專利名稱：整流芯片的dfn封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及整流芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，例如筆記本電腦、手機、迷你CD、掌上電腦、CPU、數(shù)碼照相機等消費類電子產(chǎn)品越來越向小型化方向發(fā)展。隨著產(chǎn)品的做小做薄，工IC中的數(shù)百萬個晶體管所產(chǎn)生的熱量如何散發(fā)出去就變?yōu)橐粋€不得不考慮的問題。現(xiàn)有技術(shù)中，雖然可以通過提升工IC制程能力來降低電壓等方式來減小發(fā)熱量，但是仍然不能避免發(fā)熱密度增加的趨勢。散熱問題不解決，會使得工器件因過熱而影響到產(chǎn)品的可靠性，嚴(yán)重地會縮短產(chǎn)品壽命甚至造成產(chǎn)品損毀?，F(xiàn)有技術(shù)，如附圖1所示是一種典型的DFN封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，包括芯片900，散熱片920、引線框架930、多個導(dǎo)線940，以及包裹上述結(jié)構(gòu)的絕緣膠950。芯片900粘附在散熱片920上，引線框架930具有多個相互絕緣的管腳，芯片900表面的焊盤通過導(dǎo)線940連接在引線框架930。相應(yīng)的管腳上。絕緣膠950將上述結(jié)構(gòu)全部包裹起來，以將其同外界隔離，僅將引線框架930的各個管腳和散熱片920與芯片900相對的表面暴露在空氣中。引線框架930暴露出來的管腳用于實現(xiàn)被封裝的芯片900同外界的電學(xué)連接，而散熱片920暴露出來的作用在于將芯片900工作時產(chǎn)生的熱量通過暴露的表面散發(fā)到環(huán)境中去，仍然存在體積大而不利于散熱的技術(shù)問題。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型目的是提供一種整流芯 片的DFN封裝結(jié)構(gòu)，此DFN封裝結(jié)構(gòu)有利于進一步縮小器件的體積，同時減少封裝體中部件的數(shù)目；且提升整流器件散熱效率，熱阻相比現(xiàn)有技術(shù)降低75%。為達到上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)，包括整流芯片、包覆于整流芯片四周的環(huán)氧樹脂層，還包括導(dǎo)電基盤、導(dǎo)電焊盤，所述導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的負(fù)極引腳組成，此負(fù)極引腳一端與散熱區(qū)端面電連接，所述散熱區(qū)位于整流芯片正下方且與整流芯片下表面之間通過軟焊料層電連接；所述導(dǎo)電焊盤位于整流芯片另一側(cè)，導(dǎo)電焊盤包括焊接區(qū)和至少兩個引腳，焊接區(qū)與引腳的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳；若干根金屬線跨接于所述整流芯片的正極與導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間。上述技術(shù)方案中進一步改進的方案如下:1、上述方案中，所述導(dǎo)電焊盤各自的焊接區(qū)與整流芯片位于同一水平面。2、上述方案中，所述金屬線的數(shù)目為至少四根。3、上述方案中，所述負(fù)極引腳的數(shù)目為四根。由于上述技術(shù)方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點和效果:1、本實用新型整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)，其同時兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個部件功能，既有利于進一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。3、本實用新型整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)中焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了第一、第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)與整流芯片正極在同一水平面，從而有效避免了由于連接?xùn)艠O的第二金屬線較細(xì)在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。4、本實用新型整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)中基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的負(fù)極引腳組成，導(dǎo)電焊盤的引腳區(qū)由至少四根正極引腳組成，充分考慮到整流芯片正極和負(fù)極電流大的特定，從而有利于減少熱量的產(chǎn)生，并進一步提高了電性能指標(biāo)。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖一；圖2為本實用新型整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為附圖2中沿A-A線的剖視圖。以上附圖中:1、整流芯片；2、環(huán)氧樹脂層；3、導(dǎo)電基盤；31、散熱區(qū)；32、基盤引腳區(qū)；321、負(fù)極引腳；4、導(dǎo)電焊盤；5、金屬線；6、軟焊料層；7、焊接區(qū)；8、引腳區(qū)；9、折彎部。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例對本實用新型作進一步描述:實施例1:一種整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)，包括整流芯片1、包覆于整流芯片I四周的環(huán)氧樹脂層2，還包括導(dǎo)·電基盤3、導(dǎo)電焊盤4，所述導(dǎo)電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，此基盤引腳區(qū)32由若干個相間排列的負(fù)極引腳321組成，此負(fù)極引腳321 —端與散熱區(qū)31端面電連接，所述散熱區(qū)31位于整流芯片I正下方且與整流芯片I下表面之間通過軟焊料層6電連接；所述導(dǎo)電焊盤4位于整流芯片I另一側(cè)，導(dǎo)電焊盤4包括焊接區(qū)7和至少兩個引腳8，焊接區(qū)7與引腳的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳8 ;若干根金屬線5跨接于所述整流芯片I的正極與導(dǎo)電焊盤4的焊接區(qū)7之間。上述導(dǎo)電焊盤4各自的焊接區(qū)7與整流芯片I位于同一水平面。實施例2:—種整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)，包括整流芯片1、包覆于整流芯片I四周的環(huán)氧樹脂層2，還包括導(dǎo)電基盤3、導(dǎo)電焊盤4，所述導(dǎo)電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，此基盤引腳區(qū)32由若干個相間排列的負(fù)極引腳321組成，此負(fù)極引腳321 —端與散熱區(qū)31端面電連接，所述散熱區(qū)31位于整流芯片I正下方且與整流芯片I下表面之間通過軟焊料層6電連接；所述導(dǎo)電焊盤4位于整流芯片I另一側(cè)，導(dǎo)電焊盤4包括焊接區(qū)7和至少兩個引腳8，焊接區(qū)7與引腳的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳8 ;若干根金屬線5跨接于所述整流芯片I的正極與導(dǎo)電焊盤4的焊接區(qū)7之間；所述軟焊料層6由以下質(zhì)量百分含量的組分組成:鉛92.5%、錫5%、銀2.5%。上述導(dǎo)電焊盤4各自的焊接區(qū)7與整流芯片I位于同一水平面；上述金屬線5的數(shù)目為至少四根。上述負(fù)極引腳321的數(shù)目為四根。[0024]采用上述整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)時，其同時兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個部件功能，既有利于進一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個整體，提高了電性能的穩(wěn)定性；其次，DFN封裝結(jié)構(gòu)中焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了第一、第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)與整流芯片正極在同一水平面，從而有效避免了由于連接?xùn)艠O的第二金屬線較細(xì)在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性；再次，DFN封裝結(jié)構(gòu)中基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的負(fù)極引腳組成，導(dǎo)電焊盤的引腳區(qū)由至少四根正極引腳組成，充分考慮到整流芯片正極和負(fù)極電流大的特定，從而有利于減少熱量的產(chǎn)生，并進一步提聞了電性能指標(biāo)。上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)，包括整流芯片(I)、包覆于整流芯片(I)四周的環(huán)氧樹脂層(2)，其特征在于:還包括導(dǎo)電基盤(3)、導(dǎo)電焊盤(4)，所述導(dǎo)電基盤(3)由散熱區(qū)(31)和基盤引腳區(qū)(32)組成，此基盤引腳區(qū)(32)由若干個相間排列的負(fù)極引腳(321)組成，此負(fù)極引腳(321)—端與散熱區(qū)(31)端面電連接，所述散熱區(qū)(31)位于整流芯片(I)正下方且與整流芯片(I)下表面之間通過軟焊料層(6)電連接；所述導(dǎo)電焊盤(4)位于整流芯片(I)另一側(cè)，導(dǎo)電焊盤(4)包括焊接區(qū)(7)和至少兩個引腳(8)，焊接區(qū)(7)與引腳的連接處具有一折彎部(9)，從而使得焊接區(qū)(7)高于引腳(8);若干根金屬線(5)跨接于所述整流芯片(I)的正極與導(dǎo)電焊盤(4)的焊接區(qū)(7)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN封裝結(jié) 構(gòu)，其特征在于:所述導(dǎo)電焊盤(4)各自的焊接區(qū)(7)與整流芯片(I)位于同一水平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬線(5)的數(shù)目為至少四根。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的DFN封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述負(fù)極引腳(321)的數(shù)目為四根。
專利摘要本實用新型公開一種整流芯片的DFN封裝結(jié)構(gòu)，包括整流芯片、包覆于整流芯片四周的環(huán)氧樹脂層，還包括導(dǎo)電基盤、導(dǎo)電焊盤，所述導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的負(fù)極引腳組成，此負(fù)極引腳一端與散熱區(qū)端面電連接，所述散熱區(qū)位于整流芯片正下方且與整流芯片下表面之間通過軟焊料層電連接；所述導(dǎo)電焊盤位于整流芯片另一側(cè)，導(dǎo)電焊盤包括焊接區(qū)和至少兩個引腳，焊接區(qū)與引腳的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳；若干根金屬線跨接于所述整流芯片的正極與導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間。本實用新型DFN封裝結(jié)構(gòu)有利于進一步縮小器件的體積，同時減少封裝體中部件的數(shù)目；且提升整流器件散熱效率，熱阻相比現(xiàn)有技術(shù)降低75%。
文檔編號H01L23/488GK203118935SQ201320131920
公開日2013年8月7日 申請日期2013年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月22日
發(fā)明者胡乃仁, 楊小平, 李國發(fā), 鐘利強 申請人:蘇州固锝電子股份有限公司