專利名稱：四方扁平型功率器件封裝體的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及功率器件技術領域，具體涉及一種四方扁平型功率器件封裝體。
背景技術：
隨著電子產(chǎn)品的發(fā)展，例如筆記本電腦、手機、迷你CD、掌上電腦、CPU、數(shù)碼照相機等消費類電子產(chǎn)品越來越向小型化方向發(fā)展。隨著產(chǎn)品的做小做薄，工IC中的數(shù)百萬個晶體管所產(chǎn)生的熱量如何散發(fā)出去就變?yōu)橐粋€不得不考慮的問題?，F(xiàn)有技術中，雖然可以通過提升工IC制程能力來降低電壓等方式來減小發(fā)熱量，但是仍然不能避免發(fā)熱密度增加的趨勢。散熱問題不解決，會使得工器件因過熱而影響到產(chǎn)品的可靠性，嚴重地會縮短產(chǎn)品壽命甚至造成產(chǎn)品損毀?，F(xiàn)有技術，如附圖1所示是一種典型的DFN封裝結(jié)構的剖面示意圖，包括芯片900，散熱片920、引線框架930、多個導線940，以及包裹上述結(jié)構的絕緣膠950。芯片900粘附在散熱片920上，引線框架930具有多個相互絕緣的管腳，芯片900表面的焊盤通過導線940連接在引線框架930。相應的管腳上。絕緣膠950將上述結(jié)構全部包裹起來，以將其同外界隔離，僅將引線框架930的各個管腳和散熱片920與芯片900相對的表面暴露在空氣中。引線框架930暴露出來的管腳用于實現(xiàn)被封裝的芯片900同外界的電學連接，而散熱片920暴露出來的作用在于將芯片900工作時產(chǎn)生的熱量通過暴露的表面散發(fā)到環(huán)境中去；仍然存在體積大而不利于散熱的技術問題。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型 目的是提供一種四方扁平型功率器件封裝體，此功率器件封裝體有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標，同時也減少熱量的產(chǎn)生；且有效避免了由于連接正極的鋁導體帶在使用中容易斷的技術缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是:一種四方扁平型功率器件封裝體，包括整流芯片、包覆于整流芯片四周的環(huán)氧樹脂層，還包括導電基盤、導電焊盤，所述導電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的負極引腳組成，此負極引腳一端與散熱區(qū)端面電連接，所述散熱區(qū)位于整流芯片正下方且與整流芯片下表面之間通過軟焊料層電連接；所述導電焊盤位于整流芯片另一側(cè)，導電焊盤包括焊接區(qū)和至少兩個引腳，焊接區(qū)與引腳的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳；一鋁導體帶跨接于所述整流芯片的正極與導電焊盤的焊接區(qū)之間；所述鋁導體帶與整流芯片的焊接條至少為2條且相間排列。上述技術方案中進一步改進的方案如下:1、上述方案中，所述導電焊盤各自的焊接區(qū)與整流芯片位于同一水平面。2、上述方案中，所述負極引腳的數(shù)目為四根。3、上述方案中，所述鋁導體帶寬厚比為1:9 14。[0010]由于上述技術方案運用，本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有下列優(yōu)點和效果:1、本實用新型四方扁平型功率器件封裝體，其整流芯片的正極與導電焊盤的焊接區(qū)之間跨接有鋁導體帶，且所述鋁導體帶與整流芯片的正極的焊接條至少為2條且相間排列，這種結(jié)構設計從而有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標，同時也減少熱量的產(chǎn)生。2、本實用新型四方扁平型功率器件封裝體，其同時兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術中導電焊盤、散熱片和基島三個部件功能，既有利于進一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。3、本實用新型四方扁平型功率器件封裝體中焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了導電焊盤的焊接區(qū)與整流芯片的正極在同一水平面，從而有效避免了由于連接正極的鋁導體帶在使用中容易斷的技術缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。

圖1為現(xiàn)有技術結(jié)構示意圖；圖2為本實用新型四方扁平型功率器件封裝體結(jié)構示意圖；圖3為附圖3中沿A-A線的剖視圖。以上附圖中:1、整流芯片；2、環(huán)氧樹脂層；3、導電基盤；31、散熱區(qū)；32、基盤引腳區(qū)；321、漏極引腳；4、導電焊盤；5、鋁導體帶；6、軟焊料層；7、焊接區(qū)；8、引腳區(qū)；9、折彎部;10、焊接條。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例對本實用新型作進一步描述:實施例1:一種四方扁平型功率器件封裝體，包括整流芯片1、包覆于整流芯片I四周的環(huán)氧樹脂層2，還包括導電基盤3、導電焊盤4，所述導電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，此基盤引腳區(qū)32由若干個相間排列的負極引腳321組成，此負極引腳321 —端與散熱區(qū)31端面電連接，所述散熱區(qū)31位于整流芯片I正下方且與整流芯片I下表面之間通過軟焊料層6電連接；所述導電焊盤4位于整流芯片I另一側(cè)，導電焊盤4包括焊接區(qū)7和至少兩個引腳8，焊接區(qū)7與引腳的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳8 ;—鋁導體帶5跨接于所述整流芯片I的正極與導電焊盤4的焊接區(qū)7之間；所述鋁導體帶5與整流芯片I的焊接條10至少為2條且相間排列；所述軟焊料層6由以下質(zhì)量百分含量的組分組成:鉛92.5%、錫5%、銀2.5% ;所述鋁導體帶5寬厚比為1:1(Γ 5。上述導電焊盤4各自的焊接區(qū)7與整流芯片I位于同一水平面；上述鋁導體帶5寬厚比為1:12。實施例2:—種四方扁平型功率器件封裝體，包括整流芯片1、包覆于整流芯片I四周的環(huán)氧樹脂層2，其特征在于:還包括導電基盤3、導電焊盤4，所述導電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，此基盤引腳區(qū)32由若干個相間排列的負極引腳321組成，此負極引腳321 —端與散熱區(qū)31端面電連接，所述散熱區(qū)31位于整流芯片I正下方且與整流芯片I下表面之間通過軟焊料層6電連接；所述導電焊盤4位于整流芯片I另一側(cè)，導電焊盤4包括焊接區(qū)7和至少兩個引腳8，焊接區(qū)7與引腳的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳8 ;一鋁導體帶5跨接于所述整流芯片I的正極與導電焊盤4的焊接區(qū)7之間；所述鋁導體帶5與整流芯片I的焊接條10至少為2條且相間排列。上述導電焊盤4各自的焊接區(qū)7與整流芯片I位于同一水平面；上述負極引腳321的數(shù)目為四根；上述鋁導體帶5寬厚比為1:10。
采用上述四方扁平型功率器件封裝體時，其整流芯片的正極與導電焊盤的焊接區(qū)之間跨接有鋁導體帶，且所述鋁導體帶與整流芯片的正極的焊接條至少為2條且相間排列，這種結(jié)構設計從而有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標，同時也減少熱量的產(chǎn)生；其次，其同時兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術中導電焊盤、散熱片和基島三個部件功能，既有利于進一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個整體，提高了電性能的穩(wěn)定性；再次，功率整流芯片封裝體中焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了導電焊盤的焊接區(qū)與整流芯片的正極在同一水平面，從而有效避免了由于連接正極的鋁導體帶在使用中容易斷的技術缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權利要求1.一種四方扁平型功率器件封裝體，包括整流芯片(I)、包覆于整流芯片(I)四周的環(huán)氧樹脂層(2)，其特征在于:還包括導電基盤(3)、導電焊盤(4)，所述導電基盤(3)由散熱區(qū)(31)和基盤引腳區(qū)(32)組成，此基盤引腳區(qū)(32)由若干個相間排列的負極引腳(321)組成，此負極引腳(321)—端與散熱區(qū)(31)端面電連接，所述散熱區(qū)(31)位于整流芯片(I)正下方且與整流芯片(I)下表面之間通過軟焊料層(6)電連接；所述導電焊盤(4)位于整流芯片(I)另一側(cè)，導電焊盤(4)包括焊接區(qū)(7)和至少兩個引腳(8)，焊接區(qū)(7)與引腳的連接處具有一折彎部(9)，從而使得焊接區(qū)(7)高于引腳(8);—鋁導體帶(5)跨接于所述整流芯片(I)的正極與導電焊盤(4)的焊接區(qū)(7)之間；所述鋁導體帶(5)與整流芯片(I)的焊接條(10)至少為2條且相間排列。
2.根據(jù)權利要求1所述的功率器件封裝體，其特征在于:所述導電焊盤(4)各自的焊接區(qū)(7)與整流芯片(I)位于同一水平面。
3.根據(jù)權利要求1所述的功率器件封裝體，其特征在于:所述負極引腳(321)的數(shù)目為四根。
4.根據(jù)權利要求1所述的功率器件封裝體，其特征在于:所述鋁導體帶(5)寬厚比為1:9 14。
專利摘要本實用新型公開一種四方扁平型功率器件封裝體，包括導電基盤、導電焊盤，所述導電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的負極引腳組成，此負極引腳一端與散熱區(qū)端面電連接，所述散熱區(qū)位于整流芯片正下方且與整流芯片下表面之間通過軟焊料層電連接；所述導電焊盤位于整流芯片另一側(cè)，導電焊盤包括焊接區(qū)和至少兩個引腳，焊接區(qū)與引腳的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳；一鋁導體帶跨接于所述整流芯片的正極與導電焊盤的焊接區(qū)之間；所述鋁導體帶與整流芯片的焊接條至少為2條且相間排列。本實用新型功率器件封裝體有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標，同時也減少熱量的產(chǎn)生。
文檔編號H01L23/495GK203118939SQ201320131919
公開日2013年8月7日 申請日期2013年3月22日 優(yōu)先權日2013年3月22日
發(fā)明者胡乃仁, 楊小平, 李國發(fā), 鐘利強 申請人:蘇州固锝電子股份有限公司