(shí)用 新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述裝置在晶圓制造過程中需要長期存放 或運(yùn)輸時(shí)在晶圓表面形成保護(hù)膜，所述裝置包括保護(hù)膜形成系統(tǒng)、保護(hù)膜去除系統(tǒng)，所述保 護(hù)膜成型系統(tǒng)包括保護(hù)液供給模塊、保護(hù)液成型模塊，所述保護(hù)液供給模塊用于將有機(jī)溶 液供給到晶圓表面，晶圓表面的有機(jī)溶劑在所述保護(hù)液成型模塊中液體成型形成保護(hù)膜； 所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)將保護(hù)膜從晶圓表面去除。
2. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)液供給模塊利用 噴嘴將有機(jī)溶液噴涂到晶圓表面。
3. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)液供給模塊利用 旋涂法或浸入法在晶圓表面形成有機(jī)溶液。
4. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述有機(jī)溶液為水溶性聚 亞安酯。
5. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述形成的保護(hù)膜的厚度 為 30 μ m ?100 μ m。
6. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用 機(jī)械的方式剝離所述保護(hù)膜。
7. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用 加熱氣化的方式去除所述保護(hù)膜。
8. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用 紫外光分解并清洗的方式去除所述保護(hù)膜。
【文檔編號】H01L21/673GK203895418SQ201320879155
【公開日】2014年10月22日 申請日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月27日
【發(fā)明者】張賀豐, 高 玉 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司