擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種擴散后方塊電阻（簡稱方阻）和少子壽命異常硅片的處理辦法，該方法用于處理因擴散不當而不合質量標準的硅片。其特點是，包括如下步驟：（1）首先對單晶硅片單面擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片進行分類，第一類為方阻和少子壽命分別為90-130Ω/sq和0-2μs，第二類為方阻和少子壽命分別為75-90Ω/sq和4-20μs，第三類為方阻和少子壽命分別為40-50Ω/sq和4-20μs，第四類為方阻和少子壽命分別為60-75Ω/sq和2-4μs；（2）對第一類硅片進行如下處理：按原擴散工藝再重復進行一次擴散。采用本發(fā)明的方法后，省去了重新清洗制絨的環(huán)節(jié)，大大節(jié)約了返工成本、時間。
【專利說明】擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種擴散后方塊電阻(簡稱方阻)和少子壽命異常硅片的處理辦法，該方法用于處理因擴散不當而不合質量標準的硅片。
【背景技術】
[0002]目前對因擴散失誤而產生的不合格品硅片一般都采用重新清洗制絨擴散的方式，這樣多會因為二次制絨而導致硅片表面絨面的均勻性差、金字塔尺寸偏大、表面反射率下降等，影響電池片后續(xù)擴散不均、鍍減反射膜不均，印刷斷柵等，最終使電池效率有所損失。例如經重新清洗制絨的硅片反射率由原來的12.5%左右增至14%，再次減重0.3-0.4g，并且制成的電池片效率也要降低1.5%。另外，由于再次制絨減薄，使碎片率大大上升，因此此種返工方式對制造成本的控制也是不利的。由于是擴散后的硅片，再次清洗制絨對溶液的污染會影響后面硅片的清洗制絨效果，并且對于清洗制絨設備的潔凈度也造成影響。對于單面制絨、單面擴散的情況操作就更不易。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的目的是提供一種擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法，采用該方法后省去了重新清洗制絨的環(huán)節(jié)，大大節(jié)約了返工成本、時間，也簡化了返工處理的難度。
[0004]一種擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法，其特別之處在于，包括如下步驟:
[0005](I)首先對單晶硅片單面擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片進行分類，第一類為方阻和少子壽命分別為90_130Q/Sq和0_2 μ S，第二類為方阻和少子壽命分別為75-90 Ω /sq和4-20 μ S，第三類為方阻和少子壽命分別為40-50 Ω /sq和4-20 μ S，第四類為方阻和少子壽命分別為60-75 Ω /sq和2-4 μ s ;
[0006](2)按照步驟(I)的分類標準，對第一類硅片進行如下處理:按原擴散工藝再重復進行一次擴散，擴散時確保三氯氧磷源瓶處于打開狀態(tài)，擴散爐溫度保持在擴散工藝起始溫度 800-820°C。
[0007]按照步驟(I)的分類標準，對第二類硅片進行如下處理:按原擴散工藝再重復進行一次擴散，擴散時通入三氯氧磷的時間為16-18min，主擴散溫度為830_835°C ；
[0008]按照步驟(I)的分類標準，對第三類硅片進行如下處理:按原擴散工藝再重復進行一次擴散，但本次擴散時是在硅片的非擴散面上進行的；
[0009]按照步驟(I)的分類標準，對第四類硅片進行如下處理:疏通清洗尾氣裝置使其暢通，然后爐內不放硅片，空運行2-3次擴散工藝；將異常硅片在酸液中浸泡10-20min，然后按原擴散工藝在硅片的非擴散面重復進行一次擴散。
[0010]其中酸液為10%的HF。
[0011]采用本發(fā)明的方法后，省去了重新清洗制絨的環(huán)節(jié)，大大節(jié)約了返工成本、時間和簡化了返工處理的難度，并且由于重復高溫磷吸雜的效果，使經返工處理的硅片制成的電池片轉換效率沒有損失。另外空運工藝來凈化爐管的方式也可替代酸洗石英爐管帶來的復雜性和危險性，對短周期爐管清潔有好處。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]附圖1為本發(fā)明工藝在整個單晶硅片生產過程中的流程圖。
【具體實施方式】
[0013]經過長期生產時間發(fā)現，單晶硅片單面擴散后方塊電阻、少子壽命異常的硅片多為操作不當、設備故障或潔凈度不達標引起的，本發(fā)明通過分析異常原因給出針對性的處理辦法。
[0014]首先對擴散后 不合格品進行分類:
[0015]1、首先對單晶硅片單面擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片進行分類，第一類為方阻和少子壽命分別為90-130 Ω /sq和< 2 μ S，第二類為方阻和少子壽命分別為75_90 Ω /sq和4-20 μ S，第三類為方阻和少子壽命分別為40-50 Ω/sq和4_20 μ S，第四類為方阻和少子壽命分別為60-75 Ω /sq和2-4 μ S。
[0016]表一給出了正常擴散所用工藝。
[0017]表一:擴散工藝(注:氣體流量為mL/min)
[0018]
【權利要求】
1.一種擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法，其特征在于，包括如下步驟: (1)首先對單晶硅片單面擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片進行分類，第一類為方阻和少子壽命分別為90-130 Ω /sq和0-2 μ s，第二類為方阻和少子壽命分別為75-90 Ω /sq和4-20 μ s，第三類為方阻和少子壽命分別為40-50 Ω /sq和4_20 μ S，第四類為方阻和少子壽命分別為60-75 Ω /sq和2-4 μ s ; (2)按照步驟(I)的分類標準，對第一類硅片進行如下處理:按原擴散工藝再重復進行一次擴散，擴散時確保三氯氧磷源瓶處于打開狀態(tài)，擴散爐溫度保持在擴散工藝起始溫度800-820。。。
2.如權利要求1所述的擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法，其特征在于:按照步驟(I)的分類標準，對第二類硅片進行如下處理:按原擴散工藝再重復進行一次擴散，擴散時通入三氯氧磷的時間為16-18min，主擴散溫度為830_835°C。
3.如權利要求1所述的擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法，其特征在于:按照步驟(I)的分類標準，對第三類硅片進行如下處理:按原擴散工藝再重復進行一次擴散，但本次擴散時是在硅片的非擴散面上進行的。
4.如權利要求1所述的擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法，其特征在于:按照步驟(I)的分類標準，對第四類硅片進行如下處理:疏通清洗尾氣裝置使其暢通，然后爐內不放硅片，空運行2-3次擴散工藝；將異常硅片在酸液中浸泡10-20min，然后按原擴散工藝在硅片的非擴散面重復進行一次擴散。
5.如權利要求4所述的擴散后方塊電阻和少子壽命異常硅片的處理辦法，其特征在于:其中酸液為10%的HF。
【文檔編號】H01L21/66GK103745940SQ201310720135
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年12月24日 優(yōu)先權日:2013年12月24日
【發(fā)明者】楊佳, 楊利利, 武建, 王緒文, 李天钚 申請人:寧夏銀星能源股份有限公司