基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀的制作方法
【專(zhuān)利摘要】基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，適用于高校等科研單位和相關(guān)中小型公司測(cè)試硅片少子壽命的儀器，本發(fā)明為解決國(guó)外少子壽命測(cè)試儀對(duì)于國(guó)內(nèi)的小型實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商而言，過(guò)于昂貴的問(wèn)題。本發(fā)明包括高頻信號(hào)發(fā)生電路、樣品臺(tái)、光源同步控制電路、峰值檢波電路、儀表放大電路、高速ADC采集模塊和PC機(jī)；樣品臺(tái)上放置待測(cè)硅片，光源同步控制電路輸出的光束照射在待測(cè)硅片上，樣品臺(tái)的一個(gè)極板連接高頻信號(hào)發(fā)生電路的高頻信號(hào)輸出端，樣品臺(tái)的另一個(gè)極板連接峰值檢波電路的輸入端，峰值檢波電路的輸出端連接儀表放大電路的輸入端，儀表放大電路的輸出端與高速ADC采集模塊的輸入端，高速ADC采集模塊的輸出端連接PC機(jī)的輸入端。
【專(zhuān)利說(shuō)明】基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明適用于高校等科研單位和相關(guān)中小型公司測(cè)試硅片少子壽命的儀器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著現(xiàn)在信息時(shí)代電子行業(yè)的飛速發(fā)展，集成電路生產(chǎn)廠商對(duì)半導(dǎo)體材料的質(zhì)量有了更高的要求，少子壽命作為半導(dǎo)體材料的重要參數(shù)之一，其值的大小直接與半導(dǎo)體器件的性能相關(guān)。對(duì)半導(dǎo)體材料的少子壽命值進(jìn)行測(cè)量，可以根據(jù)少子壽命值對(duì)半導(dǎo)體材料的性能進(jìn)行評(píng)估，而且在半導(dǎo)體材料器件的生產(chǎn)過(guò)程中，可以在生產(chǎn)工藝中測(cè)量少子壽命值，對(duì)半導(dǎo)體器件的質(zhì)量進(jìn)行監(jiān)控，進(jìn)而優(yōu)化生產(chǎn)工藝。因此，現(xiàn)在科研部門(mén)及半導(dǎo)體廠商對(duì)于少子壽命的測(cè)量也更加重視起來(lái)。
[0003]少子壽命的測(cè)試一直是國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體行業(yè)十分重視的課題之一。我國(guó)半導(dǎo)體少子壽命的測(cè)量，從研究測(cè)試方法及設(shè)備到生產(chǎn)壽命測(cè)試儀器，已有近50年的歷史，曾小批量生產(chǎn)過(guò)一些型號(hào)的高頻光電導(dǎo)衰減壽命測(cè)試儀，產(chǎn)品各有優(yōu)缺，但總體性能不佳。國(guó)外少子壽命測(cè)試儀已經(jīng)發(fā)展的較為成熟，型號(hào)繁多，原理也多種多樣，創(chuàng)新性很高，再結(jié)合計(jì)算機(jī)技術(shù)，控制操作簡(jiǎn)便，分析科學(xué)合理，適合于各種不同場(chǎng)合的少子壽命測(cè)試，但是，對(duì)于國(guó)內(nèi)的小型實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商而言，這些設(shè)備過(guò)于昂貴，性?xún)r(jià)比不高。
[0004]少子壽命測(cè)試的主要方法可以分為兩大類(lèi)，其中較為常用的是直接測(cè)試法，就是利用各類(lèi)光源或脈沖注入，使半導(dǎo)體材料處于非平衡狀態(tài)，然后通過(guò)測(cè)量半導(dǎo)體材料的電阻率的變化而測(cè)試出少子壽命值。另外一類(lèi)是間接測(cè)量法，使用起來(lái)較為繁瑣，使用者較少，就是使半導(dǎo)體材料處于兩次不同的穩(wěn)定狀態(tài)，通過(guò)測(cè)量相關(guān)的物理參數(shù)，由兩次測(cè)量的數(shù)據(jù)，經(jīng)過(guò)理論計(jì)算，得出最后的少子壽命。
[0005]在國(guó)內(nèi)外經(jīng)常使用的較為成熟的技術(shù)中，直流光電導(dǎo)衰減法要求從硅單晶上切取長(zhǎng)方形樣品，并在其兩端制作電極，很不方便。而采用高頻光電導(dǎo)衰減法可以直接對(duì)大尺寸的硅單晶樣品進(jìn)行測(cè)試，并且不需要制作接觸電極，也不會(huì)對(duì)單晶硅造成損傷，很好的彌補(bǔ)了直流光電導(dǎo)衰減法的不足之處。微波光電導(dǎo)衰減法不僅僅需要強(qiáng)光脈沖，還需要微波發(fā)生器，雖然測(cè)試也較為方便，但是其成本要遠(yuǎn)高于其他方法。準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)法是一種間接方法，因此還需要測(cè)量硅片樣品的其它參數(shù)，才能通過(guò)數(shù)學(xué)推導(dǎo)計(jì)算，得出少子壽命值。因此，這種方法較為麻煩，而在實(shí)際應(yīng)用中，測(cè)量參數(shù)有誤差，用多個(gè)有誤差的參數(shù)計(jì)算，會(huì)使結(jié)果相對(duì)于真實(shí)結(jié)果有較大的偏移，精度較差。正因如此，國(guó)內(nèi)外大多采用高頻光電導(dǎo)衰減法來(lái)測(cè)量少子壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明目的是為了解決目前國(guó)外少子壽命測(cè)試儀對(duì)于國(guó)內(nèi)的小型實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體廠商而言，過(guò)于昂貴，性?xún)r(jià)比較低，國(guó)內(nèi)的少子壽命測(cè)試儀精度不佳，以及高校缺乏相關(guān)設(shè)備的問(wèn)題，提供了一種基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀。
[0007]本發(fā)明所述基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，它包括高頻信號(hào)發(fā)生電路、樣品臺(tái)、光源同步控制電路、峰值檢波電路、儀表放大電路、高速ADC采集模塊和PC機(jī)；
[0008]樣品臺(tái)上放置待測(cè)硅片，光源同步控制電路輸出的光束照射在待測(cè)硅片上，樣品臺(tái)的一個(gè)極板連接高頻信號(hào)發(fā)生電路的高頻信號(hào)輸出端，樣品臺(tái)的另一個(gè)極板連接峰值檢波電路的輸入端，峰值檢波電路的輸出端連接儀表放大電路的輸入端，儀表放大電路的輸出端與高速ADC采集模塊的輸入端，高速ADC采集模塊的輸出端連接PC機(jī)的輸入端。
[0009]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明測(cè)量少子壽命值采用的原理是高頻光電導(dǎo)衰減法，該方法技術(shù)成熟，成本低，測(cè)試精度較高，適合普通高校和中小企業(yè)測(cè)試，高速AD數(shù)據(jù)采集電路部分采用FPGA處理單元、高速AD數(shù)據(jù)采集芯片及USB高速數(shù)據(jù)通信，大大提高了系統(tǒng)靈敏性，減小了噪聲干擾，降低了信號(hào)檢測(cè)和處理電路的非線性，提高了少子壽命測(cè)試儀的性能，最終的數(shù)據(jù)處理由PC機(jī)處理完成，方便數(shù)據(jù)的整理及輸出。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1是本發(fā)明所述基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀的原理框圖；
[0011]圖2是聞?lì)l彳目號(hào)發(fā)生電路的具體電路圖；
[0012]圖3是樣品臺(tái)的具體結(jié)構(gòu)及電路圖；
[0013]圖4是峰值檢波電路的具體電路圖；
[0014]圖5是儀表放大電路的具體電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]【具體實(shí)施方式】一:下面結(jié)合圖1說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式所述基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，它包括高頻信號(hào)發(fā)生電路100、樣品臺(tái)101、光源同步控制電路102、峰值檢波電路103、儀表放大電路104、高速ADC采集模塊105和PC機(jī)106 ；
[0016]樣品臺(tái)101上放置待測(cè)硅片，光源同步控制電路102輸出的光束照射在待測(cè)硅片上，樣品臺(tái)101的一個(gè)極板連接高頻信號(hào)發(fā)生電路100的高頻信號(hào)輸出端，樣品臺(tái)101的另一個(gè)極板連接峰值檢波電路103的輸入端，峰值檢波電路103的輸出端連接儀表放大電路104的輸入端，儀表放大電路104的輸出端與高速ADC采集模塊105的輸入端，高速ADC采集模塊105的輸出端連接PC機(jī)106的輸入端。
[0017]高頻光電導(dǎo)衰減法的大概的原理:當(dāng)能量大于待測(cè)硅片禁帶寬度的光照射樣品時(shí)，樣品中激光產(chǎn)生非平衡電子和空穴。若樣品中沒(méi)有明顯的陷阱效應(yīng)，那么非平衡電子Λ P和空穴An的濃度相等，它們的壽命也不相同，樣品電導(dǎo)率的增加與少子濃度的關(guān)系為:
[0018]Δ ο = q μ ρ Δ p+q μ η Δ η
[0019]其中:q表示電子電荷，μ p表示空穴的遷移率，μ n表示電子的遷移率。當(dāng)去掉光照，少子密度將按指數(shù)衰減，即:
[_] Ap OC e l
[0021]τ表示少子壽命，表示光照消失后，非平衡少子在復(fù)合前平均存在的時(shí)間。
[0022]因此導(dǎo)致電導(dǎo)率:[。。23]
[0024]也按指數(shù)規(guī)律衰減。
[0025]高頻信號(hào)發(fā)生電路100輸出穩(wěn)定的高頻載波信號(hào)，加載在樣品臺(tái)101的高頻載波信號(hào)輸入端Vin2上，光源同步控制電路102控制光源以及改變光源的光強(qiáng)大小，光源同步控制電路102調(diào)節(jié)光強(qiáng)，控制光源瞬間放光，光照在樣品臺(tái)101的待測(cè)硅片上，待測(cè)硅片產(chǎn)生的信號(hào)經(jīng)樣品臺(tái)101的信號(hào)輸出端Vout2輸出給峰值檢波電路103。峰值檢波電路103對(duì)待測(cè)硅片產(chǎn)生的信號(hào)進(jìn)行檢波、放大處理，將高頻信號(hào)的幅值輪廓檢出，形成電壓包絡(luò)信號(hào)，該電壓包絡(luò)信號(hào)被高速ADC采集模塊105快速采集，并送至PC機(jī)106對(duì)電壓信號(hào)采集數(shù)據(jù)進(jìn)行去噪處理及分析，并輸出待測(cè)硅片的少子壽命，一次少子壽命測(cè)試結(jié)束。
[0026]【具體實(shí)施方式】二:下面結(jié)合圖2說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式對(duì)實(shí)施方式一作進(jìn)一步說(shuō)明，高頻信號(hào)發(fā)生電路100包括有源晶振Yl、NPN三極管V1、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電感LI和電感L2 ；
[0027]有源晶振Yl的I腳懸空，有源晶振Yl的2腳接地，有源晶振Yl的3腳連接電容Cl的一端，電容Cl的另一端同時(shí)連接電阻Rl的一端、電阻R2的一端和NPN三極管Vl的基極；有源晶振Yl的4腳連接電感L2的一端，電感L2的另一端、電阻Rl的另一端、電感LI的一端和電 容C2的一端同時(shí)連接電源VCC ；
[0028]電感LI的另一端同時(shí)連接電容C2的另一端、電容C4的一端和NPN三極管Vl的集電極，NPN三極管Vl的發(fā)射極同時(shí)連接電阻R3的一端和電容C3的一端，電阻R3的另一端、電容C3的另一端和電阻R2的另一端同時(shí)接地；
[0029]電容C4的另一端作為高頻信號(hào)發(fā)生電路100的輸出端Voutl。
[0030]高頻信號(hào)發(fā)生電路100由有源晶振Yl和諧振放大器組成，實(shí)現(xiàn)了有源晶振Yl信號(hào)幅值放大和噪聲消除。
[0031]【具體實(shí)施方式】三:下面結(jié)合圖3說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式對(duì)實(shí)施方式一或二作進(jìn)一步說(shuō)明，樣品臺(tái)101包括金屬極板A、待測(cè)硅片B、金屬極板C和滑動(dòng)變阻器R4，金屬極板A和金屬極板C之間夾持待測(cè)硅片B，金屬極板A和金屬極板C的外表面均鍍有無(wú)色有機(jī)薄膜；金屬極板A作為樣品臺(tái)101的高頻載波信號(hào)輸入端Vin2，金屬極板C作為樣品臺(tái)101的信號(hào)輸出端Vout2，金屬極板C還通過(guò)滑動(dòng)變阻器R4接地。
[0032]在本實(shí)施方式中，將待測(cè)硅片放置在金屬極板A、C之間，且金屬極板A、C均鍍有無(wú)色有機(jī)薄膜，實(shí)現(xiàn)了金屬極板與待測(cè)硅片的隔離，避免了待測(cè)硅片被金屬極板污染。其中滑動(dòng)變阻器R4為取樣電阻，調(diào)節(jié)其阻值用于匹配測(cè)量不同電阻率的半導(dǎo)體樣品。樣品臺(tái)101的兩塊金屬極板分別與高頻信號(hào)發(fā)生電路100和峰值檢波電路103相連。
[0033]【具體實(shí)施方式】四:下面結(jié)合圖4說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式對(duì)實(shí)施方式一、二或三作進(jìn)一步說(shuō)明，峰值檢波電路103包括運(yùn)放OP1、運(yùn)放0P2、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C5、檢波二極管Dl和檢波二極管D2 ；
[0034]電阻R5的一端作為峰值檢波電路103的輸入端Vin3，電阻R5的另一端連接運(yùn)放OPl的同相輸入端，運(yùn)放OPl的反相輸入端同時(shí)連接檢波二極管Dl的陽(yáng)極和電阻R6的一端，檢波二極管Dl的陰極同時(shí)連接運(yùn)放OPl的輸出端和檢波二極管D2的陽(yáng)極，檢波二極管D2的陰極同時(shí)連接電容C5的一端、電阻R7的一端和電阻R8的一端，電容C5的另一端和電阻R7的另一端同時(shí)接地；電阻R8的另一端連接運(yùn)放0P2的同相輸入端，運(yùn)放0P2的反相輸入端同時(shí)連接電阻R6的另一端和運(yùn)放0P2的輸出端，運(yùn)放0P2的輸出端作為峰值檢波電路103的輸出端Vout3。
[0035]峰值檢波電路103由檢波電路和跟隨器反饋電路組成，實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入調(diào)幅信號(hào)的幅
值解調(diào)。
[0036]【具體實(shí)施方式】五:下面結(jié)合圖5說(shuō)明本實(shí)施方式，本實(shí)施方式對(duì)實(shí)施方式一至四任一實(shí)施方式作進(jìn)一步說(shuō)明，儀表放大電路104包括運(yùn)放0P3、運(yùn)放0P4、運(yùn)放0P5、電阻R9、電阻R10、電阻R11、電阻R12、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電容C6和電容C7 ；
[0037]運(yùn)放0P3的同相輸入端作為儀表放大電路104的輸入端Vin4,運(yùn)放0P3的反相輸入端同時(shí)連接電容C6的一端、電阻R9的一端和電阻RlO的一端；運(yùn)放0P3的輸出端同時(shí)連接電容C6的另一端、電阻R9的另一端和電阻R13的一端，電阻R13的另一端連接運(yùn)放0P5的反相輸入端；電阻R15并聯(lián)在運(yùn)放0P5的反相輸入端和輸出端之間；
[0038]電阻RlO的另一端同時(shí)連接電阻Rll的一端、電容C7的一端和運(yùn)放0P4的反相輸入端，運(yùn)放0P4的同相輸入端通過(guò)電阻R12接地；運(yùn)放0P4的輸出端同時(shí)連接電阻Rll的另一端、電容C7的另一端和電阻R14的一端，電阻R14的另一端連接運(yùn)放0P5的同相輸入端；運(yùn)放0P5的輸出端作為儀表放大電路104的輸出端Vout4。
[0039]儀表放大電路104由放大器和電阻電容網(wǎng)絡(luò)組成，將經(jīng)過(guò)峰值檢波后的電壓包絡(luò)信號(hào)放大，具有高增益、高輸入電阻和高共模抑制比等特點(diǎn)，提高測(cè)量精度。
[0040]【具體實(shí)施方式】六:本實(shí)施方式對(duì)實(shí)施方式一至五任一實(shí)施方式作進(jìn)一步說(shuō)明，高速ADC采集模塊105包括高速ADC采集電路、FPGA和USB通訊電路，高速ADC采集電路的模擬信號(hào)輸入端連接儀表放大電路104的輸出端，高速ADC采集電路的數(shù)字信號(hào)輸出端與FPGA的輸入端相連，F(xiàn)PGA的輸出端與USB通訊電路的輸入端相連，USB通訊電路的輸出端連接PC機(jī)106的輸入端。
[0041]高速ADC采集模塊105用來(lái)采集經(jīng)儀表放大電路104輸出的電壓包絡(luò)信號(hào)，此信號(hào)持續(xù)時(shí)間短，需要高速ADC采集。
[0042]高速ADC采集模塊105采用FPGA處理單元、高速AD數(shù)據(jù)采集芯片及USB高速數(shù)據(jù)通信，大大提高了系統(tǒng)靈敏性，減小了噪聲干擾，降低了信號(hào)檢測(cè)和處理電路的非線性，提高了少子壽命測(cè)試儀的性能。
【權(quán)利要求】
1.基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，其特征在于，它包括高頻信號(hào)發(fā)生電路(100)、樣品臺(tái)(101)、光源同步控制電路(102)、峰值檢波電路(103)、儀表放大電路(104)、高速ADC采集模塊(105)和PC機(jī)(106)；光源同步控制電路(102)的輸出的光束照射在樣品臺(tái)(101)中的待測(cè)硅片上，樣品臺(tái)(101)的高頻載波信號(hào)輸入端連接高頻信號(hào)發(fā)生電路(100)的高頻信號(hào)輸出端，樣品臺(tái)(101)的信號(hào)輸出端連接峰值檢波電路(103)的輸入端，峰值檢波電路(103)的輸出端連接儀表放大電路(104)的輸入端，儀表放大電路(104)的輸出端與高速ADC采集模塊(105)的輸入端，高速ADC采集模塊(105)的輸出端連接PC機(jī)(106)的輸入端，PC機(jī)(106)對(duì)接收的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，獲取樣品臺(tái)(101)中待測(cè)硅片的少子壽命。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，其特征在于，高頻信號(hào)發(fā)生電路(100)包括有源晶振Yl、NPN三極管V1、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電感LI和電感L2 ； 有源晶振Yl的I腳懸空，有源晶振Yl的2腳接地，有源晶振Yl的3腳連接電容Cl的一端，電容Cl的另一端同時(shí)連接電阻Rl的一端、電阻R2的一端和NPN三極管Vl的基極；有源晶振Yl的4腳連接電感L2的一端，電感L2的另一端、電阻Rl的另一端、電感LI的一端和電容C2的一端同時(shí)連接電源VCC ； 電感LI的另一端同時(shí)連接電容C2的另一端、電容C4的一端和NPN三極管Vl的集電極，NPN三極管Vl的發(fā)射極同時(shí)連接電阻R3的一端和電容C3的一端，電阻R3的另一端、電容C3的另一端和電阻R2的另一端同時(shí)接地； 電容C4的另一端作為高頻信號(hào)發(fā)生電路(100)的輸出端Voutl。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，其特征在于，樣品臺(tái)(101)包括金屬極板A、待測(cè)硅片B、金屬極板C和滑動(dòng)變阻器R4，金屬極板A和金屬極板C之間夾持待測(cè)硅片B，金屬極板A和金屬極板C的外表面均鍍有無(wú)色有機(jī)薄膜；金屬極板A作為樣品臺(tái)(101)的高頻載波信號(hào)輸入端Vin2，金屬極板C作為樣品臺(tái)(101)的信號(hào)輸出端Vout2，金屬極板C還通過(guò)滑動(dòng)變阻器R4接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，其特征在于，峰值檢波電路(103)包括運(yùn)放0P1、運(yùn)放0P2、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C5、檢波二極管Dl和檢波二極管D2 ； 電阻R5的一端作為峰值檢波電路(103)的輸入端Vin3，電阻R5的另一端連接運(yùn)放OPl的同相輸入端，運(yùn)放OPl的反相輸入端同時(shí)連接檢波二極管Dl的陽(yáng)極和電阻R6的一端，檢波二極管Dl的陰極同時(shí)連接運(yùn)放OPl的輸出端和檢波二極管D2的陽(yáng)極，檢波二極管D2的陰極同時(shí)連接電容C5的一端、電阻R7的一端和電阻R8的一端，電容C5的另一端和電阻R7的另一端同時(shí)接地；電阻R8的另一端連接運(yùn)放0P2的同相輸入端，運(yùn)放0P2的反相輸入端同時(shí)連接電阻R6的另一端和運(yùn)放0P2的輸出端，運(yùn)放0P2的輸出端作為峰值檢波電路(103)的輸出端Vout3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，其特征在于，儀表放大電路(104)包括運(yùn)放0P3、運(yùn)放0P4、運(yùn)放0P5、電阻R9、電阻RlO、電阻Rl 1、電阻Rl2、電阻R13、電阻R14、電阻R15、電容C6和電容C7 ； 運(yùn)放0P3的同相輸入端作為儀表放大電路(104)的輸入端Vin4,運(yùn)放0P3的反相輸入端同時(shí)連接電容C6的一端、電阻R9的一端和電阻RlO的一端；運(yùn)放OP3的輸出端同時(shí)連接電容C6的另一端、電阻R9的另一端和電阻R13的一端，電阻R13的另一端連接運(yùn)放OP5的反相輸入端；電阻R15并聯(lián)在運(yùn)放OP5的反相輸入端和輸出端之間； 電阻RlO的另一端同時(shí)連接電阻Rll的一端、電容C7的一端和運(yùn)放0P4的反相輸入端，運(yùn)放0P4的同相輸入端通過(guò)電阻R12接地；運(yùn)放0P4的輸出端同時(shí)連接電阻Rll的另一端、電容C7的另一端和電阻R14的一端，電阻R14的另一端連接運(yùn)放OP5的同相輸入端；運(yùn)放OP5的輸出端作為儀表放大電路(104)的輸出端Vout4。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于高頻光電導(dǎo)衰減法的少子壽命測(cè)試儀，其特征在于，高速ADC采集模塊(105)包括高速ADC采集電路、FPGA和USB通訊電路，高速ADC采集電路的模擬信號(hào)輸入端連接儀表放大電路(104)的輸出端，高速ADC采集電路的數(shù)字信號(hào)輸出端與FPGA的輸入端相連，F(xiàn)PGA的輸出端與USB通訊電路的輸入端相連，USB通訊電路的輸出端連接PC機(jī)(106)的輸 入端。
【文檔編號(hào)】G01N21/84GK103969263SQ201410244645
【公開(kāi)日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2014年6月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月4日
【發(fā)明者】桑勝田, 付強(qiáng), 楊賽花, 王蔚, 劉曉為, 王喜蓮 申請(qǐng)人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)