本發(fā)明關(guān)于式(1)的非發(fā)射材料以及用于制造有機(jī)電致發(fā)光裝置的包含式(1)的材料的組成物。

背景技術(shù)：

由于有機(jī)發(fā)光裝置(OLED)的特性，例如高亮度、快刷新率及廣彩色色域，并且更適合便攜式電子應(yīng)用，OLED作為有源式顯示器近年來獲得關(guān)注。

通常，OLED包括陽極、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子傳輸層以及陰極，各層通過真空沉積或涂布技術(shù)由下而上依序沉積。當(dāng)施加電壓至OLED時(shí)，陽極注入空穴而陰極注入電子至有機(jī)層。注入的空穴通過空穴傳輸層遷移進(jìn)入發(fā)射層，注入的電子通過電子傳輸層遷移進(jìn)入發(fā)射層。于發(fā)射層中，空穴及電子重組(recombine)以產(chǎn)生激子。激子通過發(fā)光機(jī)制釋放能量而發(fā)射光。

利用多層薄膜結(jié)構(gòu)制造有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示器的理由包括穩(wěn)定化電極與有機(jī)層間的介面。此外，于有機(jī)材料中，電子及空穴的移動(dòng)率顯著不同，并且若使用適當(dāng)?shù)目昭▊鬏敿半娮觽鬏攲?，空穴及電子因此可有效地傳輸至發(fā)光的層。若發(fā)射層中空穴及電子的密度平衡，亦可增加發(fā)光效率。上述有機(jī)層的適當(dāng)組合可提升裝置的效率及壽命。然而，于實(shí)際顯示器應(yīng)用中，難以發(fā)現(xiàn)滿足所有使用需求的有機(jī)材料。

最初OLED用的發(fā)射材料自其單重態(tài)發(fā)射光，稱為“熒光”。熒光發(fā)射通常發(fā)生在少于10納秒。利用熒光的數(shù)種OLED材料及裝置組態(tài)公開于US 4769292、US 5844363、及US 5707745，其全文并入本文參考。

稍早前，具有自三重態(tài)(磷光)發(fā)射光的發(fā)射材料的OLED已證實(shí)于文獻(xiàn)Nature(1998,No.395,p.151and Appl.Phys.Lett.,1999,No.3,p.4)以及US 7279704，其全文并入本文參考。

對(duì)于高發(fā)光及效率的磷光OLED，主體材料必須具有非發(fā)射的高三重態(tài)能量以及平衡的電荷(空穴/電子)注入/傳輸特性。再者，主體材料亦應(yīng)具備良好電化學(xué)穩(wěn)定性、高熱阻抗性以及優(yōu)異薄膜穩(wěn)定性。然而，自實(shí)際考量，能 夠滿足全部性質(zhì)的化合物至今未見。

專利文件，如WO2003-78451、WO2005-76668、US2006-51616、JP2008-280330、WO2008-123189、JP 2009-21336已顯示具有優(yōu)異的雙極傳輸特性的材料，然而，由于與有機(jī)電致發(fā)光裝置中相鄰層的分子軌域的能階失配，實(shí)現(xiàn)高效及良好裝置穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)仍存在。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供有機(jī)化合物，其用于作為發(fā)射層中的磷光主體材料或作為電子傳輸材料、或有機(jī)發(fā)光裝置中的激子阻擋層，借此改善裝置發(fā)光效率及穩(wěn)定性。更具體地，本發(fā)明描述具有多于2.5電子伏特(eV)的三重態(tài)能量的各種化合物，其具有優(yōu)異電子傳輸性質(zhì)以產(chǎn)生有效率且穩(wěn)定的有機(jī)EL裝置。

本發(fā)明提供一種具有下列式(1)的有機(jī)材料

其中，X表示氧或硫原子；Z表示含有至少兩個(gè)氮的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜芳環(huán)或具有C2至C6的烷基。

于本發(fā)明的一方面，式(1)表示的材料的三重態(tài)能量大于2.5eV。

于本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造式(1)表示的具體化合物的制程。

于本發(fā)明的又一方面，提供一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，其使用前述化合物于有機(jī)層中，有機(jī)層的厚度多于1納米但少于500納米。

對(duì)于有機(jī)電致發(fā)光裝置，通過真空沉積或濕制程的手段，本發(fā)明的式(1)表示的化合物能夠被制作進(jìn)入非晶性薄膜。

附圖說明

圖1是依據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例繪示有機(jī)發(fā)光裝置的一實(shí)施例的剖面圖；

圖2是依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例繪示有機(jī)發(fā)光裝置的另一實(shí)施例的剖面圖；

圖3是依據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例繪示有機(jī)發(fā)光裝置的又一實(shí)施例的剖面圖；

圖4顯示依據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置的電致發(fā)光光譜；以及

圖5顯示依據(jù)本發(fā)明的電致發(fā)光裝置的發(fā)光產(chǎn)率對(duì)電流密度的關(guān)系圖。

符號(hào)說明

100,200,300 裝置

110,210,310 基底

120,220,320 陽極

130,230,330 空穴注入層

140,240,340 空穴傳輸層

150,250,350 發(fā)射層

160,260,360 電子傳輸層

170,270,370 電子注入層

180,280,380 陰極

245,355 激子阻擋層。

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)施例配合圖式說明本發(fā)明的實(shí)施方式，該領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所公開的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)及效果。

于本發(fā)明中，用語“發(fā)射層”與“發(fā)光層”以及用語“有機(jī)電致發(fā)光裝置”與“有機(jī)發(fā)光裝置”的涵義相同。

依據(jù)本發(fā)明，用于有機(jī)電致發(fā)光裝置的化合物由式(1)表示，

于式(1)中，X表示氧或硫原子；Z表示含有至少兩個(gè)氮的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜芳環(huán)或具有C2至C6的烷基。

于一具體實(shí)施例中，式(1)中的Z表示含有至少兩個(gè)氮的經(jīng)取代或未經(jīng)取代的C4至C11雜芳環(huán)，其可為多環(huán)稠合。于一具體實(shí)施例中，Z表示含有至少兩個(gè)氮的雜芳環(huán)，且該雜芳環(huán)經(jīng)至少一個(gè)C6至C10芳基取代。例如，可經(jīng)苯基取代。于另一具體實(shí)施例中，該雜芳環(huán)經(jīng)兩個(gè)苯基取代。

通過前述式(1)表示的化合物的優(yōu)選實(shí)施例顯示于表1，但不限于此。

表1

式(1)表示的例示化合物F1至F20可通過但不限于如合成反應(yīng)式1至4所示的反應(yīng)順序而制備。

合成反應(yīng)式1：

合成反應(yīng)式2：

合成反應(yīng)式3：

合成反應(yīng)式4：

本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置具有至少一層設(shè)置于陽極與陰極間的發(fā)光層，而陽極與陰極上下疊置于基底上，發(fā)光層包括磷光摻雜劑以及作為主體材料的前述式(1)表示的化合物。優(yōu)選的是，空穴注入/傳輸層設(shè)置于陽極與發(fā)光層之間，以及電子注入/傳輸層設(shè)置于陰極與發(fā)光層之間。優(yōu)選的是，空穴阻擋層設(shè)置于發(fā)光層與電子注入/傳輸層之間，或電子阻擋層設(shè)置于空穴注入/傳輸層與發(fā)光層之間。

再者，任一式(1)表示的化合物可被使用于電子注入/傳輸層或空穴阻擋層及/或電子阻擋層。

使用于發(fā)光層中的磷光摻雜劑優(yōu)選含有至少一種金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物，該金屬選自釕、銠、鈀、銀、錸、鋨、銥、鉑以及金。此種有機(jī)金屬絡(luò)合物已見于前述專利文件以及他處，而適合的絡(luò)合物可選自上述文件并且使用于本發(fā)明。

優(yōu)選的磷光摻雜劑包括具有貴金屬(例如，典型的絡(luò)合物Ir(ppy)₃中位于中心的銥)元素的絡(luò)合物，例如Ir(bt)₂(acac)、FIrpic以及PtOEt₃，但不限于此。

前述磷光摻雜劑于發(fā)光層中的含量優(yōu)選3wt％至10wt％的范圍。

本發(fā)明的有機(jī)EL裝置的結(jié)構(gòu)將參照?qǐng)D式予以說明，但不限于此。

圖1繪示一具體實(shí)施例，其顯示有機(jī)發(fā)光裝置100的示意圖。裝置100可包括基底110、陽極120、空穴注入層130、空穴傳輸層140、發(fā)射層150、電子傳輸層160、電子注入層170以及陰極180。裝置100可通過依序沉積上述各層而予以制造。

圖2繪示一具體實(shí)施例，其顯示有機(jī)發(fā)光裝置200的示意圖。裝置200可包括基底210、陽極220、空穴注入層230、空穴傳輸層240、激子阻擋層245、發(fā)射層250、電子傳輸層260、電子注入層270以及陰極280。

圖3繪示一具體實(shí)施例，其顯示有機(jī)發(fā)光裝置300的示意圖。裝置300可包括基底310、陽極、320、空穴注入層330、空穴傳輸層340、發(fā)射層350、激子阻擋層355、電子傳輸層360、電子注入層370以及陰極380。

可制造具有相反于圖1至3的所示任一結(jié)構(gòu)的裝置。于相反結(jié)構(gòu)的情形，一層或多層可依需要被添加或省略。

使用于空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層或電子注入層的材料可選自他處引用的文獻(xiàn)所報(bào)導(dǎo)者。

本發(fā)明的有機(jī)EL裝置適用于單一裝置、其以陣列結(jié)構(gòu)配置的裝置、或其中陽極與陰極配置于X-Y矩陣中的裝置。相較于磷光OLED裝置結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)裝置，本發(fā)明的有機(jī)EL裝置產(chǎn)生壽命穩(wěn)定性的顯著改善。

使用于空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層或電子注入層的材料可選自他處引用的文獻(xiàn)所報(bào)導(dǎo)者。

舉例而言，形成電子傳輸層的電子傳輸材料不同于形成發(fā)光層的材料，并且具有空穴傳輸性質(zhì)，以促進(jìn)電子傳輸層中的空穴移動(dòng)率，并且防止發(fā)光層與電子傳輸層間的游離電位差所致的累積。

此外，US 5844363公開可撓與透明的基底-陽極組合，其全文并入本文參考。如US 20030230980所公開，p-摻雜的空穴傳輸層的實(shí)施例是以1：50的摩爾比以F₄-TCNQ摻雜m-MTDATA，其全文并入本文參考。如US 20030230980 所公開，n-摻雜的電子傳輸層的實(shí)施例是以1：1的摩爾比以Li摻雜BPhen，其全文并入本文參考。US 5703436以及US 5707745公開包括化合物的陰極的實(shí)施例，陰極具有金屬薄層，例如上覆透明、導(dǎo)電、濺射沉積的ITO層的Mg：Ag，其全文并入本文參考。阻擋層的理論及使用描述于US 6097147以及US 20030230980，其文并入本文參考。注入層的實(shí)施例如US 20040174116所提供者，其全文并入本文參考。保護(hù)層的說明可見于US 20040174116，其全文并入本文參考。

未具體說明的結(jié)構(gòu)及材料亦可使用，例如US 5247190所公開包含聚合材料的OLED，其全部通過參照并入本文。再者，可使用具有單一有機(jī)層的OLED。OLED可堆疊，如US 5707745所述，其文并入本文參考。

除非另有指出，各種實(shí)施例的任意層可通過任何適合方法予以沉積。對(duì)于有機(jī)層，優(yōu)選方法包括熱蒸鍍、噴墨(如US6013982以及US 6087196所述，其全文并入本文參考)、有機(jī)氣相沉積(OVPD，如US 6337102所述，其全文并入本文參考)、以及通過有機(jī)蒸氣噴印的沉積(OVJP，如US 10/233,470所述，其全文并入本文參考)。其他適合的沉積方法包括旋轉(zhuǎn)涂布以及其他基于溶液的制程。基于溶液的制程優(yōu)選在氮?dú)饣蚨栊原h(huán)境中進(jìn)行。對(duì)于其他層，優(yōu)選方法包括熱蒸鍍。優(yōu)選的圖案化方法包括通過遮罩的沉積、冷焊(如US6294398以及US 6468819所述，其全文并入本文參考)、以及與沉積方法相關(guān)聯(lián)的圖案化(如噴墨以及OVJD)。當(dāng)然，亦可使用其他方法。欲沉積的材料可被改性以使其相容于特定的沉積方法。

本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置適用于單一裝置、其以陣列結(jié)構(gòu)配置的裝置、或其中陽極與陰極配置于X-Y矩陣中的裝置。當(dāng)于發(fā)光層中組合使用磷光摻雜劑時(shí)，相較于傳統(tǒng)裝置，本發(fā)明顯著改善有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)光效率以及驅(qū)動(dòng)穩(wěn)定性，并且當(dāng)適用于全彩或多彩面板時(shí)，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置表現(xiàn)更佳。

通過參照以下實(shí)施例更詳細(xì)說明本發(fā)明，然而本發(fā)明不限于此等實(shí)施例并且可被減少以實(shí)施于各種模式，除非此實(shí)施超出本發(fā)明的范圍。

本發(fā)明所公開使用于合成實(shí)施例的全部中間物以下列他處引用的方法所制備。

合成實(shí)施例1(化合物F1的合成)

添加38.0克的4-(3-氯苯基)二苯并[b,d]呋喃、35克的11,12-二氫吲哚[2,3-a]咔唑、2.3克的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)、39.3克的叔丁醇鈉、875毫升的二甲苯以及2.21克的三-叔丁基膦的混合物于2升的燒瓶中，并且于氮?dú)猸h(huán)境下回流。通過薄層色譜監(jiān)視反應(yīng)。反應(yīng)完成后，以500毫升的水淬熄反應(yīng)混合物，并且使用500毫升的乙酸乙酯萃取。以5次250毫升的水萃取有機(jī)層，并且透過無水硫酸鈉干燥。經(jīng)收集的乙酸乙酯層通過硅藻土柱層析進(jìn)一步純化。乙酸乙酯層接著于旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中真空下被蒸發(fā)至干燥。通過添加500毫升的正己烷進(jìn)一步沉淀余留物，于真空下過濾以及干燥，以產(chǎn)出51克的11-(3-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-11,12-二氫吲哚[2,3-a]-咔唑。

添加50克的11-(3-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-11,12-二氫吲哚[2,3-a]-咔唑、69.4克的氫化鈉以及500毫升的四氫呋喃的混合物于1升的燒瓶中，并且于40℃的氮?dú)猸h(huán)境下攪拌。一小時(shí)后，添加32克的2-氯基-4,6-二苯基-1,3,5-三并且持續(xù)攪拌過夜。通過薄層色譜監(jiān)視反應(yīng)。反應(yīng)完成后，以200毫升的水淬熄反應(yīng)混合物，并且使用300毫升的乙酸乙酯萃取。以3次150毫升的水萃取有機(jī)層，并且透過無水硫酸鈉干燥。經(jīng)收集的乙酸乙酯層通過硅藻土柱層析進(jìn)一步純化。乙酸乙酯層接著于旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中真空下被蒸發(fā)至干燥。通過添加300毫升的甲醇進(jìn)一步沉淀余留物，于真空下過濾以及干燥。獲得36.1克具有99％高效液相層析術(shù)(HPLC)純度的微黃色固體化合物F1(49％的產(chǎn)率)。

化合物F1顯示251℃的熔點(diǎn)以及144℃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

1H NMR(CDCl3,400MHz)δ:8.76-8.70(s,1H)；8.32-8.20(m,2H)；8.22-8.06(m,4H)；7.65-7.59(m,1H)；7.58-7.10(m,23H)。

觀察到的F1的三重態(tài)能量為2.52eV。

合成實(shí)施例2(化合物F2的合成)

添加17.2克的4-(3-氯苯基)二苯并[b,d]噻吩、15克的11,12-二氫吲哚[2,3-a]咔唑、1克的雙(二亞芐基丙酮)鈀(0)、16.68克的叔丁醇鈉以及1.01克的三-叔丁基膦的混合物于500毫升的燒瓶，并且在氮?dú)猸h(huán)境下于375毫升的二甲苯中回流。通過薄層色譜監(jiān)視反應(yīng)。反應(yīng)完成后，以200毫升的水淬熄反應(yīng)混合物，并且使用300毫升的乙酸乙酯萃取。以5次50毫升的水 萃取有機(jī)層，并且透過無水硫酸鈉干燥。經(jīng)收集的乙酸乙酯層通過硅藻土柱層析進(jìn)一步純化。乙酸乙酯層接著于旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中真空下被蒸發(fā)至干燥。通過添加200毫升的正己烷進(jìn)一步沉淀余留物，于真空下過濾以及干燥，以產(chǎn)出15.5克的11-(3-(二苯并[b,d]噻吩-4-基)苯基)-11,12-二氫吲哚[2,3-a]-咔唑。

添加15克的11-(3-(二苯并[b,d]噻吩-4-基)苯基)-11,12-二氫吲哚[2,3-a]咔唑、20.16克的氫化鈉以及400毫升的四氫呋喃的混合物于1升的燒瓶中，并且于40℃的氮?dú)猸h(huán)境下攪拌。一小時(shí)后，添加9.36克的2-氯基-4,6-二苯基-1,3,5-三，并且持續(xù)攪拌過夜。通過薄層色譜監(jiān)視反應(yīng)。反應(yīng)完成后，以120毫升的水淬熄反應(yīng)混合物，并且使用200毫升的乙酸乙酯萃取。以3次150毫升的水萃取有機(jī)層，并且透過無水硫酸鈉干燥。經(jīng)收集的乙酸乙酯層通過硅藻土柱層析進(jìn)一步純化。乙酸乙酯層接著于旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中真空下被蒸發(fā)至干燥。通過添加200毫升的甲醇進(jìn)一步沉淀余留物，于真空下過濾以及干燥。獲得16.5克具有99％HPLC純度的黃色固體化合物F2(76％的產(chǎn)率)。

化合物F2顯示295.2℃的熔點(diǎn)以及154℃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

1H NMR(CDCl3,400MHz)δ:8.74-8.71(d,1H)；8.63-8.45(s,1H)；8.39-8.28(t,3H)；8.23-8.08(m,4H)；7.69-6.95(m,22H)。

觀察到的F2的三重態(tài)能量為2.57eV。

合成實(shí)施例3(化合物F3的合成)

依循合成化合物F1中的程序，制備36克具有99％HPLC純度的化合物F3(66％的產(chǎn)率)。

化合物F3顯示251℃的熔點(diǎn)以及144℃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

1H NMR(CDCl3,400MHz)δ:8.59-8.62(dd,1H)；8.36-8.40(m,4H)；8.29-8.34(m,2H)；8.16-8.19(dd,1H)；8.11-8.14(d,1H)；7.91-7.94(d,1H)；7.73-7.75(m,1H)；7.56-7.65(d,4H)；7.39-7.52(m,7H)；7.34-7.37(m,1H)；7.26-7.3(m,3H)；7.20-7.24(m,3H)；6.99-7.06(m,2H)。

觀察到的F3的三重態(tài)能量為2.67eV。

合成實(shí)施例4(化合物F4的合成)

依循合成化合物F2中的程序，制備89克具有99％HPLC純度的化合物F4(72％的產(chǎn)率)。

化合物F4顯示286℃的熔點(diǎn)以及162℃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

1H NMR(CDCl3,400MHz)δ:8.68-8.69(d,1H)；8.49-8.54(d,4H)；8.3-8.36(m,2H)；8.17-8.21(d,1H)；8.12-8.14(d,1H)；8.07-8.11(d,1H)；7.95-7.97(m,1H)；7.68-7.72(m,1H),7.62-7.65(m,1H)；7.52-7.57(t,3H)；7.39-7.5(m,11H)；7.20-7.24(dd,2H)；7.07-7.11(t,1H)；6.81-6.83(dd,1H)。

觀察到的F4的三重態(tài)能量為2.58eV。

合成實(shí)施例5(化合物F5的合成)

添加20克的11-(3-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-11,12-二氫吲哚[2,3-a]-咔唑、4.8克的氫化鈉以及300毫升的甲苯的混合物于1升的燒瓶中，并且于40℃的氮?dú)猸h(huán)境下攪拌。一小時(shí)后，添加12.8克的2-氯基-4,6-二苯基-1,3-嘧啶，并且于80℃持續(xù)攪拌。通過薄層色譜監(jiān)視反應(yīng)。反應(yīng)完成后，以200毫升的水淬熄反應(yīng)混合物，并且使用150毫升的乙酸乙酯萃取。以3次100毫升的水萃取有機(jī)層，并且透過無水硫酸鈉干燥。經(jīng)收集的乙酸乙酯層通過硅藻土柱層析進(jìn)一步純化。乙酸乙酯層接著于旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中真空下被蒸發(fā)至干燥。通過添加100毫升的正己烷進(jìn)一步沉淀余留物，于真空下過濾以及干燥。獲得18克具有多于99％HPLC純度的黃色固體化合物F5(85％的產(chǎn)率)。

化合物F5顯示267℃的熔點(diǎn)以及151℃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

1H NMR(CDCl3,400MHz)δ:8.37-8.40(m,1H)；8.28-8.31(d,1H)；8.27-8.28(t,1H)；8.18-8.21(m,1H)；8.16-8.18(d,1H)；7.96-7.99(dd,1H)；7.92-7.96(dd,1H)；7.68-7.67(t,1H)；7.64-7.68(m,1H)；7.45-7.49(m,1H)；7.34-7.42(t,6H)；7.15-7.34(m,14H)；7.06-7.10(m,2H)。

觀察到的F5的三重態(tài)能量為2.51eV。

合成實(shí)施例6(化合物F6的合成)

依循合成化合物F5中的程序，制備18克具有99％HPLC純度的化合物F6(62％的產(chǎn)率)。

化合物F6顯示267℃的熔點(diǎn)以及151℃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

1H NMR(CDCl3,400MHz),δ:8.37-8.4(m,1H)；8.27-8.31(m,2H)；8.19-8.21(m,1H)；8.16-8.17(d,1H)；7.93-7.96(d,1H)；7.87-7.91(m,3H)；7.75-7.78(m,1H)；7.65-7.70(m,2H)；7.55-7.59(m,2H)；7.47-7.52(m,2H),7.35-7.44(m,4H)；7.08-7.30(m,12H)。

觀察到的F6的三重態(tài)能量為2.50eV。

合成實(shí)施例7(化合物F13的合成)

添加20克的11-(3-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)苯基)-11,12-二氫吲哚[2,3-a]-咔唑、4.8克的氫化鈉以及300毫升的甲苯的混合物于1升的燒瓶中，并且于40℃的氮?dú)猸h(huán)境下攪拌。一小時(shí)后，添加8.8克的2-溴乙烷，并且于80℃攪拌。通過薄層色譜監(jiān)視反應(yīng)。反應(yīng)完成后，以200毫升的水淬熄反應(yīng)混合物，并且使用150毫升的乙酸乙酯萃取。以3次100毫升的水萃取有機(jī)層，并且透過無水硫酸鈉干燥。經(jīng)收集的乙酸乙酯層通過硅藻土柱層析進(jìn)一步純化。乙酸乙酯層接著于旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中真空下被蒸發(fā)至干燥。通過添加100毫升的正己烷進(jìn)一步沉淀余留物，于真空下過濾以及干燥。獲得18克具有多于99％HPLC純度的黃色固體化合物F13(85％的產(chǎn)率)。

化合物F13顯示108℃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

1H NMR(CDCl3,400MHz)δ:8.21-8.23(m,1H)；8.19-8.21(t,2H)；8.11-8.13(d,1H)；8.05-8.07(d,1H)；7.98-8.00(t,1H)；7.93-7.97(m,2H)；.7.56-7.65(d,4H)；7.68-7.74(m,2H)；7.62-7.65(m,1H)；7.51-7.54(m,1H)；7.29-7.46(m,4H)；7.12-7.15(m,1H)；3.75-3.85(q,2H)；0.90-0.96(q,3H)。

觀察到的F13的三重態(tài)能量為2.51eV。

合成實(shí)施例8(化合物F15的合成)

依循合成化合物F13中的程序，制備36克具有99％HPLC純度的化合物F15(66％的產(chǎn)率)。

化合物F15顯示109℃的玻璃轉(zhuǎn)化溫度。

1H NMR(CDCl3,400MHz)δ:8.19-8.21(d,1H)；8.15-8.19(m,3H)；8.11-8.12(s,1H)；8.09-8.11(s,1H),8.03-8.04(d,1H)；7.99-8.02(m,1H)；7.72-7.75(m,1H)；7.64-7.68(m,3H)；7.69-7.61(d,1H)； 7.47-7.53(m,1H)；7.34-7.45(m,5H)；7.28-7.3(d,1H)；7.12-7.15(m,1H)；3.74-3.80(q,2H)；0.85-0.95(q,3H)。

觀察到的F15的三重態(tài)能量為2.52eV。

實(shí)施例1(有機(jī)電致發(fā)光裝置的制造)

于使用前，以溶劑對(duì)基底進(jìn)行脫脂，并且在基底裝載進(jìn)入蒸鍍系統(tǒng)前于紫外線臭氧中清潔?；椎暮蟊晦D(zhuǎn)移進(jìn)入真空沉積室，用以沉積全部其他層于基底的頂部。通過約10^-6托(Torr)的真空下自加熱舟蒸發(fā)，如圖2所示的下列層依下列順序被沉積：

a)空穴注入層(HATCN)；

b)空穴傳輸層(HT1)；

c)激子阻擋層(BL，來自臺(tái)灣昱鐳光電科技股份有限公司的專屬材料)；

d)發(fā)光層，包括紅色磷光摻雜劑RD與選自本發(fā)明的實(shí)施例F1至F20的主要主體以及共同主體CH1(來自臺(tái)灣昱鐳光電科技股份有限公司的專屬材料)；

e)電子傳輸層(ET)；

f)電子注入層(LiF)；以及

g)陰極，厚約150納米，包括鋁。

有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)可被標(biāo)示為：ITO/HATCN(15納米)/HT(140納米)/BL(15納米)/3％RD：化合物F4：CH1(30納米)/ET(30納米)/LiF(1納米)/Al(150納米)。

比較例1

如實(shí)施例1制造紅色電致磷光裝置，于發(fā)光層中以CBP作為發(fā)光主體摻雜RD。裝置結(jié)構(gòu)可被標(biāo)示為：ITO/HATCN(15納米)/HT(140納米)/BL(15納米)/3％RD：CBP(30納米)/ET(30納米)/LiF(1納米)/Al(150納米)。

沉積此等層后，裝置自沉積室被移轉(zhuǎn)進(jìn)入用于封裝的干燥箱，接著通過使用光可固化的環(huán)氧樹脂以及含有水氣吸收劑的玻璃蓋予以封裝。有機(jī)電致發(fā)光裝置具有3平方毫米的發(fā)光區(qū)域。借此獲得的有機(jī)電致發(fā)光裝置連接至外部電源，并且施加直流電壓于其上，發(fā)射光經(jīng)確認(rèn)的特性顯示于表2。此裝置的電致發(fā)光光譜顯示于圖4。

于本發(fā)明中，全部經(jīng)制造的裝置的電致發(fā)光特性于室溫使用定電流電源 (KEITHLEY 2400Source Meter，Keithley Instruments公司制造，克里夫蘭，俄亥俄)以及光度計(jì)(PHOTO RESEARCH SpectraScan PR 650，Photo Research公司制造，查茲窩斯，加州)測(cè)量。

通過驅(qū)動(dòng)定電流通過裝置，于室溫以及10,000cd/m²的初始發(fā)光度測(cè)試裝置的操作壽命(或穩(wěn)定性)。色度使用國際照明協(xié)會(huì)(CIE)座標(biāo)予以報(bào)告。

實(shí)施例所制造的有機(jī)電致發(fā)光裝置的發(fā)射光波峰波長、最大發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓與外部量子效率顯示于表2。電流密度對(duì)發(fā)光的關(guān)系圖顯示于圖5。

表2

本發(fā)明不限于上述具體實(shí)施例、方法以及實(shí)施例。

產(chǎn)業(yè)利用性

如上所述，包含本發(fā)明的材料的有機(jī)電致發(fā)光裝置具有高發(fā)光效率、高 熱穩(wěn)定性、充分低的驅(qū)動(dòng)電壓以及長壽命。因此，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置適用于平板顯示器、行動(dòng)電話顯示器、利用平面發(fā)光器特性的光源、記號(hào)板，并且具有高技術(shù)價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其效果，而非用于限制本公開。任何該領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾與改變。因此，舉凡該領(lǐng)域技術(shù)人員，在未脫離本發(fā)明所公開的精神與技術(shù)原理下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由權(quán)利要求書所涵蓋。